配線基板の製造方法
【課題】露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線パターンを形成してなる配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造する。
【解決手段】露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されてなるマスクパターンを配置し、マスクパターンを介して感光性レジストに対して露光処理を行い、感光性レジストにパターンの潜像を形成する。次いで、マスクパターンに対して除塵ローラを接触及び回転させてマスクパターンの清浄を行い、マスクパターン及び除塵ローラが接触している状態において、マスクパターン及び除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、マスクパターン及び除塵ローラの除電を行う。
【解決手段】露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されてなるマスクパターンを配置し、マスクパターンを介して感光性レジストに対して露光処理を行い、感光性レジストにパターンの潜像を形成する。次いで、マスクパターンに対して除塵ローラを接触及び回転させてマスクパターンの清浄を行い、マスクパターン及び除塵ローラが接触している状態において、マスクパターン及び除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、マスクパターン及び除塵ローラの除電を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジストなどの感光材料を塗布した基板表面に所定のパターンを露光装置により露光焼き付けし、その後基板上にパターンを形成するフォトリソグラフィ法が種々の分野で広く応用されている。
【０００３】
上述した露光装置は、感光性レジストが配設された基板を設置する露光ステージと、この露光ステージと対向するようにホルダーに狭持されたマスクパターンと、このマスクパターンを挟んで露光ステージと反対の側に配設された光源とを有している。
【０００４】
また、マスクパターン上に塵埃が存在すると、露光した時、この塵埃が露光ステージ上に設置した基板に対して影となるため、基板に対して未露光部分が形成されるようになる。この結果、基板の露光を精度良く行うことができず、得ようとする配線基板が不良となって、製造歩留まりが低下するという問題が生じる。このため、上記露光装置には、一般に、マスクパターン上に付着した塵埃を除去するための除塵装置が設けられている。
【０００５】
除塵装置としては、従来、粘着ゴムローラ(除塵ローラ)や粘着テープローラ等を用い、これらローラをマスクパターンと接触させることによって、マスクパターンの除塵を行っていた。
【０００６】
しかしながら、上述した粘着ゴムローラや粘着テープローラを用いた場合は、その使用過程においてマスクパターンと接触する際の摩擦によって帯電するようになるので、これらローラを除塵後にマスクパターンから剥離すると、マスクパターンは剥離帯電するようになる。一般に、マスクパターンは、通常、絶縁性の透明基材上に所定の、例えば金属のパターンが描画されているため、上述のような剥離帯電が生じると、パターンが静電破壊してしまい、マスクパターンが破損してしまうという問題が生じる。
【０００７】
特許文献１では、除電ブラシと集塵機とを配設し、マスクパターン上の静電気を除電ブラシで除去した後に、粘着テープローラ及び集塵機で塵埃を除去することが開示されている。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、マスクパターンのみに除電ブラシを作用させ、粘着テープローラには除電ブラシを作用させていないため、粘着テープローラは帯電した状態であり、上述したように、粘着テープローラをマスクパターンから剥離する際に剥離帯電を生ぜしめ、描画されたパターンに対して静電破壊を生ぜしめるという問題を解決することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２１６４３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、前記露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンを配置し、前記マスクパターンを介して前記感光性レジストに対して露光処理を行うことにより、前記感光性レジストに前記パターンの潜像を形成する工程と、
前記マスクパターンに対して粘着表面を有する除塵ローラを接触させつつ回転させて、前記マスクパターンの清浄を行う工程と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、前記マスクパターン及び前記除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行う工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１１】
また、本発明は、
被露光体を設置するための露光ステージと、
前記露光ステージと対向配置された絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンと、
前記マスクパターンを介して前記露光ステージを照射する光源と、
前記マスクパターンと接触して前記マスクパターン表面を除塵をする粘着表面を有する除塵ローラと、
前記除塵ローラを前記マスクパターンと接触させつつ前記マスクパターンの表面を転動させる除塵ローラ駆動手段と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、イオン照射により前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行うイオン化装置と、
を備えることを特徴とする、露光装置に関する。
【００１２】
本発明によれば、イオン化装置を有する露光装置を用い、必要に応じて導体層が形成されるとともに、感光性レジストが配設された基板を、露光装置内の露光ステージ上に設置し、対向して配置したマスクパターンから基板に対して露光処理を行うとともに、マスクパターンに対して除塵ローラを接触及び回転させてマスクパターンの除塵を行うようにしている。したがって、基板上に配設された感光性レジストに対する、マスクパターン上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００１３】
また、マスクパターンと除塵ローラとが接触している状態において、これらに対してイオン化装置からイオンを照射し、マスクパターン及び除塵ローラの除電を行うようにしている。したがって、マスクパターンの除塵ローラによる除塵終了後において、除塵ローラをマスクパターンから剥離した際の、マスクパターンの剥離帯電を防止し、描画されたパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターンの破損を防止することができる。
【００１４】
このように本発明によれば、製品の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００１５】
なお、本発明の一例においては、上記除塵ローラをウレタンから製造することができる。ウレタンは、現在汎用されている除塵ローラの構成材料であるシリコーンと比較して高い導電性を有している。したがって、上述したようなマスクパターンと接触した際においても、除塵ローラ自体の帯電を抑制することができ、上述のようなマスクパターンの破損をより確実に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び図２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】実施形態で使用する露光装置の概略構成を示す図である。
【図５】図４に示す露光装置の動作を説明するための図である。
【図６】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図７】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図８】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図９】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１０】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１１】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１２】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１３】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１４】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１５】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（配線基板）
最初に、本発明の方法によって製造すべき配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、コア層の第１の主面上において少なくとも第１の導体層及び第１の樹脂絶縁層が積層されるとともに、最表面に第１のソルダーレジスト層が形成され、この第１のソルダーレジスト層に形成された第１の開口部から前記少なくとも第１の導体層が露出し、前記コア層の、前記第１の主面と相対する第２の主面上において少なくとも第２の導体層及び第２の樹脂絶縁層が積層されるとともに、最表面に第２のソルダーレジスト層が形成されていれば特に限定されるものではない。また、コア基板２を有しない配線基板においても適用することができる。
【００１９】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図２は、図１に示す配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び図２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２０】
図１〜３に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２１】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２２】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面には、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２３】
第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２４】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２、第２のビア層Ｖ２及び第２の導体層Ｍ３が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２、第２のビア層Ｖ１２及び第２の導体層Ｍ１３が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００２５】
なお、金属端子パッド１０は、後に形成する半田バンプを介して図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域を構成する。図１に示すように、金属端子パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。
【００２６】
また、金属端子パッド１７は、配線基板１をマザーボード接続するための裏面ランド（ＬＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１の裏面全体に亘って矩形状に配列されている。
【００２７】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、開口部８ａに露出した金属端子パッド１０上には、無電解Ｓｎメッキや電解Ｓｎメッキなどのメッキ法によって形成したＳｎ含有下地層１０ａが形成されている。また、下地層１０ａ上には、半田ペーストを印刷した後、リフローすることによって得た半田バンプ１１が形成されている。
【００２８】
なお、上記半田ペーストは、酸化膜除去用のフラックスを含むものであってもよいし、当該フラックスを含まないものであってもよい。後者の場合、以下に説明するように、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去すべく、別途、酸化膜除去用のフラックスを用いて下地膜１０ａを処理し、その表面に形成された酸化膜を除去することが好ましい。
【００２９】
なお、半田バンプ１１は、例えばＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ及びＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどから構成することができる。
【００３０】
また、図１〜３から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３１】
（配線基板の製造方法）
次に、図１〜３に示す配線基板の製造方法について説明する。図４は、本実施形態で使用する露光装置の概略構成を示す図であり、図５は、図４に示す露光装置の動作を説明するための図であり、図６〜１５は、本実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。なお、以下に示す工程図は、図３に相当する、配線基板のI−I線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を中心に示すものである。
【００３２】
図４に示す露光装置５０は、必要に応じて導電層が形成されるとともに、感光性レジストが配設された基板を配置するための露光ステージ５１と、この露光ステージ５１と対向するようにして設けられたマスクパターン５２とを有している。なお、特に図示しないが、マスクパターン５２は、絶縁性の透明基材上に、金属、例えばクロムからなる所定のパターンが形成されてなる。
【００３３】
また、マスクパターン５２の除塵を行うための除塵ローラ５３及びイオン化装置５４を有している。除塵ローラ５３及びイオン化装置５４は、図示しない搬送系によって搬出されるべき搬出キャリア５５に設置されている。
【００３４】
なお、露光装置５０の前後には、外部から運ばれてきた配線基板１を露光装置５０内に導入するための搬入部及び露光後の配線基板１を露光装置５０から外部に搬出するための排出部が配設されている。
【００３５】
搬入部には、搬入キャリア５６と、この搬入キャリアの下面に設けられた吸着パッド５７と、配線基板を搬送するための搬送ローラ５８とが配設されている。同様に、搬出部には、上記搬出キャリア５５と、この搬出キャリアの下面に設けられた吸着パッド５７と、配線基板を搬送するための搬送ローラ５８とが配設されている。
【００３６】
次に、図５により、露光装置５０の動作を説明する。外部から搬送ローラ５８で運ばれてきた配線基板１が搬入部にあり、移動式の搬入キャリア５６に設けられた吸着パッド５７により、これを露光ステージ５１上に搬入する。搬入キャリア５６は、配線基板１を所定の位置まで搬入すると、下降して、配線基板１を露光ステージ５１に載置し、配線基板１の吸着を解除する。搬入キャリア５６は配線基板１の吸着を解除した後、露光ステージ５１上から搬入部へ移動を開始する。
【００３７】
露光が行われた後、移動式の搬出キャリア５５（徐塵ローラ駆動手段）が、配線基板１の上に移動する。搬出キャリア５５が下降し、搬出キャリア５５に設けられた吸着パッド５７により配線基板１を吸着した後、露光ステージ５１上から搬出部へ移動を開始する。搬出部にて、搬出キャリア５５が下降し、吸着パッド５７の吸着を解除することにより、配線基板１は搬送ローラ５８上に載置され搬出される。
【００３８】
配線基板１が搬出され、露光ステージ５１上に配線基板がない状態で、マスクパターン５２の清浄が行われる。まず、除塵ローラ５３及びイオン化装置５４が設けられた搬出キャリア５５が露光ステージ上に移動する。この際、吸着パッド５７に配線基板１は吸着していない。次に、搬出キャリア５５が上昇し、除塵ローラ５３がマスクパターン５２に接触する。搬出キャリア５５に設けられた徐塵ローラ５３が回転し、マスクパターン５２に付着している塵埃の除去を行う。また、同時にイオン化装置５４により、イオンを照射し、マスクパターン５２及び徐塵ローラ５３の徐電を行う。徐塵、徐電を行いながら、搬出キャリアが搬出部に移動することにより、マスクパターン５２の清浄が行われる。その後、徐塵ローラ５３は下降し、転写ローラ５９と接触し、図示しない駆動力を得て回転し、徐塵ローラ５３に付着している塵埃を除去する。
【００３９】
本露光装置によると、搬出キャリア５５が搬出部に移動する方向に対して、徐塵ローラ５３が前に、イオン化装置５４が後ろに設けられている。換言すると、徐塵ローラ５３により徐塵を行ったマスクパターン５２に対して、イオン化装置５４により、イオンを照射し、徐電を行う。このように、マスクパターン５２に対して、徐塵ローラ５３により、徐塵を行った後、イオン化装置５４により、徐電が行われることで、徐塵ローラ５３が接触した箇所には、イオン化装置５４による徐電が行われ、確実に静電破壊を防止することができる。
【００４０】
次に、上述のような露光装置５０を用いた配線基板１の製造方法について具体的に説明する。最初に、図６に示すように、板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア２として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール１２を穿孔する。次いで、図示しない通電経路としての無電解Ｃｕメッキ層を形成した後、コア２の両主面ＭＰ１及びＭＰ２においてドライフィルムレジスト６１を一様に形成する。
【００４１】
次いで、図６に示すドライフィルムレジスト６１が配設されたコア（基板）２を、上述したような操作によって、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、上述した図示しない光源からマスクパターン５２を介してドライフィルムレジスト６１を露光し、このドライフィルムレジスト６１に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。
【００４２】
本工程では、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を形成することを目的としているので、マスクパターン５２のパターンも上記コア導体層Ｍ１，Ｍ１１のパターンと合致するように形成されている。
【００４３】
なお、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。すなわち、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行うようにしている。したがって、コア２上に形成されたドライフィルムレジスト６１に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００４４】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００４５】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００４６】
なお、除塵ローラ５３はウレタンから製造することが好ましい。ウレタンは、現在汎用されている除塵ローラの構成材料であるシリコーンと比較して高い導電性を有している。したがって、マスクパターン５２と接触した際においても、除塵ローラ５３自体の帯電を抑制することができ、マスクパターン５２の破損をより確実に抑制することができる。
【００４７】
次いで、図７に示すように、ドライフィルムレジスト６１に対して現像処理を施し、ドライフィルムレジスト６１に形成された潜像に合致したレジストパターン６２を形成する。その後、電解Ｃｕメッキ処理を行い、レジストパターン６２の非形成領域にＣｕメッキ層を選択的に形成するとともに、レジストパターン６２を薬液によって除去する。その後、レジストパターン６２の下方に残存した無電解Ｃｕメッキ層をクイックエッチングによって除去することにより、図８に示すように、コア２の第１の主面ＭＰ１及び第２の主面ＭＰ２上にコア導体Ｍ１，Ｍ１１及びスルーホール導体３０を形成する。なお、スルーホール１２内には樹脂製穴埋め材３１を充填する。
【００４８】
次に、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、図９に示すように、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００４９】
次いで、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層Ｖ１及びＶ１１が、フィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ１及びＶ１１上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。
【００５０】
次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。なお、本実施形態では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。
【００５１】
また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。
【００５２】
次いで、図１０に示すように、絶縁層Ｖ１及びＶ１１の主面上に、図示しない通電経路用の無電解Ｃｕメッキ層を形成した後、この無電解Ｃｕメッキ層上にドライフィルムレジスト７１を一様に形成し、図１０に示すコア導体層Ｍ１，Ｍ１１及びスルーホール導体３０を有し、ドライフィルムレジスト７２が形成されてなるアセンブリを、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、図示しない光源からマスクパターン５２を介してドライフィルムレジスト７１を露光し、このドライフィルムレジスト７１に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。
【００５３】
本工程では、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を形成することを目的としているので、マスクパターン５２のパターンも上記第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２のパターンと合致するように形成されている。
【００５４】
なお、上述したように、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。具体的には、ドライフィルムレジスト６１の露光が完了してから、本工程における露光を行うまでのいずれかの時点で行う。
【００５５】
マスクパターン５２の除塵は、上述したように、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行う。したがって、ドライフィルムレジスト７１に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００５６】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００５７】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００５８】
次いで、図１１に示すように、ドライフィルムレジスト７１に対して現像処理を施し、ドライフィルムレジスト７１に形成された潜像に合致したレジストパターン７２を形成する。その後、電解Ｃｕメッキ処理を行い、レジストパターン７２の非形成領域にＣｕメッキ層を選択的に形成するとともに、レジストパターン７２を薬液によって除去する。その後、レジストパターン７２の下方に残存した無電解Ｃｕメッキ層をクイックエッチングによって除去することにより、図１２に示すように、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１上に、それぞれ第１の導体層Ｍ１，Ｍ１２を形成する。
【００５９】
次いで、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２に粗化処理を施したのち、図１３に示すように、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２を得る。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００６０】
その後、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を実施する。絶縁層Ｖ２及びＶ１２がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ２及びＶ１２上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール３４ｈに対して、デスミア処理及び外形エッチング（アウトラインエッチング）を実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。
【００６１】
その後、図１０〜１１と同様の工程を施すことにより、図１４に示すように、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２上に第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成する。また、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３上に、ビアホール３４ｈ内を埋設するようにしてレジスト層８及び１８をそれぞれ形成する。
【００６２】
次いで、図１４に示すアセンブリを、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、図示しない光源からマスクパターン５２を介してレジスト層８及び１８を順次露光し、このレジスト層８及び１８に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。すなわち、レジスト層８を露光する場合は、露光ステージ５１上にレジスト層８が上向きとなるようにして配置し、レジスト層１８を露光する場合は、露光ステージ５１上にレジスト層１８が上向きとなるようにして配置する。
【００６３】
本工程では、レジスト層８及び１８に対して開口８ａ及び１８ａを形成するようにしているので、マスクパターン５２のパターンも適宜開口８ａ及び１８ａのパターンと合致するように形成する。
【００６４】
なお、上述したように、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。具体的には、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成するためのドライフィルムレジストの露光が完了してから、本工程における露光を行うまでのいずれかの時点で行う。
【００６５】
マスクパターン５２の除塵は、上述したように、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行う。したがって、レジスト層８及び１８に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００６６】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００６７】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターン５２の破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００６８】
次いで、図１５に示すように、レジスト層８及び１８に対して現像処理を施し、レジスト層８及び１８に形成された潜像に合致した開口部８ａ及び１８ａを形成する。
【００６９】
次いで、開口部８ａに露出した金属端子パッド１０上に、Ｓｎ含有下地層１０ａを例えば無電解メッキ、電解メッキなどのメッキ法によって形成し、次いで、半田バンプ１１を、下地層１０ａを介して、金属端子パッド１０と電気的に接触するようにして形成することにより、図１〜３に示す本実施形態の配線基板１を得ることができる。
【００７０】
なお、半田バンプ１１を形成する際の半田ペーストが酸化膜除去用のフラックスを含まない場合は、半田バンプ１１を形成する前処理として、酸化膜除去用のフラックスを用いて下地膜１０ａを処理し、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去した後、半田バンプ１１を形成する。但し、上記半田ペーストが上記酸化膜除去用のフラックスを含む場合は、上述した前処理を行わなくても、上記半田ペーストを印刷及びリフローすることによって、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去することができる。
【００７１】
なお、レジスト層８及び１８に対しては必要に応じてプラズマ処理を実施することができる。このプラズマ処理は、プラズマ照射によって、レジスト層８及び１８の特に表面を活性化するために実施するものであって、これによって、例えばパッケージ化する際に、封止樹脂層に対する濡れ性が向上することになり、封止樹脂層の塗布性が向上するようになる。特に、配線基板と例えば半導体素子等との狭い空隙にアンダーフィル樹脂を充填する際には、上述した濡れ性の向上によってアンダーフィル樹脂が配線基板、すなわちレジスト層８上で容易に広がるようになるので、従来困難であったアンダーフィル樹脂の注入も容易に行うことができる。
【００７２】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 配線基板、
Ｍ１ コア導体層
Ｖ１ 第１のビア層
Ｍ２ 第１の導体層
Ｖ２ 第２のビア層
Ｍ１１ コア導体層
Ｖ１１ 第１のビア層
Ｍ１２ 第１の導体層
Ｖ１２ 第２のビア層
３４ｌ ビアランド
３４ｐ ビアパッド
３４ｓ ビア導体
７ａ，７ｂ 金属配線
８，１８ ソルダーレジスト層
８ａ，１８ａ 開口部
５０ 露光装置
５１ 露光ステージ
５２ マスクパターン
５３ 除塵ローラ
５４ イオン化装置
５５ 搬出キャリア
５６ 搬入キャリア
５７ 吸着パッド
５８ 搬送ローラ
５９ 転写ローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジストなどの感光材料を塗布した基板表面に所定のパターンを露光装置により露光焼き付けし、その後基板上にパターンを形成するフォトリソグラフィ法が種々の分野で広く応用されている。
【０００３】
上述した露光装置は、感光性レジストが配設された基板を設置する露光ステージと、この露光ステージと対向するようにホルダーに狭持されたマスクパターンと、このマスクパターンを挟んで露光ステージと反対の側に配設された光源とを有している。
【０００４】
また、マスクパターン上に塵埃が存在すると、露光した時、この塵埃が露光ステージ上に設置した基板に対して影となるため、基板に対して未露光部分が形成されるようになる。この結果、基板の露光を精度良く行うことができず、得ようとする配線基板が不良となって、製造歩留まりが低下するという問題が生じる。このため、上記露光装置には、一般に、マスクパターン上に付着した塵埃を除去するための除塵装置が設けられている。
【０００５】
除塵装置としては、従来、粘着ゴムローラ(除塵ローラ)や粘着テープローラ等を用い、これらローラをマスクパターンと接触させることによって、マスクパターンの除塵を行っていた。
【０００６】
しかしながら、上述した粘着ゴムローラや粘着テープローラを用いた場合は、その使用過程においてマスクパターンと接触する際の摩擦によって帯電するようになるので、これらローラを除塵後にマスクパターンから剥離すると、マスクパターンは剥離帯電するようになる。一般に、マスクパターンは、通常、絶縁性の透明基材上に所定の、例えば金属のパターンが描画されているため、上述のような剥離帯電が生じると、パターンが静電破壊してしまい、マスクパターンが破損してしまうという問題が生じる。
【０００７】
特許文献１では、除電ブラシと集塵機とを配設し、マスクパターン上の静電気を除電ブラシで除去した後に、粘着テープローラ及び集塵機で塵埃を除去することが開示されている。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、マスクパターンのみに除電ブラシを作用させ、粘着テープローラには除電ブラシを作用させていないため、粘着テープローラは帯電した状態であり、上述したように、粘着テープローラをマスクパターンから剥離する際に剥離帯電を生ぜしめ、描画されたパターンに対して静電破壊を生ぜしめるという問題を解決することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２１６４３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、前記露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンを配置し、前記マスクパターンを介して前記感光性レジストに対して露光処理を行うことにより、前記感光性レジストに前記パターンの潜像を形成する工程と、
前記マスクパターンに対して粘着表面を有する除塵ローラを接触させつつ回転させて、前記マスクパターンの清浄を行う工程と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、前記マスクパターン及び前記除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行う工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１１】
また、本発明は、
被露光体を設置するための露光ステージと、
前記露光ステージと対向配置された絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンと、
前記マスクパターンを介して前記露光ステージを照射する光源と、
前記マスクパターンと接触して前記マスクパターン表面を除塵をする粘着表面を有する除塵ローラと、
前記除塵ローラを前記マスクパターンと接触させつつ前記マスクパターンの表面を転動させる除塵ローラ駆動手段と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、イオン照射により前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行うイオン化装置と、
を備えることを特徴とする、露光装置に関する。
【００１２】
本発明によれば、イオン化装置を有する露光装置を用い、必要に応じて導体層が形成されるとともに、感光性レジストが配設された基板を、露光装置内の露光ステージ上に設置し、対向して配置したマスクパターンから基板に対して露光処理を行うとともに、マスクパターンに対して除塵ローラを接触及び回転させてマスクパターンの除塵を行うようにしている。したがって、基板上に配設された感光性レジストに対する、マスクパターン上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００１３】
また、マスクパターンと除塵ローラとが接触している状態において、これらに対してイオン化装置からイオンを照射し、マスクパターン及び除塵ローラの除電を行うようにしている。したがって、マスクパターンの除塵ローラによる除塵終了後において、除塵ローラをマスクパターンから剥離した際の、マスクパターンの剥離帯電を防止し、描画されたパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターンの破損を防止することができる。
【００１４】
このように本発明によれば、製品の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００１５】
なお、本発明の一例においては、上記除塵ローラをウレタンから製造することができる。ウレタンは、現在汎用されている除塵ローラの構成材料であるシリコーンと比較して高い導電性を有している。したがって、上述したようなマスクパターンと接触した際においても、除塵ローラ自体の帯電を抑制することができ、上述のようなマスクパターンの破損をより確実に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び図２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】実施形態で使用する露光装置の概略構成を示す図である。
【図５】図４に示す露光装置の動作を説明するための図である。
【図６】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図７】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図８】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図９】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１０】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１１】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１２】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１３】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１４】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【図１５】実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（配線基板）
最初に、本発明の方法によって製造すべき配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、コア層の第１の主面上において少なくとも第１の導体層及び第１の樹脂絶縁層が積層されるとともに、最表面に第１のソルダーレジスト層が形成され、この第１のソルダーレジスト層に形成された第１の開口部から前記少なくとも第１の導体層が露出し、前記コア層の、前記第１の主面と相対する第２の主面上において少なくとも第２の導体層及び第２の樹脂絶縁層が積層されるとともに、最表面に第２のソルダーレジスト層が形成されていれば特に限定されるものではない。また、コア基板２を有しない配線基板においても適用することができる。
【００１９】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図２は、図１に示す配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び図２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２０】
図１〜３に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２１】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２２】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面には、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２３】
第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２４】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２、第２のビア層Ｖ２及び第２の導体層Ｍ３が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２、第２のビア層Ｖ１２及び第２の導体層Ｍ１３が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００２５】
なお、金属端子パッド１０は、後に形成する半田バンプを介して図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域を構成する。図１に示すように、金属端子パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。
【００２６】
また、金属端子パッド１７は、配線基板１をマザーボード接続するための裏面ランド（ＬＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１の裏面全体に亘って矩形状に配列されている。
【００２７】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、開口部８ａに露出した金属端子パッド１０上には、無電解Ｓｎメッキや電解Ｓｎメッキなどのメッキ法によって形成したＳｎ含有下地層１０ａが形成されている。また、下地層１０ａ上には、半田ペーストを印刷した後、リフローすることによって得た半田バンプ１１が形成されている。
【００２８】
なお、上記半田ペーストは、酸化膜除去用のフラックスを含むものであってもよいし、当該フラックスを含まないものであってもよい。後者の場合、以下に説明するように、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去すべく、別途、酸化膜除去用のフラックスを用いて下地膜１０ａを処理し、その表面に形成された酸化膜を除去することが好ましい。
【００２９】
なお、半田バンプ１１は、例えばＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ及びＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどから構成することができる。
【００３０】
また、図１〜３から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３１】
（配線基板の製造方法）
次に、図１〜３に示す配線基板の製造方法について説明する。図４は、本実施形態で使用する露光装置の概略構成を示す図であり、図５は、図４に示す露光装置の動作を説明するための図であり、図６〜１５は、本実施形態における配線基板の製造方法の工程図である。なお、以下に示す工程図は、図３に相当する、配線基板のI−I線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を中心に示すものである。
【００３２】
図４に示す露光装置５０は、必要に応じて導電層が形成されるとともに、感光性レジストが配設された基板を配置するための露光ステージ５１と、この露光ステージ５１と対向するようにして設けられたマスクパターン５２とを有している。なお、特に図示しないが、マスクパターン５２は、絶縁性の透明基材上に、金属、例えばクロムからなる所定のパターンが形成されてなる。
【００３３】
また、マスクパターン５２の除塵を行うための除塵ローラ５３及びイオン化装置５４を有している。除塵ローラ５３及びイオン化装置５４は、図示しない搬送系によって搬出されるべき搬出キャリア５５に設置されている。
【００３４】
なお、露光装置５０の前後には、外部から運ばれてきた配線基板１を露光装置５０内に導入するための搬入部及び露光後の配線基板１を露光装置５０から外部に搬出するための排出部が配設されている。
【００３５】
搬入部には、搬入キャリア５６と、この搬入キャリアの下面に設けられた吸着パッド５７と、配線基板を搬送するための搬送ローラ５８とが配設されている。同様に、搬出部には、上記搬出キャリア５５と、この搬出キャリアの下面に設けられた吸着パッド５７と、配線基板を搬送するための搬送ローラ５８とが配設されている。
【００３６】
次に、図５により、露光装置５０の動作を説明する。外部から搬送ローラ５８で運ばれてきた配線基板１が搬入部にあり、移動式の搬入キャリア５６に設けられた吸着パッド５７により、これを露光ステージ５１上に搬入する。搬入キャリア５６は、配線基板１を所定の位置まで搬入すると、下降して、配線基板１を露光ステージ５１に載置し、配線基板１の吸着を解除する。搬入キャリア５６は配線基板１の吸着を解除した後、露光ステージ５１上から搬入部へ移動を開始する。
【００３７】
露光が行われた後、移動式の搬出キャリア５５（徐塵ローラ駆動手段）が、配線基板１の上に移動する。搬出キャリア５５が下降し、搬出キャリア５５に設けられた吸着パッド５７により配線基板１を吸着した後、露光ステージ５１上から搬出部へ移動を開始する。搬出部にて、搬出キャリア５５が下降し、吸着パッド５７の吸着を解除することにより、配線基板１は搬送ローラ５８上に載置され搬出される。
【００３８】
配線基板１が搬出され、露光ステージ５１上に配線基板がない状態で、マスクパターン５２の清浄が行われる。まず、除塵ローラ５３及びイオン化装置５４が設けられた搬出キャリア５５が露光ステージ上に移動する。この際、吸着パッド５７に配線基板１は吸着していない。次に、搬出キャリア５５が上昇し、除塵ローラ５３がマスクパターン５２に接触する。搬出キャリア５５に設けられた徐塵ローラ５３が回転し、マスクパターン５２に付着している塵埃の除去を行う。また、同時にイオン化装置５４により、イオンを照射し、マスクパターン５２及び徐塵ローラ５３の徐電を行う。徐塵、徐電を行いながら、搬出キャリアが搬出部に移動することにより、マスクパターン５２の清浄が行われる。その後、徐塵ローラ５３は下降し、転写ローラ５９と接触し、図示しない駆動力を得て回転し、徐塵ローラ５３に付着している塵埃を除去する。
【００３９】
本露光装置によると、搬出キャリア５５が搬出部に移動する方向に対して、徐塵ローラ５３が前に、イオン化装置５４が後ろに設けられている。換言すると、徐塵ローラ５３により徐塵を行ったマスクパターン５２に対して、イオン化装置５４により、イオンを照射し、徐電を行う。このように、マスクパターン５２に対して、徐塵ローラ５３により、徐塵を行った後、イオン化装置５４により、徐電が行われることで、徐塵ローラ５３が接触した箇所には、イオン化装置５４による徐電が行われ、確実に静電破壊を防止することができる。
【００４０】
次に、上述のような露光装置５０を用いた配線基板１の製造方法について具体的に説明する。最初に、図６に示すように、板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア２として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール１２を穿孔する。次いで、図示しない通電経路としての無電解Ｃｕメッキ層を形成した後、コア２の両主面ＭＰ１及びＭＰ２においてドライフィルムレジスト６１を一様に形成する。
【００４１】
次いで、図６に示すドライフィルムレジスト６１が配設されたコア（基板）２を、上述したような操作によって、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、上述した図示しない光源からマスクパターン５２を介してドライフィルムレジスト６１を露光し、このドライフィルムレジスト６１に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。
【００４２】
本工程では、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を形成することを目的としているので、マスクパターン５２のパターンも上記コア導体層Ｍ１，Ｍ１１のパターンと合致するように形成されている。
【００４３】
なお、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。すなわち、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行うようにしている。したがって、コア２上に形成されたドライフィルムレジスト６１に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００４４】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００４５】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００４６】
なお、除塵ローラ５３はウレタンから製造することが好ましい。ウレタンは、現在汎用されている除塵ローラの構成材料であるシリコーンと比較して高い導電性を有している。したがって、マスクパターン５２と接触した際においても、除塵ローラ５３自体の帯電を抑制することができ、マスクパターン５２の破損をより確実に抑制することができる。
【００４７】
次いで、図７に示すように、ドライフィルムレジスト６１に対して現像処理を施し、ドライフィルムレジスト６１に形成された潜像に合致したレジストパターン６２を形成する。その後、電解Ｃｕメッキ処理を行い、レジストパターン６２の非形成領域にＣｕメッキ層を選択的に形成するとともに、レジストパターン６２を薬液によって除去する。その後、レジストパターン６２の下方に残存した無電解Ｃｕメッキ層をクイックエッチングによって除去することにより、図８に示すように、コア２の第１の主面ＭＰ１及び第２の主面ＭＰ２上にコア導体Ｍ１，Ｍ１１及びスルーホール導体３０を形成する。なお、スルーホール１２内には樹脂製穴埋め材３１を充填する。
【００４８】
次に、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、図９に示すように、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００４９】
次いで、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層Ｖ１及びＶ１１が、フィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ１及びＶ１１上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。
【００５０】
次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。なお、本実施形態では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。
【００５１】
また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。
【００５２】
次いで、図１０に示すように、絶縁層Ｖ１及びＶ１１の主面上に、図示しない通電経路用の無電解Ｃｕメッキ層を形成した後、この無電解Ｃｕメッキ層上にドライフィルムレジスト７１を一様に形成し、図１０に示すコア導体層Ｍ１，Ｍ１１及びスルーホール導体３０を有し、ドライフィルムレジスト７２が形成されてなるアセンブリを、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、図示しない光源からマスクパターン５２を介してドライフィルムレジスト７１を露光し、このドライフィルムレジスト７１に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。
【００５３】
本工程では、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を形成することを目的としているので、マスクパターン５２のパターンも上記第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２のパターンと合致するように形成されている。
【００５４】
なお、上述したように、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。具体的には、ドライフィルムレジスト６１の露光が完了してから、本工程における露光を行うまでのいずれかの時点で行う。
【００５５】
マスクパターン５２の除塵は、上述したように、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行う。したがって、ドライフィルムレジスト７１に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００５６】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００５７】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターンの破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００５８】
次いで、図１１に示すように、ドライフィルムレジスト７１に対して現像処理を施し、ドライフィルムレジスト７１に形成された潜像に合致したレジストパターン７２を形成する。その後、電解Ｃｕメッキ処理を行い、レジストパターン７２の非形成領域にＣｕメッキ層を選択的に形成するとともに、レジストパターン７２を薬液によって除去する。その後、レジストパターン７２の下方に残存した無電解Ｃｕメッキ層をクイックエッチングによって除去することにより、図１２に示すように、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１上に、それぞれ第１の導体層Ｍ１，Ｍ１２を形成する。
【００５９】
次いで、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２に粗化処理を施したのち、図１３に示すように、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するように樹脂フィルム６をラミネートおよび硬化させて、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２を得る。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
【００６０】
その後、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を実施する。絶縁層Ｖ２及びＶ１２がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ２及びＶ１２上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール３４ｈに対して、デスミア処理及び外形エッチング（アウトラインエッチング）を実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。
【００６１】
その後、図１０〜１１と同様の工程を施すことにより、図１４に示すように、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２上に第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成する。また、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３上に、ビアホール３４ｈ内を埋設するようにしてレジスト層８及び１８をそれぞれ形成する。
【００６２】
次いで、図１４に示すアセンブリを、図４に示す露光装置５０の露光ステージ５１上に設置し、図示しない光源からマスクパターン５２を介してレジスト層８及び１８を順次露光し、このレジスト層８及び１８に対してマスクパターン５２のパターンの潜像を形成する。すなわち、レジスト層８を露光する場合は、露光ステージ５１上にレジスト層８が上向きとなるようにして配置し、レジスト層１８を露光する場合は、露光ステージ５１上にレジスト層１８が上向きとなるようにして配置する。
【００６３】
本工程では、レジスト層８及び１８に対して開口８ａ及び１８ａを形成するようにしているので、マスクパターン５２のパターンも適宜開口８ａ及び１８ａのパターンと合致するように形成する。
【００６４】
なお、上述したように、露光装置５０においては、上述した露光処理前において、マスクパターン５２の除塵が行われる。具体的には、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成するためのドライフィルムレジストの露光が完了してから、本工程における露光を行うまでのいずれかの時点で行う。
【００６５】
マスクパターン５２の除塵は、上述したように、搬出キャリア５５をマスクパターン５２の表面に沿って駆動させることにより、マスクパターン５２に対して除塵ローラ５３を接触及び回転させてマスクパターン５２の除塵を行う。したがって、レジスト層８及び１８に対する、マスクパターン５２上に付着した塵埃に基づく影の形成を極力防止することができ、未露光部分が存在することによる製品の歩留まり低下を抑制することができる。
【００６６】
また、マスクパターン５２と除塵ローラ５３とが接触している状態において、これらに対してイオン化装置５４からイオンを照射し、マスクパターン５２及び除塵ローラ５３の除電を行うようにしている。したがって、マスクパターン５２の除塵ローラ５３による除塵終了後において、除塵ローラ５３をマスクパターン５２から剥離した際の、マスクパターン５２の剥離帯電を防止し、描画された図示しないパターンの静電破壊を防止することができ、マスクパターン５２の破損を防止することができる。
【００６７】
したがって、配線基板の歩留まり低下を抑制することができ、さらにはマスクパターン５２の破損を防止することができるので、露光装置５０を用いたフォトリソグラフィ法によって配線基板を製造する際の製造コストを低減することができる。
【００６８】
次いで、図１５に示すように、レジスト層８及び１８に対して現像処理を施し、レジスト層８及び１８に形成された潜像に合致した開口部８ａ及び１８ａを形成する。
【００６９】
次いで、開口部８ａに露出した金属端子パッド１０上に、Ｓｎ含有下地層１０ａを例えば無電解メッキ、電解メッキなどのメッキ法によって形成し、次いで、半田バンプ１１を、下地層１０ａを介して、金属端子パッド１０と電気的に接触するようにして形成することにより、図１〜３に示す本実施形態の配線基板１を得ることができる。
【００７０】
なお、半田バンプ１１を形成する際の半田ペーストが酸化膜除去用のフラックスを含まない場合は、半田バンプ１１を形成する前処理として、酸化膜除去用のフラックスを用いて下地膜１０ａを処理し、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去した後、半田バンプ１１を形成する。但し、上記半田ペーストが上記酸化膜除去用のフラックスを含む場合は、上述した前処理を行わなくても、上記半田ペーストを印刷及びリフローすることによって、下地膜１０ａの表面に形成された酸化膜を除去することができる。
【００７１】
なお、レジスト層８及び１８に対しては必要に応じてプラズマ処理を実施することができる。このプラズマ処理は、プラズマ照射によって、レジスト層８及び１８の特に表面を活性化するために実施するものであって、これによって、例えばパッケージ化する際に、封止樹脂層に対する濡れ性が向上することになり、封止樹脂層の塗布性が向上するようになる。特に、配線基板と例えば半導体素子等との狭い空隙にアンダーフィル樹脂を充填する際には、上述した濡れ性の向上によってアンダーフィル樹脂が配線基板、すなわちレジスト層８上で容易に広がるようになるので、従来困難であったアンダーフィル樹脂の注入も容易に行うことができる。
【００７２】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 配線基板、
Ｍ１ コア導体層
Ｖ１ 第１のビア層
Ｍ２ 第１の導体層
Ｖ２ 第２のビア層
Ｍ１１ コア導体層
Ｖ１１ 第１のビア層
Ｍ１２ 第１の導体層
Ｖ１２ 第２のビア層
３４ｌ ビアランド
３４ｐ ビアパッド
３４ｓ ビア導体
７ａ，７ｂ 金属配線
８，１８ ソルダーレジスト層
８ａ，１８ａ 開口部
５０ 露光装置
５１ 露光ステージ
５２ マスクパターン
５３ 除塵ローラ
５４ イオン化装置
５５ 搬出キャリア
５６ 搬入キャリア
５７ 吸着パッド
５８ 搬送ローラ
５９ 転写ローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、前記露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンを配置し、前記マスクパターンを介して前記感光性レジストに対して露光処理を行うことにより、前記感光性レジストに前記パターンの潜像を形成する工程と、
前記マスクパターンに対して粘着表面を有する除塵ローラを接触させつつ回転させて、前記マスクパターンの清浄を行う工程と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、前記マスクパターン及び前記除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行う工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項２】
表面に導体層が形成された前記基板を準備する工程と、
前記露光処理を行った後、前記パターンの潜像が形成された感光性レジストを現像することにより、前記パターンに対応した導体層を露出させる工程と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
露出した前記導体層にめっき処理を施すめっき工程と、
感光性レジストを除去する除去工程と、
感光性レジストを除去することにより露出した導体層をエッチングすることにより前記基板に配線パターンを形成することを工程と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記除塵ローラは、ウレタンを含むことを特徴とする、請求項１乃至３いずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
被露光体を設置するための露光ステージと、
前記露光ステージと対向配置された絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンと、
前記マスクパターンを介して前記露光ステージを照射する光源と、
前記マスクパターンと接触して前記マスクパターン表面を除塵をする粘着表面を有する除塵ローラと、
前記除塵ローラを前記マスクパターンと接触させつつ前記マスクパターンの表面を転動させる除塵ローラ駆動手段と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、イオン照射により前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行うイオン化装置と、
を備えることを特徴とする、露光装置。
【請求項６】
前記除塵ローラは、ウレタンを含むことを特徴とする、請求項５に記載の露光装置。
【請求項１】
露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、前記露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンを配置し、前記マスクパターンを介して前記感光性レジストに対して露光処理を行うことにより、前記感光性レジストに前記パターンの潜像を形成する工程と、
前記マスクパターンに対して粘着表面を有する除塵ローラを接触させつつ回転させて、前記マスクパターンの清浄を行う工程と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、前記マスクパターン及び前記除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行う工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項２】
表面に導体層が形成された前記基板を準備する工程と、
前記露光処理を行った後、前記パターンの潜像が形成された感光性レジストを現像することにより、前記パターンに対応した導体層を露出させる工程と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
露出した前記導体層にめっき処理を施すめっき工程と、
感光性レジストを除去する除去工程と、
感光性レジストを除去することにより露出した導体層をエッチングすることにより前記基板に配線パターンを形成することを工程と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記除塵ローラは、ウレタンを含むことを特徴とする、請求項１乃至３いずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
被露光体を設置するための露光ステージと、
前記露光ステージと対向配置された絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されたマスクパターンと、
前記マスクパターンを介して前記露光ステージを照射する光源と、
前記マスクパターンと接触して前記マスクパターン表面を除塵をする粘着表面を有する除塵ローラと、
前記除塵ローラを前記マスクパターンと接触させつつ前記マスクパターンの表面を転動させる除塵ローラ駆動手段と、
前記マスクパターン及び前記除塵ローラが接触している状態において、イオン照射により前記マスクパターン及び前記除塵ローラの除電を行うイオン化装置と、
を備えることを特徴とする、露光装置。
【請求項６】
前記除塵ローラは、ウレタンを含むことを特徴とする、請求項５に記載の露光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−５０６３３（Ｐ２０１３−５０６３３Ａ）
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８９２９５（Ｐ２０１１−１８９２９５）
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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