配線基板
【課題】配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制する。
【解決手段】配線基板は、第１配線、第２配線、第３配線、第４配線及び絶縁層を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なる。
【解決手段】配線基板は、第１配線、第２配線、第３配線、第４配線及び絶縁層を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高密度化及び高機能化に伴い、電子機器に搭載される半導体装置の小型化、薄型化が要求されている。半導体装置の小型化、薄型化の要求に対して、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ball Grid Array）等の半導体パッケージ（表面実装型パ
ッケージ）が、半導体装置の形態として提案されている。半導体パッケージは、半導体チップを、例えばプリント基板やビルドアップ基板等の配線基板の上に実装する。半導体チップの高性能化、大型化等による消費電力の増大に伴って、半導体チップの発熱量が大幅に増加するようになってきた。半導体チップは配線基板に比して大きな弾性率を有していることから、配線基板に熱応力による反りが発生し、配線基板の絶縁層にクラックが発生する場合がある。配線基板の絶縁層にクラックが発生することを防止する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１５９１３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６２８６号公報
【特許文献３】特開２００９−０７６７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板の絶縁層にクラックが発生した場合には、絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することが求められる。配線基板の各層の配線をずらして配置することにより、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制する方法がある。しかし、配線基板の各層に配置された配線同士が近づき過ぎると、一方の配線の電圧変動が他方の配線の電圧に影響を与えることにより、各層に配置された配線の電気特性が劣化する可能性がある。本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本件の一観点による配線基板は、第１配線と、配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、前記第１配線と前記第３配線との間、及び、前記第２配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なる。
【発明の効果】
【０００６】
本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１の（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置１の平面図である。図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ａにおける半導体装置１の断面図である。
【図２Ａ】実施例１に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの一点鎖線Ｂ−Ｂにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａの一点鎖線Ｃ−Ｃにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａの一点鎖線Ｄ−Ｄにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図３Ａ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図３Ｂ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図３Ｃ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図３Ｄ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図４Ａ】実施例２に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの一点鎖線Ｅ−Ｅにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｃ】図４Ａの一点鎖線Ｆ−Ｆにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｄ】図４Ａの一点鎖線Ｇ−Ｇにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｅ】図４Ａの一点鎖線Ｈ−Ｈにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図５Ａ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図５Ｂ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図５Ｃ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図５Ｄ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図６】実施例２の変形例に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図７Ａ】実施例３に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの一点鎖線Ｊ−Ｊにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図７Ｃ】図７Ａの一点鎖線Ｋ−Ｋにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図７Ｄ】図７Ａの一点鎖線Ｌ−Ｌにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図８Ａ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図８Ｂ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図８Ｃ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図８Ｄ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図９】図９の（Ａ）は、半導体装置１００の上面図である。図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｍにおける半導体装置１００の断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線で示された領域３００の拡大図である。図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）の一点鎖線Ｎ−Ｎにおける半導体装置１００の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体パッケージとしての半導体装置の一例を図９に示す。図９の（Ａ）は、半導体装置１００の上面図である。図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｍにおける半導体装置１００の断面図である。図９に示す半導体装置１００は、配線基板（支持基板又はインターポーザとも称する）１０１の実装面（上面）上に、半導体素子２００が、接着材を介して設置されている。配線基板１０１の実装面は、封止樹脂１０２で封止されている。配線基板１０１と半導体素子２００とは、ワイヤ１０３を介して接続されている。配線基板１０１の実装面の反対面（下面）には、半田ボール１０４が設置されている。
【０００９】
図１０の（Ａ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線で示された領域３００の拡大図である。図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）の一点鎖線Ｎ−Ｎにおける半導体装置１００の要部断面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ１層においてグランドプレーン１１０、信号配線１１１及び導通ビア１１２を有している。また、図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ２層において電源プレーン１１３を有しており、Ｌ３層においてグランドプレーン１１４を有しており、Ｌ４層においてランド１１５を有している。
【００１０】
図１０の（Ａ）に示すように、配線基板１０１に形成されているボンディングパッド１１６と半導体素子２００に形成されているボンディングパッド２０１とは、ワイヤ１０３を介して接続されている。図１０の（Ａ）に示すように、信号配線１１１は、導通ビア１１２及びボンディングパッド１１６に接続されている。
【００１１】
図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、グランドプレーン１１０、信号配線１１１及び導通ビア１１２の上に絶縁層１２０を有している。図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層１２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層１２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層１２３を有している。図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１には、半導体素子２００が設置されている面の反対側の面に絶縁層１２４が形成されている。図１０の（Ｂ）に示すように、半田ボール１０４は、ランド１１５に接合されている。
【００１２】
配線基板１０１の上層に形成されている絶縁層１２０にクラックが発生した場合、配線基板１０１の平面方向及び厚さ方向（積層方向）にクラックが伝播し、配線基板１０１の平面方向及び厚さ方向に連続したクラックが発生する。図１０の（Ｂ）に示すように、絶縁層１２０にクラックが発生した場合、絶縁層１２０の直下にグランドプレーン１１０が形成されていない部分に沿って、絶縁層１２０にクラックが伝播する。絶縁層１２０の直下にグランドプレーン１１０が形成されていない部分に沿って、絶縁層１２０にクラックが伝播することにより、配線基板１０１の平面方向に連続したクラックが発生する。また、図１０の（Ｂ）に示すように、絶縁層１２０にクラックが発生した場合、絶縁層１２１、１２２、１２３及び絶縁層１２４にクラックが伝播する。絶縁層１２１、１２２、１２３及び絶縁層１２４にクラックが伝播することにより、配線基板１０１の積層方向に連続したクラックが発生する。
【００１３】
上記の課題を解決するための実施形態について、以下、図面を参照して説明する。図１の（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置１の平面図である。図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ａにおける半導体装置１の断面図である。図１に示す半導体装置１は、配線基板（支持基板又はインターポーザとも称する）２の実装面（上面）上に、半導体素子（半導体チップ）３が、接着材を介して設置されている。配線基板２は、例えば、ビルドアップ基板などの有機基板等である。配線基板２の実装面は、封止樹脂４で封止されている。封止樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂である。配線基板２と半導体素子３とは、
金（Ａｕ）等のワイヤ５を介して接続されている。配線基板２の実装面の反対面（下面）には、半田ボール６が設置されている。半導体装置１は、半田ボール６を介して、マザーボード等の他の基板に接続される。
【実施例１】
【００１４】
本実施形態の実施例１について説明する。実施例１の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例１の構成に限定されない。図２Ａは、実施例１に係る半導体装置１の要部平面図である。図２Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図２Ｂは、図２Ａの一点鎖線Ｂ−Ｂにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ｃは、図２Ａの一点鎖線Ｃ−Ｃにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ｄは、図２Ａの一点鎖線Ｄ−Ｄにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ａから図２Ｄにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２のＬ２層に電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成され、配線基板２のＬ３層にグランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層にランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。第１配線は、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ａの一例である。第２配線は、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ｂの一例である。第３配線は、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ａの一例である。第４配線は、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ｂの一例である。
【００１６】
図２Ａから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００１７】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００１８】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いて
もよい。図２Ｂから図２Ｄに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【００１９】
図２Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図２Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【００２０】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図２Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【００２１】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層２１が形成されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【００２２】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【００２３】
図３Ａは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図３Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図３Ｂは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図３Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図３Ｃは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図３Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図３Ｄは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図３Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図３Ａから図３Ｄは、図２Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【００２４】
図３Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００２５】
図３Ａから図３Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの
側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部が非平面となり、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が平面となっている。
【００２６】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図３ＡのＡ２から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図３ＡのＡ２からへこんだ部分である。
【００２７】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面を、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図３ＡのＡ４から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図３ＡのＡ４からへこんだ部分である。
【００２８】
図３Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面を、電源プレーン１４Ａの隣接側面とも表記する。図３Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面を、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とも表記する。
【００２９】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図３ＣのＡ７から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図３ＣのＡ７からへこんだ部分である。
【００３０】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレー
ン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面を、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図３ＣのＡ９から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図３ＣのＡ９からへこんだ部分である。
【００３１】
図３Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面を、ランド１６Ａの隣接側面とも表記する。図３Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面を、ランド１６Ｂの隣接側面とも表記する。
【００３２】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、絶縁層２０が形成されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２０及び絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂと隣接側面との間（図２Ａ及び図２ＢのＡ１とＡ３との間、図２Ａ及び図２ＣのＡ２とＡ４との間、図２Ａ及び図２ＤのＡ３とＡ５との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３３】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＡのＡ２とＡ１１との交点）と中間点（図３ＡのＡ２とＡ１２との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＡのＡ２とＡ１２との交点）と頂点（図３ＡのＡ３とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＡのＡ１と１１との交点）と頂点（図３ＡのＡ３とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３４】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＡのＡ３とＡ１１との交点）と中間点（図３ＡのＡ４とＡ１２との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＡのＡ４とＡ１２との交点）と底点（図３ＡのＡ５とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＡのＡ３とＡ１１との交点）と底点（図３ＡのＡ５とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３５】
電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間には、絶縁層２１が形成されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２２を形成するようにしてもよい
。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２１及び絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間（図３ＢのＡ２とＡ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３６】
グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、絶縁層２２が形成されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２２及び絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との間（図２ＢのＡ６とＡ８との間、図２ＣのＡ７とＡ９との間、図２ＤのＡ８とＡ１０との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＣのＡ６とＡ１４との交点）と中間点（図３ＣのＡ７とＡ１５との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＣのＡ７とＡ１５との交点）と頂点（図３ＣのＡ８とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＣのＡ６とＡ１４との交点）と頂点（図３ＣのＡ８とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＣのＡ８とＡ１４との交点）と中間点（図３ＣのＡ９とＡ１５との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＣのＡ９とＡ１５との交点）と底点（図３ＣのＡ１０とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＣのＡ８とＡ１４との交点）と底点（図３ＣのＡ１０とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３９】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとは、所定距離を離して配置されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、絶縁層２４が形成されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３及び絶縁層２４を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａの隣接側面とランド１６Ｂとの隣接側面との間（図３ＤのＡ７とＡ９との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００４０】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ａが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン１４Ａとが重なっている領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すよう
に、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。
【００４１】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００４２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ｂが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン１４Ｂが重なっている領域がある。
【００４３】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００４４】
グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａが配置されている。
【００４５】
実施例１では、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとを、配線基板２の平面
方向においてずらして配置している。また、実施例１では、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００４６】
配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００４７】
したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００４８】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ａと表記する。ずらし量Ａは、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ｂの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ａの配置をずらしている。
【００４９】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｂと表記する。ずらし量Ｂは、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ａの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ｂの配置をずらしている。
【００５０】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面における直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。
【００５１】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００５２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。
【００５３】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００５４】
電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂ電気特性が劣化する。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。
【００５５】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面と
グランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａを配置してもよい。
【００５６】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂを配置してもよい。
【００５７】
実施例１では、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。また、実施例１では、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００５８】
配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ｂ又はグランドプレーン１５Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００５９】
したがって、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン１４Ｂ又はグランドプレーン１５Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間の距離の約半分とすることが好ましい。また、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００６０】
電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Ｃと表記する。ずらし量Ｃは、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとを重ね合わせた場合において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ｂの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ａの配置をずらしている。
【００６１】
電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Ｄと表記する。ずらし量Ｄは、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとを重ね合わせた場合において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ａの配置方向の反対方向に向けて、
電源プレーン１４Ｂの配置をずらしている。
【００６２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ７）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド１６Ａが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部とランド１６Ａとが重なっている領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ７）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ａが存在しない領域がある。
【００６３】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ９）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ９）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド１６Ｂが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部とランド１６Ｂとが重なっている領域がある。
【００６４】
実施例１では、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。また、実施例１では、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００６５】
配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００６６】
したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００６７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｅと表記する。ずらし量Ｅは、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド１６Ｂの配置方向の反対方向に向けて、ランド１６Ａの配置をずらしている。
【００６８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｆと表記する。ずらし量Ｆは、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド１６Ａの配置方向の反対方向に向けて、ランド１６Ｂの配置をずらしている。
【００６９】
グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂ電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａが配置されている。
【００７０】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａを配置してもよい。
【００７１】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂを配置してもよい。
【００７２】
絶縁層２０に発生したクラックは、配線基板２の平面方向及び厚さ方向に向かって伝播する。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグ
ランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７３】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７４】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａ又は１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７５】
絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突せずに、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ａが存在している。そのため、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａに衝突する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが電源プレーン１４Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層２２に伝播しない。したがって、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン１４Ａで止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７６】
絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突せずに、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ｂが存在している。そのため、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂに衝突する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが電源プレーン１４Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層２２に伝播しない。したがって、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン１４Ｂで止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグラン
ドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７９】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａ又は１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００８０】
絶縁層２４に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって伝播する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００８１】
実施例１では、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を三角形状とする例を示したが、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を他の形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、矩形状としてもよい。
【実施例２】
【００８２】
本実施形態の実施例２について説明する。実施例２の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例２の構成に限定されない。なお、実施例１と同一の構成要素については、実施例１と同一の符号を付し、その説明を省略する。図４Ａは、実施例２に係る半導体装置１の要部平面図である。図４Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図４Ｂは、図４Ａの一点鎖線Ｅ−Ｅにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｃは、図４Ａの一点鎖線Ｆ−Ｆにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｄは、図４Ａの一点鎖線Ｇ−Ｇにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｅは、図４Ａの一点鎖線Ｈ−Ｈにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ａから図４Ｅにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【００８３】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。第１配線は、グランドプレーン１１Ａの一例である。第２配線は、グランドプレーン１１Ｂの一例である。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２のＬ２層に電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成さ
れ、配線基板２のＬ３層にグランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層にランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。第３配線は、電源プレーン１４Ａの一例である。第４配線は、電源プレーン１４Ｂの一例である。
【００８４】
図４Ａから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００８５】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００８６】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いてもよい。図４Ｂから図４Ｅに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【００８７】
図４Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図４Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【００８８】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図４Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【００８９】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層
２１が形成されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【００９０】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【００９１】
図５Ａは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図５Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図５Ｂは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図５Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図５Ｃは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図５Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図５Ｄは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図５Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図５Ａから図５Ｄは、図４Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【００９２】
図５Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００９３】
図５Ａから図５Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を非直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が非平面となっている。
【００９４】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図５ＡのＢ２から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図５ＡのＢ２からへこんだ部分である。
【００９５】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置
方向に対して図５ＡのＢ４から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図５ＡのＢ４からへこんだ部分である。
【００９６】
図５Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して図５ＢのＢ２から突出した部分である。実施例２において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して図５ＢのＢ２からへこんだ部分である。
【００９７】
図５Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して図５ＢのＢ４から突出した部分である。実施例２において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して図５ＢのＢ４からへこんだ部分である。
【００９８】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図５ＣのＢ７から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図５ＣのＢ７からへこんだ部分である。
【００９９】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図５ＣのＢ９から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図５ＣのＢ９からへこんだ部分である。
【０１００】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して図５ＤのＢ７から突出した部分である。実施例２において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた谷部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して図５ＤのＢ７からへこんだ部分である。
【０１０１】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａ
に隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ａの配置方向に対して図５ＤのＢ９から突出した部分である。実施例２において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、ランド１６Ａの配置方向に対して図５ＤのＢ９からへこんだ部分である。
【０１０２】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、絶縁層２０が形成されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２０及び絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間（図４Ａ、図５ＡのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０３】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＡのＢ１４とＢ１５との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＡのＢ１２とＢ１３との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ１１とＢ１２との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ１３とＢ１４との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０４】
電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間には、絶縁層２１が形成されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２１及び絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間（図５ＢのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０５】
電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＢのＢ１６とＢ１７との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ（図５ＢのＢ１６とＢ１７との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【０１０６】
グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、絶縁層２２が形成されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２２及び絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との間（図５ＣのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＣのＢ２１とＢ２２との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＣのＢ１９とＢ２０との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設
けられた山部とのピッチ（図５ＣのＢ１８とＢ１９との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ２０とＢ２１との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０８】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとは、所定距離を離して配置されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、絶縁層２４が形成されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３及び絶縁層２４を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａの隣接側面とランド１６Ｂとの隣接側面との間（図５ＤのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０９】
ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＤのＢ２３とＢ２４との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ（図５ＤのＢ２３とＢ２４との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【０１１０】
グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向（積層方向）において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａが配置されている。
【０１１１】
電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂ電気特性が劣化する。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。
【０１１２】
グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂ電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向に
おいて重ならないようにして、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａが配置されている。
【０１１３】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１１４】
図４Ｃに示すように、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＡのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン１１Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１１５】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン１４Ａとが重なっていない領域がある。
【０１１６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１１７】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン１４Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１１８】
図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面における直線形状部分（図５ＡのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン１１Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１１９】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２０】
図４Ｃに示すように、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２の厚さ方
向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ａとが重なっていない領域がある。
【０１２１】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２２】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２３】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に、電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２４】
図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面における直線形状部分（図５ＣのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１２５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２６】
図４Ｃに示すように、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２７】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＤのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に、ランド１６Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２
には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とランド１６Ａとが重なっていない領域がある。
【０１２８】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２９】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＤのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とランド１６Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１３０】
図４Ｅに示すように、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１３１】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ａの直線形状部分（図５ＡのＢ２）からの突出量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの直線形状部分（図５ＡのＢ２）からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３２】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ｂの直線形状部分（図５ＡのＢ４）からの突出量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの直線形状部分（図５ＡのＢ４）からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３３】
電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意
の値を設定することができる。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン１４Ａの直線形状部分（図５ＢのＢ２）からの突出量である。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ａの直線形状部分（図５ＢのＢ２）からのへこみ量である。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３４】
電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分（図５ＢのＢ４）からの突出量である。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分（図５ＢのＢ４）からのへこみ量である。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１３６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａを配置してもよい。
【０１３７】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１３８】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面と
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂを配置してもよい。
【０１３９】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１４０】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａを配置してもよい。
【０１４１】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１４２】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂを配置してもよい。
【０１４３】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４４】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。例えば、図６に示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にし、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。図６は、実施例２の変形例に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【０１４５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４７】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間の領域の絶縁層２０及び２１に発生したクラックは、配線基板２の平面方向に向かって伝播する。また、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間の領域の絶縁層２０及び２１に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって伝播する。
【０１４８】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１４９】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５０】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａ又は１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５１】
配線基板２の絶縁層２０に発生したクラックが、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５２】
配線基板２の絶縁層２０に発生したクラックが、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５３】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５４】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５５】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａ又は１５Ｂに衝突する可能性が高くなる
。配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５６】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とランド１６の隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、ランド１６Ａ及び１６Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、ランド１６Ａ又は１６Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の絶縁層２３又は２４を伝播するクラックをランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部又はランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５７】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間の領域の絶縁層２４に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって、絶縁層２３を伝播する。配線基板２の絶縁層２４に発生したクラックが、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５８】
配線基板２の絶縁層２４に発生したクラックが、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【実施例３】
【０１５９】
本実施形態の実施例３について説明する。実施例３の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例３の構成に限定されない。なお、実施例１及び実施例２と同一の構成要素については、実施例１及び実施例２と同一の符号を付し、その説明を省略する。図７Ａは、実施例３に係る半導体装置１の要部平面図である。図７Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図７Ｂは、図７Ａの一点鎖線Ｊ−Ｊにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ｃは、図７Ａの一点鎖線Ｋ−Ｋにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ｄは、図７Ａの一点鎖線Ｌ−Ｌにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ａから図７Ｄにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【０１６０】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。また、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成され、配線基板２のＬ３層に、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層に、ランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。
【０１６１】
図７Ａから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１６２】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１６３】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いてもよい。図７Ｂから図７Ｄに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【０１６４】
図７Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図７Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【０１６５】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２は、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０を有している。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図７Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【０１６６】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層２１が形成されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。
【０１６７】
絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【０１６８】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【０１６９】
図８Ａは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図８Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図８Ｂは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図８Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図８Ｃは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図８Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図８Ｄは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図８Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図８Ａから図８Ｄは、図７Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【０１７０】
図８Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１７１】
図８Ａから図８Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部が非平面となり、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が平面となっている。
【０１７２】
図８Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図８ＡのＡ２から突出した部分である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図８ＡのＡ２からへこんだ部分である。
【０１７３】
図８Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａ
に隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図８ＡのＡ４から突出した部分である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図８ＡのＡ４からへこんだ部分である。
【０１７４】
図８Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が平面になっている。図８Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が平面になっている。
【０１７５】
図８Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図８ＣのＡ７から突出した部分である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図８ＣのＡ７からへこんだ部分である。
【０１７６】
図８Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図８ＣのＡ９から突出した部分である。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図８ＣのＡ９からへこんだ部分である。
【０１７７】
図８Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が平面になっている。図８Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が平面になっている。
【０１７８】
実施例３では、グランドプレーン１１Ａに関して、グランドプレーン１１Ａの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１１Ａに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３では、グランドプレーン１１Ｂに関して、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１１Ｂに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３における電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂに関しては、実施例１と同様である。
【０１７９】
実施例３では、グランドプレーン１５Ａに関して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１５Ａに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３では、グランドプレーン１５Ｂに関して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１５Ｂに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３におけるランド１６Ａ及び１６Ｂに関しては、実施例１と同様である。
【０１８０】
《実施例１から実施例３における共通事項》
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１１Ａの電圧変動が電源プレーン１４Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン１４Ｂの電圧変動がグランドプレーン１１Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１１Ｂの電圧変動が電源プレーン１４Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン１４Ａの電圧変動がグランドプレーン１１Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８１】
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが重なっていない。したがって、電源プレーン１４Ａの電圧変動がグランドプレーン１５Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン１５Ｂの電圧変動が電源プレーン１４Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが重なっていない。したがって、電源プレーン１４Ｂの電圧変動がグランドプレーン１５Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン１５Ａの電圧変動が電源プレーン１４Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８２】
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１５Ａの電圧変動がランド１６Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド１６Ｂの電圧変動がグランドプレーン１５Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１５Ｂの電圧変動がランド１６Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド１６Ａの電圧変動がグランドプレーン１５Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８３】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１１Ｂと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。
【０１８４】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、グランド
プレーン１１Ａ及び１１Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、グランドプレーン１１Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１１Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。
【０１８５】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ３層に、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、グランドグランドプレーン１５Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１５Ｂと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ４層に、グランドプレーン１５Ａと同一形状のランドと、グランドプレーン１５Ｂと同一形状のランドとを隣接して配置するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１８６】
１、１００ 半導体装置
２、１０１ 配線基板
３、２００ 半導体素子
４、１０２ 封止樹脂
５、１０３ ワイヤ
６、１０４ 半田ボール
１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、１１０ グランドプレーン
１２、１１１ 信号配線
１３、１１２ 導通ビア
１４Ａ、１４Ｂ、１１３ 電源プレーン
１６Ａ、１６Ｂ、１１５ ランド
１７、１８、２０１ ボンディングパッド
２０、２１、２２、２３、２４、１２０、１２１、１２２、１２３、１２４ 絶縁層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高密度化及び高機能化に伴い、電子機器に搭載される半導体装置の小型化、薄型化が要求されている。半導体装置の小型化、薄型化の要求に対して、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ball Grid Array）等の半導体パッケージ（表面実装型パ
ッケージ）が、半導体装置の形態として提案されている。半導体パッケージは、半導体チップを、例えばプリント基板やビルドアップ基板等の配線基板の上に実装する。半導体チップの高性能化、大型化等による消費電力の増大に伴って、半導体チップの発熱量が大幅に増加するようになってきた。半導体チップは配線基板に比して大きな弾性率を有していることから、配線基板に熱応力による反りが発生し、配線基板の絶縁層にクラックが発生する場合がある。配線基板の絶縁層にクラックが発生することを防止する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１５９１３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６２８６号公報
【特許文献３】特開２００９−０７６７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板の絶縁層にクラックが発生した場合には、絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することが求められる。配線基板の各層の配線をずらして配置することにより、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制する方法がある。しかし、配線基板の各層に配置された配線同士が近づき過ぎると、一方の配線の電圧変動が他方の配線の電圧に影響を与えることにより、各層に配置された配線の電気特性が劣化する可能性がある。本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本件の一観点による配線基板は、第１配線と、配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、前記第１配線と前記第３配線との間、及び、前記第２配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なる。
【発明の効果】
【０００６】
本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１の（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置１の平面図である。図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ａにおける半導体装置１の断面図である。
【図２Ａ】実施例１に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの一点鎖線Ｂ−Ｂにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａの一点鎖線Ｃ−Ｃにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａの一点鎖線Ｄ−Ｄにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図３Ａ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図３Ｂ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図３Ｃ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図３Ｄ】実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図４Ａ】実施例２に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの一点鎖線Ｅ−Ｅにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｃ】図４Ａの一点鎖線Ｆ−Ｆにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｄ】図４Ａの一点鎖線Ｇ−Ｇにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図４Ｅ】図４Ａの一点鎖線Ｈ−Ｈにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図５Ａ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図５Ｂ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図５Ｃ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図５Ｄ】実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図６】実施例２の変形例に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図７Ａ】実施例３に係る半導体装置１の要部平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの一点鎖線Ｊ−Ｊにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図７Ｃ】図７Ａの一点鎖線Ｋ−Ｋにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図７Ｄ】図７Ａの一点鎖線Ｌ−Ｌにおける半導体装置１の要部断面図である。
【図８Ａ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。
【図８Ｂ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。
【図８Ｃ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【図８Ｄ】実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。
【図９】図９の（Ａ）は、半導体装置１００の上面図である。図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｍにおける半導体装置１００の断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線で示された領域３００の拡大図である。図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）の一点鎖線Ｎ−Ｎにおける半導体装置１００の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体パッケージとしての半導体装置の一例を図９に示す。図９の（Ａ）は、半導体装置１００の上面図である。図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｍにおける半導体装置１００の断面図である。図９に示す半導体装置１００は、配線基板（支持基板又はインターポーザとも称する）１０１の実装面（上面）上に、半導体素子２００が、接着材を介して設置されている。配線基板１０１の実装面は、封止樹脂１０２で封止されている。配線基板１０１と半導体素子２００とは、ワイヤ１０３を介して接続されている。配線基板１０１の実装面の反対面（下面）には、半田ボール１０４が設置されている。
【０００９】
図１０の（Ａ）は、図９の（Ａ）の一点鎖線で示された領域３００の拡大図である。図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）の一点鎖線Ｎ−Ｎにおける半導体装置１００の要部断面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ１層においてグランドプレーン１１０、信号配線１１１及び導通ビア１１２を有している。また、図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ２層において電源プレーン１１３を有しており、Ｌ３層においてグランドプレーン１１４を有しており、Ｌ４層においてランド１１５を有している。
【００１０】
図１０の（Ａ）に示すように、配線基板１０１に形成されているボンディングパッド１１６と半導体素子２００に形成されているボンディングパッド２０１とは、ワイヤ１０３を介して接続されている。図１０の（Ａ）に示すように、信号配線１１１は、導通ビア１１２及びボンディングパッド１１６に接続されている。
【００１１】
図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、グランドプレーン１１０、信号配線１１１及び導通ビア１１２の上に絶縁層１２０を有している。図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層１２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層１２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層１２３を有している。図１０の（Ｂ）に示すように、配線基板１０１には、半導体素子２００が設置されている面の反対側の面に絶縁層１２４が形成されている。図１０の（Ｂ）に示すように、半田ボール１０４は、ランド１１５に接合されている。
【００１２】
配線基板１０１の上層に形成されている絶縁層１２０にクラックが発生した場合、配線基板１０１の平面方向及び厚さ方向（積層方向）にクラックが伝播し、配線基板１０１の平面方向及び厚さ方向に連続したクラックが発生する。図１０の（Ｂ）に示すように、絶縁層１２０にクラックが発生した場合、絶縁層１２０の直下にグランドプレーン１１０が形成されていない部分に沿って、絶縁層１２０にクラックが伝播する。絶縁層１２０の直下にグランドプレーン１１０が形成されていない部分に沿って、絶縁層１２０にクラックが伝播することにより、配線基板１０１の平面方向に連続したクラックが発生する。また、図１０の（Ｂ）に示すように、絶縁層１２０にクラックが発生した場合、絶縁層１２１、１２２、１２３及び絶縁層１２４にクラックが伝播する。絶縁層１２１、１２２、１２３及び絶縁層１２４にクラックが伝播することにより、配線基板１０１の積層方向に連続したクラックが発生する。
【００１３】
上記の課題を解決するための実施形態について、以下、図面を参照して説明する。図１の（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置１の平面図である。図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ａにおける半導体装置１の断面図である。図１に示す半導体装置１は、配線基板（支持基板又はインターポーザとも称する）２の実装面（上面）上に、半導体素子（半導体チップ）３が、接着材を介して設置されている。配線基板２は、例えば、ビルドアップ基板などの有機基板等である。配線基板２の実装面は、封止樹脂４で封止されている。封止樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂である。配線基板２と半導体素子３とは、
金（Ａｕ）等のワイヤ５を介して接続されている。配線基板２の実装面の反対面（下面）には、半田ボール６が設置されている。半導体装置１は、半田ボール６を介して、マザーボード等の他の基板に接続される。
【実施例１】
【００１４】
本実施形態の実施例１について説明する。実施例１の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例１の構成に限定されない。図２Ａは、実施例１に係る半導体装置１の要部平面図である。図２Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図２Ｂは、図２Ａの一点鎖線Ｂ−Ｂにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ｃは、図２Ａの一点鎖線Ｃ−Ｃにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ｄは、図２Ａの一点鎖線Ｄ−Ｄにおける半導体装置１の要部断面図である。図２Ａから図２Ｄにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２のＬ２層に電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成され、配線基板２のＬ３層にグランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層にランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。第１配線は、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ａの一例である。第２配線は、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ｂの一例である。第３配線は、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ａの一例である。第４配線は、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ｂの一例である。
【００１６】
図２Ａから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００１７】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００１８】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いて
もよい。図２Ｂから図２Ｄに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【００１９】
図２Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図２Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【００２０】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図２Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【００２１】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層２１が形成されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【００２２】
図２Ｂから図２Ｄに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【００２３】
図３Ａは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図３Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図３Ｂは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図３Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図３Ｃは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図３Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図３Ｄは、実施例１に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図３Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図３Ａから図３Ｄは、図２Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【００２４】
図３Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図３Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００２５】
図３Ａから図３Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの
側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部が非平面となり、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が平面となっている。
【００２６】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図３ＡのＡ２から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図３ＡのＡ２からへこんだ部分である。
【００２７】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面を、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図３ＡのＡ４から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図３ＡのＡ４からへこんだ部分である。
【００２８】
図３Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面を、電源プレーン１４Ａの隣接側面とも表記する。図３Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面を、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とも表記する。
【００２９】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図３ＣのＡ７から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図３ＣのＡ７からへこんだ部分である。
【００３０】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（ジグザグ形状）になっている。すなわち、グランドプレー
ン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、三角形状の山部（突出部）及び三角形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面を、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面とも表記する。実施例１において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図３ＣのＡ９から突出した部分である。実施例１において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図３ＣのＡ９からへこんだ部分である。
【００３１】
図３Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面を、ランド１６Ａの隣接側面とも表記する。図３Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面を、ランド１６Ｂの隣接側面とも表記する。
【００３２】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、絶縁層２０が形成されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２０及び絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂと隣接側面との間（図２Ａ及び図２ＢのＡ１とＡ３との間、図２Ａ及び図２ＣのＡ２とＡ４との間、図２Ａ及び図２ＤのＡ３とＡ５との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３３】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＡのＡ２とＡ１１との交点）と中間点（図３ＡのＡ２とＡ１２との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＡのＡ２とＡ１２との交点）と頂点（図３ＡのＡ３とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＡのＡ１と１１との交点）と頂点（図３ＡのＡ３とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３４】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＡのＡ３とＡ１１との交点）と中間点（図３ＡのＡ４とＡ１２との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＡのＡ４とＡ１２との交点）と底点（図３ＡのＡ５とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＡのＡ３とＡ１１との交点）と底点（図３ＡのＡ５とＡ１３との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３５】
電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間には、絶縁層２１が形成されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２２を形成するようにしてもよい
。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２１及び絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間（図３ＢのＡ２とＡ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３６】
グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、絶縁層２２が形成されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２２及び絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との間（図２ＢのＡ６とＡ８との間、図２ＣのＡ７とＡ９との間、図２ＤのＡ８とＡ１０との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００３７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＣのＡ６とＡ１４との交点）と中間点（図３ＣのＡ７とＡ１５との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＣのＡ７とＡ１５との交点）と頂点（図３ＣのＡ８とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面について、非直線形状の底点（図３ＣのＡ６とＡ１４との交点）と頂点（図３ＣのＡ８とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＣのＡ８とＡ１４との交点）と中間点（図３ＣのＡ９とＡ１５との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の中間点（図３ＣのＡ９とＡ１５との交点）と底点（図３ＣのＡ１０とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面について、非直線形状の頂点（図３ＣのＡ８とＡ１４との交点）と底点（図３ＣのＡ１０とＡ１６との交点）との間の距離を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【００３９】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとは、所定距離を離して配置されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、絶縁層２４が形成されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３及び絶縁層２４を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａの隣接側面とランド１６Ｂとの隣接側面との間（図３ＤのＡ７とＡ９との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【００４０】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ａが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン１４Ａとが重なっている領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すよう
に、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。
【００４１】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００４２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ｂが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン１４Ｂが重なっている領域がある。
【００４３】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１１Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００４４】
グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａが配置されている。
【００４５】
実施例１では、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとを、配線基板２の平面
方向においてずらして配置している。また、実施例１では、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００４６】
配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００４７】
したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００４８】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ａと表記する。ずらし量Ａは、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ｂの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ａの配置をずらしている。
【００４９】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｂと表記する。ずらし量Ｂは、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ａの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ｂの配置をずらしている。
【００５０】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面における直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ２）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。
【００５１】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ａの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００５２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＢのＡ４）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。
【００５３】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン１５Ｂの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。
【００５４】
電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂ電気特性が劣化する。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。
【００５５】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面と
グランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａを配置してもよい。
【００５６】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂを配置してもよい。
【００５７】
実施例１では、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。また、実施例１では、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００５８】
配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ｂ又はグランドプレーン１５Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００５９】
したがって、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン１４Ｂ又はグランドプレーン１５Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間の距離の約半分とすることが好ましい。また、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００６０】
電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Ｃと表記する。ずらし量Ｃは、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとを重ね合わせた場合において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ｂの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン１４Ａの配置をずらしている。
【００６１】
電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Ｄと表記する。ずらし量Ｄは、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとを重ね合わせた場合において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン１４Ａの配置方向の反対方向に向けて、
電源プレーン１４Ｂの配置をずらしている。
【００６２】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ７）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド１６Ａが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部とランド１６Ａとが重なっている領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ７）よりも突出している。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ａが存在しない領域がある。
【００６３】
図２Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ９）よりも突出している。したがって、図２Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ｂが存在しない領域がある。図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図３ＤのＡ９）よりもへこんでいる。したがって、図２Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド１６Ｂが存在している。すなわち、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部とランド１６Ｂとが重なっている領域がある。
【００６４】
実施例１では、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。また、実施例１では、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとを、配線基板２の平面方向においてずらして配置している。
【００６５】
配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの直線形状部分とが一致すれば、配線基板２の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ａの電気特性が劣化する可能性がある。
【００６６】
したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ａの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン１５Ａの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。
【００６７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｅと表記する。ずらし量Ｅは、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド１６Ｂの配置方向の反対方向に向けて、ランド１６Ａの配置をずらしている。
【００６８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Ｆと表記する。ずらし量Ｆは、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド１６Ａの配置方向の反対方向に向けて、ランド１６Ｂの配置をずらしている。
【００６９】
グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂ電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂが配置されている。また、図２Ｂから図２Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａが配置されている。
【００７０】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａを配置してもよい。
【００７１】
実施例１では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂを配置してもよい。
【００７２】
絶縁層２０に発生したクラックは、配線基板２の平面方向及び厚さ方向に向かって伝播する。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグ
ランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７３】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７４】
図３Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａ又は１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２０を伝播するクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７５】
絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突せずに、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ａが存在している。そのため、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａに衝突する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが電源プレーン１４Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層２２に伝播しない。したがって、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン１４Ａで止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７６】
絶縁層２０を伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突せずに、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン１４Ｂが存在している。そのため、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂに衝突する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが電源プレーン１４Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層２２に伝播しない。したがって、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン１４Ｂで止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグラン
ドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７８】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００７９】
図３Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａ又は１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって絶縁層２２を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００８０】
絶縁層２４に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって伝播する。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【００８１】
実施例１では、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を三角形状とする例を示したが、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を他の形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ及び１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、矩形状としてもよい。
【実施例２】
【００８２】
本実施形態の実施例２について説明する。実施例２の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例２の構成に限定されない。なお、実施例１と同一の構成要素については、実施例１と同一の符号を付し、その説明を省略する。図４Ａは、実施例２に係る半導体装置１の要部平面図である。図４Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図４Ｂは、図４Ａの一点鎖線Ｅ−Ｅにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｃは、図４Ａの一点鎖線Ｆ−Ｆにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｄは、図４Ａの一点鎖線Ｇ−Ｇにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ｅは、図４Ａの一点鎖線Ｈ−Ｈにおける半導体装置１の要部断面図である。図４Ａから図４Ｅにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【００８３】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。第１配線は、グランドプレーン１１Ａの一例である。第２配線は、グランドプレーン１１Ｂの一例である。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２のＬ２層に電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成さ
れ、配線基板２のＬ３層にグランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層にランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。第３配線は、電源プレーン１４Ａの一例である。第４配線は、電源プレーン１４Ｂの一例である。
【００８４】
図４Ａから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００８５】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００８６】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いてもよい。図４Ｂから図４Ｅに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【００８７】
図４Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図４Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【００８８】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図４Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【００８９】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層
２１が形成されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【００９０】
図４Ｂから図４Ｅに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【００９１】
図５Ａは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図５Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図５Ｂは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図５Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図５Ｃは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図５Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図５Ｄは、実施例２に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図５Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図５Ａから図５Ｄは、図４Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【００９２】
図５Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図５Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【００９３】
図５Ａから図５Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を非直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が非平面となっている。
【００９４】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図５ＡのＢ２から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図５ＡのＢ２からへこんだ部分である。
【００９５】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置
方向に対して図５ＡのＢ４から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図５ＡのＢ４からへこんだ部分である。
【００９６】
図５Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して図５ＢのＢ２から突出した部分である。実施例２において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して図５ＢのＢ２からへこんだ部分である。
【００９７】
図５Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して図５ＢのＢ４から突出した部分である。実施例２において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して図５ＢのＢ４からへこんだ部分である。
【００９８】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図５ＣのＢ７から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図５ＣのＢ７からへこんだ部分である。
【００９９】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図５ＣのＢ９から突出した部分である。実施例２において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図５ＣのＢ９からへこんだ部分である。
【０１００】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して図５ＤのＢ７から突出した部分である。実施例２において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた谷部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して図５ＤのＢ７からへこんだ部分である。
【０１０１】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が非直線形状（櫛歯形状）になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａ
に隣接する側面には、矩形状の山部（突出部）及び矩形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。実施例２において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ａの配置方向に対して図５ＤのＢ９から突出した部分である。実施例２において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、ランド１６Ａの配置方向に対して図５ＤのＢ９からへこんだ部分である。
【０１０２】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、絶縁層２０が形成されている。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間に、絶縁層２０及び絶縁層２１を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間（図４Ａ、図５ＡのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０３】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＡのＢ１４とＢ１５との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＡのＢ１２とＢ１３との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ１１とＢ１２との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ１３とＢ１４との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０４】
電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間には、絶縁層２１が形成されている。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとの間に、絶縁層２１及び絶縁層２２を形成するようにしてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間（図５ＢのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０５】
電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＢのＢ１６とＢ１７との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ（図５ＢのＢ１６とＢ１７との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【０１０６】
グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、絶縁層２２が形成されている。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間に、絶縁層２２及び絶縁層２３を形成するようにしてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との間（図５ＣのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０７】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＣのＢ２１とＢ２２との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＣのＢ１９とＢ２０との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設
けられた山部とのピッチ（図５ＣのＢ１８とＢ１９との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とのピッチ（図５ＡのＢ２０とＢ２１との間の距離）を、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０８】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとは、所定距離を離して配置されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、絶縁層２４が形成されている。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間に、絶縁層２３及び絶縁層２４を形成するようにしてもよい。ランド１６Ａの隣接側面とランド１６Ｂとの隣接側面との間（図５ＤのＢ２とＢ４との間）の距離を、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。
【０１０９】
ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ（図５ＤのＢ２３とＢ２４との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ（図５ＤのＢ２３とＢ２４との間の距離）を、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下としてもよい。
【０１１０】
グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向（積層方向）において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ａ又は電源プレーン１４Ｂの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１１Ｂ又は電源プレーン１４Ａの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａが配置されている。
【０１１１】
電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂ電気特性が劣化する。また、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン１４Ａ又はグランドプレーン１５Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。
【０１１２】
グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ａ又はランド１６Ｂ電気特性が劣化する。また、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン１５Ｂ又はランド１６Ｂの電気特性が劣化する。したがって、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが、配線基板２の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂが配置されている。また、図４Ｂから図４Ｅに示すように、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが、配線基板２の厚さ方向に
おいて重ならないようにして、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａが配置されている。
【０１１３】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１１４】
図４Ｃに示すように、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＡのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン１１Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１１５】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン１４Ａとが重なっていない領域がある。
【０１１６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１１７】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン１４Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１１８】
図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面における直線形状部分（図５ＡのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン１１Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１１９】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２０】
図４Ｃに示すように、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２の厚さ方
向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ａとが重なっていない領域がある。
【０１２１】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、電源プレーン１４Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ２）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン１４Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２２】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２３】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＢのＢ４）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に、電源プレーン１４Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２４】
図４Ｅに示すように、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン１４Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面における直線形状部分（図５ＣのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１２５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２６】
図４Ｃに示すように、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ｂの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン１５Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｃに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１２７】
図４Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して、ランド１６Ａの隣接側面の直線形状部分（図５ＤのＢ７）よりも突出している。したがって、図４Ｄに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の下方に、ランド１６Ａが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｄに示すように、配線基板２
には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とランド１６Ａとが重なっていない領域がある。
【０１２８】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。
【０１２９】
図４Ｂに示すように、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して、ランド１６Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＤのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の下方にランド１６Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｂに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とランド１６Ｂとが重なっていない領域がある。
【０１３０】
図４Ｅに示すように、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部は、ランド１６Ａの配置方向に対して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面の直線形状部分（図５ＣのＢ９）よりも突出している。したがって、図４Ｅに示すように、配線基板２の厚さ方向において、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン１５Ｂが存在しない領域がある。すなわち、図４Ｅに示すように、配線基板２には、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。
【０１３１】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ａの直線形状部分（図５ＡのＢ２）からの突出量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの直線形状部分（図５ＡのＢ２）からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３２】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン１１Ｂの直線形状部分（図５ＡのＢ４）からの突出量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの直線形状部分（図５ＡのＢ４）からのへこみ量である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３３】
電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意
の値を設定することができる。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン１４Ａの直線形状部分（図５ＢのＢ２）からの突出量である。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ａの直線形状部分（図５ＢのＢ２）からのへこみ量である。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３４】
電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分（図５ＢのＢ４）からの突出量である。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ｂの直線形状部分（図５ＢのＢ４）からのへこみ量である。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン１４Ａの隣接側面と電源プレーン１４Ｂの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。
【０１３５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１３６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面とグランドプレーン１５Ａの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ａ及びグランドプレーン１５Ａを配置してもよい。
【０１３７】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１３８】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面と
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン１１Ｂ及びグランドプレーン１５Ｂを配置してもよい。
【０１３９】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１４０】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面とランド１６Ａの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ａ及びランド１６Ａを配置してもよい。
【０１４１】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。
【０１４２】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。すなわち、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂが配置されている。これに限らず、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面とランド１６Ｂの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン１４Ｂ及びランド１６Ｂを配置してもよい。
【０１４３】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４４】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。例えば、図６に示すように、グランドプレーン１１Ａの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にし、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面の形状とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。図６は、実施例２の変形例に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。
【０１４５】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン１４Ａの隣接側面の形状とランド１６Ａの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４６】
実施例２では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン１４Ｂの隣接側面の形状とランド１６Ｂの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１４７】
グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間の領域の絶縁層２０及び２１に発生したクラックは、配線基板２の平面方向に向かって伝播する。また、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間の領域の絶縁層２０及び２１に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって伝播する。
【０１４８】
グランドプレーン１１Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１４９】
グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５０】
図５Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとの間には、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１１Ａ又は１１Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の絶縁層２０及び２１に発生したクラックをグランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５１】
配線基板２の絶縁層２０に発生したクラックが、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン１４Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５２】
配線基板２の絶縁層２０に発生したクラックが、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン１４Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５３】
グランドプレーン１５Ａの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ａの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５４】
グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５５】
図５Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとの間には、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａ又は１５Ｂに衝突する可能性が高くなる
。配線基板２の絶縁層２２又は２３を伝播するクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５６】
図５Ｄに示すように、ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間には、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とランド１６の隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、ランド１６Ａ及び１６Ｂの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板２の平面方向に向かって伝播するクラックが、ランド１６Ａ又は１６Ｂに衝突する可能性が高くなる。配線基板２の絶縁層２３又は２４を伝播するクラックをランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部又はランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５７】
ランド１６Ａとランド１６Ｂとの間の領域の絶縁層２４に発生したクラックは、配線基板２の厚さ方向に向かって、絶縁層２３を伝播する。配線基板２の絶縁層２４に発生したクラックが、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２１を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド１６Ａの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【０１５８】
配線基板２の絶縁層２４に発生したクラックが、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播する場合がある。上述したように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部と、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板２の厚さ方向に向かって絶縁層２３を伝播するクラックが、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板２の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド１６Ｂの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板２の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。
【実施例３】
【０１５９】
本実施形態の実施例３について説明する。実施例３の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置１は実施例３の構成に限定されない。なお、実施例１及び実施例２と同一の構成要素については、実施例１及び実施例２と同一の符号を付し、その説明を省略する。図７Ａは、実施例３に係る半導体装置１の要部平面図である。図７Ａは、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０を拡大して示している。図７Ｂは、図７Ａの一点鎖線Ｊ−Ｊにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ｃは、図７Ａの一点鎖線Ｋ−Ｋにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ｄは、図７Ａの一点鎖線Ｌ−Ｌにおける半導体装置１の要部断面図である。図７Ａから図７Ｄにおいては、封止樹脂４の図示を省略している。
【０１６０】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３が形成されている。また、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂが形成され、配線基板２のＬ３層に、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂが形成され、配線基板２のＬ４層に、ランド１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。
【０１６１】
図７Ａから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１６２】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａの下方に電源プレーン１４Ａが配置され、グランドプレーン１１Ｂの下方に電源プレーン１４Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、電源プレーン１４Ａの下方にグランドプレーン１５Ａが配置され、電源プレーン１４Ｂの下方にグランドプレーン１５Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとが隣接して配置され、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、グランドプレーン１５Ａの下方にランド１６Ａが配置され、グランドプレーン１５Ｂの下方にランド１６Ｂが配置されている。すなわち、図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとが隣接して配置され、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１６３】
グランドプレーン１１Ａ、１５Ａ及び電源プレーン１４Ａは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ａに接続されている。グランドプレーン１１Ｂ、１５Ｂ及び電源プレーン１４Ｂは、図示しない導通ビアを介してランド１６Ｂに接続されている。グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、信号配線１２、導通ビア１３、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属を用いてもよい。図７Ｂから図７Ｄに示すように、ランド１６Ａ、１６Ｂには、半田ボール６が接合されている。
【０１６４】
図７Ａに示すように、配線基板２に形成されているボンディングパッド１７と半導体素子３に形成されているボンディングパッド１８とは、ワイヤ５を介して接続されている。図７Ａに示すように、信号配線１２は、導通ビア１３及びボンディングパッド１７に接続されている。
【０１６５】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２は、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、信号配線１２及び導通ビア１３の上に絶縁層２０を有している。絶縁層２０の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図７Ａでは、絶縁層２０の図示を省略している。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２は、Ｌ１層とＬ２層との間に絶縁層２１を有しており、Ｌ２層とＬ３層との間に絶縁層２２を有しており、Ｌ３層とＬ４層との間に絶縁層２３を有している。
【０１６６】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ａとの間、及び、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ｂとの間に絶縁層２１が形成されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ａとの間、及び、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ｂとの間に絶縁層２２が形成されている。図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ａとの間、及び、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ｂとの間に絶縁層２３が形成されている。
【０１６７】
絶縁層２１、２２、２３の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層２１、２２、２３の厚さを、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【０１６８】
図７Ｂから図７Ｄに示すように、配線基板２には、半導体素子３が設置されている面の反対側の面に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。
【０１６９】
図８Ａは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ１層の要部平面図である。図８Ａでは、封止樹脂４及び絶縁層２０の図示を省略している。図８Ｂは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ２層の要部平面図である。図８Ｂでは、封止樹脂４、絶縁層２０及び配線基板２のＬ１層の図示を省略している。図８Ｃは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ３層の要部平面図である。図８Ｃでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層及びＬ２層の図示を省略している。図８Ｄは、実施例３に係る半導体装置１が備える配線基板２のＬ４層の要部平面図である。図８Ｄでは、封止樹脂４、絶縁層２０、配線基板２のＬ１層、Ｌ２層及びＬ３層の図示を省略している。なお、図８Ａから図８Ｄは、図７Ａと同様に、図１の（Ａ）の一点鎖線で示された領域１０の拡大平面図である。
【０１７０】
図８Ａに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１１Ａとグランドプレーン１１Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｂに示すように、配線基板２の平面方向において、電源プレーン１４Ａと電源プレーン１４Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｃに示すように、配線基板２の平面方向において、グランドプレーン１５Ａとグランドプレーン１５Ｂとが隣接して配置されている。図８Ｄに示すように、配線基板２の平面方向において、ランド１６Ａとランド１６Ｂとが隣接して配置されている。
【０１７１】
図８Ａから図８Ｄに示すように、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂの側面の一部が非平面となり、電源プレーン１４Ａ、１４Ｂ及びランド１６Ａ、１６Ｂの側面の一部が平面となっている。
【０１７２】
図８Ａに示すように、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ａの側面のうち、グランドプレーン１１Ｂに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図８ＡのＡ２から突出した部分である。グランドプレーン１１Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ｂの配置方向に対して図８ＡのＡ２からへこんだ部分である。
【０１７３】
図８Ａに示すように、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａ
に隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１１Ｂの側面のうち、グランドプレーン１１Ａに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図８ＡのＡ４から突出した部分である。グランドプレーン１１Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１１Ａの配置方向に対して図８ＡのＡ４からへこんだ部分である。
【０１７４】
図８Ｂに示すように、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ａの側面のうち、電源プレーン１４Ｂに隣接する側面が平面になっている。図８Ｂに示すように、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン１４Ｂの側面のうち、電源プレーン１４Ａに隣接する側面が平面になっている。
【０１７５】
図８Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ａの側面のうち、グランドプレーン１５Ｂに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図８ＣのＡ７から突出した部分である。グランドプレーン１５Ａの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ｂの配置方向に対して図８ＣのＡ７からへこんだ部分である。
【０１７６】
図８Ｃに示すように、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面が非直線形状（波形状）になっている。すなわち、グランドプレーン１５Ｂの側面のうち、グランドプレーン１５Ａに隣接する側面には、半円形状の山部（突出部）及び半円形状の谷部（へこみ部）が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図８ＣのＡ９から突出した部分である。グランドプレーン１５Ｂの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン１５Ａの配置方向に対して図８ＣのＡ９からへこんだ部分である。
【０１７７】
図８Ｄに示すように、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ａの側面のうち、ランド１６Ｂに隣接する側面が平面になっている。図８Ｄに示すように、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド１６Ｂの側面のうち、ランド１６Ａに隣接する側面が平面になっている。
【０１７８】
実施例３では、グランドプレーン１１Ａに関して、グランドプレーン１１Ａの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１１Ａに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３では、グランドプレーン１１Ｂに関して、グランドプレーン１１Ｂの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１１Ｂに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３における電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂに関しては、実施例１と同様である。
【０１７９】
実施例３では、グランドプレーン１５Ａに関して、グランドプレーン１５Ａの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１５Ａに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３では、グランドプレーン１５Ｂに関して、グランドプレーン１５Ｂの隣接側面を波形状としている点が、実施例１とは異なっている。グランドプレーン１５Ｂに関する他の点については、実施例１と同様である。実施例３におけるランド１６Ａ及び１６Ｂに関しては、実施例１と同様である。
【０１８０】
《実施例１から実施例３における共通事項》
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ａと電源プレーン１４Ｂとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１１Ａの電圧変動が電源プレーン１４Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン１４Ｂの電圧変動がグランドプレーン１１Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１１Ａ及び電源プレーン１４Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１１Ｂと電源プレーン１４Ａとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１１Ｂの電圧変動が電源プレーン１４Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン１４Ａの電圧変動がグランドプレーン１１Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１１Ｂ及び電源プレーン１４Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８１】
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ａとグランドプレーン１５Ｂとが重なっていない。したがって、電源プレーン１４Ａの電圧変動がグランドプレーン１５Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン１５Ｂの電圧変動が電源プレーン１４Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン１４Ａ及びグランドプレーン１５Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、電源プレーン１４Ｂとグランドプレーン１５Ａとが重なっていない。したがって、電源プレーン１４Ｂの電圧変動がグランドプレーン１５Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン１５Ａの電圧変動が電源プレーン１４Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン１４Ｂ及びグランドプレーン１５Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８２】
実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ａとランド１６Ｂとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１５Ａの電圧変動がランド１６Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド１６Ｂの電圧変動がグランドプレーン１５Ａの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１５Ａ及びランド１６Ｂの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例１から実施例３では、配線基板２の厚さ方向において、グランドプレーン１５Ｂとランド１６Ａとが重なっていない。したがって、グランドプレーン１５Ｂの電圧変動がランド１６Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド１６Ａの電圧変動がグランドプレーン１５Ｂの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン１５Ｂ及びランド１６Ａの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。
【０１８３】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａ及び１１Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、グランドプレーン１１Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１１Ｂと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ１層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。
【０１８４】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、グランド
プレーン１１Ａ及び１１Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ２層に、グランドプレーン１１Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１１Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。
【０１８５】
実施例１から実施例３では、配線基板２のＬ３層に、グランドプレーン１５Ａ及び１５Ｂを形成する例を示した。実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、電源プレーン１４Ａ及び１４Ｂを形成するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、グランドグランドプレーン１５Ａと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン１５Ｂと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。また、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ３層に、電源プレーン１４Ａと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン１４Ｂと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例１から実施例３において、配線基板２のＬ４層に、グランドプレーン１５Ａと同一形状のランドと、グランドプレーン１５Ｂと同一形状のランドとを隣接して配置するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１８６】
１、１００ 半導体装置
２、１０１ 配線基板
３、２００ 半導体素子
４、１０２ 封止樹脂
５、１０３ ワイヤ
６、１０４ 半田ボール
１１Ａ、１１Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、１１０ グランドプレーン
１２、１１１ 信号配線
１３、１１２ 導通ビア
１４Ａ、１４Ｂ、１１３ 電源プレーン
１６Ａ、１６Ｂ、１１５ ランド
１７、１８、２０１ ボンディングパッド
２０、２１、２２、２３、２４、１２０、１２１、１２２、１２３、１２４ 絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線と、
配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、
前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間、前記第１配線と前記第３配線との間、前記第２配線と前記第４配線との間、及び、前記第３配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第３配線の側面は、直線形状であり、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第４配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１配線と前記第３配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、
前記第２配線と前記第４配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、
前記第１配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第３配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第４配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第２配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
第１配線と、
配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、
前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間、前記第１配線と前記第３配線との間、前記第２配線と前記第４配線との間、及び、前記第３配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第３配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第４配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた山部と前記第３配線の側面に設けられた山部とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた山部と前記第４配線の側面に設けられた山部とが重ならないことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記第１配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第３配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であり、
前記第４配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第２配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第３配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第４配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第１配線の側面は、直線形状であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第２配線の側面は、直線形状であり、
前記第３配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第３配線の側面は、直線形状であり、
前記第４配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第４配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項５から７の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１配線及び前記第２配線は、グランドプレーンであり、
前記第３配線及び前記第４配線は、電源プレーンであることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１配線及び前記第２配線は、電源プレーンであり、
前記第３配線及び前記第４配線は、グランドプレーンであることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項１】
第１配線と、
配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、
前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間、前記第１配線と前記第３配線との間、前記第２配線と前記第４配線との間、及び、前記第３配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた谷部と前記第３配線とが重なり、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた谷部と前記第４配線とが重なることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第３配線の側面は、直線形状であり、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第４配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１配線と前記第３配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、
前記第２配線と前記第４配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、
前記第１配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第３配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第４配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第２配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
第１配線と、
配線基板の平面方向において、前記第１配線と隣接して配置された第２配線と、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と隣接して配置された第３配線と、
前記配線基板の平面方向において、前記第３配線と隣接して配置された第４配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間、前記第１配線と前記第３配線との間、前記第２配線と前記第４配線との間、及び、前記第３配線と前記第４配線との間に形成された絶縁層と、を備え、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第４配線とが隣接して配置され、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線と前記第４配線とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線と前記第３配線とが重ならず、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第１配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第１配線と前記第２配線とが隣接する領域における前記第２配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第３配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記第３配線と前記第４配線とが隣接する領域における前記第４配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第１配線の側面に設けられた山部と前記第３配線の側面に設けられた山部とが重ならず、
前記配線基板の厚さ方向において、前記第２配線の側面に設けられた山部と前記第４配線の側面に設けられた山部とが重ならないことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記第１配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第１配線と前記第２配線との間の距離の半分であり、
前記第３配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であり、
前記第４配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第３配線と前記第４配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第２配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第３配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、
前記第４配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第１配線の側面は、直線形状であり、
前記第２配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第２配線の側面は、直線形状であり、
前記第３配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第３配線の側面は、直線形状であり、
前記第４配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第４配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項５から７の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１配線及び前記第２配線は、グランドプレーンであり、
前記第３配線及び前記第４配線は、電源プレーンであることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１配線及び前記第２配線は、電源プレーンであり、
前記第３配線及び前記第４配線は、グランドプレーンであることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の配線基板。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９】
【図１０】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１９９４２６（Ｐ２０１２−１９９４２６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６３１５２（Ｐ２０１１−６３１５２）
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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