金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法
【課題】熱乾燥型レジストインキであって、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチング用レジストの提供、および金属箔パターン形成方法の提供。
【解決手段】金属箔エッチング用レジストは、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキである。
【解決手段】金属箔エッチング用レジストは、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法に関し、特に、ＩＣタグ用アンテナ回路パターン等の形成に使用される金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触ＩＣタグ、ＩＣカード等の機能カードが、盗難防止用タグ、出入者チェック用タグ、テレフォンカード、クレジットカード、プリペイドカード、キャッシュカード、ＩＤカード、カードキー、各種会員カード、図書券、診察券、定期券等に使用されはじめており、これらの機能カードにおいては金属箔によりアンテナ回路パターンが設けられている。これらのアンテナ回路パターンとしては、金属箔をエッチング処理して形成する方法が知られているが、エッチング処理に際して使用されるレジスト膜パターンとして、例えば光重合性モノマーとアルカリ可溶性樹脂とからなるフォトレジストインキをグラビア印刷した後、ＵＶ硬化して形成する方法（特許文献１）が知られている。
【０００３】
しかしながら、フォトレジストインキを使用すると、硬化に際してＵＶ照射装置を必要とする等の生産性に問題がある。そのため生産性の改良を目的として、アルカリ可溶性樹脂を含有する熱乾燥型レジストインキを使用してレジスト膜パターンを形成すると、その詳細な理由は不明であるが、酸によるエッチング処理に際してレジスト膜に金属箔にまで達するピンホールが多数発生し、アンテナ回路パターンが断線するという問題が生じることが判明した。フォトレジストインキにあっては、架橋化等フォトポリマーの凝集性が高く、このようなピンホールは殆ど発生しないだけに、熱乾燥型レジストインキを使用する場合におけるこのような問題を克服することが求められている。
【特許文献１】特許第３，４１１，５１４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、この課題の解決を目的とするもので、アルカリ可溶性樹脂をバインダーとする熱乾燥型レジストインキによりレジスト膜パターンを形成しても、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチッング用レジストの提供、および生産性、量産性に優れる金属箔パターン形成方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキであることを特徴とする。
【０００６】
体質顔料粒子が、シリカ粒子であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の金属箔パターン形成方法は、金属箔上に、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のインキを使用してグラビア印刷により乾燥膜厚２〜５μｍのレジストパターン膜を設けた後、該レジストパターン膜を介して前記金属箔を酸エッチングし、さらに、残存するレジストパターン膜をアルカリで可溶化して除去することを特徴とする。
【０００８】
金属箔パターンが、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、酸によるエッチング処理に際してピンホールの発生が少なく、歩留りの優れたものとでき、また、熱乾燥型のグラビア印刷用インキを使用することにより、フォトレジスト法に比して、生産性、量産性に優れる金属箔パターン形成方法とできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明におけるアンテナ回路パターンは、樹脂フィルムからなる基材の片表面又は両表面上に接着剤を介して金属箔をドライラミネート法等によって接着して得られる金属箔積層体に対するエッチング操作により形成される。すなわち、金属箔積層体としては金属箔／接着層／基材、または金属箔／接着層／基材／接着層／金属箔の積層形態が例示される。基材としては、厚さが２５〜１００μｍ程度のポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が例示され、金属箔としては、厚さが９〜３５μｍ程度の電解銅箔やアルミニウム箔等が例示され、また、接着層としては、ポリウレタン系接着層等が例示される。
【００１１】
本発明の金属箔エッチッング用レジストインキは、金属箔積層体における金属箔表面に、グラビア印刷によりパターン印刷されるものであり、光硬化成分を含有しない所謂「熱乾燥型」のグラビア印刷用インキであり、アルカリ可溶型樹脂をバインダー樹脂とし、アルカリ可溶型樹脂中に疎水化処理された体質顔料粒子を含むものである。
【００１２】
アルカリ可溶型樹脂としては、アルカリ水溶液に可溶な重合体であればよく、例えば（メタ）アクリル系樹脂（アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を示す。以下、同様）、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂等の有機高分子が例示され、中でもエチレン性不飽和二重結合を有した重合性単量体をラジカル重合して得られるものが好ましく、現像性を考慮すると（メタ）アクリル系樹脂が好ましい。
【００１３】
エチレン性不飽和二重結合を有したラジカル重合性単量体としては、例えばスチレン；ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン等のスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル；ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル類が例示され、また（メタ）アクリル系単量体が例示される。
【００１４】
（メタ）アクリル系単量体としては、一般式：ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＯＯＲ2 （式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2 は炭素数１〜１２のアルキル基で例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、およびこれらの構造異性体を示す）で示される（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレートが例示される。
【００１５】
また、カルボキシル基を含有する単量体である（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）アクリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸；ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体、フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、無水イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸、アクリル酸二量体等が例示される。
【００１６】
本発明におけるアルカリ可溶型樹脂は、好ましくは上記の単量体を２種以上組み合わせた共重合樹脂とされるとよいが、アルカリ現像性を考慮すると、酸性基、例えばカルボキシル基を含む単量体を共重合成分とする共重合樹脂とするとよい。
【００１７】
また、アルカリ可溶型樹脂は、単独、若しくは２種類以上組み合わせて用いることができ、例えば異なる共重合成分を有する２種類以上のアルカリ可溶型樹脂の組合せ、また、異なる重量平均分子量を有する２種類以上のアルカリ可溶型樹脂の組合せ等が挙げられる。
【００１８】
アルカリ可溶型樹脂は、その重量平均分子量が６，０００〜１５０，０００、好ましくは８，０００〜６０，０００であり、分子量が６，０００未満では耐現像液性が低下する問題があり、また、１５０，０００を超えると現像時間が長くなるので好ましくない。
【００１９】
また、アルカリ可溶型樹脂の酸価は、６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、好ましくは８０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、酸価が６０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると現像時間が長くなるので好ましくなく、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると耐現像液性が低下するので好ましくない。
【００２０】
また、アルカリ可溶型樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は３０〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃であり、Ｔｇが３０℃未満であると耐ブロッキング性が悪化するので好ましくなく、１２０℃を超えると塗膜に割れを生じる可能性があるので好ましくない。
【００２１】
なお、重量平均分子量はＧＰＣ測定（ポリスチレン換算）により得られるものであり、酸価はＪＩＳ Ｋ５６０１の規定に従い測定されるものである。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、島津製作所製示差走査熱量計（ＤＳＣ−５０）を用いて測定した値である。
【００２２】
このようなアルカリ可溶型樹脂としては、例えばＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）、大成ファインケミカル社製「１ＡＮ−１００３」（Ｍｗ＝２５，０００、酸価７０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝５０℃）等が例示される。
【００２３】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、このようなアルカリ可溶型樹脂に対して疎水化処理された体質顔料粒子を配合させるものであり、体質顔料粒子としては、シリカ、タルク等が例示される。好ましくはシリカ微粒子であり、粒径が１．０〜８．０μｍ、好ましくは１．０〜４．０μｍのものとするとよい。粒径が１．０μｍ未満であるとグラビアインキとした際に粘性が高くなり、また、８．０μｍを超えると体質顔料粒子の沈降が生じ、インキの安定化に問題が生じるので好ましくない。
【００２４】
通常、体質顔料粒子は充填剤として耐ブロッキング性の改良を目的に添加されることが知られているが、疎水化処理されてアルカリ可溶型樹脂中に添加されると、その詳細な理由は不明であるが、アルカリ可溶型樹脂の凝集性の増大に寄与して、酸エッチング処理に対する抵抗性が増し、ピンホールの発生が抑制された優れたレジスト層とできることが判明した。このようなシリカ粒子としては、東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）、水澤化学工業社製「ミズカシルＰ８０２Ｙ」（粒径２．４μｍ）等が例示される。また、タルク粒子としては日本タルク社製「ＭＩＣＲＯＡＣＥ Ｐ−８」（粒径３．３μｍ）等が例示される。体質顔料粒子の粒径（個数平均一次粒径）は、走査型電子顕微鏡写真法により求められるものである。
【００２５】
体質顔料粒子は、アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して１．０〜３５質量部、好ましくは８〜２５質量部の割合で配合される。配合割合が１．０質量部未満であると、ピンホールの発生を抑制できず、３５質量部を超えると顔料粒子が沈降し、インキの安定性に問題が生じるので好ましくない。
【００２６】
本発明の金属箔エッチッング用レジストには、上述した体質顔料粒子の添加効果に影響を与えない範囲で、他に、レジストパターンが見やすいように着色顔料また染料として例えばフタロシアニン ブルー（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３）、マラカイトグリーン等を含有させるとよい。着色顔料はアルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して２〜４５質量部の割合で配合されるとよい。また、他に必要に応じて膜物性をコントロールするためにジブチルフタレート等の可塑剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸価防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等を添加してもよい。
【００２７】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、上記の各成分をメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、２−ブタノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤、または混合溶剤に、ナノミル分散機等を使用して溶解・分散して、固形分が３０〜６０質量％で、粘度（ザーンカップ＃４ １０〜６０ｓｅｃ（２５℃））のグラビア印刷用インキとされる。なお、粘度はＲＩＧＯＳＨＡ社製粘度計を使用して測定される。
【００２８】
次に、本発明の金属箔パターン形成方法について説明する。
【００２９】
本発明の金属箔パターン形成方法は、金属箔／接着層／基材、または金属箔／接着層／基材／接着層／金属箔の積層形態の金属箔積層体における金属箔上に、金属箔エッチッング用レジストを使用してグラビア印刷によりレジストパターン膜を形成する。レジストパターン膜は、７０〜２６０℃で熱乾燥されるとよく、乾燥後の膜厚が１〜５μｍ、好ましくは２〜５μｍとされるとよい。膜厚が１μｍ未満であると塗工が困難であり、また、耐エッチング性が悪化するので好ましくない。また、５μｍを超えると密着性が低下したり、また、アルカリでの溶解除去に際して時間がかかり、好ましくない。
【００３０】
次に、得られたレジストパターン膜を介して、レジスト膜により被覆されてなく露出した金属箔部を酸エッチング除去する。酸エッチングは塩化第２鉄水溶液または塩酸水溶液中に２５〜６０℃で浸漬することにより行うとよい。酸エッチングに付した後、残存するレジスト膜はアルカリで可溶化して除去される。レジスト膜除去に際しては２〜２０％の水酸化ナトリウム水溶液中に２５〜６０℃で浸漬することにより行うとよい。
【００３１】
酸エッチングに付した後のレジストパターン膜表面を、デジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、本発明におけるレジストパターン膜において確認されるピンホール数は、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）当り１０個以下とできる。なお、ピンホールの孔径は１０〜１００μｍ程度である。
【００３２】
このように、本発明の金属箔エッチッング用レジストは、金属箔上にグラビア塗布形成されてレジスト層としてもよいが、例えばＰＥＴフィルム等をキャリアフィルムとし、その上にグラビア印刷によりパターン状のレジスト層を剥離可能に形成して転写シートとしてもよい。この転写シートを使用して金属箔上にレジスト層を形成するには、転写シートにおけるレジスト層面を金属箔上に接着剤層を介するか、または直接積層した後、キャリアフィルムを剥離除去するとよい。これにより、レジスト層を金属箔上に転写形成してもよい。
【００３３】
また、本発明の金属箔エッチッング用レジストは、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンやポリマー２次電池の集電体における金属箔のパターニングに際して、好ましく使用される。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例によって本発明を説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
【００３５】
（実施例１）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ２．０質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２５．８質量部
・ トルエン ・・・ １８．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００３６】
次に、膜厚１５μｍのＰＥＴフィルム上に厚み１２μｍのアルミニウム箔がポリウレタン系接着剤を介して接着され、その積層形態がＰＥＴフィルム／ポリウレタン系接着剤層／アルミニウム箔のアルミニウム箔上に、上記で得られたインキをグラビア印刷機を使用して、５０ｍ／分でＩＣタグ用アンテナ回路パターンを乾燥膜厚２μｍで印刷した。なお、乾燥温度は１２０℃とした。
【００３７】
得られた試料を、４５℃の塩化第２鉄水溶液中に浸漬し、パターン状にアルミニウム箔を酸エッチングした後、４０℃の５％水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、レジスト層を膜状に剥離除去した。その後、中和、水洗、乾燥工程を経て、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００３８】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたりのピンホールが１０個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ９．９個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００３９】
（実施例２）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ５質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ １６．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４０】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４１】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが３個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２．４個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００４２】
（実施例３）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ７質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ １４．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４３】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４４】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが２個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２．７個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００４５】
（比較例１）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ ２１．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛（ザーンカップ＃４ ２２ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４６】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４７】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが２４個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２４．０個であった。また、得られた回路パターンには、断線や狭隘化が生じた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法に関し、特に、ＩＣタグ用アンテナ回路パターン等の形成に使用される金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触ＩＣタグ、ＩＣカード等の機能カードが、盗難防止用タグ、出入者チェック用タグ、テレフォンカード、クレジットカード、プリペイドカード、キャッシュカード、ＩＤカード、カードキー、各種会員カード、図書券、診察券、定期券等に使用されはじめており、これらの機能カードにおいては金属箔によりアンテナ回路パターンが設けられている。これらのアンテナ回路パターンとしては、金属箔をエッチング処理して形成する方法が知られているが、エッチング処理に際して使用されるレジスト膜パターンとして、例えば光重合性モノマーとアルカリ可溶性樹脂とからなるフォトレジストインキをグラビア印刷した後、ＵＶ硬化して形成する方法（特許文献１）が知られている。
【０００３】
しかしながら、フォトレジストインキを使用すると、硬化に際してＵＶ照射装置を必要とする等の生産性に問題がある。そのため生産性の改良を目的として、アルカリ可溶性樹脂を含有する熱乾燥型レジストインキを使用してレジスト膜パターンを形成すると、その詳細な理由は不明であるが、酸によるエッチング処理に際してレジスト膜に金属箔にまで達するピンホールが多数発生し、アンテナ回路パターンが断線するという問題が生じることが判明した。フォトレジストインキにあっては、架橋化等フォトポリマーの凝集性が高く、このようなピンホールは殆ど発生しないだけに、熱乾燥型レジストインキを使用する場合におけるこのような問題を克服することが求められている。
【特許文献１】特許第３，４１１，５１４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、この課題の解決を目的とするもので、アルカリ可溶性樹脂をバインダーとする熱乾燥型レジストインキによりレジスト膜パターンを形成しても、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチッング用レジストの提供、および生産性、量産性に優れる金属箔パターン形成方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキであることを特徴とする。
【０００６】
体質顔料粒子が、シリカ粒子であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の金属箔パターン形成方法は、金属箔上に、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のインキを使用してグラビア印刷により乾燥膜厚２〜５μｍのレジストパターン膜を設けた後、該レジストパターン膜を介して前記金属箔を酸エッチングし、さらに、残存するレジストパターン膜をアルカリで可溶化して除去することを特徴とする。
【０００８】
金属箔パターンが、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、酸によるエッチング処理に際してピンホールの発生が少なく、歩留りの優れたものとでき、また、熱乾燥型のグラビア印刷用インキを使用することにより、フォトレジスト法に比して、生産性、量産性に優れる金属箔パターン形成方法とできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明におけるアンテナ回路パターンは、樹脂フィルムからなる基材の片表面又は両表面上に接着剤を介して金属箔をドライラミネート法等によって接着して得られる金属箔積層体に対するエッチング操作により形成される。すなわち、金属箔積層体としては金属箔／接着層／基材、または金属箔／接着層／基材／接着層／金属箔の積層形態が例示される。基材としては、厚さが２５〜１００μｍ程度のポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が例示され、金属箔としては、厚さが９〜３５μｍ程度の電解銅箔やアルミニウム箔等が例示され、また、接着層としては、ポリウレタン系接着層等が例示される。
【００１１】
本発明の金属箔エッチッング用レジストインキは、金属箔積層体における金属箔表面に、グラビア印刷によりパターン印刷されるものであり、光硬化成分を含有しない所謂「熱乾燥型」のグラビア印刷用インキであり、アルカリ可溶型樹脂をバインダー樹脂とし、アルカリ可溶型樹脂中に疎水化処理された体質顔料粒子を含むものである。
【００１２】
アルカリ可溶型樹脂としては、アルカリ水溶液に可溶な重合体であればよく、例えば（メタ）アクリル系樹脂（アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を示す。以下、同様）、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂等の有機高分子が例示され、中でもエチレン性不飽和二重結合を有した重合性単量体をラジカル重合して得られるものが好ましく、現像性を考慮すると（メタ）アクリル系樹脂が好ましい。
【００１３】
エチレン性不飽和二重結合を有したラジカル重合性単量体としては、例えばスチレン；ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン等のスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル；ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル類が例示され、また（メタ）アクリル系単量体が例示される。
【００１４】
（メタ）アクリル系単量体としては、一般式：ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＯＯＲ2 （式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2 は炭素数１〜１２のアルキル基で例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、およびこれらの構造異性体を示す）で示される（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレートが例示される。
【００１５】
また、カルボキシル基を含有する単量体である（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）アクリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸；ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体、フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、無水イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸、アクリル酸二量体等が例示される。
【００１６】
本発明におけるアルカリ可溶型樹脂は、好ましくは上記の単量体を２種以上組み合わせた共重合樹脂とされるとよいが、アルカリ現像性を考慮すると、酸性基、例えばカルボキシル基を含む単量体を共重合成分とする共重合樹脂とするとよい。
【００１７】
また、アルカリ可溶型樹脂は、単独、若しくは２種類以上組み合わせて用いることができ、例えば異なる共重合成分を有する２種類以上のアルカリ可溶型樹脂の組合せ、また、異なる重量平均分子量を有する２種類以上のアルカリ可溶型樹脂の組合せ等が挙げられる。
【００１８】
アルカリ可溶型樹脂は、その重量平均分子量が６，０００〜１５０，０００、好ましくは８，０００〜６０，０００であり、分子量が６，０００未満では耐現像液性が低下する問題があり、また、１５０，０００を超えると現像時間が長くなるので好ましくない。
【００１９】
また、アルカリ可溶型樹脂の酸価は、６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、好ましくは８０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、酸価が６０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると現像時間が長くなるので好ましくなく、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると耐現像液性が低下するので好ましくない。
【００２０】
また、アルカリ可溶型樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は３０〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃であり、Ｔｇが３０℃未満であると耐ブロッキング性が悪化するので好ましくなく、１２０℃を超えると塗膜に割れを生じる可能性があるので好ましくない。
【００２１】
なお、重量平均分子量はＧＰＣ測定（ポリスチレン換算）により得られるものであり、酸価はＪＩＳ Ｋ５６０１の規定に従い測定されるものである。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、島津製作所製示差走査熱量計（ＤＳＣ−５０）を用いて測定した値である。
【００２２】
このようなアルカリ可溶型樹脂としては、例えばＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）、大成ファインケミカル社製「１ＡＮ−１００３」（Ｍｗ＝２５，０００、酸価７０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝５０℃）等が例示される。
【００２３】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、このようなアルカリ可溶型樹脂に対して疎水化処理された体質顔料粒子を配合させるものであり、体質顔料粒子としては、シリカ、タルク等が例示される。好ましくはシリカ微粒子であり、粒径が１．０〜８．０μｍ、好ましくは１．０〜４．０μｍのものとするとよい。粒径が１．０μｍ未満であるとグラビアインキとした際に粘性が高くなり、また、８．０μｍを超えると体質顔料粒子の沈降が生じ、インキの安定化に問題が生じるので好ましくない。
【００２４】
通常、体質顔料粒子は充填剤として耐ブロッキング性の改良を目的に添加されることが知られているが、疎水化処理されてアルカリ可溶型樹脂中に添加されると、その詳細な理由は不明であるが、アルカリ可溶型樹脂の凝集性の増大に寄与して、酸エッチング処理に対する抵抗性が増し、ピンホールの発生が抑制された優れたレジスト層とできることが判明した。このようなシリカ粒子としては、東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）、水澤化学工業社製「ミズカシルＰ８０２Ｙ」（粒径２．４μｍ）等が例示される。また、タルク粒子としては日本タルク社製「ＭＩＣＲＯＡＣＥ Ｐ−８」（粒径３．３μｍ）等が例示される。体質顔料粒子の粒径（個数平均一次粒径）は、走査型電子顕微鏡写真法により求められるものである。
【００２５】
体質顔料粒子は、アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して１．０〜３５質量部、好ましくは８〜２５質量部の割合で配合される。配合割合が１．０質量部未満であると、ピンホールの発生を抑制できず、３５質量部を超えると顔料粒子が沈降し、インキの安定性に問題が生じるので好ましくない。
【００２６】
本発明の金属箔エッチッング用レジストには、上述した体質顔料粒子の添加効果に影響を与えない範囲で、他に、レジストパターンが見やすいように着色顔料また染料として例えばフタロシアニン ブルー（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３）、マラカイトグリーン等を含有させるとよい。着色顔料はアルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して２〜４５質量部の割合で配合されるとよい。また、他に必要に応じて膜物性をコントロールするためにジブチルフタレート等の可塑剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸価防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等を添加してもよい。
【００２７】
本発明の金属箔エッチッング用レジストは、上記の各成分をメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、２−ブタノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤、または混合溶剤に、ナノミル分散機等を使用して溶解・分散して、固形分が３０〜６０質量％で、粘度（ザーンカップ＃４ １０〜６０ｓｅｃ（２５℃））のグラビア印刷用インキとされる。なお、粘度はＲＩＧＯＳＨＡ社製粘度計を使用して測定される。
【００２８】
次に、本発明の金属箔パターン形成方法について説明する。
【００２９】
本発明の金属箔パターン形成方法は、金属箔／接着層／基材、または金属箔／接着層／基材／接着層／金属箔の積層形態の金属箔積層体における金属箔上に、金属箔エッチッング用レジストを使用してグラビア印刷によりレジストパターン膜を形成する。レジストパターン膜は、７０〜２６０℃で熱乾燥されるとよく、乾燥後の膜厚が１〜５μｍ、好ましくは２〜５μｍとされるとよい。膜厚が１μｍ未満であると塗工が困難であり、また、耐エッチング性が悪化するので好ましくない。また、５μｍを超えると密着性が低下したり、また、アルカリでの溶解除去に際して時間がかかり、好ましくない。
【００３０】
次に、得られたレジストパターン膜を介して、レジスト膜により被覆されてなく露出した金属箔部を酸エッチング除去する。酸エッチングは塩化第２鉄水溶液または塩酸水溶液中に２５〜６０℃で浸漬することにより行うとよい。酸エッチングに付した後、残存するレジスト膜はアルカリで可溶化して除去される。レジスト膜除去に際しては２〜２０％の水酸化ナトリウム水溶液中に２５〜６０℃で浸漬することにより行うとよい。
【００３１】
酸エッチングに付した後のレジストパターン膜表面を、デジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、本発明におけるレジストパターン膜において確認されるピンホール数は、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）当り１０個以下とできる。なお、ピンホールの孔径は１０〜１００μｍ程度である。
【００３２】
このように、本発明の金属箔エッチッング用レジストは、金属箔上にグラビア塗布形成されてレジスト層としてもよいが、例えばＰＥＴフィルム等をキャリアフィルムとし、その上にグラビア印刷によりパターン状のレジスト層を剥離可能に形成して転写シートとしてもよい。この転写シートを使用して金属箔上にレジスト層を形成するには、転写シートにおけるレジスト層面を金属箔上に接着剤層を介するか、または直接積層した後、キャリアフィルムを剥離除去するとよい。これにより、レジスト層を金属箔上に転写形成してもよい。
【００３３】
また、本発明の金属箔エッチッング用レジストは、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンやポリマー２次電池の集電体における金属箔のパターニングに際して、好ましく使用される。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例によって本発明を説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
【００３５】
（実施例１）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ２．０質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２５．８質量部
・ トルエン ・・・ １８．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００３６】
次に、膜厚１５μｍのＰＥＴフィルム上に厚み１２μｍのアルミニウム箔がポリウレタン系接着剤を介して接着され、その積層形態がＰＥＴフィルム／ポリウレタン系接着剤層／アルミニウム箔のアルミニウム箔上に、上記で得られたインキをグラビア印刷機を使用して、５０ｍ／分でＩＣタグ用アンテナ回路パターンを乾燥膜厚２μｍで印刷した。なお、乾燥温度は１２０℃とした。
【００３７】
得られた試料を、４５℃の塩化第２鉄水溶液中に浸漬し、パターン状にアルミニウム箔を酸エッチングした後、４０℃の５％水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、レジスト層を膜状に剥離除去した。その後、中和、水洗、乾燥工程を経て、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００３８】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたりのピンホールが１０個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ９．９個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００３９】
（実施例２）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ５質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ １６．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４０】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４１】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが３個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２．４個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００４２】
（実施例３）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ シリカ微粒子｛東ソー・シリカ社製「ニップシールＳＳ−５０Ａ」（粒径２．３μｍ、球状粒子）｝ ・・・ ７質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ １４．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛粘度（ザーンカップ＃４ ２５ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４３】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４４】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが２個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２．７個であった。また、得られたいずれの回路パターンにおいても、断線は確認できず、歩留りよく、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを製造することができた。
【００４５】
（比較例１）
（金属箔エッチッング用レジストの作成）
金属箔エッチッング用レジストとして、下記組成で示されるインキを用意した。
〔インキ組成〕
・ アクリル系樹脂｛ＢＡＳＦジャパン社製「ジョンクリル６７」（Ｍｗ＝１２，５００、酸価２１３ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ＝７３℃）｝ ・・・ ３３．６質量部
・ 顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント ブルー １５：３） ・・・ ３．０質量部
・ メチルエチルケトン ・・・ ２４．８質量部
・ トルエン ・・・ ２１．８質量部
・ イソプロピルアルコール ・・・ １６．８質量部
の組成を、ナノミル分散機を使用してインキ化｛（ザーンカップ＃４ ２２ｓｅｃ（２５℃）｝した。
【００４６】
得られたインキを使用して、実施例１と同様にしてレジスト層を形成し、同様にエッチング処理し、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンを得た。
【００４７】
酸エッチング後の各レジスト層表面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、２００倍）で観察すると、アンテナパターン１個（総表面積４ｃｍ2 ）あたり、ピンホールが２４個確認された。また、同様の操作で２０個試料を作製（ｎ＝２０）し、そのレジスト層表面におけるピンホール数を観察し、その平均を求めたところ２４．０個であった。また、得られた回路パターンには、断線や狭隘化が生じた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキであることを特徴とする金属箔エッチッング用レジスト。
【請求項２】
体質顔料粒子が、シリカ粒子であることを特徴とする請求項１記載の金属箔エッチッング用レジスト。
【請求項３】
金属箔上に、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のインキを使用してグラビア印刷により乾燥膜厚２〜５μｍのレジストパターン膜を設けた後、該レジストパターン膜を介して前記金属箔を酸エッチングし、さらに、残存するレジストパターン膜をアルカリで可溶化して除去することを特徴とする金属箔パターン形成方法。
【請求項４】
金属箔パターンが、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンであることを特徴とする請求項３記載の金属箔パターン形成方法。
【請求項１】
重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のグラビア印刷用インキであることを特徴とする金属箔エッチッング用レジスト。
【請求項２】
体質顔料粒子が、シリカ粒子であることを特徴とする請求項１記載の金属箔エッチッング用レジスト。
【請求項３】
金属箔上に、重量平均分子量６，０００〜１５０，０００、酸価６０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度３０〜１２０℃のアルカリ可溶型樹脂と、該アルカリ可溶型樹脂１００質量部に対して粒径が１．０〜８．０μｍの体質顔料粒子を１．０〜３５質量部の割合で含む熱乾燥型のインキを使用してグラビア印刷により乾燥膜厚２〜５μｍのレジストパターン膜を設けた後、該レジストパターン膜を介して前記金属箔を酸エッチングし、さらに、残存するレジストパターン膜をアルカリで可溶化して除去することを特徴とする金属箔パターン形成方法。
【請求項４】
金属箔パターンが、ＩＣタグ用アンテナ回路パターンであることを特徴とする請求項３記載の金属箔パターン形成方法。
【公開番号】特開２００９−７６８１４（Ｐ２００９−７６８１４Ａ）
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４６６２７（Ｐ２００７−２４６６２７）
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００１８３９２３）ザ・インクテック株式会社 (268)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００１８３９２３）ザ・インクテック株式会社 (268)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]