防湿性透明導電性フィルム
【解決手段】 高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなる防湿性透明導電性フィルム、及び高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなる防湿性透明導電性フィルム。
【効果】 本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。
【効果】 本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間で各色の粒子が反転して画像を表示する電子ペーパディスプレイやＬＣＤ、有機ＥＬディスプレイ素子などに好適に使用でき、低コストで効率よく製造することができる透明導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性薄膜が成膜された高分子フィルム（ＰＥＴ，ＴＡＣ，ＰＣ，ＰＥＳ，ＰＥＮなど）をディスプレイや電子ペーパ用途の透明導電基板として使用する場合にしばしば問題となるのが、ガラス基板に比べて高分子フィルムの水蒸気透過性が高いために、透過した水蒸気によって素子の劣化や動作不良が起こることである。
【０００３】
そもそも透明導電膜として広く使用されているＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）は、アモルファスであれば、ある程度の防湿性を示す。しかしながら、通常導電膜はエッチングにてパターニングして使用するため、エッチング後の透明導電性フィルムの防湿性は、パターニングにより導電膜が取り除かれた部分で基板の高分子フィルムの防湿性に支配され、高分子フィルムの防湿性と大差がなくなってしまう。
【０００４】
このため、透明導電性薄膜が成膜された高分子フィルムには、透明導電性薄膜とは別にパッシベーション膜を成膜して水蒸気のバリア性をもたせる必要があり、一般的には、無機膜と有機膜を交互に積層した例えば４層膜にて防湿性をもたせるなどしている。しかし、このような無機膜と有機膜との積層膜では、無機層を成膜する際の真空チャンバー内での成膜工程と、有機層を成膜する際のウェットコーターによる成膜工程とを何度も行き来する必要があり、この工程間の往復が工程管理やコストの面でデメリットとなっている。
【０００５】
なお、この発明に関連する先行技術文献情報としては以下のものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−２４１８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、防湿性に優れ、低コストで効率よく製造することができる防湿性透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、基板となる高分子フィルムの一面に、防湿性を備えるアモルファスのＩＴＯ等の防湿膜を成膜し、この防湿膜上に導電膜のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜を保護する耐エッチング膜を成膜し、更に、この耐エッチング膜上にＩＴＯ等の導電膜を成膜した防湿性透明導電性フィルム、又は基板となる高分子フィルムの一面に、防湿性を備えるアモルファスのＩＴＯ等の防湿膜を成膜し、この防湿膜上に導電膜のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜を保護する耐エッチング膜を成膜すると共に、高分子フィルムの他面にＩＴＯ等の導電膜を成膜した防湿性透明導電性フィルムが、導電膜のエッチングによるパターニングの際に、防湿膜はエッチングされることなく耐エッチング膜により保護されることから導電膜のみをエッチングでき、その結果、アモルファスのＩＴＯ等の防湿膜の防湿性を損なうことがなく、導電膜を所望のパターンにパターニングした後の透明導電性フィルムが防湿性に優れるものとなることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、以下の防湿性透明導電性フィルムを提供する。
請求項１：高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
請求項２：高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
請求項３：上記防湿膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１又は２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項４：上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項３記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項５：上記酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物がアモルファス構造であることを特徴とする請求項３又は４記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項６：上記耐エッチング膜が無機酸化物又は無機酸窒化物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項７：上記無機酸化物又は無機酸窒化物が、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素であることを特徴とする請求項６記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項８：上記導電膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項９：上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項８記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１０：上記防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率が反射防止機能を呈するように設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１１：上記防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１２：上記成膜法が物理蒸着法又は化学蒸着法であることを特徴とする請求項１１記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１３：上記物理蒸着法がスパッタリング、イオンプレーティング又は真空蒸着であることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１４：上記化学蒸着法が熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ又は常圧ＣＶＤであることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１５：上記耐エッチング膜がデュアルカソードスパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明につき更に詳述する。
本発明の防湿性透明導電性フィルムの第１の態様は、高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなるものである。
【００１２】
この第１の態様を、図を参照して具体的に説明すると、この第１の態様の防湿性透明導電性フィルムは、図１に示されるように、基板をなす高分子フィルム１の一面に防湿膜２が積層され、この防湿膜２上に導電膜４のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜２を保護する耐エッチング膜３が積層され、更にこの耐エッチング膜３上に導電膜４が積層されたものである。
【００１３】
また、本発明の防湿性透明導電性フィルムの第２の態様は、高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなるものである。
【００１４】
この第２の態様を、図を参照して具体的に説明すると、この第２の態様の防湿性透明導電性フィルムは、図２に示されるように、基板をなす高分子フィルム１の一面に防湿膜２が積層され、この防湿膜２上に導電膜４のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜２を保護する耐エッチング膜３が積層されると共に、高分子フィルム１の他面に導電膜４が積層されたものである。
【００１５】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいて、高分子フィルムは防湿性透明導電性フィルムの基板をなすものであり、透明性を有する樹脂等のフィルムである。基材となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリエチレンスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣが好ましく、とりわけＰＥＴが好ましい。
【００１６】
なお、高分子フィルムの厚さは、透明導電性フィルムの用途等によっても異なるが、例えばディスプレイ用途の場合、通常２３μｍ〜０．５ｍｍ程度である。
【００１７】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、高分子フィルムに隣接して防湿膜が積層される。この防湿膜は、透明導電性フィルムに高分子フィルムの水蒸気バリア性を超える防湿性を与えることができ、光学的に透明なものであれば、特に限定されず、低抵抗膜、高抵抗膜、誘電膜等で構成することができるが、無機物であることが好ましい。特に、防湿膜を後述する導電膜と同じ材料で構成すると、導電膜と同じ成膜法での成膜が可能となり、防湿性透明導電性フィルムの製造工程を簡略化でき、また、製造コストも低減できることから好ましい。
【００１８】
この防湿膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物が挙げられ、酸化インジウム系の導電性無機物としてはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など、酸化亜鉛系の導電性無機物としてはアンチモンドープ・亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウムドープ・亜鉛酸化物（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００１９】
また、防湿膜を酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物で構成する場合、アモルファス構造の導電性無機物とすると、高い防湿性が得られることから特に好ましい。
【００２０】
このような防湿膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる防湿膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００２１】
スパッタリングにより、例えば、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物を成膜する場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の導電性無機物をターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、必要に応じて酸素ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００２２】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、高分子フィルム上に積層された防湿膜に隣接して耐エッチング膜が積層される。この耐エッチング膜は、透明導電性フィルムを使用する際に、後述する導電膜に施されるエッチングによるパターニングにおいて、エッチング液、特に、酸性エッチング液から防湿膜を保護するために設けられるものであり、光学的に透明なものであれば、特に限定されないが、無機物であることが好ましい。
【００２３】
この耐エッチング膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化ケイ素等の無機酸化物、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物で構成することが好ましい。特に、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物で構成すれば、耐湿膜の防湿性に加えて、耐エッチング膜によっても防湿性を更に向上させることができることから好適である。
【００２４】
このような耐エッチング膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる耐エッチング膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００２５】
スパッタリングにより、例えば、酸化ケイ素等の無機酸化物又は酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物を成膜する場合は、ターゲットとして例えば単体Ｓｉをターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、酸化窒素ガスなどから適宜選ばれる反応性ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００２６】
なお、ターゲットとして単体Ｓｉの代わりにＳｉＣを用いることも可能である。ＳｉＣを用いれば、電力密度を増大させることが可能となることからスループットの向上に効果的である。この場合、耐エッチング膜は少量の炭素を含む場合があるが、本発明において、酸化ケイ素等の無機酸化物には、少量の炭素を含む酸化ケイ素等の無機酸化物、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物には、少量の炭素を含む酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物も含まれる。
【００２７】
また、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素をスパッタリングにて成膜する場合、しばしば成膜速度が小さいためスループットの低下が問題となるが、２つのカソードに交互に電力を印加し、カソードのプラズマ発光をモニタリングして導入酸素や電力にフィードバック制御する又はカソードのインピーダンスをモニタリングして導入酸素や電力にフィードバック制御するデュアルカソード法を採用すれば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素であっても高速成膜が可能となることから、耐エッチング膜をスパッタリングで成膜する場合は、デュアルカソード法を好適に採用し得る。
【００２８】
また、防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率を、反射防止機能を呈するように設定すれば、この防湿膜と耐エッチング膜とにより、防湿性透明導電性フィルムに反射防止機能を付与することができる。具体的には、例えば、耐湿膜をＩＴＯとし、耐エッチング膜を酸化ケイ素や酸窒化ケイ素とした場合、ＩＴＯの屈折率は約２と比較的高く、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素の屈折率はこれより低いから、ＩＴＯと、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素との積層により反射防止機能を付与することができる。
【００２９】
なお、防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚（物理膜厚）は、特に限定されるものではないが、防湿膜は２０〜２００ｎｍ程度、耐エッチング膜は４０〜４００ｎｍ程度とすることができる。
【００３０】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、防湿膜及び耐エッチング膜と共に、導電膜が積層される。導電膜は、上記防湿膜上に積層されたエッチング膜に隣接して、又は防湿膜及び耐エッチング膜が積層された高分子フィルムの面（一面）とは反対側の面（他面）上に積層される。この導電膜は、光学的に透明なものであり、一般に電極として用いられる透明導電性フィルムの導電性を担う膜である。
【００３１】
この導電膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物が挙げられ、酸化インジウム系の導電性無機物としてはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など、酸化亜鉛系の導電性無機物としてはアンチモンドープ・亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウムドープ・亜鉛酸化物（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００３２】
このような導電膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる導電膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００３３】
スパッタリングにより、例えば、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物を成膜する場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の導電性無機物をターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、必要に応じて酸素ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００３４】
なお、導電膜の膜厚（物理膜厚）は、透明導電性フィルムの用途等によっても異なるが、一般に２０〜５００ｎｍ程度である。
【００３５】
本発明の防湿性透明導電性フィルムは、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなるものであることが好ましい。例えば、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を全てスパッタリングにより成膜すると、これらの膜を同一のチャンバー中、インラインで成膜することができ、製造工程の簡略化と、製造コストの低減とに大きく寄与する。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００３７】
［実施例１］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲット及びＳｉＣターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを１０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に防湿膜として約３０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜した。
【００３８】
次に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１７０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＳｉＣターゲットに４ｋＷの電力を印加し、反応性スパッタリングにて耐エッチング膜として約６０ｎｍの酸化ケイ素薄膜を成膜した。
【００３９】
更に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにて導電膜として約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４０】
得られた透明導電性フィルムの最表面のＩＴＯ薄膜（導電膜）を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ０．０５ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。
【００４１】
［実施例２］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲット及びＳｉＣターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを１０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に防湿膜として約３０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜した。
【００４２】
次に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１６０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｎ2ガスを２０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＳｉＣターゲットに４ｋＷの電力を印加し、反応性スパッタリングにて耐エッチング膜として約６０ｎｍの酸窒化ケイ素薄膜を成膜した。
【００４３】
更に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにて導電膜として約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４４】
得られた透明導電性フィルムの最表面のＩＴＯ薄膜（導電膜）を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ（検出限界）以下であった。
【００４５】
［比較例１］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加してスパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４６】
得られた透明導電性フィルムのＩＴＯ薄膜を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ３．６ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の防湿性透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の防湿性透明導電性フィルムの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 高分子フィルム
２ 防湿膜
３ 耐エッチング膜
４ 導電膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間で各色の粒子が反転して画像を表示する電子ペーパディスプレイやＬＣＤ、有機ＥＬディスプレイ素子などに好適に使用でき、低コストで効率よく製造することができる透明導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性薄膜が成膜された高分子フィルム（ＰＥＴ，ＴＡＣ，ＰＣ，ＰＥＳ，ＰＥＮなど）をディスプレイや電子ペーパ用途の透明導電基板として使用する場合にしばしば問題となるのが、ガラス基板に比べて高分子フィルムの水蒸気透過性が高いために、透過した水蒸気によって素子の劣化や動作不良が起こることである。
【０００３】
そもそも透明導電膜として広く使用されているＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）は、アモルファスであれば、ある程度の防湿性を示す。しかしながら、通常導電膜はエッチングにてパターニングして使用するため、エッチング後の透明導電性フィルムの防湿性は、パターニングにより導電膜が取り除かれた部分で基板の高分子フィルムの防湿性に支配され、高分子フィルムの防湿性と大差がなくなってしまう。
【０００４】
このため、透明導電性薄膜が成膜された高分子フィルムには、透明導電性薄膜とは別にパッシベーション膜を成膜して水蒸気のバリア性をもたせる必要があり、一般的には、無機膜と有機膜を交互に積層した例えば４層膜にて防湿性をもたせるなどしている。しかし、このような無機膜と有機膜との積層膜では、無機層を成膜する際の真空チャンバー内での成膜工程と、有機層を成膜する際のウェットコーターによる成膜工程とを何度も行き来する必要があり、この工程間の往復が工程管理やコストの面でデメリットとなっている。
【０００５】
なお、この発明に関連する先行技術文献情報としては以下のものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−２４１８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、防湿性に優れ、低コストで効率よく製造することができる防湿性透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、基板となる高分子フィルムの一面に、防湿性を備えるアモルファスのＩＴＯ等の防湿膜を成膜し、この防湿膜上に導電膜のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜を保護する耐エッチング膜を成膜し、更に、この耐エッチング膜上にＩＴＯ等の導電膜を成膜した防湿性透明導電性フィルム、又は基板となる高分子フィルムの一面に、防湿性を備えるアモルファスのＩＴＯ等の防湿膜を成膜し、この防湿膜上に導電膜のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜を保護する耐エッチング膜を成膜すると共に、高分子フィルムの他面にＩＴＯ等の導電膜を成膜した防湿性透明導電性フィルムが、導電膜のエッチングによるパターニングの際に、防湿膜はエッチングされることなく耐エッチング膜により保護されることから導電膜のみをエッチングでき、その結果、アモルファスのＩＴＯ等の防湿膜の防湿性を損なうことがなく、導電膜を所望のパターンにパターニングした後の透明導電性フィルムが防湿性に優れるものとなることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、以下の防湿性透明導電性フィルムを提供する。
請求項１：高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
請求項２：高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
請求項３：上記防湿膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１又は２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項４：上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項３記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項５：上記酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物がアモルファス構造であることを特徴とする請求項３又は４記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項６：上記耐エッチング膜が無機酸化物又は無機酸窒化物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項７：上記無機酸化物又は無機酸窒化物が、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素であることを特徴とする請求項６記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項８：上記導電膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項９：上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項８記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１０：上記防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率が反射防止機能を呈するように設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１１：上記防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１２：上記成膜法が物理蒸着法又は化学蒸着法であることを特徴とする請求項１１記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１３：上記物理蒸着法がスパッタリング、イオンプレーティング又は真空蒸着であることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１４：上記化学蒸着法が熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ又は常圧ＣＶＤであることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
請求項１５：上記耐エッチング膜がデュアルカソードスパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明につき更に詳述する。
本発明の防湿性透明導電性フィルムの第１の態様は、高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなるものである。
【００１２】
この第１の態様を、図を参照して具体的に説明すると、この第１の態様の防湿性透明導電性フィルムは、図１に示されるように、基板をなす高分子フィルム１の一面に防湿膜２が積層され、この防湿膜２上に導電膜４のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜２を保護する耐エッチング膜３が積層され、更にこの耐エッチング膜３上に導電膜４が積層されたものである。
【００１３】
また、本発明の防湿性透明導電性フィルムの第２の態様は、高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなるものである。
【００１４】
この第２の態様を、図を参照して具体的に説明すると、この第２の態様の防湿性透明導電性フィルムは、図２に示されるように、基板をなす高分子フィルム１の一面に防湿膜２が積層され、この防湿膜２上に導電膜４のエッチングの際に用いるエッチング液から防湿膜２を保護する耐エッチング膜３が積層されると共に、高分子フィルム１の他面に導電膜４が積層されたものである。
【００１５】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいて、高分子フィルムは防湿性透明導電性フィルムの基板をなすものであり、透明性を有する樹脂等のフィルムである。基材となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリエチレンスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣが好ましく、とりわけＰＥＴが好ましい。
【００１６】
なお、高分子フィルムの厚さは、透明導電性フィルムの用途等によっても異なるが、例えばディスプレイ用途の場合、通常２３μｍ〜０．５ｍｍ程度である。
【００１７】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、高分子フィルムに隣接して防湿膜が積層される。この防湿膜は、透明導電性フィルムに高分子フィルムの水蒸気バリア性を超える防湿性を与えることができ、光学的に透明なものであれば、特に限定されず、低抵抗膜、高抵抗膜、誘電膜等で構成することができるが、無機物であることが好ましい。特に、防湿膜を後述する導電膜と同じ材料で構成すると、導電膜と同じ成膜法での成膜が可能となり、防湿性透明導電性フィルムの製造工程を簡略化でき、また、製造コストも低減できることから好ましい。
【００１８】
この防湿膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物が挙げられ、酸化インジウム系の導電性無機物としてはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など、酸化亜鉛系の導電性無機物としてはアンチモンドープ・亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウムドープ・亜鉛酸化物（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００１９】
また、防湿膜を酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物で構成する場合、アモルファス構造の導電性無機物とすると、高い防湿性が得られることから特に好ましい。
【００２０】
このような防湿膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる防湿膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００２１】
スパッタリングにより、例えば、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物を成膜する場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の導電性無機物をターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、必要に応じて酸素ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００２２】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、高分子フィルム上に積層された防湿膜に隣接して耐エッチング膜が積層される。この耐エッチング膜は、透明導電性フィルムを使用する際に、後述する導電膜に施されるエッチングによるパターニングにおいて、エッチング液、特に、酸性エッチング液から防湿膜を保護するために設けられるものであり、光学的に透明なものであれば、特に限定されないが、無機物であることが好ましい。
【００２３】
この耐エッチング膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化ケイ素等の無機酸化物、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物で構成することが好ましい。特に、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物で構成すれば、耐湿膜の防湿性に加えて、耐エッチング膜によっても防湿性を更に向上させることができることから好適である。
【００２４】
このような耐エッチング膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる耐エッチング膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００２５】
スパッタリングにより、例えば、酸化ケイ素等の無機酸化物又は酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物を成膜する場合は、ターゲットとして例えば単体Ｓｉをターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、酸化窒素ガスなどから適宜選ばれる反応性ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００２６】
なお、ターゲットとして単体Ｓｉの代わりにＳｉＣを用いることも可能である。ＳｉＣを用いれば、電力密度を増大させることが可能となることからスループットの向上に効果的である。この場合、耐エッチング膜は少量の炭素を含む場合があるが、本発明において、酸化ケイ素等の無機酸化物には、少量の炭素を含む酸化ケイ素等の無機酸化物、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物には、少量の炭素を含む酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物も含まれる。
【００２７】
また、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素をスパッタリングにて成膜する場合、しばしば成膜速度が小さいためスループットの低下が問題となるが、２つのカソードに交互に電力を印加し、カソードのプラズマ発光をモニタリングして導入酸素や電力にフィードバック制御する又はカソードのインピーダンスをモニタリングして導入酸素や電力にフィードバック制御するデュアルカソード法を採用すれば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素であっても高速成膜が可能となることから、耐エッチング膜をスパッタリングで成膜する場合は、デュアルカソード法を好適に採用し得る。
【００２８】
また、防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率を、反射防止機能を呈するように設定すれば、この防湿膜と耐エッチング膜とにより、防湿性透明導電性フィルムに反射防止機能を付与することができる。具体的には、例えば、耐湿膜をＩＴＯとし、耐エッチング膜を酸化ケイ素や酸窒化ケイ素とした場合、ＩＴＯの屈折率は約２と比較的高く、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素の屈折率はこれより低いから、ＩＴＯと、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素との積層により反射防止機能を付与することができる。
【００２９】
なお、防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚（物理膜厚）は、特に限定されるものではないが、防湿膜は２０〜２００ｎｍ程度、耐エッチング膜は４０〜４００ｎｍ程度とすることができる。
【００３０】
本発明の防湿性透明導電性フィルムにおいては、防湿膜及び耐エッチング膜と共に、導電膜が積層される。導電膜は、上記防湿膜上に積層されたエッチング膜に隣接して、又は防湿膜及び耐エッチング膜が積層された高分子フィルムの面（一面）とは反対側の面（他面）上に積層される。この導電膜は、光学的に透明なものであり、一般に電極として用いられる透明導電性フィルムの導電性を担う膜である。
【００３１】
この導電膜を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物が挙げられ、酸化インジウム系の導電性無機物としてはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など、酸化亜鉛系の導電性無機物としてはアンチモンドープ・亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウムドープ・亜鉛酸化物（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００３２】
このような導電膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等の物理蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより成膜することができるが、得られる導電膜の緻密性、機械的強度、接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能な点から、スパッタリングが好適である。
【００３３】
スパッタリングにより、例えば、酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物を成膜する場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の導電性無機物をターゲットとし、スパッタリングガスとしてＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒなどの不活性ガスと、必要に応じて酸素ガスとを用い、１×１０-2〜５×１０2Ｐａ程度の圧力でのスパッタが可能である。
【００３４】
なお、導電膜の膜厚（物理膜厚）は、透明導電性フィルムの用途等によっても異なるが、一般に２０〜５００ｎｍ程度である。
【００３５】
本発明の防湿性透明導電性フィルムは、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなるものであることが好ましい。例えば、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を全てスパッタリングにより成膜すると、これらの膜を同一のチャンバー中、インラインで成膜することができ、製造工程の簡略化と、製造コストの低減とに大きく寄与する。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００３７】
［実施例１］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲット及びＳｉＣターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを１０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に防湿膜として約３０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜した。
【００３８】
次に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１７０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＳｉＣターゲットに４ｋＷの電力を印加し、反応性スパッタリングにて耐エッチング膜として約６０ｎｍの酸化ケイ素薄膜を成膜した。
【００３９】
更に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにて導電膜として約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４０】
得られた透明導電性フィルムの最表面のＩＴＯ薄膜（導電膜）を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ０．０５ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。
【００４１】
［実施例２］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲット及びＳｉＣターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを１０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に防湿膜として約３０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜した。
【００４２】
次に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１６０ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｎ2ガスを２０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＳｉＣターゲットに４ｋＷの電力を印加し、反応性スパッタリングにて耐エッチング膜として約６０ｎｍの酸窒化ケイ素薄膜を成膜した。
【００４３】
更に、チャンバー内を一度Ａｒガスで完全に置換した後に、チャンバー内にＡｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加し、スパッタリングにて導電膜として約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４４】
得られた透明導電性フィルムの最表面のＩＴＯ薄膜（導電膜）を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ（検出限界）以下であった。
【００４５】
［比較例１］
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2割合 １０質量％）ターゲットをセットし、真空チャンバーに１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０-4Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを１９７ｓｃｃｍ、Ｏ2ガスを３ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入してチャンバー内圧力を０．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加してスパッタリングにてＰＥＴフィルム基板上に約２６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜して透明導電性フィルムを得た。
【００４６】
得られた透明導電性フィルムのＩＴＯ薄膜を、フォトレジスト法により酸性エッチング液を用いてパターニングし、透明導電性フィルムのガスバリア性（透湿性）を、水蒸気透過率測定装置（ＭＯＣＯＮ社製 ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ）を使用して評価したところ３．６ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の防湿性透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の防湿性透明導電性フィルムの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 高分子フィルム
２ 防湿膜
３ 耐エッチング膜
４ 導電膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
【請求項２】
高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
【請求項３】
上記防湿膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１又は２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項４】
上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項３記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項５】
上記酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物がアモルファス構造であることを特徴とする請求項３又は４記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項６】
上記耐エッチング膜が無機酸化物又は無機酸窒化物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項７】
上記無機酸化物又は無機酸窒化物が、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素であることを特徴とする請求項６記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項８】
上記導電膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項９】
上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項８記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１０】
上記防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率が反射防止機能を呈するように設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１１】
上記防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１２】
上記成膜法が物理蒸着法又は化学蒸着法であることを特徴とする請求項１１記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１３】
上記物理蒸着法がスパッタリング、イオンプレーティング又は真空蒸着であることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１４】
上記化学蒸着法が熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ又は常圧ＣＶＤであることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１５】
上記耐エッチング膜がデュアルカソードスパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１】
高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
【請求項２】
高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなることを特徴とする防湿性透明導電性フィルム。
【請求項３】
上記防湿膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１又は２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項４】
上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項３記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項５】
上記酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物がアモルファス構造であることを特徴とする請求項３又は４記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項６】
上記耐エッチング膜が無機酸化物又は無機酸窒化物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項７】
上記無機酸化物又は無機酸窒化物が、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素であることを特徴とする請求項６記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項８】
上記導電膜が酸化インジウム系又は酸化亜鉛系の導電性無機物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項９】
上記導電性無機物がインジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、アンチモンドープ・亜鉛酸化物又はガリウムドープ・亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項８記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１０】
上記防湿膜及び耐エッチング膜の膜厚及び屈折率が反射防止機能を呈するように設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１１】
上記防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜が、同一の成膜法にて成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１２】
上記成膜法が物理蒸着法又は化学蒸着法であることを特徴とする請求項１１記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１３】
上記物理蒸着法がスパッタリング、イオンプレーティング又は真空蒸着であることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１４】
上記化学蒸着法が熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ又は常圧ＣＶＤであることを特徴とする請求項１２記載の防湿性透明導電性フィルム。
【請求項１５】
上記耐エッチング膜がデュアルカソードスパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の防湿性透明導電性フィルム。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−４６３３（Ｐ２００６−４６３３Ａ）
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１７６３７８（Ｐ２００４−１７６３７８）
【出願日】平成１６年６月１５日（２００４．６．１５）
【出願人】（０００００５２７８）株式会社ブリヂストン (11,469)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月１５日（２００４．６．１５）
【出願人】（０００００５２７８）株式会社ブリヂストン (11,469)
【Ｆターム（参考）】
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