電子基板の製造方法
【課題】電子部品と配線とを安定して接続させる。
【解決手段】電子部品２０、２１の第１面に配置された第１配線接続部２０ｂ、２１ｂに第１導電配線５１Ａ、５１Ｂが接続され、第１面と対向する第２面の第２配線接続部２０ａ、２１ａに第２導電配線１５が接続される。基材の表面に第２配線接続部２０ａ、２１ａを当接させて電子部品２０、２１を載置する工程と、基材の表面上の電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層５２、６０Ａを成膜する工程と、絶縁層５２、６０Ａ上に第１配線接続部２０ｂ、２１ｂに接続する第１導電配線５１Ａ、５１Ｂを形成する工程と、電子部品から基材を剥離するとともに、電子部品及び絶縁層を反転する工程と基材が剥離されて露出した絶縁層６０Ａ上に第２配線接続部２０ａ、２１ａに接続する第２導電配線１５を形成する工程とを有する。
【解決手段】電子部品２０、２１の第１面に配置された第１配線接続部２０ｂ、２１ｂに第１導電配線５１Ａ、５１Ｂが接続され、第１面と対向する第２面の第２配線接続部２０ａ、２１ａに第２導電配線１５が接続される。基材の表面に第２配線接続部２０ａ、２１ａを当接させて電子部品２０、２１を載置する工程と、基材の表面上の電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層５２、６０Ａを成膜する工程と、絶縁層５２、６０Ａ上に第１配線接続部２０ｂ、２１ｂに接続する第１導電配線５１Ａ、５１Ｂを形成する工程と、電子部品から基材を剥離するとともに、電子部品及び絶縁層を反転する工程と基材が剥離されて露出した絶縁層６０Ａ上に第２配線接続部２０ａ、２１ａに接続する第２導電配線１５を形成する工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板（配線基板）上に実装される電子部品の小型化が進んでおり、配線基板の細密化が要求されている。このような、細密な配線構造を形成する方法として、液滴吐出法を用いて、導電性パターンを絶縁膜中に埋め込んだ状態に形成する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、上記回路基板が搭載される、例えば携帯電話等の電子機器についても、近年、小型化が進行している。これに伴って、携帯電話は、回路基板（配線基板）上における電子部品の実装スペースが制限されてしまう。そのため、電子部品をより高密度で実装する方法の提供が望まれている。
そこで、基板上にチップ部品を固定し、該チップ部品の周囲に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、絶縁膜中にチップ部品を埋め込み、該チップ部品に接続する配線を形成することで、チップ部品が高密度で実装された配線基板が考えられる。
【特許文献１】特開２００５−３２７９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
高密度実装を図って、電子部品の上面のみならず、下面に設けられた配線接続部において配線と接続する場合、配線上に電子部品を載置することになる。
ところが、この配線が非硬化状態である場合には、配線を押しつぶしながら電子部品を載置することになるため、配線が断線してしまう可能性がある。
一方、配線が硬化状態である場合には、配線上に配線接続部を当接させて電子部品を載置した場合、配線と非配線部とで段差があることから電子部品が傾いた状態で配線と当接するため、安定した接続が得られない可能性がある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、電子部品と配線とを安定して接続できる電子基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子基板の製造方法は、電子部品の第１面に配置された第１配線接続部に第１導電配線が接続され、前記第１面と対向する第２面の第２配線接続部に第２導電配線が接続される電子基板の製造方法であって、基材の表面に前記第２配線接続部を当接させて前記電子部品を載置する工程と、前記基材の表面上の前記電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層を成膜する工程と、前記絶縁層上に前記第１配線接続部に接続する前記第１導電配線を形成する工程と、前記電子部品から前記基材を剥離するとともに、前記電子部品及び前記絶縁層を反転する工程と前記基材が剥離されて露出した前記絶縁層上に前記第２配線接続部に接続する前記第２導電配線を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、基材上に載置された電子部品の第１配線接続部と絶縁層に跨る第１導電配線を上方から形成することができる。また、本発明では、基材が剥離されて反転された電子部品の第２配線接続部と絶縁層に跨る第２導電配線を上方から形成することができる。
そのため、本発明では、導電配線上に電子部品を載置する場合のように、導電配線を押しつぶしたり、傾いた状態で電子部品を載置することがなくなり、電子部品の対向する両面において、導電配線と配線接続部とを安定して接続することが可能になる。
【０００７】
また、本発明では、前記絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方を覆う第２絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、半硬化状態の前記絶縁層及び第２絶縁層を一括して硬化させる工程とを有する手順も好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、半硬化状態の絶縁層上に容易に導電配線を形成できるとともに、絶縁層及び第２絶縁層を加熱した際に、双方の層が同時に硬化するため、絶縁層の間に応力を残さない状態とすることができる。
【０００８】
上記において、前記絶縁材料としては光硬化性及び熱硬化性を有する構成を好適に採用できる。
従って、本発明では、硬化するエネルギ量よりも小さなエネルギ量の光で絶縁層及び第２絶縁層を照射することにより、絶縁層及び第２絶縁層を容易に半硬化状態にすることができる。また、これら絶縁層及び第２絶縁層を一括して加熱することにより、容易に硬化させることが可能になる。なお、
本発明における半硬化とは、絶縁材料に含まれる材料の状態が、吐出時の状態と、完全な硬化状態との間の状態になることを意味する。吐出時の状態とは、絶縁材料が液滴として吐出されうる粘性を有している状態である。
【０００９】
また、本発明では、前記第２絶縁層上に、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方に電気的に接続される第３導電配線を形成する工程と、前記絶縁材料で形成され前記第３導電配線を覆う第３絶縁層を形成する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、導電配線が絶縁層を挟んで複数層に亘って形成され、電子部品と導電配線とが安定した状態で接続され、また亀裂が生じない高品質の多層配線基板を得ることができる。
【００１０】
また、上記における前記基材の表面としては、粘着性を有することが好ましい。
従って、本発明では、基材の表面に載置した電子部品が移動することなく、所定位置に容易に位置決めすることが可能になる。
【００１１】
また、本発明では、前記所定形状の貫通孔を有するフレームの一面に、前記貫通孔を覆って前記基材を貼設する工程を有し、前記貫通孔内に露出する前記基材の表面に前記電子部品を載置する手順も好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、電子部品の周囲に塗布した絶縁層及び樹脂層の外形形状を貫通孔の所定形状とすることができ、所望形状の電子基板を容易に製造することが可能になる。
【００１２】
また、上記の場合、前記貫通孔としては、テーパ状に形成される構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、基材を剥離した後に、電子基板を押し出すことにより、製造された電子基板をフレームの貫通孔から容易に抜き出す（取り出す）ことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の電子基板の製造方法の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
（液滴吐出装置）
まず、本発明に係る多層配線基板の製造方法において用いられる液滴吐出装置について図１及び図２を参照して説明する。
図１に示す液滴吐出装置１は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部（液滴吐出ヘッド）１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００１５】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図２参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１１１が供給される。
ステージ１０６は基板（後述）を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基板の位置を固定する機能も有する。
【００１６】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施例では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００１７】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００１８】
上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基板はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基板に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図２参照）は、基板に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００１９】
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基板上に、液状材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施例では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００２０】
上記構成を有する液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図２参照）を基板に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液滴吐出装置１によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
光照射装置１４０は、基板に付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。光照射装置１４０の紫外光の照射のＯＮ・ＯＦＦは制御部１１２によって制御される。
【００２１】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、複数のノズル１１８と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数のキャビティ１２０と、複数の振動子１２４と、を備えている。
【００２２】
液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が常に充填される。また、複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。
キャビティ１２０は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１１１が供給される。なお、本実施例では、ノズル１１８の直径は、例えば約２７μｍである。
【００２３】
さて、複数の振動子１２４のそれぞれは、それぞれのキャビティ１２０に対応するように振動板１２６上に位置する。複数の振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１１１の液滴が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
なお、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００２４】
（多層配線基板）
続いて、本発明に係る電子基板の製造法を適用して製造される多層配線基板について図３を参照して説明する。
図３に示す多層配線基板（電子基板）５００は、複数の電子部品、導電配線、絶縁層等が積層して搭載されたものである。
以下、詳細に説明する。
【００２５】
図３に示す多層配線基板５００は、絶縁層５０上にチップ部品（電子部品）２０、２１が絶縁層５２及び６０Ａに埋め込まれた状態で設けられ、この絶縁層６０Ａ上に積層された絶縁層６０ＢにＩＣチップ（電子部品）７０が絶縁層６２に埋め込まれた状態で設けられ、さらに絶縁層６２上に積層された絶縁層６４上にチップ部品（電子部品）２４、２５が搭載される構成となっている。
【００２６】
絶縁層５０、５２、６０Ａ、６０Ｂ、６２、６４は、いずれも上述した液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで形成されたものである。この絶縁性インクとしては、ここでは光エネルギを付与した際に硬化する光硬化性、及び熱エネルギを付与した際に硬化する熱硬化性を有する材料として、アクリル系の感光性樹脂（より詳細には、光硬化性を有するアクリル系樹脂、及び熱硬化性を有するエポキシ系樹脂）を含んでいる。この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂とを含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤とを含有していてもよい。また、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤とを含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。
【００２７】
チップ部品２０は、図３で下方に位置する第１面３０ｂに電極部（第１配線接続部）２０ｂを有し、図３で上方に位置し第１面３０ｂと対向する（逆側の）第２面３０ａに電極部（第２配線接続部）２０ａを有している。同様に、チップ部品２１は、図３で下方に位置する第１面３１ｂに電極部（第１配線接続部）２１ｂを有し、図３で上方に位置し第１面３１ｂと対向する（逆側の）第２面３１ａに電極部（第２配線接続部）２１ａを有している。
【００２８】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。
【００２９】
電極部２０ｂには、絶縁層（第２絶縁層）５０に覆われて絶縁層５２（の図３中、下面）上に形成された配線（第１導電配線）５１Ａが接続されており、電極部２１ｂには、絶縁層５０に覆われて絶縁層５２（の図３中、下面）上に形成された配線（第１導電配線）５１Ｂが接続されている。配線５１Ａは、絶縁層５２に覆われて絶縁層６０Ａ（の図３中、下面）上に形成された配線５３Ａに、絶縁層５２に形成されたスルーホールＨ６を介して接続されている。この配線５３Ａは、絶縁層６０Ａに形成されたスルーホールＨ７に接続されている。また、配線５１Ｂは、絶縁層５２に覆われて絶縁層６０Ａ（の図３中、下面）上に形成された配線５３Ｂに、絶縁層５２に形成されたスルーホールＨ８を介して接続されている。
【００３０】
絶縁層６０Ａは、上面が電極部２０ａ、２１ａと略面一に形成され、チップ部品２０、２１の周囲を覆うように成膜されている。この絶縁層６０Ａ上には、電極部２０ａ、２１ａ及びこの電極部２０ａ、２１ａに接続される配線（第２導電配線）１５を覆う絶縁層（第２絶縁層）６０Ｂが設けられている。図３中、両側部に位置する配線１５は、絶縁層６０Ｂを貫通するスルーホールＨ１、Ｈ２にそれぞれ接続されている。
【００３１】
絶縁層６０Ｂ上には、外部接続用の端子７２を有するＩＣチップ７０と、スルーホールＨ１を介して配線１５に接続される配線（第２導電配線）６１と、これらＩＣチップ７０及び配線６１が覆われる絶縁層（第３絶縁層）６２と、配線６１に接続され絶縁層６２を貫通するスルーホールＨ３と、同じく絶縁層６２を貫通する上述したスルーホールＨ２の一部とを有している。
【００３２】
絶縁層６２上には、ＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ２に接続される配線６３Ａと、ＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ３に接続される配線６３Ｂと、これら配線６３Ａ、６３Ｂが覆われる絶縁層６４と、配線６３Ａに接続され絶縁層６４を貫通するスルーホールＨ４と、配線６３Ｂに接続され絶縁層６４を貫通するスルーホールＨ５と、絶縁層６４上に設けられスルーホールＨ５と接続されるチップ部品（電子部品）２４と、絶縁層６４上に設けられスルーホールＨ４と接続されるチップ部品（電子部品）２５とが設けられている。
チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子がそれぞれ実装される。
【００３３】
配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ及びスルーホールＨ１〜Ｈ８は、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて導電性インクを吐出することで形成されたものである。本実施形態では、銀微粒子を含む導電性インクを用いている（詳細は後述）。
【００３４】
（多層配線基板の製造方法）
続いて、上記多層配線基板（電子基板）５００の製造方法について、図４乃至図７を参照して説明する。
本実施形態では、図４（ａ）に示すように、多層配線基板５００の外形形状に対応した形状の貫通孔Ｋを有するフレームＦを用いて多層配線基板５００を製造する。
まず、図４（ａ）に示すフレームＦの下面（一面）Ｆａに、表面Ｓａに粘着性を有する基材としての粘着シートＳを、貫通孔Ｋを覆うように貼設する。
続いて、貫通孔Ｋ内で露出するこの粘着シートＳの表面Ｓａ上の所定位置に、マウンタ等を用いてチップ部品２０、２１を載置する。
このとき、チップ部品２０、２１は、電極部２０ａ、２１ａをそれぞれ当接させて載置される。また、粘着シートＳの表面Ｓａは、粘着性を有しているため、載置されたチップ部品２０、２１は、移動することなく、所定位置に位置決めされる。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、貫通孔Ｋ内の粘着シートＳ上に上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布する。このとき、絶縁性インクは、チップ部品２０、２１の周囲に、当該チップ部品２０、２１が突出する厚さで塗布される。なお、絶縁性インクの塗布方式としては、液滴吐出方式の他に印刷法やディスペンス法等であってもよい。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ７を囲むように形成し、スルーホールＨ７に対応する孔部を形成する。
【００３６】
続いて、塗布した絶縁性インクに紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することによりアクリル系樹脂のみが硬化しエポキシ系樹脂が未硬化の半硬化状態にする。このとき、絶縁性インクに対して付与するエネルギ量は、絶縁性インクが硬化するエネルギ量よりも小さい値に設定される。
ここで、絶縁性インクの半硬化とは、絶縁性インクに含まれる光硬化性材料の状態が、吐出時の状態と、完全な硬化状態との間の状態になることを意味する。本実施形態では、このような中間の状態が上述の半硬化状態である。なお、吐出時の状態とは、光硬化性材料がノズル１１８から吐出されうる粘性を有している状態である。
これにより、図４（ｂ）に示すように、半硬化状態の絶縁層６０Ａが成膜される。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて、絶縁層６０Ａの孔部に導電性インクを吐出することによりスルーホールＨ７を形成するとともに、貫通孔Ｋ内の絶縁層６０Ａ上に導電性インクを吐出することにより配線５３Ａ、５３Ｂを形成する。
本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ/ｍとなるように調整したものを導電性インクとして用いた。
【００３８】
具体的には、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に導電性インクを吐出し、乾燥することにより、図４（ｃ）に示すように、前記チップ部品２０、２１と電気的に接続されるＡｇ配線（導電配線）１５を形成できる。
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００３９】
なお、表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００４０】
続いて、図５（ａ）に示すように、貫通孔Ｋ内の絶縁層６０Ａ上にチップ部品２０、２１の周囲を囲み、配線５３Ａ、５３Ｂを覆うように、液滴吐出法により絶縁性インクを塗布する。このとき、絶縁性インクは、チップ部品２０、２１の上面と略面一で、電極部２０ｂ、２１ｂが露出する高さに塗布される。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ６、Ｈ８を囲むように形成し、スルーホールＨ６、Ｈ８に対応する孔部を形成する。
【００４１】
続いて、絶縁層６０Ａと同様に、絶縁層６０Ａ上に塗布した絶縁性インクに対して、紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態にして絶縁膜５２を形成する。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて、絶縁層５２の孔部に、上述した配線５３Ａ、５３Ｂ及びスルーホールＨ７と同様の導電性インクを吐出することによりスルーホールＨ６、Ｈ８を形成するとともに、貫通孔Ｋ内の絶縁層５２上に上記導電性インクを吐出することにより配線５１Ａ、５１Ｂを形成する。この配線５１Ａは、一端がスルーホールＨ６に接続され、他端がチップ部品２０の電極部２０ｂに接続される。また、配線５１Ｂは、一端がスルーホールＨ８に接続され、他端がチップ部品２１の電極部２１ｂに接続される。
【００４３】
この後、配線５１Ａ、５１Ｂ及びチップ部品２０、２１を覆うように、液滴吐出法により上記絶縁性インクを塗布する。そして、絶縁層５２、６０Ａと同様に、絶縁層５２上に塗布した絶縁性インクに対して、紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態の絶縁膜５０を形成する。
そして、図５（ｃ）に示すように、フレームＦの下面Ｆａから粘着シートＳを剥離することにより、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ、スルーホールＨ７及び絶縁層６０Ａを露出させる。
【００４４】
続いて、チップ部品２０、２１が埋設された絶縁層５２、６０ＡをフレームＦとともに上下を反転して、図６（ａ）に示すように、半硬化状態の下部絶縁膜６０Ａ上に、上記液滴吐出方式により導電性インクを塗布して配線１５を形成する。なお、図６以降においては、便宜上、フレームＦの図示を省略している。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、上記の絶縁層６０Ａ上に配線１５を覆って、絶縁層６０Ａの形成材料と同じ絶縁性インクを液滴吐出法により塗布し、さらに紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態にして絶縁層６０Ｂを形成する。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ１、Ｈ２を囲むように形成し、スルーホールＨ１、Ｈ２に対応する孔部を形成する。そして、紫外光照射して半硬化状態の絶縁層６０Ｂを形成した後に、絶縁層６０Ｂの孔部に液滴吐出方式を用いて上述した導電性インクを吐出することで、スルーホールＨ１、Ｈ２を形成する。
【００４６】
次に、図７（ａ）に示すように、絶縁層６０Ｂ上にスルーホールＨ１を介して配線１５及びチップ部品２０に接続される配線６１を形成するとともに、ＩＣチップ７０を搭載する。この配線６１は、上記配線１５、スルーホールＨ１、Ｈ２と同様に、液滴吐出方式で形成される。
【００４７】
この後、図７（ｂ）に示すように、絶縁層６０Ｂ上に、端子７２が突出するように、ＩＣチップ７０及び配線６１を覆って、上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布し、紫外光を照射して半硬化状態とすることで、絶縁層６２を形成する。なお、この絶縁性インクの塗布は、配線１５に接続されるスルーホールＨ２及び配線６１に接続されるスルーホールＨ３を囲むように形成される。これにより、絶縁層６２中にＩＣチップ７０が埋め込まれる。
【００４８】
そして、上記スルーホールＨ２、Ｈ３を液滴吐出方式で配線１５、６１と同じ導電性インクを塗布して形成するとともに、絶縁層６２上に前記端子７２に接続する配線６３Ａ、６３Ｂを液滴吐出方式で形成する。このとき、配線６３Ａ、６３Ｂは、ＩＣチップ７０の端子７２とスルーホールＨ２、Ｈ３にそれぞれ接続される。
【００４９】
そして、図３に示したように、絶縁層６２上に配線６３Ａ、６３Ｂを覆って上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布し、紫外光を照射して半硬化状態とすることで、配線６３Ａ、６３Ｂの下面を界面とする絶縁層６４を形成する。そして、絶縁層６４上に、他のチップ部品２４、２５をスルーホールホールＨ４、Ｈ５を介して実装する。これらスルーホールＨ４、Ｈ５は、上述したスルーホールＨ２、Ｈ３と同様の材料・手順により形成される。また、これら絶縁層６４、スルーホールＨ４、Ｈ５も液滴吐出方式を用いて形成される。
なお、チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子をそれぞれ実装した。
【００５０】
この後、絶縁層５０、５２、６０Ａ、、６０Ｂ、６２、６４及び配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ、スルーホールＨ１〜Ｈ８を一括して加熱することにより硬化させる。このとき、絶縁層においては、未硬化であったエポキシ系樹脂が硬化することにより、既に光照射により硬化していたアクリル系樹脂と併せて完全に硬化状態となる。
以上の工程により、多層配線基板５００を形成することができる。
【００５１】
なお、この多層配線基板５００をフレームＦと分離させるには、例えば多層配線基板５００を押し込むことでフレームＦから型抜きする方法や、フレームＦを切削等により除去する方法、さらには貫通孔Ｋを分離・一体化可能な複数のフレーム構成体で構成し、多層配線基板５００を形成した後に、このフレーム構成体を分離させる方法等を適宜採用できる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、粘着シートＳ上に載置したチップ部品２０、２１に対して、上方から導電性インクを塗布して電極部２０ｂ、２１ｂに接続する配線５１Ａ、５１Ｂを形成し、上下反転させたチップ部品２０、２１に対して上方から導電性インクを塗布して電極部２０ａ、２１ａに接続する配線１５を形成するため、配線上にチップ部品２０、２１を載置した場合のように、導電配線を押しつぶしたり、傾いたりすることがなくなり、電子部品の対向する両面において配線を接続する場合でも、配線と電極部とを安定して接続することが可能になるとともに、粘着シートＳの粘着性によりチップ部品２０、２１を安定して位置決めすることができ、高精度の多層配線基板５００を得ることも可能になる。
【００５３】
また、本実施形態では、絶縁層６０Ａ、６０Ｂが配線１５を挟むように設けられており、また、絶縁層５０、５２が配線５１Ａ、５１Ｂを挟むように設けられており、これら絶縁層５０、５２、６０Ａ、６０Ｂが加熱により一括して同時に硬化されるため、硬化した絶縁層６０Ａ、６０Ｂの間、及び絶縁層５０、５２の間に応力を残さない状態とすることができる。そのため、本実施形態では、亀裂が生じづらく構造的に安定な電子基板である多層配線基板５００を得ることができる。
【００５４】
加えて、本実施の形態では、粘着シートＳ上に載置したチップ部品２０、２１の周囲に絶縁層６０Ａ、５２、及び５０を、配線５３Ａ、５３Ｂ、５１Ａ、５１Ｂを挟んで順次積層し、その後に粘着シートＳを剥離するという簡単な工程で電極部２０ａ、２１ａ及び絶縁層６０Ａの表面が平滑で面一の配線基板を容易に得ることができ、生産性の向上及び高密度化を図ることができ、さらに、絶縁層６０Ａ上に配線及び絶縁層を積層することにより、生産性に優れた多層配線基板５００を容易に製造することが可能になる。
【００５５】
また、このように、本実施形態では、配線基板１００（多層配線基板５００）の外形形状をフレームＦの貫通孔Ｋにより容易に規定することができ、所望形状の配線基板１００（多層配線基板５００）を容易に得ることができる。
【００５６】
また、本実施形態では、配線基板１００及び多層配線基板５００の製造工程を全て液滴吐出方式で行うことが可能であり、生産性の大幅な向上を図ることができる。
また、本実施形態では、液滴吐出方式で絶縁性インクを塗布するため、印刷法やフォトリソ法等のように、マスクやレジスト等を用いることなく、容易に接着材をパターニングすることができ、また消費する接着材に無駄が生じないため、コスト低減にも寄与できる。さらに、本実施形態では、光エネルギの付与により絶縁性インクを半硬化状態にしているため、半硬化処理が容易であるとともに、例えばマスク等を用いることで、容易に紫外光の照射範囲を規定でき、半硬化させる領域を容易にパターニングすることが可能になる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５８】
例えば、上記実施形態で示した配線の配置は一例であり、配線及び絶縁層の層数、電極部２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとの接続パターン等は適宜選択可能である。
また、上記実施形態では、絶縁層５０、５２、６０Ａ、、６０Ｂ、６２、６４及び配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ、スルーホールＨ１〜Ｈ８を一括して加熱することにより硬化させる構成としたが、これに限定されるものではなく、中途で適宜加熱して硬化させる手順としてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、フレームＦの貫通孔Ｋが、多層配線基板５００の積層方向に平行に延びる構成として説明したが、これに限定されるものではなく、例えば図８に示すように、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ、及び下部絶縁膜６０Ａが位置する下面Ｆａ側から上面（他面）Ｆｂ側に向けて縮径するテーパ状に形成される構成としてもよい。
この構成では、絶縁膜６０Ａ、５２、５０が上方に押されて僅かでも移動すると、貫通孔Ｋから離れることになり、容易にフレームＦから離脱させることができる。また、フレームＦは、必ずしも用いる必要もなく、液滴吐出法によるパターニングのみで多層配線基板５００を形成する手順としてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、チップ部品２０、２１が双方とも電極部２０ａ、２０ｂを粘着シートＳに当接させて載置することで、これら電極部２０ａ、２０ｂが面一に配置される構成としたが、例えば、チップ部品２０、２１（電極部２０ａ、２０ｂ）を段差をもって配置するような場合には、チップ部品２０、２１の一方については電極部２０ａ、２０ｂを粘着シートＳに当接させて載置し、チップ部品２０、２１の他方については、粘着シートＳ上に載置されたスペーサに電極部２０ａ、２０ｂを当接させて載置することにより、容易に対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】電子基板の製造に用いる液滴吐出装置の模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は液滴吐出装置におけるヘッドの模式図である。
【図３】多層配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図４】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図５】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図６】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図７】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図８】フレームの別形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｆ…フレーム、 Ｆａ…下面（一面）、 Ｋ…貫通孔、 Ｓ…粘着シート（基材）、 Ｓａ…表面、 １５…配線（第２導電配線）、 ２０、２１…チップ部品（電子部品）、 ２０ａ、２１ａ…電極部（第２配線接続部）、 ２０ｂ、２１ｂ…電極部（第１配線接続部）、 ３０ａ、３１ａ…第２面、 ３０ｂ、３１ｂ…第１面、 ５１Ａ、５１Ｂ…配線（第１導電配線）、 ５２、６０Ａ…絶縁層、 ５０、６０Ｂ…絶縁層（第２絶縁層）、 ６１…配線（第３導電配線）、 ６２…絶縁層（第３絶縁層）、 ５００…多層配線基板（電子基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板（配線基板）上に実装される電子部品の小型化が進んでおり、配線基板の細密化が要求されている。このような、細密な配線構造を形成する方法として、液滴吐出法を用いて、導電性パターンを絶縁膜中に埋め込んだ状態に形成する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、上記回路基板が搭載される、例えば携帯電話等の電子機器についても、近年、小型化が進行している。これに伴って、携帯電話は、回路基板（配線基板）上における電子部品の実装スペースが制限されてしまう。そのため、電子部品をより高密度で実装する方法の提供が望まれている。
そこで、基板上にチップ部品を固定し、該チップ部品の周囲に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、絶縁膜中にチップ部品を埋め込み、該チップ部品に接続する配線を形成することで、チップ部品が高密度で実装された配線基板が考えられる。
【特許文献１】特開２００５−３２７９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
高密度実装を図って、電子部品の上面のみならず、下面に設けられた配線接続部において配線と接続する場合、配線上に電子部品を載置することになる。
ところが、この配線が非硬化状態である場合には、配線を押しつぶしながら電子部品を載置することになるため、配線が断線してしまう可能性がある。
一方、配線が硬化状態である場合には、配線上に配線接続部を当接させて電子部品を載置した場合、配線と非配線部とで段差があることから電子部品が傾いた状態で配線と当接するため、安定した接続が得られない可能性がある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、電子部品と配線とを安定して接続できる電子基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子基板の製造方法は、電子部品の第１面に配置された第１配線接続部に第１導電配線が接続され、前記第１面と対向する第２面の第２配線接続部に第２導電配線が接続される電子基板の製造方法であって、基材の表面に前記第２配線接続部を当接させて前記電子部品を載置する工程と、前記基材の表面上の前記電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層を成膜する工程と、前記絶縁層上に前記第１配線接続部に接続する前記第１導電配線を形成する工程と、前記電子部品から前記基材を剥離するとともに、前記電子部品及び前記絶縁層を反転する工程と前記基材が剥離されて露出した前記絶縁層上に前記第２配線接続部に接続する前記第２導電配線を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、基材上に載置された電子部品の第１配線接続部と絶縁層に跨る第１導電配線を上方から形成することができる。また、本発明では、基材が剥離されて反転された電子部品の第２配線接続部と絶縁層に跨る第２導電配線を上方から形成することができる。
そのため、本発明では、導電配線上に電子部品を載置する場合のように、導電配線を押しつぶしたり、傾いた状態で電子部品を載置することがなくなり、電子部品の対向する両面において、導電配線と配線接続部とを安定して接続することが可能になる。
【０００７】
また、本発明では、前記絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方を覆う第２絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、半硬化状態の前記絶縁層及び第２絶縁層を一括して硬化させる工程とを有する手順も好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、半硬化状態の絶縁層上に容易に導電配線を形成できるとともに、絶縁層及び第２絶縁層を加熱した際に、双方の層が同時に硬化するため、絶縁層の間に応力を残さない状態とすることができる。
【０００８】
上記において、前記絶縁材料としては光硬化性及び熱硬化性を有する構成を好適に採用できる。
従って、本発明では、硬化するエネルギ量よりも小さなエネルギ量の光で絶縁層及び第２絶縁層を照射することにより、絶縁層及び第２絶縁層を容易に半硬化状態にすることができる。また、これら絶縁層及び第２絶縁層を一括して加熱することにより、容易に硬化させることが可能になる。なお、
本発明における半硬化とは、絶縁材料に含まれる材料の状態が、吐出時の状態と、完全な硬化状態との間の状態になることを意味する。吐出時の状態とは、絶縁材料が液滴として吐出されうる粘性を有している状態である。
【０００９】
また、本発明では、前記第２絶縁層上に、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方に電気的に接続される第３導電配線を形成する工程と、前記絶縁材料で形成され前記第３導電配線を覆う第３絶縁層を形成する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、導電配線が絶縁層を挟んで複数層に亘って形成され、電子部品と導電配線とが安定した状態で接続され、また亀裂が生じない高品質の多層配線基板を得ることができる。
【００１０】
また、上記における前記基材の表面としては、粘着性を有することが好ましい。
従って、本発明では、基材の表面に載置した電子部品が移動することなく、所定位置に容易に位置決めすることが可能になる。
【００１１】
また、本発明では、前記所定形状の貫通孔を有するフレームの一面に、前記貫通孔を覆って前記基材を貼設する工程を有し、前記貫通孔内に露出する前記基材の表面に前記電子部品を載置する手順も好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、電子部品の周囲に塗布した絶縁層及び樹脂層の外形形状を貫通孔の所定形状とすることができ、所望形状の電子基板を容易に製造することが可能になる。
【００１２】
また、上記の場合、前記貫通孔としては、テーパ状に形成される構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、基材を剥離した後に、電子基板を押し出すことにより、製造された電子基板をフレームの貫通孔から容易に抜き出す（取り出す）ことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の電子基板の製造方法の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
（液滴吐出装置）
まず、本発明に係る多層配線基板の製造方法において用いられる液滴吐出装置について図１及び図２を参照して説明する。
図１に示す液滴吐出装置１は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部（液滴吐出ヘッド）１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００１５】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図２参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１１１が供給される。
ステージ１０６は基板（後述）を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基板の位置を固定する機能も有する。
【００１６】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施例では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００１７】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００１８】
上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基板はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基板に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図２参照）は、基板に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００１９】
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基板上に、液状材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施例では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００２０】
上記構成を有する液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図２参照）を基板に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液滴吐出装置１によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
光照射装置１４０は、基板に付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。光照射装置１４０の紫外光の照射のＯＮ・ＯＦＦは制御部１１２によって制御される。
【００２１】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、複数のノズル１１８と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数のキャビティ１２０と、複数の振動子１２４と、を備えている。
【００２２】
液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が常に充填される。また、複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。
キャビティ１２０は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１１１が供給される。なお、本実施例では、ノズル１１８の直径は、例えば約２７μｍである。
【００２３】
さて、複数の振動子１２４のそれぞれは、それぞれのキャビティ１２０に対応するように振動板１２６上に位置する。複数の振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１１１の液滴が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
なお、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００２４】
（多層配線基板）
続いて、本発明に係る電子基板の製造法を適用して製造される多層配線基板について図３を参照して説明する。
図３に示す多層配線基板（電子基板）５００は、複数の電子部品、導電配線、絶縁層等が積層して搭載されたものである。
以下、詳細に説明する。
【００２５】
図３に示す多層配線基板５００は、絶縁層５０上にチップ部品（電子部品）２０、２１が絶縁層５２及び６０Ａに埋め込まれた状態で設けられ、この絶縁層６０Ａ上に積層された絶縁層６０ＢにＩＣチップ（電子部品）７０が絶縁層６２に埋め込まれた状態で設けられ、さらに絶縁層６２上に積層された絶縁層６４上にチップ部品（電子部品）２４、２５が搭載される構成となっている。
【００２６】
絶縁層５０、５２、６０Ａ、６０Ｂ、６２、６４は、いずれも上述した液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで形成されたものである。この絶縁性インクとしては、ここでは光エネルギを付与した際に硬化する光硬化性、及び熱エネルギを付与した際に硬化する熱硬化性を有する材料として、アクリル系の感光性樹脂（より詳細には、光硬化性を有するアクリル系樹脂、及び熱硬化性を有するエポキシ系樹脂）を含んでいる。この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂とを含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤とを含有していてもよい。また、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤とを含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。
【００２７】
チップ部品２０は、図３で下方に位置する第１面３０ｂに電極部（第１配線接続部）２０ｂを有し、図３で上方に位置し第１面３０ｂと対向する（逆側の）第２面３０ａに電極部（第２配線接続部）２０ａを有している。同様に、チップ部品２１は、図３で下方に位置する第１面３１ｂに電極部（第１配線接続部）２１ｂを有し、図３で上方に位置し第１面３１ｂと対向する（逆側の）第２面３１ａに電極部（第２配線接続部）２１ａを有している。
【００２８】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。
【００２９】
電極部２０ｂには、絶縁層（第２絶縁層）５０に覆われて絶縁層５２（の図３中、下面）上に形成された配線（第１導電配線）５１Ａが接続されており、電極部２１ｂには、絶縁層５０に覆われて絶縁層５２（の図３中、下面）上に形成された配線（第１導電配線）５１Ｂが接続されている。配線５１Ａは、絶縁層５２に覆われて絶縁層６０Ａ（の図３中、下面）上に形成された配線５３Ａに、絶縁層５２に形成されたスルーホールＨ６を介して接続されている。この配線５３Ａは、絶縁層６０Ａに形成されたスルーホールＨ７に接続されている。また、配線５１Ｂは、絶縁層５２に覆われて絶縁層６０Ａ（の図３中、下面）上に形成された配線５３Ｂに、絶縁層５２に形成されたスルーホールＨ８を介して接続されている。
【００３０】
絶縁層６０Ａは、上面が電極部２０ａ、２１ａと略面一に形成され、チップ部品２０、２１の周囲を覆うように成膜されている。この絶縁層６０Ａ上には、電極部２０ａ、２１ａ及びこの電極部２０ａ、２１ａに接続される配線（第２導電配線）１５を覆う絶縁層（第２絶縁層）６０Ｂが設けられている。図３中、両側部に位置する配線１５は、絶縁層６０Ｂを貫通するスルーホールＨ１、Ｈ２にそれぞれ接続されている。
【００３１】
絶縁層６０Ｂ上には、外部接続用の端子７２を有するＩＣチップ７０と、スルーホールＨ１を介して配線１５に接続される配線（第２導電配線）６１と、これらＩＣチップ７０及び配線６１が覆われる絶縁層（第３絶縁層）６２と、配線６１に接続され絶縁層６２を貫通するスルーホールＨ３と、同じく絶縁層６２を貫通する上述したスルーホールＨ２の一部とを有している。
【００３２】
絶縁層６２上には、ＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ２に接続される配線６３Ａと、ＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ３に接続される配線６３Ｂと、これら配線６３Ａ、６３Ｂが覆われる絶縁層６４と、配線６３Ａに接続され絶縁層６４を貫通するスルーホールＨ４と、配線６３Ｂに接続され絶縁層６４を貫通するスルーホールＨ５と、絶縁層６４上に設けられスルーホールＨ５と接続されるチップ部品（電子部品）２４と、絶縁層６４上に設けられスルーホールＨ４と接続されるチップ部品（電子部品）２５とが設けられている。
チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子がそれぞれ実装される。
【００３３】
配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ及びスルーホールＨ１〜Ｈ８は、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて導電性インクを吐出することで形成されたものである。本実施形態では、銀微粒子を含む導電性インクを用いている（詳細は後述）。
【００３４】
（多層配線基板の製造方法）
続いて、上記多層配線基板（電子基板）５００の製造方法について、図４乃至図７を参照して説明する。
本実施形態では、図４（ａ）に示すように、多層配線基板５００の外形形状に対応した形状の貫通孔Ｋを有するフレームＦを用いて多層配線基板５００を製造する。
まず、図４（ａ）に示すフレームＦの下面（一面）Ｆａに、表面Ｓａに粘着性を有する基材としての粘着シートＳを、貫通孔Ｋを覆うように貼設する。
続いて、貫通孔Ｋ内で露出するこの粘着シートＳの表面Ｓａ上の所定位置に、マウンタ等を用いてチップ部品２０、２１を載置する。
このとき、チップ部品２０、２１は、電極部２０ａ、２１ａをそれぞれ当接させて載置される。また、粘着シートＳの表面Ｓａは、粘着性を有しているため、載置されたチップ部品２０、２１は、移動することなく、所定位置に位置決めされる。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、貫通孔Ｋ内の粘着シートＳ上に上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布する。このとき、絶縁性インクは、チップ部品２０、２１の周囲に、当該チップ部品２０、２１が突出する厚さで塗布される。なお、絶縁性インクの塗布方式としては、液滴吐出方式の他に印刷法やディスペンス法等であってもよい。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ７を囲むように形成し、スルーホールＨ７に対応する孔部を形成する。
【００３６】
続いて、塗布した絶縁性インクに紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することによりアクリル系樹脂のみが硬化しエポキシ系樹脂が未硬化の半硬化状態にする。このとき、絶縁性インクに対して付与するエネルギ量は、絶縁性インクが硬化するエネルギ量よりも小さい値に設定される。
ここで、絶縁性インクの半硬化とは、絶縁性インクに含まれる光硬化性材料の状態が、吐出時の状態と、完全な硬化状態との間の状態になることを意味する。本実施形態では、このような中間の状態が上述の半硬化状態である。なお、吐出時の状態とは、光硬化性材料がノズル１１８から吐出されうる粘性を有している状態である。
これにより、図４（ｂ）に示すように、半硬化状態の絶縁層６０Ａが成膜される。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて、絶縁層６０Ａの孔部に導電性インクを吐出することによりスルーホールＨ７を形成するとともに、貫通孔Ｋ内の絶縁層６０Ａ上に導電性インクを吐出することにより配線５３Ａ、５３Ｂを形成する。
本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ/ｍとなるように調整したものを導電性インクとして用いた。
【００３８】
具体的には、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に導電性インクを吐出し、乾燥することにより、図４（ｃ）に示すように、前記チップ部品２０、２１と電気的に接続されるＡｇ配線（導電配線）１５を形成できる。
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００３９】
なお、表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００４０】
続いて、図５（ａ）に示すように、貫通孔Ｋ内の絶縁層６０Ａ上にチップ部品２０、２１の周囲を囲み、配線５３Ａ、５３Ｂを覆うように、液滴吐出法により絶縁性インクを塗布する。このとき、絶縁性インクは、チップ部品２０、２１の上面と略面一で、電極部２０ｂ、２１ｂが露出する高さに塗布される。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ６、Ｈ８を囲むように形成し、スルーホールＨ６、Ｈ８に対応する孔部を形成する。
【００４１】
続いて、絶縁層６０Ａと同様に、絶縁層６０Ａ上に塗布した絶縁性インクに対して、紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態にして絶縁膜５２を形成する。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて、絶縁層５２の孔部に、上述した配線５３Ａ、５３Ｂ及びスルーホールＨ７と同様の導電性インクを吐出することによりスルーホールＨ６、Ｈ８を形成するとともに、貫通孔Ｋ内の絶縁層５２上に上記導電性インクを吐出することにより配線５１Ａ、５１Ｂを形成する。この配線５１Ａは、一端がスルーホールＨ６に接続され、他端がチップ部品２０の電極部２０ｂに接続される。また、配線５１Ｂは、一端がスルーホールＨ８に接続され、他端がチップ部品２１の電極部２１ｂに接続される。
【００４３】
この後、配線５１Ａ、５１Ｂ及びチップ部品２０、２１を覆うように、液滴吐出法により上記絶縁性インクを塗布する。そして、絶縁層５２、６０Ａと同様に、絶縁層５２上に塗布した絶縁性インクに対して、紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態の絶縁膜５０を形成する。
そして、図５（ｃ）に示すように、フレームＦの下面Ｆａから粘着シートＳを剥離することにより、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ、スルーホールＨ７及び絶縁層６０Ａを露出させる。
【００４４】
続いて、チップ部品２０、２１が埋設された絶縁層５２、６０ＡをフレームＦとともに上下を反転して、図６（ａ）に示すように、半硬化状態の下部絶縁膜６０Ａ上に、上記液滴吐出方式により導電性インクを塗布して配線１５を形成する。なお、図６以降においては、便宜上、フレームＦの図示を省略している。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、上記の絶縁層６０Ａ上に配線１５を覆って、絶縁層６０Ａの形成材料と同じ絶縁性インクを液滴吐出法により塗布し、さらに紫外域の波長を有する光を所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより半硬化状態にして絶縁層６０Ｂを形成する。
なお、この絶縁性インクの塗布は、スルーホールＨ１、Ｈ２を囲むように形成し、スルーホールＨ１、Ｈ２に対応する孔部を形成する。そして、紫外光照射して半硬化状態の絶縁層６０Ｂを形成した後に、絶縁層６０Ｂの孔部に液滴吐出方式を用いて上述した導電性インクを吐出することで、スルーホールＨ１、Ｈ２を形成する。
【００４６】
次に、図７（ａ）に示すように、絶縁層６０Ｂ上にスルーホールＨ１を介して配線１５及びチップ部品２０に接続される配線６１を形成するとともに、ＩＣチップ７０を搭載する。この配線６１は、上記配線１５、スルーホールＨ１、Ｈ２と同様に、液滴吐出方式で形成される。
【００４７】
この後、図７（ｂ）に示すように、絶縁層６０Ｂ上に、端子７２が突出するように、ＩＣチップ７０及び配線６１を覆って、上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布し、紫外光を照射して半硬化状態とすることで、絶縁層６２を形成する。なお、この絶縁性インクの塗布は、配線１５に接続されるスルーホールＨ２及び配線６１に接続されるスルーホールＨ３を囲むように形成される。これにより、絶縁層６２中にＩＣチップ７０が埋め込まれる。
【００４８】
そして、上記スルーホールＨ２、Ｈ３を液滴吐出方式で配線１５、６１と同じ導電性インクを塗布して形成するとともに、絶縁層６２上に前記端子７２に接続する配線６３Ａ、６３Ｂを液滴吐出方式で形成する。このとき、配線６３Ａ、６３Ｂは、ＩＣチップ７０の端子７２とスルーホールＨ２、Ｈ３にそれぞれ接続される。
【００４９】
そして、図３に示したように、絶縁層６２上に配線６３Ａ、６３Ｂを覆って上述した絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布し、紫外光を照射して半硬化状態とすることで、配線６３Ａ、６３Ｂの下面を界面とする絶縁層６４を形成する。そして、絶縁層６４上に、他のチップ部品２４、２５をスルーホールホールＨ４、Ｈ５を介して実装する。これらスルーホールＨ４、Ｈ５は、上述したスルーホールＨ２、Ｈ３と同様の材料・手順により形成される。また、これら絶縁層６４、スルーホールＨ４、Ｈ５も液滴吐出方式を用いて形成される。
なお、チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子をそれぞれ実装した。
【００５０】
この後、絶縁層５０、５２、６０Ａ、、６０Ｂ、６２、６４及び配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ、スルーホールＨ１〜Ｈ８を一括して加熱することにより硬化させる。このとき、絶縁層においては、未硬化であったエポキシ系樹脂が硬化することにより、既に光照射により硬化していたアクリル系樹脂と併せて完全に硬化状態となる。
以上の工程により、多層配線基板５００を形成することができる。
【００５１】
なお、この多層配線基板５００をフレームＦと分離させるには、例えば多層配線基板５００を押し込むことでフレームＦから型抜きする方法や、フレームＦを切削等により除去する方法、さらには貫通孔Ｋを分離・一体化可能な複数のフレーム構成体で構成し、多層配線基板５００を形成した後に、このフレーム構成体を分離させる方法等を適宜採用できる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、粘着シートＳ上に載置したチップ部品２０、２１に対して、上方から導電性インクを塗布して電極部２０ｂ、２１ｂに接続する配線５１Ａ、５１Ｂを形成し、上下反転させたチップ部品２０、２１に対して上方から導電性インクを塗布して電極部２０ａ、２１ａに接続する配線１５を形成するため、配線上にチップ部品２０、２１を載置した場合のように、導電配線を押しつぶしたり、傾いたりすることがなくなり、電子部品の対向する両面において配線を接続する場合でも、配線と電極部とを安定して接続することが可能になるとともに、粘着シートＳの粘着性によりチップ部品２０、２１を安定して位置決めすることができ、高精度の多層配線基板５００を得ることも可能になる。
【００５３】
また、本実施形態では、絶縁層６０Ａ、６０Ｂが配線１５を挟むように設けられており、また、絶縁層５０、５２が配線５１Ａ、５１Ｂを挟むように設けられており、これら絶縁層５０、５２、６０Ａ、６０Ｂが加熱により一括して同時に硬化されるため、硬化した絶縁層６０Ａ、６０Ｂの間、及び絶縁層５０、５２の間に応力を残さない状態とすることができる。そのため、本実施形態では、亀裂が生じづらく構造的に安定な電子基板である多層配線基板５００を得ることができる。
【００５４】
加えて、本実施の形態では、粘着シートＳ上に載置したチップ部品２０、２１の周囲に絶縁層６０Ａ、５２、及び５０を、配線５３Ａ、５３Ｂ、５１Ａ、５１Ｂを挟んで順次積層し、その後に粘着シートＳを剥離するという簡単な工程で電極部２０ａ、２１ａ及び絶縁層６０Ａの表面が平滑で面一の配線基板を容易に得ることができ、生産性の向上及び高密度化を図ることができ、さらに、絶縁層６０Ａ上に配線及び絶縁層を積層することにより、生産性に優れた多層配線基板５００を容易に製造することが可能になる。
【００５５】
また、このように、本実施形態では、配線基板１００（多層配線基板５００）の外形形状をフレームＦの貫通孔Ｋにより容易に規定することができ、所望形状の配線基板１００（多層配線基板５００）を容易に得ることができる。
【００５６】
また、本実施形態では、配線基板１００及び多層配線基板５００の製造工程を全て液滴吐出方式で行うことが可能であり、生産性の大幅な向上を図ることができる。
また、本実施形態では、液滴吐出方式で絶縁性インクを塗布するため、印刷法やフォトリソ法等のように、マスクやレジスト等を用いることなく、容易に接着材をパターニングすることができ、また消費する接着材に無駄が生じないため、コスト低減にも寄与できる。さらに、本実施形態では、光エネルギの付与により絶縁性インクを半硬化状態にしているため、半硬化処理が容易であるとともに、例えばマスク等を用いることで、容易に紫外光の照射範囲を規定でき、半硬化させる領域を容易にパターニングすることが可能になる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５８】
例えば、上記実施形態で示した配線の配置は一例であり、配線及び絶縁層の層数、電極部２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとの接続パターン等は適宜選択可能である。
また、上記実施形態では、絶縁層５０、５２、６０Ａ、、６０Ｂ、６２、６４及び配線１５、５１Ａ、５１Ｂ、５３Ａ、５３Ｂ、６１、６３Ａ、６３Ｂ、スルーホールＨ１〜Ｈ８を一括して加熱することにより硬化させる構成としたが、これに限定されるものではなく、中途で適宜加熱して硬化させる手順としてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、フレームＦの貫通孔Ｋが、多層配線基板５００の積層方向に平行に延びる構成として説明したが、これに限定されるものではなく、例えば図８に示すように、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ、及び下部絶縁膜６０Ａが位置する下面Ｆａ側から上面（他面）Ｆｂ側に向けて縮径するテーパ状に形成される構成としてもよい。
この構成では、絶縁膜６０Ａ、５２、５０が上方に押されて僅かでも移動すると、貫通孔Ｋから離れることになり、容易にフレームＦから離脱させることができる。また、フレームＦは、必ずしも用いる必要もなく、液滴吐出法によるパターニングのみで多層配線基板５００を形成する手順としてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、チップ部品２０、２１が双方とも電極部２０ａ、２０ｂを粘着シートＳに当接させて載置することで、これら電極部２０ａ、２０ｂが面一に配置される構成としたが、例えば、チップ部品２０、２１（電極部２０ａ、２０ｂ）を段差をもって配置するような場合には、チップ部品２０、２１の一方については電極部２０ａ、２０ｂを粘着シートＳに当接させて載置し、チップ部品２０、２１の他方については、粘着シートＳ上に載置されたスペーサに電極部２０ａ、２０ｂを当接させて載置することにより、容易に対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】電子基板の製造に用いる液滴吐出装置の模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は液滴吐出装置におけるヘッドの模式図である。
【図３】多層配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図４】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図５】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図６】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図７】多層配線基板を形成する手順を示す工程図である。
【図８】フレームの別形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｆ…フレーム、 Ｆａ…下面（一面）、 Ｋ…貫通孔、 Ｓ…粘着シート（基材）、 Ｓａ…表面、 １５…配線（第２導電配線）、 ２０、２１…チップ部品（電子部品）、 ２０ａ、２１ａ…電極部（第２配線接続部）、 ２０ｂ、２１ｂ…電極部（第１配線接続部）、 ３０ａ、３１ａ…第２面、 ３０ｂ、３１ｂ…第１面、 ５１Ａ、５１Ｂ…配線（第１導電配線）、 ５２、６０Ａ…絶縁層、 ５０、６０Ｂ…絶縁層（第２絶縁層）、 ６１…配線（第３導電配線）、 ６２…絶縁層（第３絶縁層）、 ５００…多層配線基板（電子基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の第１面に配置された第１配線接続部に第１導電配線が接続され、前記第１面と対向する第２面の第２配線接続部に第２導電配線が接続される電子基板の製造方法であって、
基材の表面に前記第２配線接続部を当接させて前記電子部品を載置する工程と、
前記基材の表面上の前記電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層を成膜する工程と、
前記絶縁層上に前記第１配線接続部に接続する前記第１導電配線を形成する工程と、
前記電子部品から前記基材を剥離するとともに、前記電子部品及び前記絶縁層を反転する工程と
前記基材が剥離されて露出した前記絶縁層上に前記第２配線接続部に接続する前記第２導電配線を形成する工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子基板の製造方法において、
前記絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、
前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方を覆う第２絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、
半硬化状態の前記絶縁層及び第２絶縁層を一括して硬化させる工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子基板の製造方法において、
前記絶縁材料は光硬化性及び熱硬化性を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３記載の電子基板の製造方法において、
前記第２絶縁層上に、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方に電気的に接続される第３導電配線を形成する工程と、
前記絶縁材料で形成され前記第３導電配線を覆う第３絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
前記基材の表面は、粘着性を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
所定形状の貫通孔を有するフレームの一面に、前記貫通孔を覆って前記基材を貼設する工程を有し、
前記貫通孔内に露出する前記基材の表面に前記電子部品を載置することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子基板の製造方法において、
前記貫通孔は、テーパ状に形成されていることを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項１】
電子部品の第１面に配置された第１配線接続部に第１導電配線が接続され、前記第１面と対向する第２面の第２配線接続部に第２導電配線が接続される電子基板の製造方法であって、
基材の表面に前記第２配線接続部を当接させて前記電子部品を載置する工程と、
前記基材の表面上の前記電子部品の周囲に絶縁材料で形成された絶縁層を成膜する工程と、
前記絶縁層上に前記第１配線接続部に接続する前記第１導電配線を形成する工程と、
前記電子部品から前記基材を剥離するとともに、前記電子部品及び前記絶縁層を反転する工程と
前記基材が剥離されて露出した前記絶縁層上に前記第２配線接続部に接続する前記第２導電配線を形成する工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子基板の製造方法において、
前記絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、
前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方を覆う第２絶縁層を半硬化状態で成膜する工程と、
半硬化状態の前記絶縁層及び第２絶縁層を一括して硬化させる工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子基板の製造方法において、
前記絶縁材料は光硬化性及び熱硬化性を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３記載の電子基板の製造方法において、
前記第２絶縁層上に、前記第１導電配線と前記第２導電配線との少なくとも一方に電気的に接続される第３導電配線を形成する工程と、
前記絶縁材料で形成され前記第３導電配線を覆う第３絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
前記基材の表面は、粘着性を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
所定形状の貫通孔を有するフレームの一面に、前記貫通孔を覆って前記基材を貼設する工程を有し、
前記貫通孔内に露出する前記基材の表面に前記電子部品を載置することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子基板の製造方法において、
前記貫通孔は、テーパ状に形成されていることを特徴とする電子基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００８−１３０５７８（Ｐ２００８−１３０５７８Ａ）
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３０９９４１（Ｐ２００６−３０９９４１）
【出願日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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