【課題】微細な貫通電極孔を備え且つ熱伝導性の高いガラス製インターポーザの製造方法を提供することを目的とした。
【解決手段】少なくとも、金属製の支持基板１上に金属凸部７を形成する工程と、金属製の支持基板１及び金属凸部７をSiO₂を主成分とする絶縁層５で被覆する工程と、金属凸部７を被覆する絶縁層５を除去し金属凸部７表面を露出させる工程と、絶縁層５と露出した金属凸部７の上に第一の導体層４を設ける工程と、第一の導体層４に金属凸部を含むパターン形成を行う工程と、をこの順に有することを特徴とする貫通電極付き配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層が光の反射層となることができ、個片のセラミック基板への分割も容易な多数個取りセラミック基板および個片のセラミック基板を提供することにある。
【解決手段】 複数の基板領域２を有する母基板１と、母基板１の上面に、基板領域２の境界に沿って設けられた分割溝３とを備えており、母基板１が、第１のセラミック焼結体からなる絶縁層１ａと、第１のセラミック焼結体よりも結晶化温度が低い第２のセラミック焼結体からなる拘束層１ｂとが交互に、最上層が絶縁層１ａとなるように積層されて形成されているとともに、母基板１の上面に分割溝３に沿って、第２のセラミック焼結体からなる帯状拘束層４が付着している多数個取りセラミック基板９である。帯状拘束層４により、分割溝３が形成された部分における絶縁層１ａの収縮を抑制して分割溝３の変形を抑制できる。そのため、分割が容易な多数個取りセラミック基板９を提供できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、セラミック積層体を用意する第１段階と、上記セラミック積層体に保護層を形成する第２段階と、上記保護層に金属パターンを形成する第３段階と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された配線と、第１の絶縁膜上及び配線上に形成された第２の絶縁膜とを有し、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面は、第１の絶縁膜と配線との界面よりも下に位置し、配線の下面の端部から離間している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の金属層と、シアノ基を有する繰り返し単位を有するポリマーと金属酸化物粒子とを含む下地層と、被めっき層とをこの順に備える加工前積層体に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体の前記被めっき層側の表面から第１の金属層表面に到達する穴を形成する穴形成工程を備え、ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量が、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％であり、金属酸化物粒子の粒径が５０〜２０００ｎｍであり、下地層中における金属酸化物粒子の含有量が２０〜６０質量％である、穴付き積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一例として、より不都合の少ない基板を製造しやすい製造装置を得る。
【解決手段】実施形態にかかるフレキシブルプリント配線板の製造装置は、複数の装置を備える。第二導体層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第二導体層を設ける。第一絶縁層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第一絶縁層を設ける。第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層を一体化する装置は、第一導体層の面に設けられた第二導体層および第一絶縁層が第一導体層とは反対側から第三導体層で覆われた状態で、一体化する。導体パターンを形成する装置は、第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層が一体化された構造の第一導体層および第三導体層のうち少なくとも一方を部分的に除去して導体パターンを形成する。第二絶縁層で覆う装置は、導体パターンが形成された構造の両側を第二絶縁層で覆う。 （もっと読む）

【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の導電層２０と、層間絶縁層３０と、第２の導電層７０とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第１の領域５０と、前記コンタクトホールを含み、該第１の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第２の領域６０とを有し、
前記第１の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第２の導電層は、前記層間絶縁層の前記第２の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第１の導電層と接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】一方の端部に撥水処理が施された層間接続導体を形成する柱状の接続端子を配線基板に実装することで、モジュールを低コストかつ短い製造時間で製造できる技術を提供する。
【解決手段】層間接続導体を形成する柱状の接続端子１１および電子部品１０２を配線基板１０１上に実装し樹脂封止してなるモジュール１００を製造する場合に、配線基板１０１の一方主面に、電子部品１０２を実装するとともに接続端子１１の一方端部が配線基板１０１に接続されるように接続端子１１を実装し（第１実装工程）、第１封止工程の前に、接続端子１１の他方端部に撥水処理を施し（撥水処理工程）、電子部品１０２および接続端子１１を樹脂層１０３により封止する（第１封止工程）。こうすることにより、層間接続導体を有するモジュール１００を低コストかつ短い製造時間で製造する。 （もっと読む）

【課題】層間接続導体を形成する複数の接続端子が支持体に挿入されてなるる端子集合体を形成し、この端子集合体を配線基板に実装することで、層間接続導体を備えるモジュールを低コストかつ短い製造時間で製造できる技術を提供する。
【解決手段】層間接続導体を形成する柱状の接続端子１１および電子部品１０２を配線基板１０１上に実装し、樹脂封止してなるモジュール１００を製造する場合に、配線基板１０１の一方主面に、電子部品１０２を実装するとともに、複数の孔が形成された支持体１２に接続端子１１を挿入して成る端子集合体１０を実装し（第１実装工程）、実装された電子部品１０２ならびに端子集合体１０を樹脂層により封止する（第１封止工程）。こうすることにより、層間接続導体を有するモジュール１００を低コストかつ短い時間で製造できる。 （もっと読む）

【課題】複数の異種のデバイスを集積して受動部品を内蔵することが可能で、小型薄型化が可能である半導体モジュールを、歩留まり良く製造することを可能にする、高い信頼性を有する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数層の配線層を絶縁層中に形成して成る多層配線層と、この多層配線層の少なくとも一方の主面に設けられた半導体チップと、この半導体チップを覆う封止材とを有し、多層配線層の両主面及び多層配線層の側面に、同一の材料による封止材が設けられている半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】多層硬軟性印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】軟性フィルム１１の一面または両面に回路パターン２３が形成されたベース基材１０を準備するステップと、ベース基材１０のフレキシブル領域Fの回路パターン２３を保護するレーザ遮断層５０を形成するステップと、レーザ遮断層５０が形成されたベース基材１０の少なくとも一面に複数のパターン層を積層するステップと、複数のパターン層の上面に絶縁剤を介在して銅箔層５３を形成し、ビアホールAまたは貫通孔Cが形成された外部パターン層を積層するステップと、外部パターン層に形成されたビアホールAまたは貫通孔Cと、フレキシブル領域Fとにウインドーを設けてレーザ加工するステップと、レーザ加工された外部パターン層を銅メッキし、銅メッキ層の一部領域をエッチングして外部回路パターンを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】セラミックシート上の第１の導電パターンと第２の導電パターンとの間に絶縁パターンを介在して複数のセラミックシートを積層する時、層間短絡が発生する問題点を防止することができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックシート１００ａ〜１００ｄが積層されたセラミック積層体で構成された多層セラミック基板１００は、セラミックシート１００ａ〜１００ｄに形成された第１の導電パターン１２０ａ〜１２０ｄと、第１の導電パターン１２０ａ〜１２０ｄを取り囲む第２の導電パターン１４０ａ〜１４０ｄと、第１の導電パターン１２０ａ〜１２０ｄと第２の導電パターン１４０ａ〜１４０ｄとの間に介在する絶縁パターン１６０ａ〜１６０ｄとを含む。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴って半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減することができ、且つ（多層配線層を含む）基板全体として高い機械的強度（剛性）を有する積層焼結セラミック配線基板、及び当該配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子に近い熱膨張率を有するセラミック基材１１と基材１１中に埋設された内層配線１４とを一体的に焼結し、内層配線１４における多層配線層に相当する微細な導体構造が所定の幅Ｗｃ、層内間隔Ｄｈ、及び層間間隔Ｄｖを有するように配線基板１０を構成する。これにより、半導体素子が接合された状態において基板１０が温度変化に曝される際に半導体素子と基板１０との間に作用する熱応力を抑制し、基板１０の剛性を維持し、温度サイクル信頼性を高める。更に、基板１０における内層配線１４の導通不良や絶縁不良をも低減する。 （もっと読む）

【課題】 層間樹脂絶縁層にクラックが発生しにくく、信頼性に優れる多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、上記積み重ねられたバイアホールのうち、少なくとも１つのバイアホールは、他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールは、他のバイアホールにその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることを特徴とする多層プリント配線板。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁層と該絶縁層の間に形成された配線層とを交互に積層した配線基板において、上記配線層を構成する隣接する配線導体同士の間に絶縁材の樹脂が隙間なく充填され、且つ配線導体の位置ズレやこれに伴う変形や断線などの不具合を皆無とした配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂からなるベース絶縁層１と、該ベース絶縁層１の表面および裏面に形成された熱可塑性樹脂からなる接着層２ａ，２ｂとを含む絶縁層３と、上記ベース絶縁層１の表面側における接着層２ａの上に形成され、厚みが５μｍ超である複数の配線導体４からなり且つ隣接する配線導体４同士の間隔が１００μｍ以下の配線層４と、を交互に積層してなる配線基板の製造方法であって、上記配線層４において隣接する配線導体４同士の隙間６に硬化性樹脂９ａを充填する工程と、充填された硬化性樹脂９ａを硬化処理する工程と、を含む、配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装効率を維持しながら、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】金型内で金属板２に搭載された電子部品の周囲に流動性の高い絶縁樹脂６を圧縮しながら充填し、その後絶縁樹脂６を硬化させることにより、電子部品の損傷や金属線の変形や短絡を防ぎ、配線基板の反りや歪、クラック等の発生を防止して信頼性を向上させながら、高密度に電子部品を配線基板の内部に内蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】ジャンパ線間の絶縁層の厚さを確保して絶縁信頼性を向上させる。
【解決手段】プリント配線基板１は、ベース基板４上に第１のジャンパ回路７を形成し、凹部が形成されたＰＥＴフィルム１１に複数層のジャンパ回路７，８間の絶縁層９を構成するレジスト１２を印刷し、ＰＥＴフィルム１１をベース基板４に対し、第１のジャンパ回路７と凹部１１ａとが対向するように位置合わせを行った上で貼り合わせ、レジスト１２をベース基板４に転写し、レジスト１２により絶縁層９をパターン形成し、絶縁層９が形成されたベース基板４上に第２のジャンパ回路８を形成して製造される。 （もっと読む）

【課題】電子部品が搭載されるランドを有する配線基板において、ランドの微細化に適した構成を実現する。
【解決手段】内部に内部配線１１を有する基材１２と、基材１２の一面１３に設けられ、電子部品３０と接続される導電性のランド１４とを備える配線基板１０において、基材１２の一面１３上には、ランド１４よりも面積の大きい表面配線層１５が設けられており、この表面配線層１５上にランド１４が直接積層されており、表面配線層１５は、ランド１４の直下より外れた部位にて内部配線１１と電気的に接続されることにより、ランド１４は、表面配線層１５を介して内部配線１１と電気的に接続されており、基材１２の一面１３上には、電気絶縁性の樹脂層２０が設けられており、ランド１４の上面１４ａが樹脂層２０より露出した状態でランド１４および表面配線層１５は樹脂層２０に封止されている。 （もっと読む）

【課題】従来の高周波回路基板に比べて、さらに伝送遅延および伝送損失が充分に小さいフッ素樹脂基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面が粗面化処理およびプライマー処理されていない配線用の金属導体とフッ素樹脂を積層して積層体を作製する積層体作製工程と、積層体に１００ｐｐｍ以下の酸素濃度および前記フッ素樹脂の融点以上で前記フッ素樹脂の融点＋３０℃未満の温度の雰囲気下、電離性放射線を５０〜５００ｋＧｙの照射量で照射する電離性放射線照射工程と有している高周波回路基板の製造方法。金属導体およびフッ素樹脂を交互に積層して多層化した状態で電離性放射線を照射する高周波回路基板の製造方法。金属導体の表面粗さＲｚが、２．０μｍ以下である。フッ素樹脂が、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥの１種または２種以上である。 （もっと読む）