電子機器
【課題】 特に、非接触式の磁気センサを用い、第１本体と第２本体間の異なる２以上の間隔を検知して、夫々、所定のモードに移行することが可能な電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】 表示筐体２と操作筐体３とがヒンジ部を介して開閉自在に連結されている。前記表示筐体２には磁石７、操作筐体３には磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を備えた非接触式の磁気センサ８が内蔵されている。前記磁気センサ８が、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じる途中での外部磁界の磁界強度を検知して第１の検知信号を生成し、制御部では、前記検知信号によりスリープモードに比べて簡易的な消費電力低減モードを起動し、さらに、表示筐体２と操作筐体３間を閉じると磁気センサ８は第２の検知信号を生成し、制御部ではスリープモードを起動する。
【解決手段】 表示筐体２と操作筐体３とがヒンジ部を介して開閉自在に連結されている。前記表示筐体２には磁石７、操作筐体３には磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を備えた非接触式の磁気センサ８が内蔵されている。前記磁気センサ８が、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じる途中での外部磁界の磁界強度を検知して第１の検知信号を生成し、制御部では、前記検知信号によりスリープモードに比べて簡易的な消費電力低減モードを起動し、さらに、表示筐体２と操作筐体３間を閉じると磁気センサ８は第２の検知信号を生成し、制御部ではスリープモードを起動する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触式の磁気センサを用い、第１本体と第２本体間の異なる２以上の間隔を検知して夫々、所定のモードに移行することが可能な電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば表示筐体と操作筐体とがヒンジ部を介して連結されて成るノート型パーソナルコンピュータでは、前記表示筐体と操作筐体間を閉じると機械的なスイッチが押圧されることでスリープモードに移行するように制御されている。
【０００３】
また折畳み式の携帯電話では、前記表示筐体と操作筐体間を開いたときに自動的に表示筐体に設けられているバックライトが点灯するように制御されている。
【特許文献１】特開２００３−００７１６８号公報
【特許文献２】特許第２９４４９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば上記したノート型パーソナルコンピュータでは、スリープモードに移行した場合、その後、前記表示筐体と操作筐体間を開いても、デバイスは直ぐには再起動せず、決められたアクセス条件、例えばパスワードを入力することが必要であった。
【０００５】
スリープモードは、デバイスを停止させ、再起動用の電力しか消費せずデバイスの消費電力を低減させるための機構としてノート型パーソナルコンピュータ等に用いられている。
【０００６】
前記スリープモードは、ノート型パーソナルコンピュータを長時間使用しないような場合には効果的であるが、ノート型パーソナルコンピュータを短時間だけ閉じる度にスリープモードに移行したのでは、その都度、デバイスを立ち上げる操作が必要となり使い勝手が悪かった。
【０００７】
また従来では、機械的なスイッチを用いて、前記表示筐体と操作筐体間が閉じられたことを検知しスリープモードに移行するため、例えば開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知して、スリープモード以外のモードを起動させるようなことはしていなかった。
折畳み式の携帯電話でも同様で従来では開閉検知しか行っていなかった。
【０００８】
上記した特許文献１，２には、押圧距離（押圧力）に応じて複数回のスイッチング動作が可能なスイッチ機構が開示されている。
【０００９】
しかしながら上記した特許文献１，２に記載されたスイッチは接触式であるため、例えば前記スイッチをノート型コンピュータ等に搭載した場合、押圧により磨耗が生じる等して長寿命を得ることが出来なかった。またスイッチ構造の小型化が困難であった。さらに、接触式のスイッチのため、表示筐体と操作筐体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態の検知は不可能であった。
【００１０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、非接触式の磁気センサを用い、第１本体と第２本体間の異なる２以上の間隔を検知して、夫々、所定のモードに移行することが可能な電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の電子機器は、第１本体と第２本体を有し、前記第１本体と前記第２本体間の間隔は変動可能とされており、
前記第１本体及び第２本体の一方に磁石、他方に前記磁石から発せられた外部磁界を検出できる磁気検出素子を備えた非接触式の磁気センサが設けられており、
前記磁気センサは、少なくとも、前記第１本体と前記第２本体間が開いた状態で前記磁石と前記磁気検出素子間が第１の距離となったときに、前記外部磁界の前記第１の距離に基づく磁界強度を検知して第１の検知信号を、前記磁石と前記磁気検出素子間が、前記第１の距離よりも小さい第２の距離となったとき、前記外部磁界の前記第２の距離に基づく磁界強度を検知して第２の検知信号を夫々生成し、
前記第１の検知信号、及び、前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能な制御部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、第１本体と第２本体間の間隔が変動する形態の電子機器において、２以上の異なる間隔に応じて、夫々、所定のモードに移行させることを可能としている。よって、例えばノート型パーソナルコンピュータの第１本体と第２本体間の開閉時、従来に比べてバラエティに富むモード切換えを行うことができる。また、非接触式の磁気センサを用いることで、長寿命を得ることができ、また磁気センサの小型化を促進できる。
【００１３】
本発明では、前記磁気センサは、前記第１本体と前記第２本体間の開閉検知用に用いられる前記第２の検知信号と、前記開閉検知とは別に、前記第１本体と前記第２本体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知するための前記第１の検知信号を生成するものであることが好ましい。例えば開閉検知は、別の磁気センサや従来と同様に機械的なスイッチで行ってもよいが、本発明の磁気センサが開閉検知も兼ねることで、電子機器に搭載されるセンサ機構を簡単にすることができる。
【００１４】
例えば本発明の前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備えるノート型パーソナルコンピュータであり、
使用状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づき、スリープモードより簡易的な消費電力低減モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて前記スリープモードに移行することが好ましい。
【００１５】
本発明では、前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記消費電力低減モードが解除されて前記使用状態に復帰できるように制御していることが好ましい。
【００１６】
また、前記消費電力低減モードでは、前記表示部の表示が消えるように制御されていることが好ましい。またこのとき、前記消費電力低減モードでは、前記表示部の裏側に設けられたバックライトが消灯するように制御されていることが好ましい。
【００１７】
「使用状態」とは電源を入れて各種デバイスが起動している状態を指す。上記のように、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じるまでの間に、スリープモードになる前に簡易的な消費電力低減モードを起動させることができ、しかもその状態から再び第１本体と第２本体間を開くと前記消費電力低減モードが解除されて使用状態に復帰できるので、例えば、ノート型パーソナルコンピュータを短時間使用しない場合のように、わざわざスリープモードにすることなく消費電力を低減させることが可能であり、使い勝手を向上させることが出来る。
【００１８】
また本発明の前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備える折畳み式携帯電話であり、
通話状態において、第１本体と第２本体とを開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づいて通話保留モードに移行し、
前記第１の距離から、さらに第１本体と第２本体とを閉じる方向へ移動させて前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて通話の切断モードに移行することが好ましい。
【００１９】
またこのとき、前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記通話保留モードが解除されて前記通話状態に復帰できるように制御されていることが好ましい。
【００２０】
従来では、通話を保留するには、通話中に、操作部の所定釦を押す等する操作が必要であったが、本発明では、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ途中まで移動させるだけで、通話保留モードに移行でき、またその状態から第１本体と第２本体とを開くだけで再び通話状態に戻すことができるから、従来に比べて使い勝手を向上できる。
【００２１】
本発明では、前記磁気センサは、同じ方向からの前記外部磁界の磁界強度に対して磁気感度が異なる磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子とを有し、前記第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第１の検知信号が生成され、前記第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第２の検知信号が生成されることが好ましい。これにより、同じ方向からの外部磁界の異なる磁界強度を適切に検知することが出来る。
【００２２】
また本発明では、各検知信号は共通の閾値により生成されることが磁気センサの回路構成を簡単にでき、また磁気センサの小型化に寄与して好適である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、第１本体と第２本体間の間隔が変動する形態の電子機器において、２以上の異なる間隔に応じて、夫々、所定のモードに移行させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、ノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）の斜視図、図２は、図１のノート型パーソナルコンピュータを開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記ノート型パーソナルコンピュータの側面図、図３は、ノート型パーソナルコンピュータを閉じた状態を示すノート型パーソナルコンピュータの側面図、図４は、折畳み式携帯電話（電子機器）の平面図、図５は、図４の折畳み式携帯電話を開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記折畳み式携帯電話の側面図、図６は、折畳み式携帯電話を閉じた状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、図７は、電子機器内に内蔵される磁気センサの回路構成図、図８は本実施形態の磁気センサの平面図、図９は、前記磁気センサに内蔵される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の断面図、図１０は、本実施形態におけるノート型パーソナルコンピュータの部分ブロック図、図１１は、本実施形態における折畳み式携帯電話の部分ブロック図、図１２は、第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子のＲ−Ｈ曲線を示すグラフ、図１３は、外部磁界と、第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、図１４は、外部磁界と、第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、である。
【００２５】
図１に示すノート型パーソナルコンピュータ１は、表示筐体２と操作筐体３とがヒンジ部を介して開閉自在に連結されている。図１は、前記表示筐体２と操作筐体３を開いた使用状態を示している。
【００２６】
図１に示すように前記表示筐体２の前記操作筐体３との対向面２ａには、液晶等の表示部４が設けられている。また、前記操作筐体３の前記表示筐体２との対向面３ａにはキーボード５やタッチパッド６等の操作部１９が設けられている。
【００２７】
図１に示すように前記表示筐体２の内部には、磁石７が設けられており、前記操作筐体３の内部には非接触式の磁気センサ８が設けられている。前記磁石７と前記磁気センサ８は、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じたときにちょうど高さ方向にて対向する位置か、あるいは前記対向する位置からややずれて配置されている（図３を参照）。
【００２８】
図１に示す使用状態では、電源を入れて各種デバイスが起動している。表示部４には、デスクトップ上の各種アイコン、あるいはキーボード５により打ち込んだ文字等が表示されている。
【００２９】
このようにデバイスが起動している使用状態で、前記表示筐体２をヒンジ部にて回動させて、図２の状態まで前記表示筐体２と前記操作筐体３間を近付けると、前記磁石７と、前記磁気センサ８内に含まれる外部磁界を検知するための磁気検出素子間の距離が第１の距離Ｔ１となり、前記磁気センサ８は、前記磁石７から発せられる外部磁界の第１の磁界強度ＨAを検知して第１の検知信号を生成し出力する。前記第１の距離Ｔ１及び後述する第２の距離Ｔ２は、例えば、前記磁石７の膜厚中心から前記磁気検出素子の膜厚中心（後述する磁気抵抗効果素子の場合、フリー磁性層の膜厚中心）までの直線距離として定義される。
【００３０】
図１０に示すように前記磁気センサ８から前記ノート型パーソナルコンピュータ１内に内蔵されている制御部９に、前記第１の検知信号が入力されると、前記制御部９では、前記第１の検知信号に基づいて、例えば前記表示筐体２の内部であって、表示部４の裏側に設けられたバックライト（図示せず）を消灯して、前記表示部４の表示を消す小消費電力低減モードに移行する。
【００３１】
この小消費電力低減モードは、前記バックライトを消灯するだけであるからスリープモードに比べて簡易的な消費電力モードである。ここで「簡易的」とは、起動しているデバイアスの停止がスリープモードに比べて小規模である状態を言う。小消費電力低減モードでは、キーボード５やマウス等の入力装置や、ＣＰＵ、記憶装置といった各種デバイスは起動した状態のままであり、上記のように例えば、バックライトを消灯するだけである。よって小消費電力低減モードでは、スリープモードに比べて消費電力の低減効果は小さいが、制御部９は、図２の状態から、再び、図１の状態へ、表示筐体２と操作筐体３間を開くと、前記小消費電力低減モードを解除して前記バックライトを点灯させ、前記表示部４に、前記ノート型パーソナルコンピュータ１を閉じる前の使用状態に復帰できるように制御している。したがって、短時間だけノート型パーソナルコンピュータ１を使用せず、わざわざスリープモードにするほどでない場合に効果的に適用できる。
【００３２】
一方、図３に示すように、前記表示筐体２と操作筐体３とを閉じると、前記磁石７と、磁気センサ８に設けられる磁気検出素子間が図２に示す第１の距離Ｔ１よりも短い第２の距離Ｔ２になる。
【００３３】
図３のように閉じた状態で磁気センサ８が受ける外部磁界と、図２の閉じるまでの途中状態時に磁気センサ８が受ける外部磁界とは、同じ方向であるが、図３の状態では、図２の状態に比べて、前記磁石７から前記磁気センサ８に発せられる外部磁界Ｈの磁界強度は強まる。このとき、前記磁気センサ８では、前記磁石７から発せられる外部磁界の第２の磁界強度ＨB（図２の第１の磁界強度ＨAより強い）を検知して第２の検知信号を生成し出力する。
【００３４】
そして図１０に示す制御部９に、前記第２の検知信号が入力されると、前記制御部９では、前記第２の検知信号に基づいて、一定時間アクセスが無い限り各種デバイスを停止し、再起動用の電力のみを消費するスリープモードに移行する。スリープモードの起動は、前記ノート型パーソナルコンピュータ１を長時間使用しない場合等に効果的である。
【００３５】
なお一旦、前記スリープモードになると、図３の状態から図２の状態にまで、さらには図１の状態にまで表示筐体２と操作筐体３間を開いても、スリープモードは解除されず、キーボード５の所定釦を押圧する等の所定アクセスにより前記スリープモードを解除できる。
【００３６】
以上のように、本実施形態のノート型パーソナルコンピュータ１に設けられた磁気センサ８では、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じる過程で、前記磁石７と磁気センサ８に設けられた磁気検出素子間の距離に応じて、第１の検知信号、第２の検知信号を生成し、制御部９では、前記第１の検知信号及び前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能なように制御している。
【００３７】
従来では、ノート型パーソナルコンピュータ１の表示筐体２と操作筐体３間を閉じるとスリープモードが起動するように制御されていたが、閉じるまでの途中状態で前記スリープモードよりも簡易的な消費電力低減モードを起動するような制御はされていなかった。本実施形態では、前記スリープモードとなる前に、閉じるまでの途中状態で簡易的な消費電力低減モードを起動させることができるように制御されており、よってノート型パーソナルコンピュータ１の使用者は、ノート型パーソナルコンピュータ１の開閉という非常に簡単な操作で、簡易的な消費電力低減モードか、スリープモードかを選択でき、従来に比べて使い勝手を向上させることが出来る。
【００３８】
また、図２の状態から図１の状態へ表示筐体２と操作筐体３間を開いたときに、例えばマウスを動かす等の簡単な操作で消費電力低減モードを解除できるようにしてもよいが、図２の状態から図１の状態へ再び表示筐体２と操作筐体３間を開くだけの操作で、図２のときに起動した例えばバックライトを消灯して表示部４の表示を消す小消費電力低減モードを解除して、使用状態に復帰できるようにすれば、本実施形態のノート型パーソナルコンピュータ１は、使用者にとって、短時間だけノート型パーソナルコンピュータ１を使用しない場合等に、非常に使い勝手がよいものとなる。
【００３９】
また、例えば、前記表示筐体２と操作筐体３間の開閉検知は、図３での第２の磁界強度ＨBの検知により行うことができるので、開閉検知用として、別に磁気センサや機械的なスイッチ等を用いる必要性がなく、前記ノート型パーソナルコンピュータ１に搭載されるセンサ機構を簡単なものに出来る。
【００４０】
また本実施形態では、非接触式の磁気センサを用いるので、長寿命を得ることができ、しかも磁気センサの小型化も促進できる。
【００４１】
図４に示す折畳み式携帯電話１０に本実施形態の非接触式の磁気センサ８及び磁石７を内蔵してもよい。
【００４２】
前記折畳み式携帯電話１０は、表示筐体１１と操作筐体１２とがヒンジ部１３を介して開閉自在に連結されている。折畳み式携帯電話１０を閉じたときに前記前記操作筐体１２に対向する前記表示筐体１１の対向面１１ａには、表示部２０やスピーカ１４が設けられている。また折畳み式携帯電話１０を閉じたときに前記前記表示筐体１１に対向する前記操作筐体１２の対向面１２ａには、各種釦１５やマイク１６が設けられている。
【００４３】
図４に示すように、前記表示筐体１１の内部には、磁石７が設けられており、前記操作筐体１２の内部には非接触式の磁気センサ８が設けられている。前記磁石７と前記磁気センサ８は、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じたときにちょうど高さ方向にて対向する位置か、あるいは前記対向する位置からややずれて配置されている（図６参照）。
【００４４】
今、図４に示す表示筐体２と操作筐体３間を開いた状態で通話モードとなっているとする。
【００４５】
このように通話モードの状態で、前記表示筐体１１をヒンジ部１３にて回動させ、図５に示す状態にまで前記表示筐体１１と前記操作筐体１２間を近付けると、前記磁石７と、前記磁気センサ８内に含まれる外部磁界を検知するための磁気検出素子間の距離が第１の距離Ｔ１となり、前記磁気センサ８は、前記磁石７から発せられる外部磁界の第１の磁界強度ＨAを検知して第１の検知信号を生成し出力する。
【００４６】
図１１に示すように前記磁気センサ８から前記折畳み式携帯電話１０内に内蔵されている制御部１７に、前記第１の検知信号が入力されると、前記制御部１７では、前記第１の検知信号に基づいて、保留音声部１８からスピーカ１４へ保留音を流するとともにマイク１６の使用を中断する通話保留モードへ移行する。
【００４７】
図５の状態から、再び、図４の状態へ、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を開くと、前記第１の検知信号の制御部１７への入力は無くなって再び通話モードに移行する。
【００４８】
一方、図６に示すように、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じると、前記磁石７と磁気センサ８に設けられる磁気検出素子間が図５に示す第１の距離Ｔ１よりも短い第２の距離Ｔ２になる。
【００４９】
図６のように閉じた状態で磁気センサ８が受ける外部磁界と、図５の閉じるまでの途中状態時に磁気センサ８が受ける外部磁界とは、同じ方向であるが、図６の状態では、図５の状態に比べて、前記磁石７から前記磁気センサ８に発せられる外部磁界Ｈの磁界強度は強まる。このとき、前記磁気センサ８では、前記磁石７から発せられる外部磁界の第２の磁界強度ＨB（図５の第１の磁界強度ＨAより強い）を検知して第２の検知信号を生成し出力する。
【００５０】
そして図１１に示す制御部１７に、前記第２の検知信号が入力されると、前記制御部１７では、前記第２の検知信号に基づいて、スピーカ１４及びマイク１６の使用を無効とし相手方との通話を切断するモード、すなわち電話を切るモードに移行する。
【００５１】
以上のように、本実施形態の折畳み式携帯電話１０には、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じる過程で、前記磁石７と磁気センサ８間の距離に応じて、通話保留モード、あるいは、通話切断モードに移行可能な制御部１７を有している。
【００５２】
このように本実施形態では、これら２つのモードを閉じる際の表示筐体１１と操作筐体１２間の距離で変更可能にしているので、折畳み式携帯電話１０にて通話している使用者は、非常に簡単な操作で、例えば通話を保留するか、通話を切断するかを選択でき、従来に比べて使い勝手を向上させることが出来る。
【００５３】
また、図５の状態から図４の状態へ表示筐体１１と操作筐体１２間を開いたときに、例えばある所定釦を押して、通話保留モードを解除できるようにしてもよいが、図５の状態から図４の状態へ再び表示筐体１１と操作筐体１２間を開くだけの操作で通話モードに戻るようにすれば、誤った釦を押して電話を切ってしまう等の不具合が生じにくく使い勝手が良い。
【００５４】
また、記表示筐体１１と操作筐体１２間の開閉検知は、図６での第２の磁界強度ＨBの検知により行うことができるので、開閉検知用として、別に磁気センサや機械的なスイッチ等を用いる必要性がなく、折畳み式携帯電話１０に搭載されるセンサ機構を簡単なものに出来る。
【００５５】
また本実施形態では、非接触式の磁気センサを用いるので、長寿命を得ることができ、しかも磁気センサの小型化も促進できる。
【００５６】
本実施形態の磁気センサ８の具体的構成について説明する。図７に示すように本実施形態の磁気センサ８は、抵抗素子部２１と集積回路（ＩＣ）２２とを有して構成される。
【００５７】
前記抵抗素子部２１には、第１磁気抵抗効果素子２３と第１固定抵抗素子２４とが第１出力取り出し部２５を介して直列接続された第１直列回路２６、及び、第２固定抵抗素子２７と第２磁気抵抗効果素子２８とが第２出力取り出し部２９を介して直列接続された第２直列回路３０が設けられる。
【００５８】
図７に示すように前記集積回路２２には、第３固定抵抗素子３１と第４固定抵抗素子３２が第３出力取り出し部３３を介して直列接続された第３直列回路３４が設けられる。
【００５９】
前記第３直列回路３４は、共通回路として前記第１直列回路２６及び前記第２直列回路３０と夫々ブリッジ回路を構成している。以下では前記第１直列回路２６と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第１ブリッジ回路ＢＣ１と、前記第２直列回路３０と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第２ブリッジ回路ＢＣ２と称する。
【００６０】
図７に示すように、前記第１ブリッジ回路ＢＣ１では、第１磁気抵抗効果素子２３と、前記第４固定抵抗素子３２が並列接続されるとともに、前記第１固定抵抗素子２４と前記第３固定抵抗素子３１が並列接続されている。また前記第２ブリッジ回路ＢＣ２では、前記第２固定抵抗素子２７と、前記第３固定抵抗素子３１が並列接続されるとともに、前記第２磁気抵抗効果素子２８と前記第４固定抵抗素子３２が並列接続されている。
【００６１】
図７に示すように前記主磁極層籍回路２２内には、入力端子（電源）３９、アース端子４２及び２つの外部出力端子４０，４１が設けられている。前記入力端子３９、アース端子４２及び外部出力端子４０，４１は夫々図示しない機器側の端子部とワイヤボンディングやダイボンディング等で電気的に接続されている。
【００６２】
前記入力端子３９に接続された信号ライン５０及び前記アース端子４２に接続された信号ライン５１は、前記第１直列回路２６，第２直列回路３０及び第３直列回路３４の両側端部に設けられた電極の夫々に接続されている。
【００６３】
図７に示すように集積回路２２内には、１つの差動増幅器３５が設けられ、前記差動増幅器３５の＋入力部、−入力部のどちらかに、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３が接続されている。なお、前記第３出力取り出し部３３と前記差動増幅器３５の接続は、次に説明する、前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５及び第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９と差動増幅器３５間の接続状態と異なって固定されている（非接続状態にはならない）。
【００６４】
前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５及び第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９は夫々第１スイッチ回路３６の入力部に接続され、前記第１スイッチ回路３６の出力部は前記差動増幅器３５の−入力部、＋入力部のどちらか（前記第３出力取り出し部３３が接続されていない側の入力部）に接続されている。
【００６５】
図７に示すように、前記差動増幅器３５の出力部はシュミットトリガー型のコンパレータ３８に接続され、さらに前記コンパレータ３８の出力部は第２スイッチ回路４３の入力部に接続され、さらに前記第２スイッチ回路４３の出力部側は２つのラッチ回路４６，４７及びＦＥＴ回路５４、５５を経て第１外部出力端子４０及び第２外部出力端子４１に夫々接続される。
【００６６】
さらに図７に示すように、前記集積回路２２内には第３スイッチ回路４８が設けられている。前記第３スイッチ回路４８の出力部は、前記アース端子４２に接続された信号ライン５１に接続され、前記第３スイッチ回路４８の入力部には、第１直列回路２６及び第２直列回路３０の一端部が接続されている。
【００６７】
さらに図１に示すように、前記集積回路２２内には、インターバルスイッチ回路５２及びクロック回路５３が設けられている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチがオフされると集積回路２２内への通電が停止するようになっている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチのオン・オフは、前記クロック回路５３からのクロック信号に連動しており、前記インターバルスイッチ回路５２は通電状態を間欠的に行う節電機能を有している。
【００６８】
前記クロック回路５３からのクロック信号は、第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８にも出力される。前記第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８では前記クロック信号を受けると、そのクロック信号を分割し、非常に短い周期でスイッチ動作を行うように制御されている。例えば１パルスのクロック信号が数十ｍｓｅｃであるとき、数十μｍｓｅｃ毎にスイッチ動作を行う。
【００６９】
前記磁気センサ８は図８に示すようにパッケージ化されており、その外周に、前記入力端子３９、アース端子４２及び２つの外部出力端子４０，４１が露出している。
【００７０】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は、共に、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に基づいて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を発揮するＧＭＲ素子である。
【００７１】
ここで、（＋Ｈ）方向の外部磁界はある一方向を示し、本実施形態では、図示Ｘ１方向に向く方向である（図９を参照）。
【００７２】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８の層構造及びＲ―Ｈ曲線について以下で詳しく説明する。
【００７３】
図９に示すように、前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は共に、基板７０上に、下から下地層６０，シード層６１、反強磁性層６２、固定磁性層６３、非磁性中間層６４、６７（第１磁気抵抗効果素子２３の非磁性中間層を符号６４、第２磁気抵抗効果素子２８の非磁性中間層を符号６７とした）、フリー磁性層６５、及び保護層６６の順で積層されている。前記下地層６０は、例えば、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素の非磁性材料で形成される。前記シード層６１は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒで形成される。前記反強磁性層６２は、元素α（ただしαは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、又は、元素αと元素α′（ただし元素α′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される。例えば前記反強磁性層６２は、ＩｒＭｎやＰｔＭｎで形成される。前記固定磁性層６３及びフリー磁性層６５はＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金等の磁性材料で形成される。また前記非磁性中間層６４，６７はＣｕ等で形成される。また前記保護層６６はＴａ等で形成される。前記固定磁性層６３やフリー磁性層６５は積層フェリ構造（磁性層／非磁性層／磁性層の積層構造であり、非磁性層を挟んだ２つの磁性層の磁化方向が反平行である構造）であってもよい。また前記固定磁性層６３やフリー磁性層６５は材質の異なる複数の磁性層の積層構造であってもよい。
【００７４】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８では、前記反強磁性層６２と前記固定磁性層６３とが接して形成されているため磁場中熱処理を施すことにより前記反強磁性層６２と前記固定磁性層６３との界面に交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じ、前記固定磁性層６３の磁化方向は一方向に固定される。図９では、前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａを矢印方向で示している。第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８において前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａは共に図示Ｘ２方向である。
【００７５】
また、無磁場状態（外部磁界が作用していないとき）での前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａは、第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８共に、図示Ｘ２方向である。よって無磁場状態では、前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａと前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａは平行状態である。
【００７６】
図９に示すように前記第１磁気抵抗効果素子２３と前記第２磁気抵抗効果素子２８では非磁性中間層６４、６７の膜厚が異なっている。前記非磁性中間層６４，６７は上記したように例えばＣｕで形成されるが、Ｃｕ厚を変化させることで固定磁性層６３とフリー磁性層６５との間で作用する層間結合磁界Ｈｉｎの大きさが変化する。
【００７７】
前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と、前記第２磁気抵抗効果素子２８に作用する第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は、同符号であり、前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の絶対値は、前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の絶対値よりも小さくなるように、前記非磁性中間層６４，６７の膜厚が調整されている。
【００７８】
図１２は、第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８のＲ−Ｈ曲線を示す。なおグラフでは縦軸が抵抗値Ｒであるが、抵抗変化率（％）であってもよい。図１２に示すように、外部磁界を無磁場状態（ゼロ）から徐々に（＋Ｈ）方向に増加していくと、第１磁気抵抗効果素子２３のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａとの平行状態が崩れて反平行状態に近づくため前記第１磁気抵抗効果素子２３の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ１上を辿って徐々に大きくなり、やがて最大抵抗値に達する。そこから（＋Ｈ）方向の外部磁界を徐々にゼロに向けて小さくしていくと、前記第１磁気抵抗効果素子２３の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ２上を辿って徐々に小さくなり、やがて最小抵抗値に達する。
【００７９】
このように、第１磁気抵抗効果素子２３のＲ−Ｈ曲線には、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に対して、曲線ＨＣ１と曲線ＨＣ２で囲まれたループ部Ｌ１が形成される。前記第１磁気抵抗効果素子２３の最大抵抗値と最低抵抗値の中間値であって、前記ループ部Ｌ１の広がり幅の中心値がループ部Ｌ１の「中点」である。そして前記ループ部Ｌ１の中点での磁界の強さで第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の大きさが決定される。図１２に示すように第１磁気抵抗効果素子２３の前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１は（＋Ｈ）方向の外部磁界方向へシフトしている。
【００８０】
図１２に示すように、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変化する外部磁界の磁界強度では、第２磁気抵抗効果素子２８の電気抵抗値は変化しない。すなわち前記第２磁気抵抗効果素子２８のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａは、図９に示す平行状態を保ち電気抵抗値が低いままとなっている。
【００８１】
さらに（＋Ｈ）方向からの外部磁界の磁界強度を強くしていくと、やがて、第２磁気抵抗効果素子２８のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａが、図示Ｘ２方向から徐々に図示Ｘ１方向へ移動し、前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａとの平行状態が崩れて反平行状態に近づくため前記第２磁気抵抗効果素子２８の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ３上を辿って徐々に大きくなり、やがて最大抵抗値に達する。そこから（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を徐々に小さくしていくと、前記第２磁気抵抗効果素子２８の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ４上を辿って徐々に小さくなり、やがて最小抵抗値に達する。
【００８２】
このように、第２磁気抵抗効果素子２８のＲ−Ｈ曲線には、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に対して、曲線ＨＣ３と曲線ＨＣ４で囲まれたループ部Ｌ２が形成される。前記第２磁気抵抗効果素子２８の最大抵抗値と最低抵抗値の中間値であって、前記ループ部Ｌ２の広がり幅の中心値がループ部Ｌ１の「中点」である。そして前記ループ部Ｌ２の中点での磁界の強さで第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の大きさが決定される。図１２に示すように第２磁気抵抗効果素子２８の前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は（＋Ｈ）方向の外部磁界方向へシフトしている。
【００８３】
（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を正値、前記（＋Ｈ）方向とは反対の（−Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を負値とすれば、前記第１磁気抵抗効果素子２３の第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２磁気抵抗効果素子２８の第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は共に正値である。なお、前記第１磁気抵抗効果素子２３の第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２磁気抵抗効果素子２８の第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は共に負値であってもよい。
【００８４】
いずれにしても本実施形態では、第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２層間結合磁界Ｈｉｎ２が同符号で、しかも、前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の絶対値と前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の絶対値が異なる大きさに調整されている。これにより前記第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８の同じ方向からの外部磁界の磁界強度に対する磁気感度は異なっている。
【００８５】
本実施形態では、第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は、共に、（＋Ｈ）方向からの外部磁界の磁界強度変化に対して電気抵抗値が変化するが、第２磁気抵抗効果素子２８は、第１磁気抵抗効果素子２３に比べ、より強い磁界強度にて電気抵抗値が変化する。
【００８６】
このように、第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８を同じ方向からの外部磁界の磁界強度に対して磁気感度を異ならせる理由は、図２，図３、及び図５及び図６で説明したように、表示筐体と操作筐体間の開閉距離に伴い前記磁気センサ８に磁石７から作用する外部磁界は、磁界強度は異なるが方向は同じだからである。
【００８７】
一方、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、いずれも外部磁界に対して電気抵抗値は変化しない。
【００８８】
例えば、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と同じ材料構成で形成されるが、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と異なって、フリー磁性層６５と非磁性中間層６４とが逆積層されている。すなわち、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、下から下地層６０、シード層６１、反強磁性層６２、固定磁性層６３、フリー磁性層６５、非磁性中間層６４、及び保護層６６の順に積層される。前記フリー磁性層６５は、前記固定磁性層６３に接して形成されるため、第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８のように外部磁界に対して磁化変動せず、もはやフリー磁性層６５として機能しない（固定磁性層６３と同様に磁化方向が固定された磁性層である）。
【００８９】
このように、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２を、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と同じ材料構成で形成することで、前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８の温度係数（ＴＣＲ）と、各固定抵抗素子２４、２７、３１、３２の温度係数とのばらつきを抑制できる。
【００９０】
次に、外部磁界の検出原理について説明する。
図７は、第１ブリッジ回路ＢＣ１と第１外部出力端子４０とが接続された回路状態を示す。
【００９１】
本実施形態の磁気センサ８に作用する（＋Ｈ）方向の外部磁界がゼロから徐々に大きくなると、まず、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変動し、前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５での中点電位が変動する。
【００９２】
今、図１に示す回路状態では、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３の中点電位を基準電位とし、前記第１直列回路２６と第３直列回路３４とで構成される第１ブリッジ回路ＢＣ１の第１出力取り出し部２５と第３出力取り出し部３３との差動電位を、前記差動増幅器３５にて生成し、コンパレータ３８に向けて出力する。前記コンパレータ３８では、シュミットトリガー入力により前記差動電位がデジタル波形に整形される。
【００９３】
図１３は、外部磁界Ｈの磁界強度と、前記第１外部出力端子４０から出力される信号（電圧値）との関係を示している。前記外部磁界Ｈが無磁場状態から＋Ｈ１となったとき、出力信号はＨｉｇｈからＬｏｗとなる。一方、外部磁界Ｈが＋Ｈ２以下になると、出力信号はＬｏｗからＨｉｇｈになる。
【００９４】
次に、図７に示す第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８のスイッチ動作により、第２ブリッジ回路ＢＣ２と第２外部出力端子４１とが接続される場合と考える。
【００９５】
本実施形態の磁気センサ８に作用する（＋Ｈ）方向の外部磁界がゼロから徐々に大きくなり、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変動する外部磁界強度を越えて、外部磁界が大きくなると、やがて、前記第２磁気抵抗効果素子２８の電気抵抗値が変動し、前記第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９での中点電位が変動する。
【００９６】
このとき、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３の中点電位を基準電位とし、前記第２直列回路３０と第３直列回路３４とで構成される第２ブリッジ回路ＢＣ２の第２出力取り出し部２９と第３出力取り出し部３３との差動電位を、前記差動増幅器３５にて生成し、コンパレータ３８に向けて出力する。前記コンパレータ３８では、シュミットトリガー入力により前記差動電位がデジタル波形に整形される。
【００９７】
図１４は、外部磁界Ｈの磁界強度と、前記第２外部出力端子４１から出力される信号（電圧値）との関係を示している。前記外部磁界Ｈが無磁場状態から＋Ｈ３となったとき、出力信号はＨｉｇｈからＬｏｗとなる。一方、外部磁界Ｈが＋Ｈ４以下になると、出力信号はＬｏｗからＨｉｇｈになる。
【００９８】
本実施形態では、図７に示すように、差動増幅器３５及びコンパレータ３８をそれぞれ一つずつ設け、図１３及び図１４に示すように、シュミットトリガー入力により前記差動電位をデジタル波形に整形する際のスレッショルドレベル（閾値電位）を、第１ブリッジ回路ＢＣ１から得られた差動電位、及び第２ブリッジ回路ＢＣ２から得られた差動電位に対して共通化している。よって回路構成を簡単にできる。
【００９９】
以上、図７ないし図９、及び図１２ないし図１４にて説明した磁気センサ８が、図１に示すノート型パーソナルコンピュータ１に内蔵されると、図２に示す状態にて前記磁気センサ８の第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの第１の磁界強度が＋Ｈ１であると、図１３に示すように、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第１の検知信号）が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第１外部出力端子４０からＬｏｗ信号を受けると、表示筐体２内部に設けられたバックライトを消灯するように制御されており、バックライトが消灯されることで表示部４の表示が消える。
【０１００】
また図２の状態から表示筐体２と操作筐体３間を開き、前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの磁界強度が＋Ｈ２になると、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＬｏｗからＨｉｇｈとなり、Ｈｉｇｈ信号が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第１外部出力端子４０からＨｉｇｈ信号を受けると、表示筐体２内部に設けられたバックライトを点灯するように制御されており、これにより使用状態に復帰できる。
【０１０１】
さらに図３に示すように、ノート型パーソナルコンピュータ１の表示筐体２と操作筐体３間を閉じたとき、第２磁気抵抗効果素子２８に作用する外部磁界Ｈの第２の磁界強度が＋Ｈ３であると、図１４に示すように、第２外部出力端子４１から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第２の検知信号）が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第２外部出力端子４１からＬｏｗ信号を受け、一定時間経過すると、スリープモードに移行するように制御されている。
【０１０２】
また、図７ないし図９、及び図１２ないし図１４にて説明した磁気センサ８が、図４に示す折畳み式携帯電話１０に内蔵されると、図５に示す状態にて前記磁気センサ８の第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの第１の磁界強度が＋Ｈ１であると、図１３に示すように、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第１の検知信号）が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第１外部出力端子４０からＬｏｗ信号を受けると、通話モードを保留するモードとなるように制御する。
【０１０３】
また図５の状態から表示筐体１１と操作筐体１２間を開き、前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの磁界強度が＋Ｈ２になると、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＬｏｗからＨｉｇｈとなり、Ｈｉｇｈ信号が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第１外部出力端子４０からＨｉｇｈ信号を受けると、保留モードを解除し、通話モードに復帰するように制御されている。
【０１０４】
さらに図６に示すように、折畳み式携帯電話１０の表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じたとき、第２磁気抵抗効果素子２８に作用する外部磁界Ｈの第２の磁界強度が＋Ｈ３であると、図１４に示すように、第２外部出力端子４１から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第２の検知信号）が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第２外部出力端子４１からＬｏｗ信号を受けると、通話を切断するモードに移行するように制御されている。
【０１０５】
以上、図１ないし図６では電子機器としてノート型パーソナルコンピュータ１及び折畳み式携帯電話１０を提示したが、電子機器は、ノート型パーソナルコンピュータ１や折畳み式携帯電話１０以外であってもよい。例えば第１本体と第２本体とがヒンジ部を介して回動する開閉式のものでなく、第１本体と第２本体間の間隔が変動するもので、前記間隔を２段階以上検知するもの、例えば、ワイパー機構やシートポジションの検出部に使用することもできる。
【０１０６】
また上記の実施形態では、外部磁界の検知は、２段階であったが、３段階以上であってもよい。かかる場合には同一方向の外部磁界の磁界強度に対して感度が異なる３つ以上の磁気抵抗効果素子を設け、これら磁気抵抗効果素子を別々のブリッジ回路に組むことで達成できる。
【０１０７】
また外部磁界を検出する素子としては、ＧＭＲ素子以外に、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したＴＭＲ素子であってもよい。ホール素子にも適用できる。
【０１０８】
ただし本実施形態では、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を使用することが好適である。層間結合磁界Ｈｉｎを調整することで簡単に図１２に示すＲ−Ｈ曲線を得て、同じ方向の外部磁界Ｈの磁界強度変化に対して磁気感度が異なる複数の磁気検出素子を形成できるからである。またＧＭＲ素子やＴＭＲ素子では微小磁界を検知しやすく、図２や図３に示すようにやや開いた状態での磁気検出を適切に行うことができ第１本体と第２本体間の開閉距離を複数段階で検知しやすい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】ノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）の斜視図、
【図２】図１のノート型パーソナルコンピュータを開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記ノート型パーソナルコンピュータの側面図、
【図３】ノート型パーソナルコンピュータを閉じた状態を示すノート型パーソナルコンピュータの側面図、
【図４】折畳み式携帯電話（電子機器）の平面図、
【図５】図４の折畳み式携帯電話を開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記折畳み式携帯電話の側面図、
【図６】折畳み式携帯電話を閉じた状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、
【図７】電子機器内に内蔵される磁気センサの回路構成図、
【図８】本実施形態の磁気センサの平面図、
【図９】前記磁気センサに内蔵される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の断面図、
【図１０】本実施形態におけるノート型パーソナルコンピュータの部分ブロック図、
【図１１】本実施形態における折畳み式携帯電話の部分ブロック図、
【図１２】第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子のＲ−Ｈ曲線を示すグラフ、
【図１３】外部磁界と、第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、
【図１４】外部磁界と、第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
【０１１０】
１ ノート型パーソナルウコンピュータ
２、１１ 表示筐体
３、１２ 操作筐体
４、２０ 表示部
５ キーボード
７ 磁石
８ 磁気センサ
９、１７ 制御部
１０ 折畳み式携帯電話
１３ ヒンジ部
１８ 保留音声部
１９ 操作部
２１ 抵抗素子部
２２ 集積回路（ＩＣ）
２３ 第１磁気抵抗効果素子
２４ 第１固定抵抗素子
２５ 第１出力取り出し部
２６ 第１直列回路
２７ 第２固定抵抗素子
２８ 第２磁気抵抗効果素子
２９ 第２出力取り出し部
３０ 第２直列回路
３１ 第３固定抵抗素子
３２ 第４固定抵抗素子
３３ 第３出力取り出し部
３４ 第３直列回路
３５ 差動増幅器
３６ 第１スイッチ回路
３８ コンパレータ
３９ 入力端子
４０ 第１外部出力端子
４１ 第２外部出力端子
４２ アース端子
４３ 第２スイッチ回路
４６、４７ ラッチ回路
４８ 第３スイッチ回路
５３ クロック回路
６２ 反強磁性層
６３ 固定磁性層
６４、６７ 非磁性中間層
６５ フリー磁性層
６６ 保護層
７０ 基板
Ｈｉｎ１、Ｈｉｎ２ 層間結合磁界
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触式の磁気センサを用い、第１本体と第２本体間の異なる２以上の間隔を検知して夫々、所定のモードに移行することが可能な電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば表示筐体と操作筐体とがヒンジ部を介して連結されて成るノート型パーソナルコンピュータでは、前記表示筐体と操作筐体間を閉じると機械的なスイッチが押圧されることでスリープモードに移行するように制御されている。
【０００３】
また折畳み式の携帯電話では、前記表示筐体と操作筐体間を開いたときに自動的に表示筐体に設けられているバックライトが点灯するように制御されている。
【特許文献１】特開２００３−００７１６８号公報
【特許文献２】特許第２９４４９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば上記したノート型パーソナルコンピュータでは、スリープモードに移行した場合、その後、前記表示筐体と操作筐体間を開いても、デバイスは直ぐには再起動せず、決められたアクセス条件、例えばパスワードを入力することが必要であった。
【０００５】
スリープモードは、デバイスを停止させ、再起動用の電力しか消費せずデバイスの消費電力を低減させるための機構としてノート型パーソナルコンピュータ等に用いられている。
【０００６】
前記スリープモードは、ノート型パーソナルコンピュータを長時間使用しないような場合には効果的であるが、ノート型パーソナルコンピュータを短時間だけ閉じる度にスリープモードに移行したのでは、その都度、デバイスを立ち上げる操作が必要となり使い勝手が悪かった。
【０００７】
また従来では、機械的なスイッチを用いて、前記表示筐体と操作筐体間が閉じられたことを検知しスリープモードに移行するため、例えば開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知して、スリープモード以外のモードを起動させるようなことはしていなかった。
折畳み式の携帯電話でも同様で従来では開閉検知しか行っていなかった。
【０００８】
上記した特許文献１，２には、押圧距離（押圧力）に応じて複数回のスイッチング動作が可能なスイッチ機構が開示されている。
【０００９】
しかしながら上記した特許文献１，２に記載されたスイッチは接触式であるため、例えば前記スイッチをノート型コンピュータ等に搭載した場合、押圧により磨耗が生じる等して長寿命を得ることが出来なかった。またスイッチ構造の小型化が困難であった。さらに、接触式のスイッチのため、表示筐体と操作筐体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態の検知は不可能であった。
【００１０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、非接触式の磁気センサを用い、第１本体と第２本体間の異なる２以上の間隔を検知して、夫々、所定のモードに移行することが可能な電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の電子機器は、第１本体と第２本体を有し、前記第１本体と前記第２本体間の間隔は変動可能とされており、
前記第１本体及び第２本体の一方に磁石、他方に前記磁石から発せられた外部磁界を検出できる磁気検出素子を備えた非接触式の磁気センサが設けられており、
前記磁気センサは、少なくとも、前記第１本体と前記第２本体間が開いた状態で前記磁石と前記磁気検出素子間が第１の距離となったときに、前記外部磁界の前記第１の距離に基づく磁界強度を検知して第１の検知信号を、前記磁石と前記磁気検出素子間が、前記第１の距離よりも小さい第２の距離となったとき、前記外部磁界の前記第２の距離に基づく磁界強度を検知して第２の検知信号を夫々生成し、
前記第１の検知信号、及び、前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能な制御部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、第１本体と第２本体間の間隔が変動する形態の電子機器において、２以上の異なる間隔に応じて、夫々、所定のモードに移行させることを可能としている。よって、例えばノート型パーソナルコンピュータの第１本体と第２本体間の開閉時、従来に比べてバラエティに富むモード切換えを行うことができる。また、非接触式の磁気センサを用いることで、長寿命を得ることができ、また磁気センサの小型化を促進できる。
【００１３】
本発明では、前記磁気センサは、前記第１本体と前記第２本体間の開閉検知用に用いられる前記第２の検知信号と、前記開閉検知とは別に、前記第１本体と前記第２本体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知するための前記第１の検知信号を生成するものであることが好ましい。例えば開閉検知は、別の磁気センサや従来と同様に機械的なスイッチで行ってもよいが、本発明の磁気センサが開閉検知も兼ねることで、電子機器に搭載されるセンサ機構を簡単にすることができる。
【００１４】
例えば本発明の前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備えるノート型パーソナルコンピュータであり、
使用状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づき、スリープモードより簡易的な消費電力低減モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて前記スリープモードに移行することが好ましい。
【００１５】
本発明では、前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記消費電力低減モードが解除されて前記使用状態に復帰できるように制御していることが好ましい。
【００１６】
また、前記消費電力低減モードでは、前記表示部の表示が消えるように制御されていることが好ましい。またこのとき、前記消費電力低減モードでは、前記表示部の裏側に設けられたバックライトが消灯するように制御されていることが好ましい。
【００１７】
「使用状態」とは電源を入れて各種デバイスが起動している状態を指す。上記のように、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じるまでの間に、スリープモードになる前に簡易的な消費電力低減モードを起動させることができ、しかもその状態から再び第１本体と第２本体間を開くと前記消費電力低減モードが解除されて使用状態に復帰できるので、例えば、ノート型パーソナルコンピュータを短時間使用しない場合のように、わざわざスリープモードにすることなく消費電力を低減させることが可能であり、使い勝手を向上させることが出来る。
【００１８】
また本発明の前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備える折畳み式携帯電話であり、
通話状態において、第１本体と第２本体とを開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づいて通話保留モードに移行し、
前記第１の距離から、さらに第１本体と第２本体とを閉じる方向へ移動させて前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて通話の切断モードに移行することが好ましい。
【００１９】
またこのとき、前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記通話保留モードが解除されて前記通話状態に復帰できるように制御されていることが好ましい。
【００２０】
従来では、通話を保留するには、通話中に、操作部の所定釦を押す等する操作が必要であったが、本発明では、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ途中まで移動させるだけで、通話保留モードに移行でき、またその状態から第１本体と第２本体とを開くだけで再び通話状態に戻すことができるから、従来に比べて使い勝手を向上できる。
【００２１】
本発明では、前記磁気センサは、同じ方向からの前記外部磁界の磁界強度に対して磁気感度が異なる磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子とを有し、前記第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第１の検知信号が生成され、前記第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第２の検知信号が生成されることが好ましい。これにより、同じ方向からの外部磁界の異なる磁界強度を適切に検知することが出来る。
【００２２】
また本発明では、各検知信号は共通の閾値により生成されることが磁気センサの回路構成を簡単にでき、また磁気センサの小型化に寄与して好適である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、第１本体と第２本体間の間隔が変動する形態の電子機器において、２以上の異なる間隔に応じて、夫々、所定のモードに移行させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、ノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）の斜視図、図２は、図１のノート型パーソナルコンピュータを開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記ノート型パーソナルコンピュータの側面図、図３は、ノート型パーソナルコンピュータを閉じた状態を示すノート型パーソナルコンピュータの側面図、図４は、折畳み式携帯電話（電子機器）の平面図、図５は、図４の折畳み式携帯電話を開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記折畳み式携帯電話の側面図、図６は、折畳み式携帯電話を閉じた状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、図７は、電子機器内に内蔵される磁気センサの回路構成図、図８は本実施形態の磁気センサの平面図、図９は、前記磁気センサに内蔵される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の断面図、図１０は、本実施形態におけるノート型パーソナルコンピュータの部分ブロック図、図１１は、本実施形態における折畳み式携帯電話の部分ブロック図、図１２は、第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子のＲ−Ｈ曲線を示すグラフ、図１３は、外部磁界と、第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、図１４は、外部磁界と、第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、である。
【００２５】
図１に示すノート型パーソナルコンピュータ１は、表示筐体２と操作筐体３とがヒンジ部を介して開閉自在に連結されている。図１は、前記表示筐体２と操作筐体３を開いた使用状態を示している。
【００２６】
図１に示すように前記表示筐体２の前記操作筐体３との対向面２ａには、液晶等の表示部４が設けられている。また、前記操作筐体３の前記表示筐体２との対向面３ａにはキーボード５やタッチパッド６等の操作部１９が設けられている。
【００２７】
図１に示すように前記表示筐体２の内部には、磁石７が設けられており、前記操作筐体３の内部には非接触式の磁気センサ８が設けられている。前記磁石７と前記磁気センサ８は、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じたときにちょうど高さ方向にて対向する位置か、あるいは前記対向する位置からややずれて配置されている（図３を参照）。
【００２８】
図１に示す使用状態では、電源を入れて各種デバイスが起動している。表示部４には、デスクトップ上の各種アイコン、あるいはキーボード５により打ち込んだ文字等が表示されている。
【００２９】
このようにデバイスが起動している使用状態で、前記表示筐体２をヒンジ部にて回動させて、図２の状態まで前記表示筐体２と前記操作筐体３間を近付けると、前記磁石７と、前記磁気センサ８内に含まれる外部磁界を検知するための磁気検出素子間の距離が第１の距離Ｔ１となり、前記磁気センサ８は、前記磁石７から発せられる外部磁界の第１の磁界強度ＨAを検知して第１の検知信号を生成し出力する。前記第１の距離Ｔ１及び後述する第２の距離Ｔ２は、例えば、前記磁石７の膜厚中心から前記磁気検出素子の膜厚中心（後述する磁気抵抗効果素子の場合、フリー磁性層の膜厚中心）までの直線距離として定義される。
【００３０】
図１０に示すように前記磁気センサ８から前記ノート型パーソナルコンピュータ１内に内蔵されている制御部９に、前記第１の検知信号が入力されると、前記制御部９では、前記第１の検知信号に基づいて、例えば前記表示筐体２の内部であって、表示部４の裏側に設けられたバックライト（図示せず）を消灯して、前記表示部４の表示を消す小消費電力低減モードに移行する。
【００３１】
この小消費電力低減モードは、前記バックライトを消灯するだけであるからスリープモードに比べて簡易的な消費電力モードである。ここで「簡易的」とは、起動しているデバイアスの停止がスリープモードに比べて小規模である状態を言う。小消費電力低減モードでは、キーボード５やマウス等の入力装置や、ＣＰＵ、記憶装置といった各種デバイスは起動した状態のままであり、上記のように例えば、バックライトを消灯するだけである。よって小消費電力低減モードでは、スリープモードに比べて消費電力の低減効果は小さいが、制御部９は、図２の状態から、再び、図１の状態へ、表示筐体２と操作筐体３間を開くと、前記小消費電力低減モードを解除して前記バックライトを点灯させ、前記表示部４に、前記ノート型パーソナルコンピュータ１を閉じる前の使用状態に復帰できるように制御している。したがって、短時間だけノート型パーソナルコンピュータ１を使用せず、わざわざスリープモードにするほどでない場合に効果的に適用できる。
【００３２】
一方、図３に示すように、前記表示筐体２と操作筐体３とを閉じると、前記磁石７と、磁気センサ８に設けられる磁気検出素子間が図２に示す第１の距離Ｔ１よりも短い第２の距離Ｔ２になる。
【００３３】
図３のように閉じた状態で磁気センサ８が受ける外部磁界と、図２の閉じるまでの途中状態時に磁気センサ８が受ける外部磁界とは、同じ方向であるが、図３の状態では、図２の状態に比べて、前記磁石７から前記磁気センサ８に発せられる外部磁界Ｈの磁界強度は強まる。このとき、前記磁気センサ８では、前記磁石７から発せられる外部磁界の第２の磁界強度ＨB（図２の第１の磁界強度ＨAより強い）を検知して第２の検知信号を生成し出力する。
【００３４】
そして図１０に示す制御部９に、前記第２の検知信号が入力されると、前記制御部９では、前記第２の検知信号に基づいて、一定時間アクセスが無い限り各種デバイスを停止し、再起動用の電力のみを消費するスリープモードに移行する。スリープモードの起動は、前記ノート型パーソナルコンピュータ１を長時間使用しない場合等に効果的である。
【００３５】
なお一旦、前記スリープモードになると、図３の状態から図２の状態にまで、さらには図１の状態にまで表示筐体２と操作筐体３間を開いても、スリープモードは解除されず、キーボード５の所定釦を押圧する等の所定アクセスにより前記スリープモードを解除できる。
【００３６】
以上のように、本実施形態のノート型パーソナルコンピュータ１に設けられた磁気センサ８では、前記表示筐体２と操作筐体３間を閉じる過程で、前記磁石７と磁気センサ８に設けられた磁気検出素子間の距離に応じて、第１の検知信号、第２の検知信号を生成し、制御部９では、前記第１の検知信号及び前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能なように制御している。
【００３７】
従来では、ノート型パーソナルコンピュータ１の表示筐体２と操作筐体３間を閉じるとスリープモードが起動するように制御されていたが、閉じるまでの途中状態で前記スリープモードよりも簡易的な消費電力低減モードを起動するような制御はされていなかった。本実施形態では、前記スリープモードとなる前に、閉じるまでの途中状態で簡易的な消費電力低減モードを起動させることができるように制御されており、よってノート型パーソナルコンピュータ１の使用者は、ノート型パーソナルコンピュータ１の開閉という非常に簡単な操作で、簡易的な消費電力低減モードか、スリープモードかを選択でき、従来に比べて使い勝手を向上させることが出来る。
【００３８】
また、図２の状態から図１の状態へ表示筐体２と操作筐体３間を開いたときに、例えばマウスを動かす等の簡単な操作で消費電力低減モードを解除できるようにしてもよいが、図２の状態から図１の状態へ再び表示筐体２と操作筐体３間を開くだけの操作で、図２のときに起動した例えばバックライトを消灯して表示部４の表示を消す小消費電力低減モードを解除して、使用状態に復帰できるようにすれば、本実施形態のノート型パーソナルコンピュータ１は、使用者にとって、短時間だけノート型パーソナルコンピュータ１を使用しない場合等に、非常に使い勝手がよいものとなる。
【００３９】
また、例えば、前記表示筐体２と操作筐体３間の開閉検知は、図３での第２の磁界強度ＨBの検知により行うことができるので、開閉検知用として、別に磁気センサや機械的なスイッチ等を用いる必要性がなく、前記ノート型パーソナルコンピュータ１に搭載されるセンサ機構を簡単なものに出来る。
【００４０】
また本実施形態では、非接触式の磁気センサを用いるので、長寿命を得ることができ、しかも磁気センサの小型化も促進できる。
【００４１】
図４に示す折畳み式携帯電話１０に本実施形態の非接触式の磁気センサ８及び磁石７を内蔵してもよい。
【００４２】
前記折畳み式携帯電話１０は、表示筐体１１と操作筐体１２とがヒンジ部１３を介して開閉自在に連結されている。折畳み式携帯電話１０を閉じたときに前記前記操作筐体１２に対向する前記表示筐体１１の対向面１１ａには、表示部２０やスピーカ１４が設けられている。また折畳み式携帯電話１０を閉じたときに前記前記表示筐体１１に対向する前記操作筐体１２の対向面１２ａには、各種釦１５やマイク１６が設けられている。
【００４３】
図４に示すように、前記表示筐体１１の内部には、磁石７が設けられており、前記操作筐体１２の内部には非接触式の磁気センサ８が設けられている。前記磁石７と前記磁気センサ８は、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じたときにちょうど高さ方向にて対向する位置か、あるいは前記対向する位置からややずれて配置されている（図６参照）。
【００４４】
今、図４に示す表示筐体２と操作筐体３間を開いた状態で通話モードとなっているとする。
【００４５】
このように通話モードの状態で、前記表示筐体１１をヒンジ部１３にて回動させ、図５に示す状態にまで前記表示筐体１１と前記操作筐体１２間を近付けると、前記磁石７と、前記磁気センサ８内に含まれる外部磁界を検知するための磁気検出素子間の距離が第１の距離Ｔ１となり、前記磁気センサ８は、前記磁石７から発せられる外部磁界の第１の磁界強度ＨAを検知して第１の検知信号を生成し出力する。
【００４６】
図１１に示すように前記磁気センサ８から前記折畳み式携帯電話１０内に内蔵されている制御部１７に、前記第１の検知信号が入力されると、前記制御部１７では、前記第１の検知信号に基づいて、保留音声部１８からスピーカ１４へ保留音を流するとともにマイク１６の使用を中断する通話保留モードへ移行する。
【００４７】
図５の状態から、再び、図４の状態へ、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を開くと、前記第１の検知信号の制御部１７への入力は無くなって再び通話モードに移行する。
【００４８】
一方、図６に示すように、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じると、前記磁石７と磁気センサ８に設けられる磁気検出素子間が図５に示す第１の距離Ｔ１よりも短い第２の距離Ｔ２になる。
【００４９】
図６のように閉じた状態で磁気センサ８が受ける外部磁界と、図５の閉じるまでの途中状態時に磁気センサ８が受ける外部磁界とは、同じ方向であるが、図６の状態では、図５の状態に比べて、前記磁石７から前記磁気センサ８に発せられる外部磁界Ｈの磁界強度は強まる。このとき、前記磁気センサ８では、前記磁石７から発せられる外部磁界の第２の磁界強度ＨB（図５の第１の磁界強度ＨAより強い）を検知して第２の検知信号を生成し出力する。
【００５０】
そして図１１に示す制御部１７に、前記第２の検知信号が入力されると、前記制御部１７では、前記第２の検知信号に基づいて、スピーカ１４及びマイク１６の使用を無効とし相手方との通話を切断するモード、すなわち電話を切るモードに移行する。
【００５１】
以上のように、本実施形態の折畳み式携帯電話１０には、前記表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じる過程で、前記磁石７と磁気センサ８間の距離に応じて、通話保留モード、あるいは、通話切断モードに移行可能な制御部１７を有している。
【００５２】
このように本実施形態では、これら２つのモードを閉じる際の表示筐体１１と操作筐体１２間の距離で変更可能にしているので、折畳み式携帯電話１０にて通話している使用者は、非常に簡単な操作で、例えば通話を保留するか、通話を切断するかを選択でき、従来に比べて使い勝手を向上させることが出来る。
【００５３】
また、図５の状態から図４の状態へ表示筐体１１と操作筐体１２間を開いたときに、例えばある所定釦を押して、通話保留モードを解除できるようにしてもよいが、図５の状態から図４の状態へ再び表示筐体１１と操作筐体１２間を開くだけの操作で通話モードに戻るようにすれば、誤った釦を押して電話を切ってしまう等の不具合が生じにくく使い勝手が良い。
【００５４】
また、記表示筐体１１と操作筐体１２間の開閉検知は、図６での第２の磁界強度ＨBの検知により行うことができるので、開閉検知用として、別に磁気センサや機械的なスイッチ等を用いる必要性がなく、折畳み式携帯電話１０に搭載されるセンサ機構を簡単なものに出来る。
【００５５】
また本実施形態では、非接触式の磁気センサを用いるので、長寿命を得ることができ、しかも磁気センサの小型化も促進できる。
【００５６】
本実施形態の磁気センサ８の具体的構成について説明する。図７に示すように本実施形態の磁気センサ８は、抵抗素子部２１と集積回路（ＩＣ）２２とを有して構成される。
【００５７】
前記抵抗素子部２１には、第１磁気抵抗効果素子２３と第１固定抵抗素子２４とが第１出力取り出し部２５を介して直列接続された第１直列回路２６、及び、第２固定抵抗素子２７と第２磁気抵抗効果素子２８とが第２出力取り出し部２９を介して直列接続された第２直列回路３０が設けられる。
【００５８】
図７に示すように前記集積回路２２には、第３固定抵抗素子３１と第４固定抵抗素子３２が第３出力取り出し部３３を介して直列接続された第３直列回路３４が設けられる。
【００５９】
前記第３直列回路３４は、共通回路として前記第１直列回路２６及び前記第２直列回路３０と夫々ブリッジ回路を構成している。以下では前記第１直列回路２６と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第１ブリッジ回路ＢＣ１と、前記第２直列回路３０と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第２ブリッジ回路ＢＣ２と称する。
【００６０】
図７に示すように、前記第１ブリッジ回路ＢＣ１では、第１磁気抵抗効果素子２３と、前記第４固定抵抗素子３２が並列接続されるとともに、前記第１固定抵抗素子２４と前記第３固定抵抗素子３１が並列接続されている。また前記第２ブリッジ回路ＢＣ２では、前記第２固定抵抗素子２７と、前記第３固定抵抗素子３１が並列接続されるとともに、前記第２磁気抵抗効果素子２８と前記第４固定抵抗素子３２が並列接続されている。
【００６１】
図７に示すように前記主磁極層籍回路２２内には、入力端子（電源）３９、アース端子４２及び２つの外部出力端子４０，４１が設けられている。前記入力端子３９、アース端子４２及び外部出力端子４０，４１は夫々図示しない機器側の端子部とワイヤボンディングやダイボンディング等で電気的に接続されている。
【００６２】
前記入力端子３９に接続された信号ライン５０及び前記アース端子４２に接続された信号ライン５１は、前記第１直列回路２６，第２直列回路３０及び第３直列回路３４の両側端部に設けられた電極の夫々に接続されている。
【００６３】
図７に示すように集積回路２２内には、１つの差動増幅器３５が設けられ、前記差動増幅器３５の＋入力部、−入力部のどちらかに、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３が接続されている。なお、前記第３出力取り出し部３３と前記差動増幅器３５の接続は、次に説明する、前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５及び第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９と差動増幅器３５間の接続状態と異なって固定されている（非接続状態にはならない）。
【００６４】
前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５及び第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９は夫々第１スイッチ回路３６の入力部に接続され、前記第１スイッチ回路３６の出力部は前記差動増幅器３５の−入力部、＋入力部のどちらか（前記第３出力取り出し部３３が接続されていない側の入力部）に接続されている。
【００６５】
図７に示すように、前記差動増幅器３５の出力部はシュミットトリガー型のコンパレータ３８に接続され、さらに前記コンパレータ３８の出力部は第２スイッチ回路４３の入力部に接続され、さらに前記第２スイッチ回路４３の出力部側は２つのラッチ回路４６，４７及びＦＥＴ回路５４、５５を経て第１外部出力端子４０及び第２外部出力端子４１に夫々接続される。
【００６６】
さらに図７に示すように、前記集積回路２２内には第３スイッチ回路４８が設けられている。前記第３スイッチ回路４８の出力部は、前記アース端子４２に接続された信号ライン５１に接続され、前記第３スイッチ回路４８の入力部には、第１直列回路２６及び第２直列回路３０の一端部が接続されている。
【００６７】
さらに図１に示すように、前記集積回路２２内には、インターバルスイッチ回路５２及びクロック回路５３が設けられている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチがオフされると集積回路２２内への通電が停止するようになっている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチのオン・オフは、前記クロック回路５３からのクロック信号に連動しており、前記インターバルスイッチ回路５２は通電状態を間欠的に行う節電機能を有している。
【００６８】
前記クロック回路５３からのクロック信号は、第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８にも出力される。前記第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８では前記クロック信号を受けると、そのクロック信号を分割し、非常に短い周期でスイッチ動作を行うように制御されている。例えば１パルスのクロック信号が数十ｍｓｅｃであるとき、数十μｍｓｅｃ毎にスイッチ動作を行う。
【００６９】
前記磁気センサ８は図８に示すようにパッケージ化されており、その外周に、前記入力端子３９、アース端子４２及び２つの外部出力端子４０，４１が露出している。
【００７０】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は、共に、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に基づいて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を発揮するＧＭＲ素子である。
【００７１】
ここで、（＋Ｈ）方向の外部磁界はある一方向を示し、本実施形態では、図示Ｘ１方向に向く方向である（図９を参照）。
【００７２】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８の層構造及びＲ―Ｈ曲線について以下で詳しく説明する。
【００７３】
図９に示すように、前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は共に、基板７０上に、下から下地層６０，シード層６１、反強磁性層６２、固定磁性層６３、非磁性中間層６４、６７（第１磁気抵抗効果素子２３の非磁性中間層を符号６４、第２磁気抵抗効果素子２８の非磁性中間層を符号６７とした）、フリー磁性層６５、及び保護層６６の順で積層されている。前記下地層６０は、例えば、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素の非磁性材料で形成される。前記シード層６１は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒで形成される。前記反強磁性層６２は、元素α（ただしαは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、又は、元素αと元素α′（ただし元素α′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される。例えば前記反強磁性層６２は、ＩｒＭｎやＰｔＭｎで形成される。前記固定磁性層６３及びフリー磁性層６５はＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金等の磁性材料で形成される。また前記非磁性中間層６４，６７はＣｕ等で形成される。また前記保護層６６はＴａ等で形成される。前記固定磁性層６３やフリー磁性層６５は積層フェリ構造（磁性層／非磁性層／磁性層の積層構造であり、非磁性層を挟んだ２つの磁性層の磁化方向が反平行である構造）であってもよい。また前記固定磁性層６３やフリー磁性層６５は材質の異なる複数の磁性層の積層構造であってもよい。
【００７４】
前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８では、前記反強磁性層６２と前記固定磁性層６３とが接して形成されているため磁場中熱処理を施すことにより前記反強磁性層６２と前記固定磁性層６３との界面に交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じ、前記固定磁性層６３の磁化方向は一方向に固定される。図９では、前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａを矢印方向で示している。第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８において前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａは共に図示Ｘ２方向である。
【００７５】
また、無磁場状態（外部磁界が作用していないとき）での前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａは、第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８共に、図示Ｘ２方向である。よって無磁場状態では、前記固定磁性層６３の磁化方向６３ａと前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａは平行状態である。
【００７６】
図９に示すように前記第１磁気抵抗効果素子２３と前記第２磁気抵抗効果素子２８では非磁性中間層６４、６７の膜厚が異なっている。前記非磁性中間層６４，６７は上記したように例えばＣｕで形成されるが、Ｃｕ厚を変化させることで固定磁性層６３とフリー磁性層６５との間で作用する層間結合磁界Ｈｉｎの大きさが変化する。
【００７７】
前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と、前記第２磁気抵抗効果素子２８に作用する第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は、同符号であり、前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の絶対値は、前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の絶対値よりも小さくなるように、前記非磁性中間層６４，６７の膜厚が調整されている。
【００７８】
図１２は、第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８のＲ−Ｈ曲線を示す。なおグラフでは縦軸が抵抗値Ｒであるが、抵抗変化率（％）であってもよい。図１２に示すように、外部磁界を無磁場状態（ゼロ）から徐々に（＋Ｈ）方向に増加していくと、第１磁気抵抗効果素子２３のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａとの平行状態が崩れて反平行状態に近づくため前記第１磁気抵抗効果素子２３の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ１上を辿って徐々に大きくなり、やがて最大抵抗値に達する。そこから（＋Ｈ）方向の外部磁界を徐々にゼロに向けて小さくしていくと、前記第１磁気抵抗効果素子２３の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ２上を辿って徐々に小さくなり、やがて最小抵抗値に達する。
【００７９】
このように、第１磁気抵抗効果素子２３のＲ−Ｈ曲線には、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に対して、曲線ＨＣ１と曲線ＨＣ２で囲まれたループ部Ｌ１が形成される。前記第１磁気抵抗効果素子２３の最大抵抗値と最低抵抗値の中間値であって、前記ループ部Ｌ１の広がり幅の中心値がループ部Ｌ１の「中点」である。そして前記ループ部Ｌ１の中点での磁界の強さで第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の大きさが決定される。図１２に示すように第１磁気抵抗効果素子２３の前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１は（＋Ｈ）方向の外部磁界方向へシフトしている。
【００８０】
図１２に示すように、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変化する外部磁界の磁界強度では、第２磁気抵抗効果素子２８の電気抵抗値は変化しない。すなわち前記第２磁気抵抗効果素子２８のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａは、図９に示す平行状態を保ち電気抵抗値が低いままとなっている。
【００８１】
さらに（＋Ｈ）方向からの外部磁界の磁界強度を強くしていくと、やがて、第２磁気抵抗効果素子２８のフリー磁性層６５の磁化方向６５ａが、図示Ｘ２方向から徐々に図示Ｘ１方向へ移動し、前記フリー磁性層６５の磁化方向６５ａと固定磁性層６３の磁化方向６３ａとの平行状態が崩れて反平行状態に近づくため前記第２磁気抵抗効果素子２８の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ３上を辿って徐々に大きくなり、やがて最大抵抗値に達する。そこから（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を徐々に小さくしていくと、前記第２磁気抵抗効果素子２８の抵抗値Ｒは、曲線ＨＣ４上を辿って徐々に小さくなり、やがて最小抵抗値に達する。
【００８２】
このように、第２磁気抵抗効果素子２８のＲ−Ｈ曲線には、（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度変化に対して、曲線ＨＣ３と曲線ＨＣ４で囲まれたループ部Ｌ２が形成される。前記第２磁気抵抗効果素子２８の最大抵抗値と最低抵抗値の中間値であって、前記ループ部Ｌ２の広がり幅の中心値がループ部Ｌ１の「中点」である。そして前記ループ部Ｌ２の中点での磁界の強さで第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の大きさが決定される。図１２に示すように第２磁気抵抗効果素子２８の前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は（＋Ｈ）方向の外部磁界方向へシフトしている。
【００８３】
（＋Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を正値、前記（＋Ｈ）方向とは反対の（−Ｈ）方向の外部磁界の磁界強度を負値とすれば、前記第１磁気抵抗効果素子２３の第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２磁気抵抗効果素子２８の第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は共に正値である。なお、前記第１磁気抵抗効果素子２３の第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２磁気抵抗効果素子２８の第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は共に負値であってもよい。
【００８４】
いずれにしても本実施形態では、第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２層間結合磁界Ｈｉｎ２が同符号で、しかも、前記第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の絶対値と前記第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の絶対値が異なる大きさに調整されている。これにより前記第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８の同じ方向からの外部磁界の磁界強度に対する磁気感度は異なっている。
【００８５】
本実施形態では、第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８は、共に、（＋Ｈ）方向からの外部磁界の磁界強度変化に対して電気抵抗値が変化するが、第２磁気抵抗効果素子２８は、第１磁気抵抗効果素子２３に比べ、より強い磁界強度にて電気抵抗値が変化する。
【００８６】
このように、第１磁気抵抗効果素子２３と第２磁気抵抗効果素子２８を同じ方向からの外部磁界の磁界強度に対して磁気感度を異ならせる理由は、図２，図３、及び図５及び図６で説明したように、表示筐体と操作筐体間の開閉距離に伴い前記磁気センサ８に磁石７から作用する外部磁界は、磁界強度は異なるが方向は同じだからである。
【００８７】
一方、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、いずれも外部磁界に対して電気抵抗値は変化しない。
【００８８】
例えば、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と同じ材料構成で形成されるが、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と異なって、フリー磁性層６５と非磁性中間層６４とが逆積層されている。すなわち、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２は、下から下地層６０、シード層６１、反強磁性層６２、固定磁性層６３、フリー磁性層６５、非磁性中間層６４、及び保護層６６の順に積層される。前記フリー磁性層６５は、前記固定磁性層６３に接して形成されるため、第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８のように外部磁界に対して磁化変動せず、もはやフリー磁性層６５として機能しない（固定磁性層６３と同様に磁化方向が固定された磁性層である）。
【００８９】
このように、第１固定抵抗素子２４、第２固定抵抗素子２７、第３固定抵抗素子３１及び第４固定抵抗素子３２を、前記第１磁気抵抗効果素子２３や第２磁気抵抗効果素子２８と同じ材料構成で形成することで、前記第１磁気抵抗効果素子２３及び第２磁気抵抗効果素子２８の温度係数（ＴＣＲ）と、各固定抵抗素子２４、２７、３１、３２の温度係数とのばらつきを抑制できる。
【００９０】
次に、外部磁界の検出原理について説明する。
図７は、第１ブリッジ回路ＢＣ１と第１外部出力端子４０とが接続された回路状態を示す。
【００９１】
本実施形態の磁気センサ８に作用する（＋Ｈ）方向の外部磁界がゼロから徐々に大きくなると、まず、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変動し、前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５での中点電位が変動する。
【００９２】
今、図１に示す回路状態では、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３の中点電位を基準電位とし、前記第１直列回路２６と第３直列回路３４とで構成される第１ブリッジ回路ＢＣ１の第１出力取り出し部２５と第３出力取り出し部３３との差動電位を、前記差動増幅器３５にて生成し、コンパレータ３８に向けて出力する。前記コンパレータ３８では、シュミットトリガー入力により前記差動電位がデジタル波形に整形される。
【００９３】
図１３は、外部磁界Ｈの磁界強度と、前記第１外部出力端子４０から出力される信号（電圧値）との関係を示している。前記外部磁界Ｈが無磁場状態から＋Ｈ１となったとき、出力信号はＨｉｇｈからＬｏｗとなる。一方、外部磁界Ｈが＋Ｈ２以下になると、出力信号はＬｏｗからＨｉｇｈになる。
【００９４】
次に、図７に示す第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８のスイッチ動作により、第２ブリッジ回路ＢＣ２と第２外部出力端子４１とが接続される場合と考える。
【００９５】
本実施形態の磁気センサ８に作用する（＋Ｈ）方向の外部磁界がゼロから徐々に大きくなり、第１磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が変動する外部磁界強度を越えて、外部磁界が大きくなると、やがて、前記第２磁気抵抗効果素子２８の電気抵抗値が変動し、前記第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９での中点電位が変動する。
【００９６】
このとき、前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３の中点電位を基準電位とし、前記第２直列回路３０と第３直列回路３４とで構成される第２ブリッジ回路ＢＣ２の第２出力取り出し部２９と第３出力取り出し部３３との差動電位を、前記差動増幅器３５にて生成し、コンパレータ３８に向けて出力する。前記コンパレータ３８では、シュミットトリガー入力により前記差動電位がデジタル波形に整形される。
【００９７】
図１４は、外部磁界Ｈの磁界強度と、前記第２外部出力端子４１から出力される信号（電圧値）との関係を示している。前記外部磁界Ｈが無磁場状態から＋Ｈ３となったとき、出力信号はＨｉｇｈからＬｏｗとなる。一方、外部磁界Ｈが＋Ｈ４以下になると、出力信号はＬｏｗからＨｉｇｈになる。
【００９８】
本実施形態では、図７に示すように、差動増幅器３５及びコンパレータ３８をそれぞれ一つずつ設け、図１３及び図１４に示すように、シュミットトリガー入力により前記差動電位をデジタル波形に整形する際のスレッショルドレベル（閾値電位）を、第１ブリッジ回路ＢＣ１から得られた差動電位、及び第２ブリッジ回路ＢＣ２から得られた差動電位に対して共通化している。よって回路構成を簡単にできる。
【００９９】
以上、図７ないし図９、及び図１２ないし図１４にて説明した磁気センサ８が、図１に示すノート型パーソナルコンピュータ１に内蔵されると、図２に示す状態にて前記磁気センサ８の第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの第１の磁界強度が＋Ｈ１であると、図１３に示すように、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第１の検知信号）が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第１外部出力端子４０からＬｏｗ信号を受けると、表示筐体２内部に設けられたバックライトを消灯するように制御されており、バックライトが消灯されることで表示部４の表示が消える。
【０１００】
また図２の状態から表示筐体２と操作筐体３間を開き、前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの磁界強度が＋Ｈ２になると、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＬｏｗからＨｉｇｈとなり、Ｈｉｇｈ信号が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第１外部出力端子４０からＨｉｇｈ信号を受けると、表示筐体２内部に設けられたバックライトを点灯するように制御されており、これにより使用状態に復帰できる。
【０１０１】
さらに図３に示すように、ノート型パーソナルコンピュータ１の表示筐体２と操作筐体３間を閉じたとき、第２磁気抵抗効果素子２８に作用する外部磁界Ｈの第２の磁界強度が＋Ｈ３であると、図１４に示すように、第２外部出力端子４１から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第２の検知信号）が図１０に示す制御部９内に送信される。制御部９では、第２外部出力端子４１からＬｏｗ信号を受け、一定時間経過すると、スリープモードに移行するように制御されている。
【０１０２】
また、図７ないし図９、及び図１２ないし図１４にて説明した磁気センサ８が、図４に示す折畳み式携帯電話１０に内蔵されると、図５に示す状態にて前記磁気センサ８の第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの第１の磁界強度が＋Ｈ１であると、図１３に示すように、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第１の検知信号）が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第１外部出力端子４０からＬｏｗ信号を受けると、通話モードを保留するモードとなるように制御する。
【０１０３】
また図５の状態から表示筐体１１と操作筐体１２間を開き、前記第１磁気抵抗効果素子２３に作用する外部磁界Ｈの磁界強度が＋Ｈ２になると、第１外部出力端子４０から出力される信号は、ＬｏｗからＨｉｇｈとなり、Ｈｉｇｈ信号が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第１外部出力端子４０からＨｉｇｈ信号を受けると、保留モードを解除し、通話モードに復帰するように制御されている。
【０１０４】
さらに図６に示すように、折畳み式携帯電話１０の表示筐体１１と操作筐体１２間を閉じたとき、第２磁気抵抗効果素子２８に作用する外部磁界Ｈの第２の磁界強度が＋Ｈ３であると、図１４に示すように、第２外部出力端子４１から出力される信号は、ＨｉｇｈからＬｏｗとなり、Ｌｏｗ信号（第２の検知信号）が図１１に示す制御部１７内に送信される。制御部１７では、第２外部出力端子４１からＬｏｗ信号を受けると、通話を切断するモードに移行するように制御されている。
【０１０５】
以上、図１ないし図６では電子機器としてノート型パーソナルコンピュータ１及び折畳み式携帯電話１０を提示したが、電子機器は、ノート型パーソナルコンピュータ１や折畳み式携帯電話１０以外であってもよい。例えば第１本体と第２本体とがヒンジ部を介して回動する開閉式のものでなく、第１本体と第２本体間の間隔が変動するもので、前記間隔を２段階以上検知するもの、例えば、ワイパー機構やシートポジションの検出部に使用することもできる。
【０１０６】
また上記の実施形態では、外部磁界の検知は、２段階であったが、３段階以上であってもよい。かかる場合には同一方向の外部磁界の磁界強度に対して感度が異なる３つ以上の磁気抵抗効果素子を設け、これら磁気抵抗効果素子を別々のブリッジ回路に組むことで達成できる。
【０１０７】
また外部磁界を検出する素子としては、ＧＭＲ素子以外に、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したＴＭＲ素子であってもよい。ホール素子にも適用できる。
【０１０８】
ただし本実施形態では、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を使用することが好適である。層間結合磁界Ｈｉｎを調整することで簡単に図１２に示すＲ−Ｈ曲線を得て、同じ方向の外部磁界Ｈの磁界強度変化に対して磁気感度が異なる複数の磁気検出素子を形成できるからである。またＧＭＲ素子やＴＭＲ素子では微小磁界を検知しやすく、図２や図３に示すようにやや開いた状態での磁気検出を適切に行うことができ第１本体と第２本体間の開閉距離を複数段階で検知しやすい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】ノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）の斜視図、
【図２】図１のノート型パーソナルコンピュータを開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記ノート型パーソナルコンピュータの側面図、
【図３】ノート型パーソナルコンピュータを閉じた状態を示すノート型パーソナルコンピュータの側面図、
【図４】折畳み式携帯電話（電子機器）の平面図、
【図５】図４の折畳み式携帯電話を開いた状態から閉じるまでの途中の状態を示す前記折畳み式携帯電話の側面図、
【図６】折畳み式携帯電話を閉じた状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、
【図７】電子機器内に内蔵される磁気センサの回路構成図、
【図８】本実施形態の磁気センサの平面図、
【図９】前記磁気センサに内蔵される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の断面図、
【図１０】本実施形態におけるノート型パーソナルコンピュータの部分ブロック図、
【図１１】本実施形態における折畳み式携帯電話の部分ブロック図、
【図１２】第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子のＲ−Ｈ曲線を示すグラフ、
【図１３】外部磁界と、第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、
【図１４】外部磁界と、第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づく整形後の電圧値との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
【０１１０】
１ ノート型パーソナルウコンピュータ
２、１１ 表示筐体
３、１２ 操作筐体
４、２０ 表示部
５ キーボード
７ 磁石
８ 磁気センサ
９、１７ 制御部
１０ 折畳み式携帯電話
１３ ヒンジ部
１８ 保留音声部
１９ 操作部
２１ 抵抗素子部
２２ 集積回路（ＩＣ）
２３ 第１磁気抵抗効果素子
２４ 第１固定抵抗素子
２５ 第１出力取り出し部
２６ 第１直列回路
２７ 第２固定抵抗素子
２８ 第２磁気抵抗効果素子
２９ 第２出力取り出し部
３０ 第２直列回路
３１ 第３固定抵抗素子
３２ 第４固定抵抗素子
３３ 第３出力取り出し部
３４ 第３直列回路
３５ 差動増幅器
３６ 第１スイッチ回路
３８ コンパレータ
３９ 入力端子
４０ 第１外部出力端子
４１ 第２外部出力端子
４２ アース端子
４３ 第２スイッチ回路
４６、４７ ラッチ回路
４８ 第３スイッチ回路
５３ クロック回路
６２ 反強磁性層
６３ 固定磁性層
６４、６７ 非磁性中間層
６５ フリー磁性層
６６ 保護層
７０ 基板
Ｈｉｎ１、Ｈｉｎ２ 層間結合磁界
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１本体と第２本体を有し、前記第１本体と前記第２本体間の間隔は変動可能とされており、
前記第１本体及び第２本体の一方に磁石、他方に前記磁石から発せられた外部磁界を検出できる磁気検出素子を備えた非接触式の磁気センサが設けられており、
前記磁気センサは、少なくとも、前記第１本体と前記第２本体間が開いた状態で前記磁石と前記磁気検出素子間が第１の距離となったときに、前記外部磁界の前記第１の距離に基づく磁界強度を検知して第１の検知信号を、前記磁石と前記磁気検出素子間が、前記第１の距離よりも小さい第２の距離となったとき、前記外部磁界の前記第２の距離に基づく磁界強度を検知して第２の検知信号を夫々生成し、
前記第１の検知信号、及び、前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能な制御部が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記磁気センサは、前記第１本体と前記第２本体間の開閉検知用に用いられる前記第２の検知信号と、前記開閉検知とは別に、前記第１本体と前記第２本体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知するための前記第１の検知信号を生成するものである請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備えるノート型パーソナルコンピュータであり、
使用状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づき、スリープモードより簡易的な消費電力低減モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて前記スリープモードに移行する請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記消費電力低減モードが解除されて前記使用状態に復帰できるように制御している請求項３記載の電子機器。
【請求項５】
前記消費電力低減モードでは、前記表示部の表示が消えるように制御されている請求項３又は４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記消費電力低減モードでは、前記表示部の裏側に設けられたバックライトが消灯するように制御されている請求項５記載の電子機器。
【請求項７】
前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備える折畳み式携帯電話であり、
通話状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づいて通話保留モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて通話の切断モードに移行する請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記通話保留モードが解除されて前記通話状態に復帰できるように制御している請求項７記載の電子機器。
【請求項９】
前記磁気センサは、同じ方向からの前記外部磁界の磁界強度に対して磁気感度が異なる磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子とを有し、前記第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第１の検知信号が生成され、前記第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第２の検知信号が生成される請求項１ないし８のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１０】
各検知信号は共通の閾値により生成される請求項９記載の電子機器。
【請求項１】
第１本体と第２本体を有し、前記第１本体と前記第２本体間の間隔は変動可能とされており、
前記第１本体及び第２本体の一方に磁石、他方に前記磁石から発せられた外部磁界を検出できる磁気検出素子を備えた非接触式の磁気センサが設けられており、
前記磁気センサは、少なくとも、前記第１本体と前記第２本体間が開いた状態で前記磁石と前記磁気検出素子間が第１の距離となったときに、前記外部磁界の前記第１の距離に基づく磁界強度を検知して第１の検知信号を、前記磁石と前記磁気検出素子間が、前記第１の距離よりも小さい第２の距離となったとき、前記外部磁界の前記第２の距離に基づく磁界強度を検知して第２の検知信号を夫々生成し、
前記第１の検知信号、及び、前記第２の検知信号に基づいて、夫々、所定のモードに移行可能な制御部が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記磁気センサは、前記第１本体と前記第２本体間の開閉検知用に用いられる前記第２の検知信号と、前記開閉検知とは別に、前記第１本体と前記第２本体間を開いた状態から閉じるまでの途中状態を検知するための前記第１の検知信号を生成するものである請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備えるノート型パーソナルコンピュータであり、
使用状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づき、スリープモードより簡易的な消費電力低減モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて前記スリープモードに移行する請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記消費電力低減モードが解除されて前記使用状態に復帰できるように制御している請求項３記載の電子機器。
【請求項５】
前記消費電力低減モードでは、前記表示部の表示が消えるように制御されている請求項３又は４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記消費電力低減モードでは、前記表示部の裏側に設けられたバックライトが消灯するように制御されている請求項５記載の電子機器。
【請求項７】
前記電子機器は、前記第１本体に表示部を、前記第２本体に操作部を備える折畳み式携帯電話であり、
通話状態において、第１本体と第２本体間を開いた状態から閉じる方向へ移動させて前記第１の距離となったときに、前記第１の検知信号に基づいて通話保留モードに移行し、
前記第２の距離となったときに、前記第２の検知信号に基づいて通話の切断モードに移行する請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１の距離から第１本体と第２本体間を再び開くと、前記通話保留モードが解除されて前記通話状態に復帰できるように制御している請求項７記載の電子機器。
【請求項９】
前記磁気センサは、同じ方向からの前記外部磁界の磁界強度に対して磁気感度が異なる磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子とを有し、前記第１磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第１の検知信号が生成され、前記第２磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の変化に基づき前記第２の検知信号が生成される請求項１ないし８のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１０】
各検知信号は共通の閾値により生成される請求項９記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−１５７００２（Ｐ２０１０−１５７００２Ａ）
【公開日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１０４８８（Ｐ２００７−１１０４８８）
【出願日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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