電子機器
【課題】充電時に電源の温度が上昇した場合に適切に充電電流を遮断するとともに、電源に大きな電流を流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段を用いて電源の温度を検出することを可能とし、薄型化を図ることが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】正極端子２４ｐや負極端子２４ｍが薄板状の電源２４を備える電子機器１において、電源２４の充電時に、電源２４の温度を検出する温度検出手段６２と、温度検出手段６２が検出した電源２４の温度の情報に基づいて電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号Ｖlowと電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号Ｖhighのいずれかの信号を出力する過熱判定手段６３と、前記信号に基づいて，電源２４の温度が過熱状態である場合に充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１とを備える過熱時遮断回路６０を備え、温度検出手段６２は、電源２４の負極端子２４ｍ等に着脱可能に取り付けられている。
【解決手段】正極端子２４ｐや負極端子２４ｍが薄板状の電源２４を備える電子機器１において、電源２４の充電時に、電源２４の温度を検出する温度検出手段６２と、温度検出手段６２が検出した電源２４の温度の情報に基づいて電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号Ｖlowと電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号Ｖhighのいずれかの信号を出力する過熱判定手段６３と、前記信号に基づいて，電源２４の温度が過熱状態である場合に充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１とを備える過熱時遮断回路６０を備え、温度検出手段６２は、電源２４の負極端子２４ｍ等に着脱可能に取り付けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に係り、特に充電可能な電源を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に内蔵された充電可能な電源（バッテリー、２次電池、蓄電デバイス等ともいう。）を充電する際に、ある種の電源では、電源が過熱する場合がある。また、充電時に過熱しないように構成されている電源でも、故障等が生じると、充電の際に過熱する場合がある。そして、電源の過熱を放置すると、電子機器が破損したり、ユーザーが火傷したりする事故が生じる虞れがある。
【０００３】
また、電子機器が、複数の放射線検出素子が二次元状（マトリクス状）に配列されたセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置（Flat Panel Detector：ＦＰＤ）である場合、センサーパネルの裏側すなわち複数の放射線検出素子が配列された側とは反対側に設けられた電源が過熱すると、電源に対応する位置の放射線検出素子の中に、異常な動作を行うようになる放射線検出素子が発生する場合がある。
【０００４】
このような場合、その放射線検出素子の部分にいわゆる画欠が生じてしまったり、その異常な放射線検出素子から読み出された画像データにより画像上にアーチファクトが生じたりする場合がある。
【０００５】
また、高温でも放射線検出素子が正常に動作する場合であっても、温度が上昇した部分の各放射線検出素子では、その内部で発生するいわゆる暗電荷の量が他の部分の放射線検出素子よりも多くなる等の問題が生じ得る。そのため、２次元状の各放射線検出素子から読み出された各画像データに濃度ムラ（すなわち画像データの大きさのムラ）が生じる場合がある。
【０００６】
このような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等を生じると、放射線画像撮影により得られた画像データに基づく放射線画像の画質が低下してしまうといった問題が生じる。また、上記のような電源の過熱によるユーザーの火傷や、電子機器の破損の発生等を防止するためにも、放射線画像撮影装置を含む電子機器の電源における充電時の過熱すなわち温度上昇があまり大きくならないようにすることが必要となる。
【０００７】
このような電源の過熱を防止するために、例えば特許文献１では、ＰＴＣ（positive temperature coefficient）サーミスター等の温度素子で検出した電源の表面温度が低温度域、標準温度域、高温度域のいずれの領域に入っているかをＭＰＵが判断し、電源の表面温度に応じて充電の仕方を切り替える電池パック等が提案されている。
【０００８】
また、特許文献２、３等では、薄板状の正極端子や負極端子にＰＴＣサーミスター等が設けられた電源が示されている。この場合、電源の温度が所定の温度以上に上昇するとＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなること等を利用して、電源に充電異常が生じた場合に、ＰＴＣサーミスター等で充電電流を遮断するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−５５７２９号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８８８７号公報
【特許文献３】特開２００３−４５４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、放射線画像撮影装置の場合、従来の銀塩等のスクリーンフィルムから、輝尽性蛍光体シートを内蔵したＣＲ（Computed Radiography）カセッテを経て、上記のような放射線画像撮影装置に発展してきた経緯がある。そのため、放射線画像撮影装置は、従来のＣＲカセッテを装填するブッキー撮影台に装填することができるような形状に形成される場合がある。
【００１１】
そして、ＣＲカセッテは、従来のスクリーンフィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズ（対応する国際規格はＩＥＣ ６０４０６）に準拠して、１４インチ×１７インチ（半切サイズ）等の寸法で形成される。また、放射線入射方向の厚さは１５ｍｍ＋１ｍｍ〜１５ｍｍ−２ｍｍの範囲内になるように形成される。
【００１２】
そのため、放射線画像撮影装置を、ＣＲカセッテを装填するブッキー撮影台に装填することができるように構成する場合、放射線画像撮影装置は、上記のＣＲカセッテが準拠するスクリーンフィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格に準拠した寸法で形成される。
【００１３】
放射線画像撮影装置が、上記のように放射線入射方向の厚さが１５ｍｍ＋１ｍｍ〜１５ｍｍ−２ｍｍの範囲内になるように薄型に形成される場合、放射線画像撮影装置の筐体と電源との間隙が非常に狭くなる。そのため、上記の特許文献１に記載されているように、電源の表面温度を検出するためのＰＴＣサーミスター等をこの間隙部分に挿入して設置することは、実際上、非常に困難になる。
【００１４】
その点、上記の特許文献２、３に記載されているように、ＰＴＣサーミスター等を、電源の正極端子や負極端子の部分に設ければ、端子部分では各端子が薄板状であるため厚さ方向にスペースがあり、ＰＴＣサーミスター等を設置するスペースがあるため、上記のような問題が生じることを回避することができる。
【００１５】
ところで、電源として例えばリチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）を用いる場合、リチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電の場合に例えば１０［Ａ］等の大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となるといった特性を有している。
【００１６】
しかしながら、上記の特許文献２、３に記載されているように、ＰＴＣサーミスター自体で充電電流を遮断するように構成する場合、多くのＰＴＣサーミスターでは、上記のような大きな電流を流すことができるように構成されているものが必ずしも多くない。また、大電流に対応するように構成する場合、通常、ＰＴＣサーミスターを含む温度検出手段が非常に大型化してしまう。そのため、例えば放射線画像撮影装置の筐体内に電源部分が収まらなくなったり、放射線画像撮影装置を大型化せざるを得なくなる等の問題が生じる。
【００１７】
一方、電源の温度が、ＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に増大する温度以下の温度（すなわち充電電流を遮断しない正常な温度範囲）であっても、ＰＴＣサーミスターの抵抗分が存在するため、負荷変動が大きくなったり、出力電圧が低下する虞れがある。
【００１８】
また、電源を充電する場合、後述する図７に示すように、定電流充電を行った後、充電の仕方を定電圧充電に切り替えて充電が行われる場合がある。この場合、後述するように、定電流充電を行って電源の充電電圧が目標電圧Ｖ０に達しても電源内部や充電電流経路の抵抗による電圧降下が存在するため電源の実際の充電電圧は実際には目標電圧Ｖ０には達していないため、定電圧充電を行って充電電圧を目標電圧Ｖ０に近づけていく。
【００１９】
その際、上記のＰＴＣサーミスターの抵抗分により、定電流充電期間が短くなるが、電源の充電電圧が目標電圧Ｖ０に達した時点での目標電圧Ｖ０と電源の実際の充電電圧との差が大きくなり、その分を定電圧充電で補わなければならなくなるため、結果として充電時間が長くなってしまうといった問題も生じ得る。
【００２０】
さらに、特許文献２、３に記載されているように、電源の正極端子や負極端子にＰＴＣサーミスター等が一体的に設けられている場合、電源の交換時等に、放射線画像撮影装置等の電子機器内の回路と、電源に設けられたＰＴＣサーミスター等との接続を切り離したり、接続し直したりしなければならなくなる。
【００２１】
また、ＰＴＣサーミスター等が設けられているため、交換する電源がより高価になる可能性がある。さらに、まだ使用できるＰＴＣサーミスター等が電源とともに廃棄されることになり、資源の無駄遣いを招く虞れがある。
【００２２】
なお、特許文献１では、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を備えるＭＰＵでソフトウエア的に電源の温度を判断することが記載されている。しかし、そのためのプログラムをＣＰＵに読み込ませる構成よりも、ハードウエア的に電源の温度を検出して充電電流を遮断できる構成とした方が、構成がより簡単になり、また、より小さな回路構成になるため好ましい。
【００２３】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、充電時に電源の温度が上昇した場合に適切に充電電流を遮断することが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【００２４】
また、電源がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源に大きな電流を流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段を用いて電源の温度を検出することを可能とすることで、薄型化を図ることが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前記の問題を解決するために、本発明の電子機器は、
正極端子または負極端子が薄板状の電源を備える電子機器において、
前記電源の充電時に、前記電源の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段が検出した前記電源の温度の情報に基づいて、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力する過熱判定手段と、
前記過熱判定手段が出力した前記信号に基づいて、前記電源の温度が過熱状態である場合に、前記電源に充電電流を供給する充電電流経路を遮断する遮断手段と、
を備える過熱時遮断回路を備え、
前記過熱時遮断回路の前記温度検出手段は、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のような方式の電子機器によれば、充電時に、電源の温度が上昇した場合に、適切に充電電流経路を遮断して、電源に対する充電電流の供給を的確に遮断することが可能となる。そのため、電子機器の電源を充電する際に、電源の過熱を的確に防止することが可能となり、電源の過熱により電子機器が破損したりユーザーが火傷したりする事故が生じることを的確に防止することが可能となる。
【００２７】
また、前述したように、電子機器が放射線画像撮影装置である場合には、電源の過熱を的確に防止して、上記のような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
【００２８】
また、温度検出手段で直接に充電電流の制限や遮断を行うのではなく、温度検出手段と過熱判定手段との組み合わせによる出力結果に基づいて、遮断手段により充電電流経路を遮断する構成とし、さらに、過熱時遮断回路の温度検出手段を電源の薄板状の正極端子または負極端子に着脱可能に取り付けるように構成したため、電源がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源に大きな電流値の充電電流を流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段を用いることが可能となり、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】電子機器の例としての放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】図１の放射線画像撮影装置の回路構成を表すブロック図である。
【図４】図３におけるコネクターから電源を経て制御手段に至る部分の構成等を表すブロック図である。推定手段としての制御手段の制御構成を説明するためのブロック図である。
【図５】ケーブルを接続した状態の放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図６】充電制御回路の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【図７】定電流充電および定電圧充電における充電電流および充電電圧の値の時間的な変化等を表すグラフである。
【図８】過熱時遮断回路の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【図９】複数の電源の各電極端子にそれぞれ着脱可能に取り付けられた温度検出手段を互いに直列に接続する場合の構成例を概略的に表すブロック図である。
【図１０】放射線画像撮影装置の基台を裏側から見た場合の外観を示す斜視図であり、電源の電極端子への温度検出手段の取り付け構造等を表す図である。
【図１１】接続電極に電源の電極端子が接続され、電極端子に温度検出手段が取り付けられた状態を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明に係る電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
なお、以下では、電子機器が放射線画像撮影装置（ＦＰＤ）である場合について説明するが、本発明は、この形態に限定されない。
【００３２】
［電子機器の例としての放射線画像撮影装置の構成例について］
電子機器の例として、放射線画像撮影装置１の構成例について説明する。図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００３３】
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレーター３や基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて構成されている。本実施形態では、筐体２は、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで形成されている。
【００３４】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクター３９、電源２４（図２や後述する図３参照）の状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケーター４０等が配置されている。
【００３５】
また、図示を省略するが、本実施形態では、筐体２の反対側の蓋部材２Ｃに、放射線画像撮影装置１が外部装置と信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置４１（後述する図３参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれるようにして設けられている。
【００３６】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や電源２４等が取り付けられている。また、基板４やシンチレーター３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されており、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。
【００３７】
図示を省略するが、基板４の検出部Ｐ上には、フォトダイオード等からなる複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されており、各放射線検出素子７にスイッチ手段としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８や走査線５、信号線６、バイアス線９等が接続されている。また、シンチレーター３が、基板４の検出部Ｐに対向するように設けられるようになっている。
【００３８】
放射線画像撮影装置１の回路構成を、図３に示すブロック図を用いて説明する。本実施形態では、複数の放射線検出素子７が基板４上に二次元状に配列されて検出部Ｐが形成されている。また、各放射線検出素子７の第２電極７ｂにはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。そして、バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれ逆バイアス電圧を印加するようになっている。
【００３９】
走査駆動手段１５では、電源回路１５ａからゲートドライバー１５ｂに配線１５ｃを介してオン電圧やオフ電圧が供給され、ゲートドライバー１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理等を行うようになっている。
【００４０】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されており、読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。
【００４１】
そして、例えば、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理の際には、ゲートドライバー１５ｂからオン電圧が印加された走査線５に接続されているＴＦＴ８がオン状態になり、オン状態になったＴＦＴ８に接続されている放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出され、放出された電荷が読み出し回路１７の増幅回路１８で電荷電圧変換される。
【００４２】
そして、増幅回路１８の出力側に設けられた相関二重サンプリング回路１９で、放射線検出素子７から電荷が放出される前後の増幅回路１８からの出力値の差分を算出し、算出した差分をアナログ値の画像データとして出力する。そして、出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサー２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて出力され、記憶手段２３に順次保存される。このようにして、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理が順次行われる。
【００４３】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。
【００４４】
また、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、前述した電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、インジケーター４０（図１参照）等も接続されている。
【００４５】
また、本実施形態では、制御手段２２には、制御手段２２や走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するための電源２４が接続されている。電源２４には、充電制御回路８０や前述したコネクター３９等が接続されているが、この点については後で説明する。
【００４６】
本実施形態では、電源２４として、リチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）が用いられているが、本発明はこれに限定されず、充電可能な電源であれば、電気二重層キャパシター等の蓄電デバイスやリチウムイオンバッテリー等のバッテリーやリチウムイオン２次電池等であってもよい。
【００４７】
なお、リチウムイオンキャパシターを電源２４として用いると、前述したようにリチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電を行う際に大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となるといった利点がある。
【００４８】
以下、充電制御回路８０や電源生成回路、過熱時遮断回路等について説明する。図４は、図３におけるコネクター３９から電源２４を経て制御手段２２に至る部分の構成等を表すブロック図である。
【００４９】
なお、図４や後述する図６は、放射線画像撮影装置１が充電装置であるクレードルＣｒに挿入され、放射線画像撮影装置１のコネクター３９とクレードルＣｒのコネクターＣｒ１とが接続された状態で電源２４の充電を行う場合が示されている。
【００５０】
しかし、この他にも、例えば図５に示すように、放射線画像撮影装置１のコネクター３９に、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクターＣを接続し、ケーブルＣａやコネクターＣ、３９を介して図示しない外部の充電装置から放射線画像撮影装置１に電力を供給して電源２４の充電を行う場合等も同様に説明される。
【００５１】
本実施形態の電子機器である放射線画像撮影装置１では、図４に示すように、コネクター３９と電源２４との間に充電制御回路８０と過熱時遮断回路６０とが設けられている。また、電源２４と制御手段２２との間には電源生成回路２５が設けられている。
【００５２】
電源生成回路２５は、電源２４から供給される電力を、制御手段２２やセンサーパネルＳＰにおける走査駆動手段１５や読み出し回路１７、バイアス電源１４（図３参照）等の各機能部に供給する際に、各機能部で要求される適切な状態に電力を生成して供給するようになっている。
【００５３】
また、図６は、充電制御回路８０の回路構成を概略的に表すブロック図である。本実施形態では、充電制御回路８０は、接続されたコネクター３９、Ｃｒ１を介してクレードルＣｒの定電圧電源Ｃｒ２から供給された電力を放射線画像撮影装置１の電源２４に供給する配線としての充電電流経路８１と、電源２４への充電を制御する充電制御部８２とを備えて構成されている。
【００５４】
また、本実施形態では、充電制御部８２には、少なくとも充電電圧検出部８３と、充電電流検出部８４と、スイッチング制御部８５とが設けられている。
【００５５】
充電制御回路８０では、充電電流経路８１上には第１スイッチ素子８６が、充電電流経路８１から分岐してグランド（以下、ＧＮＤと記載する。）に接続されている配線８８上には第２スイッチ素子８７がそれぞれ設けられている。そして、第１スイッチ素子８６および第２スイッチ素子８７は、それぞれＦＥＴ（電界効果トランジスター）で構成されており、また、それぞれスイッチング制御部８５によりそれらのオン／オフ動作が制御されるようになっている。
【００５６】
また、充電電流経路８１にはインダクター（コイルともいう。）８９が挿入されており、また、充電電流経路８１とＧＮＤとの間にコンデンサー９０が設けられている。そして、インダクター８９のインダクタンス（inductance）成分により蓄えられるエネルギーを制御することにより、充電電流Ｉおよび充電電圧Ｖを制御する。また、コンデンサー９０は、電源２４への出力に対してローパスフィルター状に機能して、充電電圧Ｖを平滑化するようになっている。
【００５７】
本実施形態では、充電電流経路８１に充電電流検出用の抵抗部９１が挿入されている。また、充電電流検出用の抵抗部９１の両極が充電電流検出部８４に接続されており、充電電流検出部８４によって充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが検出されるようになっている。この電位差Δｖは、Δｖ＝ＩＲの関係により充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉに相当する。
【００５８】
また、充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０に接続されている。すなわち図６の充電制御回路８０の接続端子Ａが後述する図８の過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続されている。また、充電制御回路８０の接続端子Ｂは、図８の過熱時遮断回路６０の接続端子Ｂ＊に接続されている。
【００５９】
また、充電制御回路８０内では、充電電流経路８１とＧＮＤとが２つの分圧抵抗９２ａ、９２ｂを介して接続されており、２つの分圧抵抗９２ａ、９２ｂの間に接続された配線９３が充電電圧検出部８３に接続されている。そして、充電制御部８２の充電電圧検出部８３で、電源２４に充電されている充電電圧Ｖが検出されるようになっている。
【００６０】
そして、充電電圧検出部８３で検出された電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４で検出された充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）が、充電制御部８２のスイッチング制御部８５に送られるようになっている。
【００６１】
充電制御部８２のスイッチング制御部８５は、充電電圧検出部８３からもたらされる電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４からもたらされる充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）に応じて、充電電流経路８１を介して電源２４に供給される充電電流Ｉを制御するようになっている。
【００６２】
そして、スイッチング制御部８５は、フィードバックされたそれらの情報に応じて第１スイッチ素子８６および第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御して、コネクター３９に供給される電力から電源２４を充電制御するようになっている。
【００６３】
本実施形態では、充電制御回路８０は、電子機器である放射線画像撮影装置１の電源２４の充電の仕方を、図７に示すように、充電電流Ｉが一定になるように充電を行う定電流充電を行った後、充電電圧Ｖが一定になるように充電を行う定電圧充電に切り替えるようになっている。
【００６４】
具体的には、充電制御回路８０のスイッチング制御部８５は、充電電圧検出部８３が検出した電源２４に充電されている充電電圧Ｖ（図７の右側の目盛りおよび破線参照）が予め設定された目標電圧Ｖ０よりも小さい場合には、充電電流検出部８４が検出する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが、設定された電流値（例えば１０［Ａ］）に相当する電位差になるように、第１スイッチ素子８６と第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御して定電流充電を行う。
【００６５】
そして、上記のようにして定電流充電を行い、充電電圧検出部８３が検出した電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達すると、図７に示すように、スイッチング制御部８５は、今度は、電源２４に対する充電の仕方を定電圧充電に切り替える。
【００６６】
上記のように定電流充電を行って、充電電圧検出部８３が検出した電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達したとしても、電源２４内部や充電電流経路８１等の抵抗による電圧降下が存在するため、電源２４の実際の充電電圧Ｖは、実際には目標電圧Ｖ０には達していない。
【００６７】
そこで、スイッチング制御部８５は、充電の仕方を切り替えた後の定電圧充電時には、充電電圧検出部８３が検出する電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０を越えずに目標電圧Ｖ０を維持するように第１スイッチ素子８６と第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御しながら定電圧充電を行うようになっている。
【００６８】
そして、スイッチング制御部８５は、充電電流検出部８４が検出する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが次第に減少し、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉが非常に小さくなってそれに対応する電位差Δｖが予め設定された閾値Δｖth以下になった時点で、電源２４の充電を終了するようになっている（図７の時刻ｔ１参照）。
【００６９】
次に、充電制御回路８０と電源２４との間に設けられている過熱時遮断回路６０について説明する。図８は、過熱時遮断回路６０の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【００７０】
前述したように、充電制御回路８０から延びる充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続されている。また、充電制御回路８０の接続端子Ｂから延びる配線は、過熱時遮断回路６０の接続端子Ｂ＊を介して過熱時遮断回路６０のＧＮＤに接続されている。
【００７１】
過熱時遮断回路６０は、主に、遮断手段６１と、温度検出手段６２と、過熱判定手段６３とで構成されており、本実施形態では、さらにＦＥＴ駆動部６４や複数の抵抗器６５ａ〜６５ｃ等を備えて構成されている。
【００７２】
上記のように、過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続された充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０中を通り、接続端子Ｃ＊を介して電源２４の正極端子２４ｐに接続されている。また、電源２４の負極端子２４ｍは、過熱時遮断回路６０の接続端子Ｄ＊を介して過熱時遮断回路６０のＧＮＤに接続されている。
【００７３】
過熱時遮断回路６０中の充電電流経路８１には、遮断手段６１が挿入されており、遮断手段６１は、後述するように、過熱判定手段６３が出力した信号に基づいて、充電電流経路８１を遮断したり導通させたりするようになっている。
【００７４】
本実施形態では、遮断手段６１は、ＦＥＴ（電界効果トランジスター）で構成されている。また、遮断手段６１であるＦＥＴには、それを駆動させるためのＦＥＴ駆動部６４が接続されており、ＦＥＴは、過熱判定手段６３が出力した信号に基づいてＦＥＴ駆動部６４から出力されるオン信号やオフ信号に従ってオン／オフ動作、すなわち充電電流経路８１の導通や遮断が制御されるようになっている。
【００７５】
過熱時遮断回路６０の温度検出手段６２は、電源２４の温度を検出するようになっている。本実施形態では、温度検出手段６２は、ＰＴＣサーミスターで構成されている。ＰＴＣサーミスターは、よく知られているように、閾値以下の温度では抵抗値が小さいが、閾値以上の温度ではその抵抗値が急激に大きくなるという特徴を有する。
【００７６】
また、温度検出手段６２は、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍに着脱可能に取り付けられているが、この点については後で説明する。また、温度検出手段６２は、電源２４の正極端子２４ｐと負極端子２４ｍのいずれの端子に取り付けられてもよい。以下、温度検出手段６２が取り付けられる電源２４の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍを一般的に言う場合、電極端子２４ｔという。
【００７７】
なお、本実施形態のように、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いる代わりに、例えばＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスターを用いるように構成することが可能である。ＮＴＣサーミスターは、よく知られているように、上記のＰＴＣサーミスターの場合とは逆に、閾値以下の温度ではその抵抗値が大きな値を示すが、閾値以上の温度になるとその抵抗値が小さくなるという特徴を有する。
【００７８】
一方、過熱時遮断回路６０内には、所定の抵抗値を有する２つの抵抗器６５ａ、６５ｂが直列に接続されて設けられている。そして、抵抗器６５ａの、抵抗器６５ｂと接続されている側とは反対側の端子にリファレンス電圧ＶＲが印加されるようになっており、また、抵抗器６５ｂの、抵抗器６５ａと接続されている側とは反対側の端子がＧＮＤに接続されている。
【００７９】
そして、抵抗器６５ａ、６５ｂによりリファレンス電圧ＶＲ−ＧＮＤ間が分圧された電圧値ＶＴ１が、過熱判定手段６３に入力されるようになっている。この電圧値ＶＴ１が、後述する電源の温度に対応する電圧値ＶＴ２と比較される電圧値となる。以下、電圧値ＶＴ１を対照電圧値ＶＴ１という。
【００８０】
また、過熱時遮断回路６０内には、所定の抵抗値を有する抵抗器６５ｃと、前述した温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターとが直列に接続されて設けられている。そして、抵抗器６５ｃの、ＰＴＣサーミスター６２と接続されている側とは反対側の端子にリファレンス電圧ＶＲが印加されるようになっており、また、ＰＴＣサーミスター６２の、抵抗器６５ｃと接続されている側とは反対側の端子がＧＮＤに接続されている。
【００８１】
そして、抵抗器６５ｃとＰＴＣサーミスター６２によりリファレンス電圧ＶＲ−ＧＮＤ間が分圧された電圧値ＶＴ２も、過熱判定手段６３に入力されるようになっている。この電圧値ＶＴ２が、温度検出手段６２により検出された電源２４の温度に対応する電圧値となる。
【００８２】
本実施形態では、過熱判定手段６３は、コンパレーター（comparator）で構成されており、上記の対照電圧値ＶＴ１が非反転入力側に入力され、電圧値ＶＴ２が反転入力側に入力されるようになっている。そして、コンパレーターにより対照電圧値ＶＴ１と電圧値ＶＴ２との大小をハードウエア的に判定するようになっている。
【００８３】
具体的には、充電時に、電源２４の温度が低く、本実施形態における温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターの抵抗値が小さい状態では、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなるように構成されている。そして、この場合には、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、ＦＥＴ駆動部６４に正の所定の電圧値の電圧Ｖhighを出力する。
【００８４】
本実施形態では、この電圧Ｖhighが、過熱判定手段６３が遮断手段６１やそれを駆動するＦＥＴ駆動部６４に対して出力する、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号に相当する。
【００８５】
そして、ＦＥＴ駆動部６４は、この電圧Ｖhighが入力されると、遮断手段６１であるＦＥＴにオン信号を出力する。そのため、遮断手段６１はオン状態となり、充電電流経路８１の導通を維持するようになっている。
【００８６】
また、充電時に、電源２４の温度が上昇し、温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなると、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。そして、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、今度は、ＦＥＴ駆動部６４に０［Ｖ］に近い電圧値の電圧Ｖlowを出力する。
【００８７】
本実施形態では、この電圧Ｖlowが、過熱判定手段６３が遮断手段６１やそれを駆動するＦＥＴ駆動部６４に対して出力する、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号に相当する。
【００８８】
そして、ＦＥＴ駆動部６４は、この電圧Ｖlowが入力されると、遮断手段６１であるＦＥＴにオフ信号を出力する。そのため、遮断手段６１はオフ状態となり、充電電流経路８１を遮断するようになっている。
【００８９】
なお、本実施形態では、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、上記のように、入力される電圧値ＶＴ２の対照電圧値ＶＴ１に対する大小関係に基づいて、ＦＥＴ駆動部６４を介して遮断手段６１であるＦＥＴのオン／オフ動作を制御する。そのため、抵抗器６５ａ〜６５ｃの抵抗値は、電源２４の温度が上昇して過熱状態になった場合に電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも確実に大きな電圧値になるような抵抗値に設定される。
【００９０】
また、電源２４の温度がどの程度の温度になった場合に過熱状態になったと見なすかについては、個々の電子機器で許容される電源２４の温度範囲等に基づいて決められる。そして、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いる場合には、例えば、上記の電源２４に許容される温度範囲の上限の温度を閾値とするＰＴＣサーミスターが選択されて用いられる。
【００９１】
このように構成すれば、電源２４の温度が上記の温度範囲を越えると、温度検出手段６２としてのＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなり、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。そのため、過熱判定手段６３であるコンパレーターからＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖlowが出力され、遮断手段６１であるＦＥＴに的確にオフ信号が出力されて、遮断手段６１が的確に充電電流経路８１を遮断することが可能となる。
【００９２】
その際、本実施形態のように、電源２４としてリチウムイオンキャパシターを用いる場合、リチウムイオンキャパシターは、通常の場合、充電時に温度が低下するといった特性を有している。そのため、温度検出手段６２として、上記の温度に関する閾値が、充電の際に温度が上昇するような他のバッテリー等に用いられるＰＴＣサーミスターよりも低い温度に設定されたＰＴＣサーミスターを用いることが可能となる。
【００９３】
さらに、本実施形態では、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、遮断手段６１に充電電流経路８１を遮断させた後で、電源２４の温度が低下した場合、すなわちＰＴＣサーミスターの抵抗値が小さくなり、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなった場合には、ＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖhighを出力し、遮断手段６１であるＦＥＴにオン信号を出力させ、遮断手段６１による充電電流経路８１の遮断を停止させて、充電電流経路８１の導通を回復させるようになっている。
【００９４】
しかし、その際、電源２４の温度が、ＰＴＣサーミスターの閾値以下の温度になったからといって即座に充電電流経路８１の導通を回復させると、すぐにまた電源２４の温度が上昇してＰＴＣサーミスターの閾値を越えて遮断手段６１により充電電流経路８１が遮断されるようになる。
【００９５】
このような状態になると、充電制御回路８０（図４等参照）から電源２４への充電電流Ｉの供給が再開されるとすぐに停止される状態が続くようになり、過熱異常の状態を効果的に防げないといった問題等を生じる。
【００９６】
そのため、例えば、過熱判定手段６３であるコンパレーターにヒステリシスを設けておき、電源２４の温度がＰＴＣサーミスターの閾値以下の温度に低下して電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなった後、さらに電源２４の温度が所定の温度まで低下した時点で初めてＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖhighを出力して、充電電流経路８１の導通を回復させるように構成することが好ましい。
【００９７】
一方、例えば図９に示すように、電子機器（本実施形態では放射線画像撮影装置１）内に複数の電源２４Ａ、２４Ｂが設けられている場合、各電源２４Ａ、２４Ｂの各電極端子２４ｔにそれぞれ着脱可能に取り付けられた温度検出手段６２としての各ＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂを、互いに直列に接続するように構成することが可能である。
【００９８】
このように構成すると、複数の電源２４のうち、いずれか１つでも電源２４の温度が上昇して過熱状態になれば、直列に接続されたＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂ全体の抵抗値（この場合は各ＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂの抵抗値の総和）が急激に大きくなり、過熱判定手段６３であるコンパレーターに入力される電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。
【００９９】
そのため、充電電流経路８１を遮断して、各電源２４への充電電流Ｉの供給を的確に停止することが可能となる。
【０１００】
なお、温度検出手段６２としてＮＴＣサーミスターを用いる場合、上記のように、ＰＴＣサーミスターの場合とは逆に、閾値以下の温度ではその抵抗値が大きな値を示すが、閾値以上の温度になるとその抵抗値が小さくなる。
【０１０１】
その際、複数の電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられているＮＴＣサーミスターを直列に接続すると、いずれか１つの電源２４の温度が上昇して過熱状態になり当該電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられているＮＴＣサーミスターの抵抗値が小さくなっても、他のＮＴＣサーミスターの抵抗値が大きな値のままであれば、直列に接続されたＮＴＣサーミスター全体の抵抗値は大きな値になる。そのため、当該電源２４が過熱状態になったことを的確に判定することができなくなる。
【０１０２】
そのため、温度検出手段６２としてＮＴＣサーミスターを用いる場合には、複数の電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられた各ＮＴＣサーミスターを直列に接続せず、個別に過熱判定手段６３に接続するように構成される。そして、過熱判定手段６３は、複数の電源２４のうちいずれか１つでも電源２４の温度が上昇して過熱状態になった場合には、遮断手段６１により充電電流経路８１を遮断させるように構成される。
【０１０３】
次に、本実施形態の電子機器である放射線画像撮影装置１における電源２４の電極端子２４ｔへの温度検出手段６２の取り付け構造等について説明する。前述したように、本実施形態では、温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターは、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍに着脱可能に取り付けられている。
【０１０４】
具体的には、本実施形態では、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰの基台３１には、（図２参照）には、図１０に示すように、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍが、接続手段であるネジ２７により接続される接続電極２６が形成されている。なお、図１０は、基台３１を裏側、すなわちＰＣＢ基板３３（図２参照）等が取り付けられる側から見た図である。また、後述する図１１では、基台３１の裏側が上側になるように記載されている。
【０１０５】
接続電極２６は、例えば、一面側に金属膜が形成されたプリント基板２６ａを細長に形成し、それを基台３１に貼付する等して形成することができる。本実施形態では、接続電極２６には、接続電極２６と過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等とを電気的に接続するためのコネクター２８Ａ、２８Ｂが取り付けられている。
【０１０６】
なお、図１０では、接続電極２６と過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等とを、コネクター２８Ａ、２８Ｂを介して配線で接続する場合を示した。しかし、この他にも、例えば、過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等が形成されたプリント基板の一端に接続電極２６を設けておき、それと電源２４の電極端子２４ｔとを接続するように構成することも可能である。
【０１０７】
一方、図１０に示すように、電源２４の電極端子２４ｔ（すなわち正極端子２４ｐまたは負極端子２４ｍ）は薄板状に形成されている。また、温度検出手段であるＰＴＣサーミスター６２には、それを電源２４の薄板状の電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるための、先端がリング状に形成された固定片６２ａが設けられている。
【０１０８】
そして、電源２４の薄板状の電極端子２４ｔが接続電極２６に接続される際に、電源２４の電極端子２４ｔと、ＰＴＣサーミスター６２の固定片６２ａとが、接続手段であるネジ２７により共締めされて接続電極２６に接続されるようになっている。
【０１０９】
本実施形態では、このようにして電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６に接続することにより、図１１に示すように、温度検出手段であるＰＴＣサーミスター６２が、電源２４の電極端子２４ｔに接触する状態で、着脱可能に取り付けられるようになっている。
【０１１０】
なお、図示を省略するが、電源２４を複数設ける場合には、例えば、図１０や図１１に示した接続電極２６を長手方向に延長させて形成し、延長された接続電極２６に各電源２４の各電極端子２４ｔをネジ止め等により接続するように構成される。
【０１１１】
また、例えば、図１０や図１１に示した電極端子２４ｔが負極端子２４ｍの場合には、電源２４の反対側の正極端子２４ｐも同様にして設けられた接続電極に接続される。なお、その際、反対側の端子には温度検出手段６２を取り付ける必要はない。
【０１１２】
次に、本実施形態に係る電子機器の作用について説明する。
【０１１３】
本実施形態に係る電子機器である放射線画像撮影装置１では、過熱時遮断回路６０が、上記のように、ＰＴＣサーミスター等で構成された温度検出手段６２により検出された温度の情報（すなわち、その抵抗値や、その抵抗値に基づいてコンパレーター６３に入力される電圧値ＶＴ２（図８参照））に基づいて、コンパレーター等で構成された過熱判定手段６３が、電源２４の温度が過熱状態にあるか否かをハードウエア的に判定する。
【０１１４】
実際には、過熱判定手段６３であるコンパレーターが、入力された電圧値ＶＴ２と対照電圧値ＶＴ１のいずれの電圧値が大きいかを比較する。
【０１１５】
そして、判定（すなわち比較）の結果、電圧値ＶＴ２の方が対照電圧値ＶＴ１よりも大きい場合には、過熱判定手段６３は、電源２４の温度が過熱状態になっていると判定して、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号すなわち電圧Ｖlowを出力する。そして、ＦＥＴ（電界効果トランジスター）等で構成された遮断手段６１が、その信号に基づいて充電電流経路８１を遮断する。
【０１１６】
また、判定（すなわち比較）の結果、対照電圧値ＶＴ１の方が電圧値ＶＴ２よりも大きい場合には、過熱判定手段６３は、電源２４の温度が過熱状態になっていないと判定して、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号すなわち電圧Ｖhighを出力する。そして、遮断手段６１は、その信号に基づいて充電電流経路８１の導通を維持し、或いは、充電電流経路８１を遮断している場合には導通を回復する。
【０１１７】
この場合、充電電流経路８１の遮断や導通を、本実施形態のようにＦＥＴ等で構成された遮断手段６１で行う代わりに、電源２４の温度上昇によりＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に非常に大きくなることを利用してＰＴＣサーミスター自体で行うように構成することも考えられなくはない。
【０１１８】
しかし、その場合には、前述したように、電源２４の温度が低く、ＰＴＣサーミスターの抵抗値が低い状態でも、ＰＴＣサーミスターの抵抗分が存在するため、負荷変動が大きくなったり、出力電圧が低下する虞れがある。また、ＰＴＣサーミスターの比較的大きな抵抗分により、結果的に充電時間が長くなってしまうといった問題が生じ得る。
【０１１９】
それに対して、本実施形態のように、充電電流経路８１の遮断や導通をＦＥＴ等で構成された遮断手段６１で行うように構成すれば、ＦＥＴは常温時の抵抗分がＰＴＣサーミスターの常温での抵抗分よりも大幅に小さいため、このような問題が生じることを回避することが可能となる。
【０１２０】
そして、充電電流経路８１を遮断する際には、経路がＦＥＴで的確に遮断される。また、それとともに、充電電流経路８１の導通を維持する際には、ＦＥＴ部分の抵抗値が温度に依存して変動しない。また、仮に遮断手段６１をＰＴＣサーミスターで構成する場合に比べて常温時の抵抗値が大幅に小さくなり、充電電流経路８１内に充電電流Ｉをロスなく安定的に流して電源２４に供給することが可能となる。
【０１２１】
また、本実施形態のように電源２４として例えばリチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）を用いる場合、リチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電の場合に例えば１０［Ａ］等の大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となる。
【０１２２】
しかし、上記のように、遮断手段６１をＰＴＣサーミスターで構成する場合、大きな電流値の充電電流Ｉを流すことができなかったり、大電流に対応するためにＰＴＣサーミスターが大型化してしまう場合があった。
【０１２３】
それに対し、本実施形態では、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いるが、充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１は、それとは別体のＦＥＴで構成する。このように構成することにより、ＦＥＴであれば、充電電流経路８１に大電流を流すことが可能となり、しかも、充電電流経路８１を遮断する場合には上記のように的確に遮断することができる。この場合、ＦＥＴを大型化する必要はない。
【０１２４】
また、本実施形態では、ＰＴＣサーミスターは、上記のように大電流が流れる充電電流経路８１を遮断するようには機能せず、温度検出手段６２として電源２４の温度を検出するためだけに機能する。そのため、ＰＴＣサーミスターに大電流を流す必要がない。
【０１２５】
このように、本実施形態では、温度検出手段６２としてのＰＴＣサーミスターが大型化することを回避することが可能となり、図１１等に示すように、小型のＰＴＣサーミスターを用いることが可能となる。また、そのため、放射線画像撮影装置１のように電子機器に薄型化が要求される場合にも、適切に電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１２６】
また、本実施形態では、このように小型のＰＴＣサーミスター等で構成される温度検出手段６２を、電源２４の薄板状の電極端子２４ｔに取り付ける。電源２４の電極端子２４ｔが薄板状であれば、図１１に示すように、電極端子２４ｔの部分に、小型のＰＴＣサーミスターを取り付けるためのスペース（図中では電極端子２４ｔの上側と電源２４の上端面との間のスペース）が十分にある。
【０１２７】
すなわち、放射線画像撮影装置１の筐体２（図１等参照）を大型化して、電源２４の電極端子２４ｔにＰＴＣサーミスターを取り付けるためのスペースをわざわざ設ける必要がない。
【０１２８】
このように、本実施形態では、電極端子２４ｔの部分のスペースを利用して、ＰＴＣサーミスターを電極端子２４ｔに取り付けることでＰＴＣサーミスターをそのスペース内に収めることが可能となる。そのため、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電極端子２４ｔに取り付けるためのスペースをわざわざ形成しなくてもよいため、この点においても、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１２９】
さらに、本実施形態では、前述した特許文献２、３に記載されているように電源２４の電極端子２４ｔにＰＴＣサーミスター等を一体的に設けるのではなく、共締め等により温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるように構成した。
【０１３０】
そのため、本実施形態では、電源２４の交換時等において電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６から離脱させる際に、同時に温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）が電極端子２４ｔから離脱する。また、新たに電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６に接続される際に、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を共締め等することにより、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電源２４の電極端子２４ｔに容易に取り付けることが可能となる。
【０１３１】
そのため、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）の電極端子２４ｔの取り付け作業が非常に容易になる。また、それとともに、上記のようにＰＴＣサーミスター等を電源２４の電極端子２４ｔに一体的に設ける場合には、電源２４の交換の際に、まだ使用できるＰＴＣサーミスター等が電源２４とともに廃棄されることになるが、本実施形態では、このような資源の無駄遣いを防止することが可能となる。
【０１３２】
なお、過熱判定手段６３をＭＰＵ等でソフトウエア的に処理を行う代わりに、本実施形態のように過熱判定手段６３をコンパレーターで構成し、ハードウエア的に処理を行うように構成することで、過熱時遮断回路６０の構成がより簡単になり、過熱時遮断回路６０をより小さな回路構成で構成することが可能となる。
【０１３３】
以上のように、本実施形態に係る電子機器１によれば、電源２４の温度を検出する温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）と、充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１（例えばＦＥＴ）を別体に構成した。
【０１３４】
また、温度検出手段６２が検出した電源２４の温度の情報に基づいて過熱判定手段６３（例えばコンパレーター）で電源２４の温度が過熱状態であるか否かを判定し、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号（例えば電圧Ｖlow）と、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号（例えば電圧Ｖhigh）のいずれかの信号を出力するように構成した。
【０１３５】
そして、電源２４の温度が過熱状態にある場合には、過熱判定手段６３から遮断手段６１に電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号（例えば電圧Ｖlow）を出力し、それにより遮断手段６１を制御して、充電電流経路８１を遮断させるように構成した。
【０１３６】
そのため、充電時に、電源２４の温度が上昇した場合に、適切に充電電流経路８１を遮断して、電源２４に対する充電電流Ｉの供給を的確に遮断することが可能となる。
【０１３７】
そのため、電子機器１に内蔵された充電可能な電源２４を充電する際に、電源２４の過熱を的確に防止することが可能となり、電源２４の過熱により電子機器１が破損したりユーザーが火傷したりする事故が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１３８】
また、前述したように、電子機器が放射線画像撮影装置１である場合、電源２４が過熱すると、電源２４に対応する位置の放射線検出素子７の中に異常な動作を行うようになる放射線検出素子７が発生して画欠が生じたり、放射線画像上にアーチファクトが生じたりする場合がある。また、温度が上昇した部分の放射線検出素子７から読み出された画像データに濃度ムラが生じる場合がある。
【０１３９】
しかし、上記のように、本実施形態に係る電子機器１によれば、電源２４の過熱を的確に防止することが可能となる。そのため、上記のような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１４０】
また、本実施形態に係る電子機器１によれば、過熱時遮断回路６０の温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）で直接に充電電流Ｉの制限や遮断を行うのではなく、上記のように温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）と過熱判定手段６３（例えばコンパレーター）との組み合わせによる出力結果に基づいて、遮断手段６１（例えばＦＥＴ）により充電電流経路８１を遮断する構成とし、さらに、温度検出手段６２を、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐまたは負極端子２４ｍ、すなわち電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるように構成した。
【０１４１】
そのため、電源２４がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源２４に大きな電流値の充電電流Ｉを流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段２４を用いることが可能となり、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１４２】
なお、上記の実施形態では、電子機器が放射線画像撮影装置１である場合を例に挙げて説明したが、この他にも、充電可能な電源２４を内蔵する電子機器であれば、ノート型パソコンや携帯電話、携帯情報端末等についても本発明を適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１４３】
１ 放射線画像撮影装置（電子機器）
７ 放射線検出素子
２４、２４Ａ、２４Ｂ 電源
２４ｍ 負極端子
２４ｐ 正極端子
２４ｔ 電極端子（正極端子または負極端子）
２６ 接続電極
２６ａ プリント基板
２７ ネジ（接続手段）
３１ 基台
６０ 過熱時遮断回路
６１ 電界効果トランジスター（ＦＥＴ、遮断手段）
６２、６２Ａ、６２Ｂ ＰＴＣサーミスター（温度検出手段）
６２ａ 固定片
６３ コンパレーター（過熱判定手段）
８１ 充電電流経路
Ｉ 充電電流
Ｖhigh 電圧（電源の温度が過熱状態にはない旨の信号）
Ｖlow 電圧（電源の温度が過熱状態にある旨の信号）
ＶＴ１ 対照電圧値
ＶＴ２ 電源の温度に対応する電圧値
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に係り、特に充電可能な電源を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に内蔵された充電可能な電源（バッテリー、２次電池、蓄電デバイス等ともいう。）を充電する際に、ある種の電源では、電源が過熱する場合がある。また、充電時に過熱しないように構成されている電源でも、故障等が生じると、充電の際に過熱する場合がある。そして、電源の過熱を放置すると、電子機器が破損したり、ユーザーが火傷したりする事故が生じる虞れがある。
【０００３】
また、電子機器が、複数の放射線検出素子が二次元状（マトリクス状）に配列されたセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置（Flat Panel Detector：ＦＰＤ）である場合、センサーパネルの裏側すなわち複数の放射線検出素子が配列された側とは反対側に設けられた電源が過熱すると、電源に対応する位置の放射線検出素子の中に、異常な動作を行うようになる放射線検出素子が発生する場合がある。
【０００４】
このような場合、その放射線検出素子の部分にいわゆる画欠が生じてしまったり、その異常な放射線検出素子から読み出された画像データにより画像上にアーチファクトが生じたりする場合がある。
【０００５】
また、高温でも放射線検出素子が正常に動作する場合であっても、温度が上昇した部分の各放射線検出素子では、その内部で発生するいわゆる暗電荷の量が他の部分の放射線検出素子よりも多くなる等の問題が生じ得る。そのため、２次元状の各放射線検出素子から読み出された各画像データに濃度ムラ（すなわち画像データの大きさのムラ）が生じる場合がある。
【０００６】
このような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等を生じると、放射線画像撮影により得られた画像データに基づく放射線画像の画質が低下してしまうといった問題が生じる。また、上記のような電源の過熱によるユーザーの火傷や、電子機器の破損の発生等を防止するためにも、放射線画像撮影装置を含む電子機器の電源における充電時の過熱すなわち温度上昇があまり大きくならないようにすることが必要となる。
【０００７】
このような電源の過熱を防止するために、例えば特許文献１では、ＰＴＣ（positive temperature coefficient）サーミスター等の温度素子で検出した電源の表面温度が低温度域、標準温度域、高温度域のいずれの領域に入っているかをＭＰＵが判断し、電源の表面温度に応じて充電の仕方を切り替える電池パック等が提案されている。
【０００８】
また、特許文献２、３等では、薄板状の正極端子や負極端子にＰＴＣサーミスター等が設けられた電源が示されている。この場合、電源の温度が所定の温度以上に上昇するとＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなること等を利用して、電源に充電異常が生じた場合に、ＰＴＣサーミスター等で充電電流を遮断するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−５５７２９号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８８８７号公報
【特許文献３】特開２００３−４５４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、放射線画像撮影装置の場合、従来の銀塩等のスクリーンフィルムから、輝尽性蛍光体シートを内蔵したＣＲ（Computed Radiography）カセッテを経て、上記のような放射線画像撮影装置に発展してきた経緯がある。そのため、放射線画像撮影装置は、従来のＣＲカセッテを装填するブッキー撮影台に装填することができるような形状に形成される場合がある。
【００１１】
そして、ＣＲカセッテは、従来のスクリーンフィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズ（対応する国際規格はＩＥＣ ６０４０６）に準拠して、１４インチ×１７インチ（半切サイズ）等の寸法で形成される。また、放射線入射方向の厚さは１５ｍｍ＋１ｍｍ〜１５ｍｍ−２ｍｍの範囲内になるように形成される。
【００１２】
そのため、放射線画像撮影装置を、ＣＲカセッテを装填するブッキー撮影台に装填することができるように構成する場合、放射線画像撮影装置は、上記のＣＲカセッテが準拠するスクリーンフィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格に準拠した寸法で形成される。
【００１３】
放射線画像撮影装置が、上記のように放射線入射方向の厚さが１５ｍｍ＋１ｍｍ〜１５ｍｍ−２ｍｍの範囲内になるように薄型に形成される場合、放射線画像撮影装置の筐体と電源との間隙が非常に狭くなる。そのため、上記の特許文献１に記載されているように、電源の表面温度を検出するためのＰＴＣサーミスター等をこの間隙部分に挿入して設置することは、実際上、非常に困難になる。
【００１４】
その点、上記の特許文献２、３に記載されているように、ＰＴＣサーミスター等を、電源の正極端子や負極端子の部分に設ければ、端子部分では各端子が薄板状であるため厚さ方向にスペースがあり、ＰＴＣサーミスター等を設置するスペースがあるため、上記のような問題が生じることを回避することができる。
【００１５】
ところで、電源として例えばリチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）を用いる場合、リチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電の場合に例えば１０［Ａ］等の大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となるといった特性を有している。
【００１６】
しかしながら、上記の特許文献２、３に記載されているように、ＰＴＣサーミスター自体で充電電流を遮断するように構成する場合、多くのＰＴＣサーミスターでは、上記のような大きな電流を流すことができるように構成されているものが必ずしも多くない。また、大電流に対応するように構成する場合、通常、ＰＴＣサーミスターを含む温度検出手段が非常に大型化してしまう。そのため、例えば放射線画像撮影装置の筐体内に電源部分が収まらなくなったり、放射線画像撮影装置を大型化せざるを得なくなる等の問題が生じる。
【００１７】
一方、電源の温度が、ＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に増大する温度以下の温度（すなわち充電電流を遮断しない正常な温度範囲）であっても、ＰＴＣサーミスターの抵抗分が存在するため、負荷変動が大きくなったり、出力電圧が低下する虞れがある。
【００１８】
また、電源を充電する場合、後述する図７に示すように、定電流充電を行った後、充電の仕方を定電圧充電に切り替えて充電が行われる場合がある。この場合、後述するように、定電流充電を行って電源の充電電圧が目標電圧Ｖ０に達しても電源内部や充電電流経路の抵抗による電圧降下が存在するため電源の実際の充電電圧は実際には目標電圧Ｖ０には達していないため、定電圧充電を行って充電電圧を目標電圧Ｖ０に近づけていく。
【００１９】
その際、上記のＰＴＣサーミスターの抵抗分により、定電流充電期間が短くなるが、電源の充電電圧が目標電圧Ｖ０に達した時点での目標電圧Ｖ０と電源の実際の充電電圧との差が大きくなり、その分を定電圧充電で補わなければならなくなるため、結果として充電時間が長くなってしまうといった問題も生じ得る。
【００２０】
さらに、特許文献２、３に記載されているように、電源の正極端子や負極端子にＰＴＣサーミスター等が一体的に設けられている場合、電源の交換時等に、放射線画像撮影装置等の電子機器内の回路と、電源に設けられたＰＴＣサーミスター等との接続を切り離したり、接続し直したりしなければならなくなる。
【００２１】
また、ＰＴＣサーミスター等が設けられているため、交換する電源がより高価になる可能性がある。さらに、まだ使用できるＰＴＣサーミスター等が電源とともに廃棄されることになり、資源の無駄遣いを招く虞れがある。
【００２２】
なお、特許文献１では、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を備えるＭＰＵでソフトウエア的に電源の温度を判断することが記載されている。しかし、そのためのプログラムをＣＰＵに読み込ませる構成よりも、ハードウエア的に電源の温度を検出して充電電流を遮断できる構成とした方が、構成がより簡単になり、また、より小さな回路構成になるため好ましい。
【００２３】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、充電時に電源の温度が上昇した場合に適切に充電電流を遮断することが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【００２４】
また、電源がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源に大きな電流を流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段を用いて電源の温度を検出することを可能とすることで、薄型化を図ることが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前記の問題を解決するために、本発明の電子機器は、
正極端子または負極端子が薄板状の電源を備える電子機器において、
前記電源の充電時に、前記電源の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段が検出した前記電源の温度の情報に基づいて、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力する過熱判定手段と、
前記過熱判定手段が出力した前記信号に基づいて、前記電源の温度が過熱状態である場合に、前記電源に充電電流を供給する充電電流経路を遮断する遮断手段と、
を備える過熱時遮断回路を備え、
前記過熱時遮断回路の前記温度検出手段は、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のような方式の電子機器によれば、充電時に、電源の温度が上昇した場合に、適切に充電電流経路を遮断して、電源に対する充電電流の供給を的確に遮断することが可能となる。そのため、電子機器の電源を充電する際に、電源の過熱を的確に防止することが可能となり、電源の過熱により電子機器が破損したりユーザーが火傷したりする事故が生じることを的確に防止することが可能となる。
【００２７】
また、前述したように、電子機器が放射線画像撮影装置である場合には、電源の過熱を的確に防止して、上記のような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
【００２８】
また、温度検出手段で直接に充電電流の制限や遮断を行うのではなく、温度検出手段と過熱判定手段との組み合わせによる出力結果に基づいて、遮断手段により充電電流経路を遮断する構成とし、さらに、過熱時遮断回路の温度検出手段を電源の薄板状の正極端子または負極端子に着脱可能に取り付けるように構成したため、電源がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源に大きな電流値の充電電流を流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段を用いることが可能となり、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】電子機器の例としての放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】図１の放射線画像撮影装置の回路構成を表すブロック図である。
【図４】図３におけるコネクターから電源を経て制御手段に至る部分の構成等を表すブロック図である。推定手段としての制御手段の制御構成を説明するためのブロック図である。
【図５】ケーブルを接続した状態の放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図６】充電制御回路の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【図７】定電流充電および定電圧充電における充電電流および充電電圧の値の時間的な変化等を表すグラフである。
【図８】過熱時遮断回路の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【図９】複数の電源の各電極端子にそれぞれ着脱可能に取り付けられた温度検出手段を互いに直列に接続する場合の構成例を概略的に表すブロック図である。
【図１０】放射線画像撮影装置の基台を裏側から見た場合の外観を示す斜視図であり、電源の電極端子への温度検出手段の取り付け構造等を表す図である。
【図１１】接続電極に電源の電極端子が接続され、電極端子に温度検出手段が取り付けられた状態を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明に係る電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
なお、以下では、電子機器が放射線画像撮影装置（ＦＰＤ）である場合について説明するが、本発明は、この形態に限定されない。
【００３２】
［電子機器の例としての放射線画像撮影装置の構成例について］
電子機器の例として、放射線画像撮影装置１の構成例について説明する。図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００３３】
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレーター３や基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて構成されている。本実施形態では、筐体２は、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで形成されている。
【００３４】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクター３９、電源２４（図２や後述する図３参照）の状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケーター４０等が配置されている。
【００３５】
また、図示を省略するが、本実施形態では、筐体２の反対側の蓋部材２Ｃに、放射線画像撮影装置１が外部装置と信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置４１（後述する図３参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれるようにして設けられている。
【００３６】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や電源２４等が取り付けられている。また、基板４やシンチレーター３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されており、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。
【００３７】
図示を省略するが、基板４の検出部Ｐ上には、フォトダイオード等からなる複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されており、各放射線検出素子７にスイッチ手段としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８や走査線５、信号線６、バイアス線９等が接続されている。また、シンチレーター３が、基板４の検出部Ｐに対向するように設けられるようになっている。
【００３８】
放射線画像撮影装置１の回路構成を、図３に示すブロック図を用いて説明する。本実施形態では、複数の放射線検出素子７が基板４上に二次元状に配列されて検出部Ｐが形成されている。また、各放射線検出素子７の第２電極７ｂにはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。そして、バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれ逆バイアス電圧を印加するようになっている。
【００３９】
走査駆動手段１５では、電源回路１５ａからゲートドライバー１５ｂに配線１５ｃを介してオン電圧やオフ電圧が供給され、ゲートドライバー１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理等を行うようになっている。
【００４０】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されており、読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。
【００４１】
そして、例えば、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理の際には、ゲートドライバー１５ｂからオン電圧が印加された走査線５に接続されているＴＦＴ８がオン状態になり、オン状態になったＴＦＴ８に接続されている放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出され、放出された電荷が読み出し回路１７の増幅回路１８で電荷電圧変換される。
【００４２】
そして、増幅回路１８の出力側に設けられた相関二重サンプリング回路１９で、放射線検出素子７から電荷が放出される前後の増幅回路１８からの出力値の差分を算出し、算出した差分をアナログ値の画像データとして出力する。そして、出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサー２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて出力され、記憶手段２３に順次保存される。このようにして、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理が順次行われる。
【００４３】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。
【００４４】
また、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、前述した電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、インジケーター４０（図１参照）等も接続されている。
【００４５】
また、本実施形態では、制御手段２２には、制御手段２２や走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するための電源２４が接続されている。電源２４には、充電制御回路８０や前述したコネクター３９等が接続されているが、この点については後で説明する。
【００４６】
本実施形態では、電源２４として、リチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）が用いられているが、本発明はこれに限定されず、充電可能な電源であれば、電気二重層キャパシター等の蓄電デバイスやリチウムイオンバッテリー等のバッテリーやリチウムイオン２次電池等であってもよい。
【００４７】
なお、リチウムイオンキャパシターを電源２４として用いると、前述したようにリチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電を行う際に大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となるといった利点がある。
【００４８】
以下、充電制御回路８０や電源生成回路、過熱時遮断回路等について説明する。図４は、図３におけるコネクター３９から電源２４を経て制御手段２２に至る部分の構成等を表すブロック図である。
【００４９】
なお、図４や後述する図６は、放射線画像撮影装置１が充電装置であるクレードルＣｒに挿入され、放射線画像撮影装置１のコネクター３９とクレードルＣｒのコネクターＣｒ１とが接続された状態で電源２４の充電を行う場合が示されている。
【００５０】
しかし、この他にも、例えば図５に示すように、放射線画像撮影装置１のコネクター３９に、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクターＣを接続し、ケーブルＣａやコネクターＣ、３９を介して図示しない外部の充電装置から放射線画像撮影装置１に電力を供給して電源２４の充電を行う場合等も同様に説明される。
【００５１】
本実施形態の電子機器である放射線画像撮影装置１では、図４に示すように、コネクター３９と電源２４との間に充電制御回路８０と過熱時遮断回路６０とが設けられている。また、電源２４と制御手段２２との間には電源生成回路２５が設けられている。
【００５２】
電源生成回路２５は、電源２４から供給される電力を、制御手段２２やセンサーパネルＳＰにおける走査駆動手段１５や読み出し回路１７、バイアス電源１４（図３参照）等の各機能部に供給する際に、各機能部で要求される適切な状態に電力を生成して供給するようになっている。
【００５３】
また、図６は、充電制御回路８０の回路構成を概略的に表すブロック図である。本実施形態では、充電制御回路８０は、接続されたコネクター３９、Ｃｒ１を介してクレードルＣｒの定電圧電源Ｃｒ２から供給された電力を放射線画像撮影装置１の電源２４に供給する配線としての充電電流経路８１と、電源２４への充電を制御する充電制御部８２とを備えて構成されている。
【００５４】
また、本実施形態では、充電制御部８２には、少なくとも充電電圧検出部８３と、充電電流検出部８４と、スイッチング制御部８５とが設けられている。
【００５５】
充電制御回路８０では、充電電流経路８１上には第１スイッチ素子８６が、充電電流経路８１から分岐してグランド（以下、ＧＮＤと記載する。）に接続されている配線８８上には第２スイッチ素子８７がそれぞれ設けられている。そして、第１スイッチ素子８６および第２スイッチ素子８７は、それぞれＦＥＴ（電界効果トランジスター）で構成されており、また、それぞれスイッチング制御部８５によりそれらのオン／オフ動作が制御されるようになっている。
【００５６】
また、充電電流経路８１にはインダクター（コイルともいう。）８９が挿入されており、また、充電電流経路８１とＧＮＤとの間にコンデンサー９０が設けられている。そして、インダクター８９のインダクタンス（inductance）成分により蓄えられるエネルギーを制御することにより、充電電流Ｉおよび充電電圧Ｖを制御する。また、コンデンサー９０は、電源２４への出力に対してローパスフィルター状に機能して、充電電圧Ｖを平滑化するようになっている。
【００５７】
本実施形態では、充電電流経路８１に充電電流検出用の抵抗部９１が挿入されている。また、充電電流検出用の抵抗部９１の両極が充電電流検出部８４に接続されており、充電電流検出部８４によって充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが検出されるようになっている。この電位差Δｖは、Δｖ＝ＩＲの関係により充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉに相当する。
【００５８】
また、充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０に接続されている。すなわち図６の充電制御回路８０の接続端子Ａが後述する図８の過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続されている。また、充電制御回路８０の接続端子Ｂは、図８の過熱時遮断回路６０の接続端子Ｂ＊に接続されている。
【００５９】
また、充電制御回路８０内では、充電電流経路８１とＧＮＤとが２つの分圧抵抗９２ａ、９２ｂを介して接続されており、２つの分圧抵抗９２ａ、９２ｂの間に接続された配線９３が充電電圧検出部８３に接続されている。そして、充電制御部８２の充電電圧検出部８３で、電源２４に充電されている充電電圧Ｖが検出されるようになっている。
【００６０】
そして、充電電圧検出部８３で検出された電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４で検出された充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）が、充電制御部８２のスイッチング制御部８５に送られるようになっている。
【００６１】
充電制御部８２のスイッチング制御部８５は、充電電圧検出部８３からもたらされる電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４からもたらされる充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）に応じて、充電電流経路８１を介して電源２４に供給される充電電流Ｉを制御するようになっている。
【００６２】
そして、スイッチング制御部８５は、フィードバックされたそれらの情報に応じて第１スイッチ素子８６および第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御して、コネクター３９に供給される電力から電源２４を充電制御するようになっている。
【００６３】
本実施形態では、充電制御回路８０は、電子機器である放射線画像撮影装置１の電源２４の充電の仕方を、図７に示すように、充電電流Ｉが一定になるように充電を行う定電流充電を行った後、充電電圧Ｖが一定になるように充電を行う定電圧充電に切り替えるようになっている。
【００６４】
具体的には、充電制御回路８０のスイッチング制御部８５は、充電電圧検出部８３が検出した電源２４に充電されている充電電圧Ｖ（図７の右側の目盛りおよび破線参照）が予め設定された目標電圧Ｖ０よりも小さい場合には、充電電流検出部８４が検出する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが、設定された電流値（例えば１０［Ａ］）に相当する電位差になるように、第１スイッチ素子８６と第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御して定電流充電を行う。
【００６５】
そして、上記のようにして定電流充電を行い、充電電圧検出部８３が検出した電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達すると、図７に示すように、スイッチング制御部８５は、今度は、電源２４に対する充電の仕方を定電圧充電に切り替える。
【００６６】
上記のように定電流充電を行って、充電電圧検出部８３が検出した電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達したとしても、電源２４内部や充電電流経路８１等の抵抗による電圧降下が存在するため、電源２４の実際の充電電圧Ｖは、実際には目標電圧Ｖ０には達していない。
【００６７】
そこで、スイッチング制御部８５は、充電の仕方を切り替えた後の定電圧充電時には、充電電圧検出部８３が検出する電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０を越えずに目標電圧Ｖ０を維持するように第１スイッチ素子８６と第２スイッチ素子８７のオン／オフ動作を制御しながら定電圧充電を行うようになっている。
【００６８】
そして、スイッチング制御部８５は、充電電流検出部８４が検出する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが次第に減少し、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉが非常に小さくなってそれに対応する電位差Δｖが予め設定された閾値Δｖth以下になった時点で、電源２４の充電を終了するようになっている（図７の時刻ｔ１参照）。
【００６９】
次に、充電制御回路８０と電源２４との間に設けられている過熱時遮断回路６０について説明する。図８は、過熱時遮断回路６０の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【００７０】
前述したように、充電制御回路８０から延びる充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続されている。また、充電制御回路８０の接続端子Ｂから延びる配線は、過熱時遮断回路６０の接続端子Ｂ＊を介して過熱時遮断回路６０のＧＮＤに接続されている。
【００７１】
過熱時遮断回路６０は、主に、遮断手段６１と、温度検出手段６２と、過熱判定手段６３とで構成されており、本実施形態では、さらにＦＥＴ駆動部６４や複数の抵抗器６５ａ〜６５ｃ等を備えて構成されている。
【００７２】
上記のように、過熱時遮断回路６０の接続端子Ａ＊に接続された充電電流経路８１は、過熱時遮断回路６０中を通り、接続端子Ｃ＊を介して電源２４の正極端子２４ｐに接続されている。また、電源２４の負極端子２４ｍは、過熱時遮断回路６０の接続端子Ｄ＊を介して過熱時遮断回路６０のＧＮＤに接続されている。
【００７３】
過熱時遮断回路６０中の充電電流経路８１には、遮断手段６１が挿入されており、遮断手段６１は、後述するように、過熱判定手段６３が出力した信号に基づいて、充電電流経路８１を遮断したり導通させたりするようになっている。
【００７４】
本実施形態では、遮断手段６１は、ＦＥＴ（電界効果トランジスター）で構成されている。また、遮断手段６１であるＦＥＴには、それを駆動させるためのＦＥＴ駆動部６４が接続されており、ＦＥＴは、過熱判定手段６３が出力した信号に基づいてＦＥＴ駆動部６４から出力されるオン信号やオフ信号に従ってオン／オフ動作、すなわち充電電流経路８１の導通や遮断が制御されるようになっている。
【００７５】
過熱時遮断回路６０の温度検出手段６２は、電源２４の温度を検出するようになっている。本実施形態では、温度検出手段６２は、ＰＴＣサーミスターで構成されている。ＰＴＣサーミスターは、よく知られているように、閾値以下の温度では抵抗値が小さいが、閾値以上の温度ではその抵抗値が急激に大きくなるという特徴を有する。
【００７６】
また、温度検出手段６２は、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍに着脱可能に取り付けられているが、この点については後で説明する。また、温度検出手段６２は、電源２４の正極端子２４ｐと負極端子２４ｍのいずれの端子に取り付けられてもよい。以下、温度検出手段６２が取り付けられる電源２４の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍを一般的に言う場合、電極端子２４ｔという。
【００７７】
なお、本実施形態のように、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いる代わりに、例えばＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスターを用いるように構成することが可能である。ＮＴＣサーミスターは、よく知られているように、上記のＰＴＣサーミスターの場合とは逆に、閾値以下の温度ではその抵抗値が大きな値を示すが、閾値以上の温度になるとその抵抗値が小さくなるという特徴を有する。
【００７８】
一方、過熱時遮断回路６０内には、所定の抵抗値を有する２つの抵抗器６５ａ、６５ｂが直列に接続されて設けられている。そして、抵抗器６５ａの、抵抗器６５ｂと接続されている側とは反対側の端子にリファレンス電圧ＶＲが印加されるようになっており、また、抵抗器６５ｂの、抵抗器６５ａと接続されている側とは反対側の端子がＧＮＤに接続されている。
【００７９】
そして、抵抗器６５ａ、６５ｂによりリファレンス電圧ＶＲ−ＧＮＤ間が分圧された電圧値ＶＴ１が、過熱判定手段６３に入力されるようになっている。この電圧値ＶＴ１が、後述する電源の温度に対応する電圧値ＶＴ２と比較される電圧値となる。以下、電圧値ＶＴ１を対照電圧値ＶＴ１という。
【００８０】
また、過熱時遮断回路６０内には、所定の抵抗値を有する抵抗器６５ｃと、前述した温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターとが直列に接続されて設けられている。そして、抵抗器６５ｃの、ＰＴＣサーミスター６２と接続されている側とは反対側の端子にリファレンス電圧ＶＲが印加されるようになっており、また、ＰＴＣサーミスター６２の、抵抗器６５ｃと接続されている側とは反対側の端子がＧＮＤに接続されている。
【００８１】
そして、抵抗器６５ｃとＰＴＣサーミスター６２によりリファレンス電圧ＶＲ−ＧＮＤ間が分圧された電圧値ＶＴ２も、過熱判定手段６３に入力されるようになっている。この電圧値ＶＴ２が、温度検出手段６２により検出された電源２４の温度に対応する電圧値となる。
【００８２】
本実施形態では、過熱判定手段６３は、コンパレーター（comparator）で構成されており、上記の対照電圧値ＶＴ１が非反転入力側に入力され、電圧値ＶＴ２が反転入力側に入力されるようになっている。そして、コンパレーターにより対照電圧値ＶＴ１と電圧値ＶＴ２との大小をハードウエア的に判定するようになっている。
【００８３】
具体的には、充電時に、電源２４の温度が低く、本実施形態における温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターの抵抗値が小さい状態では、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなるように構成されている。そして、この場合には、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、ＦＥＴ駆動部６４に正の所定の電圧値の電圧Ｖhighを出力する。
【００８４】
本実施形態では、この電圧Ｖhighが、過熱判定手段６３が遮断手段６１やそれを駆動するＦＥＴ駆動部６４に対して出力する、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号に相当する。
【００８５】
そして、ＦＥＴ駆動部６４は、この電圧Ｖhighが入力されると、遮断手段６１であるＦＥＴにオン信号を出力する。そのため、遮断手段６１はオン状態となり、充電電流経路８１の導通を維持するようになっている。
【００８６】
また、充電時に、電源２４の温度が上昇し、温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなると、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。そして、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、今度は、ＦＥＴ駆動部６４に０［Ｖ］に近い電圧値の電圧Ｖlowを出力する。
【００８７】
本実施形態では、この電圧Ｖlowが、過熱判定手段６３が遮断手段６１やそれを駆動するＦＥＴ駆動部６４に対して出力する、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号に相当する。
【００８８】
そして、ＦＥＴ駆動部６４は、この電圧Ｖlowが入力されると、遮断手段６１であるＦＥＴにオフ信号を出力する。そのため、遮断手段６１はオフ状態となり、充電電流経路８１を遮断するようになっている。
【００８９】
なお、本実施形態では、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、上記のように、入力される電圧値ＶＴ２の対照電圧値ＶＴ１に対する大小関係に基づいて、ＦＥＴ駆動部６４を介して遮断手段６１であるＦＥＴのオン／オフ動作を制御する。そのため、抵抗器６５ａ〜６５ｃの抵抗値は、電源２４の温度が上昇して過熱状態になった場合に電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも確実に大きな電圧値になるような抵抗値に設定される。
【００９０】
また、電源２４の温度がどの程度の温度になった場合に過熱状態になったと見なすかについては、個々の電子機器で許容される電源２４の温度範囲等に基づいて決められる。そして、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いる場合には、例えば、上記の電源２４に許容される温度範囲の上限の温度を閾値とするＰＴＣサーミスターが選択されて用いられる。
【００９１】
このように構成すれば、電源２４の温度が上記の温度範囲を越えると、温度検出手段６２としてのＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に大きくなり、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。そのため、過熱判定手段６３であるコンパレーターからＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖlowが出力され、遮断手段６１であるＦＥＴに的確にオフ信号が出力されて、遮断手段６１が的確に充電電流経路８１を遮断することが可能となる。
【００９２】
その際、本実施形態のように、電源２４としてリチウムイオンキャパシターを用いる場合、リチウムイオンキャパシターは、通常の場合、充電時に温度が低下するといった特性を有している。そのため、温度検出手段６２として、上記の温度に関する閾値が、充電の際に温度が上昇するような他のバッテリー等に用いられるＰＴＣサーミスターよりも低い温度に設定されたＰＴＣサーミスターを用いることが可能となる。
【００９３】
さらに、本実施形態では、過熱判定手段６３であるコンパレーターは、遮断手段６１に充電電流経路８１を遮断させた後で、電源２４の温度が低下した場合、すなわちＰＴＣサーミスターの抵抗値が小さくなり、電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなった場合には、ＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖhighを出力し、遮断手段６１であるＦＥＴにオン信号を出力させ、遮断手段６１による充電電流経路８１の遮断を停止させて、充電電流経路８１の導通を回復させるようになっている。
【００９４】
しかし、その際、電源２４の温度が、ＰＴＣサーミスターの閾値以下の温度になったからといって即座に充電電流経路８１の導通を回復させると、すぐにまた電源２４の温度が上昇してＰＴＣサーミスターの閾値を越えて遮断手段６１により充電電流経路８１が遮断されるようになる。
【００９５】
このような状態になると、充電制御回路８０（図４等参照）から電源２４への充電電流Ｉの供給が再開されるとすぐに停止される状態が続くようになり、過熱異常の状態を効果的に防げないといった問題等を生じる。
【００９６】
そのため、例えば、過熱判定手段６３であるコンパレーターにヒステリシスを設けておき、電源２４の温度がＰＴＣサーミスターの閾値以下の温度に低下して電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも低くなった後、さらに電源２４の温度が所定の温度まで低下した時点で初めてＦＥＴ駆動部６４に電圧Ｖhighを出力して、充電電流経路８１の導通を回復させるように構成することが好ましい。
【００９７】
一方、例えば図９に示すように、電子機器（本実施形態では放射線画像撮影装置１）内に複数の電源２４Ａ、２４Ｂが設けられている場合、各電源２４Ａ、２４Ｂの各電極端子２４ｔにそれぞれ着脱可能に取り付けられた温度検出手段６２としての各ＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂを、互いに直列に接続するように構成することが可能である。
【００９８】
このように構成すると、複数の電源２４のうち、いずれか１つでも電源２４の温度が上昇して過熱状態になれば、直列に接続されたＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂ全体の抵抗値（この場合は各ＰＴＣサーミスター６２Ａ、６２Ｂの抵抗値の総和）が急激に大きくなり、過熱判定手段６３であるコンパレーターに入力される電圧値ＶＴ２が対照電圧値ＶＴ１よりも高くなる。
【００９９】
そのため、充電電流経路８１を遮断して、各電源２４への充電電流Ｉの供給を的確に停止することが可能となる。
【０１００】
なお、温度検出手段６２としてＮＴＣサーミスターを用いる場合、上記のように、ＰＴＣサーミスターの場合とは逆に、閾値以下の温度ではその抵抗値が大きな値を示すが、閾値以上の温度になるとその抵抗値が小さくなる。
【０１０１】
その際、複数の電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられているＮＴＣサーミスターを直列に接続すると、いずれか１つの電源２４の温度が上昇して過熱状態になり当該電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられているＮＴＣサーミスターの抵抗値が小さくなっても、他のＮＴＣサーミスターの抵抗値が大きな値のままであれば、直列に接続されたＮＴＣサーミスター全体の抵抗値は大きな値になる。そのため、当該電源２４が過熱状態になったことを的確に判定することができなくなる。
【０１０２】
そのため、温度検出手段６２としてＮＴＣサーミスターを用いる場合には、複数の電源２４の電極端子２４ｔに取り付けられた各ＮＴＣサーミスターを直列に接続せず、個別に過熱判定手段６３に接続するように構成される。そして、過熱判定手段６３は、複数の電源２４のうちいずれか１つでも電源２４の温度が上昇して過熱状態になった場合には、遮断手段６１により充電電流経路８１を遮断させるように構成される。
【０１０３】
次に、本実施形態の電子機器である放射線画像撮影装置１における電源２４の電極端子２４ｔへの温度検出手段６２の取り付け構造等について説明する。前述したように、本実施形態では、温度検出手段６２であるＰＴＣサーミスターは、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍに着脱可能に取り付けられている。
【０１０４】
具体的には、本実施形態では、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰの基台３１には、（図２参照）には、図１０に示すように、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐや負極端子２４ｍが、接続手段であるネジ２７により接続される接続電極２６が形成されている。なお、図１０は、基台３１を裏側、すなわちＰＣＢ基板３３（図２参照）等が取り付けられる側から見た図である。また、後述する図１１では、基台３１の裏側が上側になるように記載されている。
【０１０５】
接続電極２６は、例えば、一面側に金属膜が形成されたプリント基板２６ａを細長に形成し、それを基台３１に貼付する等して形成することができる。本実施形態では、接続電極２６には、接続電極２６と過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等とを電気的に接続するためのコネクター２８Ａ、２８Ｂが取り付けられている。
【０１０６】
なお、図１０では、接続電極２６と過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等とを、コネクター２８Ａ、２８Ｂを介して配線で接続する場合を示した。しかし、この他にも、例えば、過熱時遮断回路６０や電源生成回路２５等が形成されたプリント基板の一端に接続電極２６を設けておき、それと電源２４の電極端子２４ｔとを接続するように構成することも可能である。
【０１０７】
一方、図１０に示すように、電源２４の電極端子２４ｔ（すなわち正極端子２４ｐまたは負極端子２４ｍ）は薄板状に形成されている。また、温度検出手段であるＰＴＣサーミスター６２には、それを電源２４の薄板状の電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるための、先端がリング状に形成された固定片６２ａが設けられている。
【０１０８】
そして、電源２４の薄板状の電極端子２４ｔが接続電極２６に接続される際に、電源２４の電極端子２４ｔと、ＰＴＣサーミスター６２の固定片６２ａとが、接続手段であるネジ２７により共締めされて接続電極２６に接続されるようになっている。
【０１０９】
本実施形態では、このようにして電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６に接続することにより、図１１に示すように、温度検出手段であるＰＴＣサーミスター６２が、電源２４の電極端子２４ｔに接触する状態で、着脱可能に取り付けられるようになっている。
【０１１０】
なお、図示を省略するが、電源２４を複数設ける場合には、例えば、図１０や図１１に示した接続電極２６を長手方向に延長させて形成し、延長された接続電極２６に各電源２４の各電極端子２４ｔをネジ止め等により接続するように構成される。
【０１１１】
また、例えば、図１０や図１１に示した電極端子２４ｔが負極端子２４ｍの場合には、電源２４の反対側の正極端子２４ｐも同様にして設けられた接続電極に接続される。なお、その際、反対側の端子には温度検出手段６２を取り付ける必要はない。
【０１１２】
次に、本実施形態に係る電子機器の作用について説明する。
【０１１３】
本実施形態に係る電子機器である放射線画像撮影装置１では、過熱時遮断回路６０が、上記のように、ＰＴＣサーミスター等で構成された温度検出手段６２により検出された温度の情報（すなわち、その抵抗値や、その抵抗値に基づいてコンパレーター６３に入力される電圧値ＶＴ２（図８参照））に基づいて、コンパレーター等で構成された過熱判定手段６３が、電源２４の温度が過熱状態にあるか否かをハードウエア的に判定する。
【０１１４】
実際には、過熱判定手段６３であるコンパレーターが、入力された電圧値ＶＴ２と対照電圧値ＶＴ１のいずれの電圧値が大きいかを比較する。
【０１１５】
そして、判定（すなわち比較）の結果、電圧値ＶＴ２の方が対照電圧値ＶＴ１よりも大きい場合には、過熱判定手段６３は、電源２４の温度が過熱状態になっていると判定して、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号すなわち電圧Ｖlowを出力する。そして、ＦＥＴ（電界効果トランジスター）等で構成された遮断手段６１が、その信号に基づいて充電電流経路８１を遮断する。
【０１１６】
また、判定（すなわち比較）の結果、対照電圧値ＶＴ１の方が電圧値ＶＴ２よりも大きい場合には、過熱判定手段６３は、電源２４の温度が過熱状態になっていないと判定して、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号すなわち電圧Ｖhighを出力する。そして、遮断手段６１は、その信号に基づいて充電電流経路８１の導通を維持し、或いは、充電電流経路８１を遮断している場合には導通を回復する。
【０１１７】
この場合、充電電流経路８１の遮断や導通を、本実施形態のようにＦＥＴ等で構成された遮断手段６１で行う代わりに、電源２４の温度上昇によりＰＴＣサーミスターの抵抗値が急激に非常に大きくなることを利用してＰＴＣサーミスター自体で行うように構成することも考えられなくはない。
【０１１８】
しかし、その場合には、前述したように、電源２４の温度が低く、ＰＴＣサーミスターの抵抗値が低い状態でも、ＰＴＣサーミスターの抵抗分が存在するため、負荷変動が大きくなったり、出力電圧が低下する虞れがある。また、ＰＴＣサーミスターの比較的大きな抵抗分により、結果的に充電時間が長くなってしまうといった問題が生じ得る。
【０１１９】
それに対して、本実施形態のように、充電電流経路８１の遮断や導通をＦＥＴ等で構成された遮断手段６１で行うように構成すれば、ＦＥＴは常温時の抵抗分がＰＴＣサーミスターの常温での抵抗分よりも大幅に小さいため、このような問題が生じることを回避することが可能となる。
【０１２０】
そして、充電電流経路８１を遮断する際には、経路がＦＥＴで的確に遮断される。また、それとともに、充電電流経路８１の導通を維持する際には、ＦＥＴ部分の抵抗値が温度に依存して変動しない。また、仮に遮断手段６１をＰＴＣサーミスターで構成する場合に比べて常温時の抵抗値が大幅に小さくなり、充電電流経路８１内に充電電流Ｉをロスなく安定的に流して電源２４に供給することが可能となる。
【０１２１】
また、本実施形態のように電源２４として例えばリチウムイオンキャパシター（ＬＩＣ）を用いる場合、リチウムイオンキャパシターは内部抵抗が小さいため、定電流充電の場合に例えば１０［Ａ］等の大きな電流を流して、より短時間で充電を行うことが可能となる。
【０１２２】
しかし、上記のように、遮断手段６１をＰＴＣサーミスターで構成する場合、大きな電流値の充電電流Ｉを流すことができなかったり、大電流に対応するためにＰＴＣサーミスターが大型化してしまう場合があった。
【０１２３】
それに対し、本実施形態では、温度検出手段６２としてＰＴＣサーミスターを用いるが、充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１は、それとは別体のＦＥＴで構成する。このように構成することにより、ＦＥＴであれば、充電電流経路８１に大電流を流すことが可能となり、しかも、充電電流経路８１を遮断する場合には上記のように的確に遮断することができる。この場合、ＦＥＴを大型化する必要はない。
【０１２４】
また、本実施形態では、ＰＴＣサーミスターは、上記のように大電流が流れる充電電流経路８１を遮断するようには機能せず、温度検出手段６２として電源２４の温度を検出するためだけに機能する。そのため、ＰＴＣサーミスターに大電流を流す必要がない。
【０１２５】
このように、本実施形態では、温度検出手段６２としてのＰＴＣサーミスターが大型化することを回避することが可能となり、図１１等に示すように、小型のＰＴＣサーミスターを用いることが可能となる。また、そのため、放射線画像撮影装置１のように電子機器に薄型化が要求される場合にも、適切に電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１２６】
また、本実施形態では、このように小型のＰＴＣサーミスター等で構成される温度検出手段６２を、電源２４の薄板状の電極端子２４ｔに取り付ける。電源２４の電極端子２４ｔが薄板状であれば、図１１に示すように、電極端子２４ｔの部分に、小型のＰＴＣサーミスターを取り付けるためのスペース（図中では電極端子２４ｔの上側と電源２４の上端面との間のスペース）が十分にある。
【０１２７】
すなわち、放射線画像撮影装置１の筐体２（図１等参照）を大型化して、電源２４の電極端子２４ｔにＰＴＣサーミスターを取り付けるためのスペースをわざわざ設ける必要がない。
【０１２８】
このように、本実施形態では、電極端子２４ｔの部分のスペースを利用して、ＰＴＣサーミスターを電極端子２４ｔに取り付けることでＰＴＣサーミスターをそのスペース内に収めることが可能となる。そのため、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電極端子２４ｔに取り付けるためのスペースをわざわざ形成しなくてもよいため、この点においても、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１２９】
さらに、本実施形態では、前述した特許文献２、３に記載されているように電源２４の電極端子２４ｔにＰＴＣサーミスター等を一体的に設けるのではなく、共締め等により温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるように構成した。
【０１３０】
そのため、本実施形態では、電源２４の交換時等において電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６から離脱させる際に、同時に温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）が電極端子２４ｔから離脱する。また、新たに電源２４の電極端子２４ｔを接続電極２６に接続される際に、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を共締め等することにより、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）を電源２４の電極端子２４ｔに容易に取り付けることが可能となる。
【０１３１】
そのため、温度検出手段６２（ＰＴＣサーミスター）の電極端子２４ｔの取り付け作業が非常に容易になる。また、それとともに、上記のようにＰＴＣサーミスター等を電源２４の電極端子２４ｔに一体的に設ける場合には、電源２４の交換の際に、まだ使用できるＰＴＣサーミスター等が電源２４とともに廃棄されることになるが、本実施形態では、このような資源の無駄遣いを防止することが可能となる。
【０１３２】
なお、過熱判定手段６３をＭＰＵ等でソフトウエア的に処理を行う代わりに、本実施形態のように過熱判定手段６３をコンパレーターで構成し、ハードウエア的に処理を行うように構成することで、過熱時遮断回路６０の構成がより簡単になり、過熱時遮断回路６０をより小さな回路構成で構成することが可能となる。
【０１３３】
以上のように、本実施形態に係る電子機器１によれば、電源２４の温度を検出する温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）と、充電電流経路８１を遮断する遮断手段６１（例えばＦＥＴ）を別体に構成した。
【０１３４】
また、温度検出手段６２が検出した電源２４の温度の情報に基づいて過熱判定手段６３（例えばコンパレーター）で電源２４の温度が過熱状態であるか否かを判定し、電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号（例えば電圧Ｖlow）と、電源２４の温度が過熱状態にはない旨の信号（例えば電圧Ｖhigh）のいずれかの信号を出力するように構成した。
【０１３５】
そして、電源２４の温度が過熱状態にある場合には、過熱判定手段６３から遮断手段６１に電源２４の温度が過熱状態にある旨の信号（例えば電圧Ｖlow）を出力し、それにより遮断手段６１を制御して、充電電流経路８１を遮断させるように構成した。
【０１３６】
そのため、充電時に、電源２４の温度が上昇した場合に、適切に充電電流経路８１を遮断して、電源２４に対する充電電流Ｉの供給を的確に遮断することが可能となる。
【０１３７】
そのため、電子機器１に内蔵された充電可能な電源２４を充電する際に、電源２４の過熱を的確に防止することが可能となり、電源２４の過熱により電子機器１が破損したりユーザーが火傷したりする事故が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１３８】
また、前述したように、電子機器が放射線画像撮影装置１である場合、電源２４が過熱すると、電源２４に対応する位置の放射線検出素子７の中に異常な動作を行うようになる放射線検出素子７が発生して画欠が生じたり、放射線画像上にアーチファクトが生じたりする場合がある。また、温度が上昇した部分の放射線検出素子７から読み出された画像データに濃度ムラが生じる場合がある。
【０１３９】
しかし、上記のように、本実施形態に係る電子機器１によれば、電源２４の過熱を的確に防止することが可能となる。そのため、上記のような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１４０】
また、本実施形態に係る電子機器１によれば、過熱時遮断回路６０の温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）で直接に充電電流Ｉの制限や遮断を行うのではなく、上記のように温度検出手段６２（例えばＰＴＣサーミスター）と過熱判定手段６３（例えばコンパレーター）との組み合わせによる出力結果に基づいて、遮断手段６１（例えばＦＥＴ）により充電電流経路８１を遮断する構成とし、さらに、温度検出手段６２を、電源２４の薄板状の正極端子２４ｐまたは負極端子２４ｍ、すなわち電極端子２４ｔに着脱可能に取り付けるように構成した。
【０１４１】
そのため、電源２４がリチウムイオンキャパシターである場合のように、電源２４に大きな電流値の充電電流Ｉを流して充電を行う場合においても、小型の温度検出手段２４を用いることが可能となり、電子機器の薄型化を図ることが可能となる。
【０１４２】
なお、上記の実施形態では、電子機器が放射線画像撮影装置１である場合を例に挙げて説明したが、この他にも、充電可能な電源２４を内蔵する電子機器であれば、ノート型パソコンや携帯電話、携帯情報端末等についても本発明を適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１４３】
１ 放射線画像撮影装置（電子機器）
７ 放射線検出素子
２４、２４Ａ、２４Ｂ 電源
２４ｍ 負極端子
２４ｐ 正極端子
２４ｔ 電極端子（正極端子または負極端子）
２６ 接続電極
２６ａ プリント基板
２７ ネジ（接続手段）
３１ 基台
６０ 過熱時遮断回路
６１ 電界効果トランジスター（ＦＥＴ、遮断手段）
６２、６２Ａ、６２Ｂ ＰＴＣサーミスター（温度検出手段）
６２ａ 固定片
６３ コンパレーター（過熱判定手段）
８１ 充電電流経路
Ｉ 充電電流
Ｖhigh 電圧（電源の温度が過熱状態にはない旨の信号）
Ｖlow 電圧（電源の温度が過熱状態にある旨の信号）
ＶＴ１ 対照電圧値
ＶＴ２ 電源の温度に対応する電圧値
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極端子または負極端子が薄板状の電源を備える電子機器において、
前記電源の充電時に、前記電源の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段が検出した前記電源の温度の情報に基づいて、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力する過熱判定手段と、
前記過熱判定手段が出力した前記信号に基づいて、前記電源の温度が過熱状態である場合に、前記電源に充電電流を供給する充電電流経路を遮断する遮断手段と、
を備える過熱時遮断回路を備え、
前記過熱時遮断回路の前記温度検出手段は、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記遮断手段は、電界効果トランジスターで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記過熱判定手段は、コンパレーターで形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記過熱判定手段は、前記温度検出手段が検出した前記電源の温度に対応する電位とリファレンス電位とを比較して、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記過熱判定手段は、前記電源の温度が所定の温度まで低下した時点で、前記遮断手段に対して前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号を出力することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記電源の薄板状の前記正極端子と前記負極端子とがそれぞれ接続手段により接続される各接続電極を備え、
前記温度検出手段は、前記温度検出手段を前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けるための固定片を備え、
前記電源の薄板状の前記正極端子と前記負極端子とがそれぞれ前記各接続電極に接続される際に、前記温度検出手段の前記固定片と、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子とが、ともに前記接続手段により前記接続電極に接続されることにより、前記温度検出手段が前記正極端子または前記負極端子に接触する状態で取り付けられることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記接続手段は、ネジであり、
前記温度検出手段の前記固定片と、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子とは、前記接続手段であるネジにより共締めされて前記接続電極に接続されることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記接続電極は、プリント基板で構成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記温度検出手段は、ＰＴＣサーミスターで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記電源を複数個備え、
前記温度検出手段としての前記ＰＴＣサーミスターは、前記各電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子にそれぞれ着脱可能に取り付けられており、かつ、前記各ＰＴＣサーミスターが直列に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記電源は、リチウムイオンキャパシターで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１２】
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備える放射線画像撮影装置として構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記電源を取り付けるための基台を備え、
前記電源は、前記基台に対して、前記複数の放射線検出素子が設けられている側とは反対側に取り付けられていることを特徴とする請求項１２に記載の電子機器。
【請求項１】
正極端子または負極端子が薄板状の電源を備える電子機器において、
前記電源の充電時に、前記電源の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段が検出した前記電源の温度の情報に基づいて、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力する過熱判定手段と、
前記過熱判定手段が出力した前記信号に基づいて、前記電源の温度が過熱状態である場合に、前記電源に充電電流を供給する充電電流経路を遮断する遮断手段と、
を備える過熱時遮断回路を備え、
前記過熱時遮断回路の前記温度検出手段は、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記遮断手段は、電界効果トランジスターで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記過熱判定手段は、コンパレーターで形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記過熱判定手段は、前記温度検出手段が検出した前記電源の温度に対応する電位とリファレンス電位とを比較して、前記電源の温度が過熱状態にある旨の信号と前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号のいずれかの信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記過熱判定手段は、前記電源の温度が所定の温度まで低下した時点で、前記遮断手段に対して前記電源の温度が過熱状態にはない旨の信号を出力することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記電源の薄板状の前記正極端子と前記負極端子とがそれぞれ接続手段により接続される各接続電極を備え、
前記温度検出手段は、前記温度検出手段を前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子に着脱可能に取り付けるための固定片を備え、
前記電源の薄板状の前記正極端子と前記負極端子とがそれぞれ前記各接続電極に接続される際に、前記温度検出手段の前記固定片と、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子とが、ともに前記接続手段により前記接続電極に接続されることにより、前記温度検出手段が前記正極端子または前記負極端子に接触する状態で取り付けられることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記接続手段は、ネジであり、
前記温度検出手段の前記固定片と、前記電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子とは、前記接続手段であるネジにより共締めされて前記接続電極に接続されることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記接続電極は、プリント基板で構成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記温度検出手段は、ＰＴＣサーミスターで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記電源を複数個備え、
前記温度検出手段としての前記ＰＴＣサーミスターは、前記各電源の薄板状の前記正極端子または前記負極端子にそれぞれ着脱可能に取り付けられており、かつ、前記各ＰＴＣサーミスターが直列に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記電源は、リチウムイオンキャパシターで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１２】
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備える放射線画像撮影装置として構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記電源を取り付けるための基台を備え、
前記電源は、前記基台に対して、前記複数の放射線検出素子が設けられている側とは反対側に取り付けられていることを特徴とする請求項１２に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２４９３５０（Ｐ２０１２−２４９３５０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１６７５７（Ｐ２０１１−１１６７５７）
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]