電子装置及び揮発性メモリの待機電圧制御方法
【課題】揮発性メモリを搭載する電子装置であって、揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができるようにした電子装置を提供する。
【解決手段】揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰したときは、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１を対象として誤りを検出し、誤り検出結果を全体制御部９に送り、全体制御部９は誤り検出結果を保存する。揮発性メモリ１が通常動作時から待機時に移行したときは、全体制御部９は、保存する誤り検出結果から前回待機時に誤りが発生したか否かを判断し、電源電圧供給部４を制御し、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したときは、揮発性メモリ１に前回待機時よりも所定電圧値だけ高い待機電圧ＶＤＤ３を供給させ、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったときは、揮発性メモリ１に前回待機時よりも所定電圧値だけ低い待機電圧ＶＤＤ３を供給させる。
【解決手段】揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰したときは、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１を対象として誤りを検出し、誤り検出結果を全体制御部９に送り、全体制御部９は誤り検出結果を保存する。揮発性メモリ１が通常動作時から待機時に移行したときは、全体制御部９は、保存する誤り検出結果から前回待機時に誤りが発生したか否かを判断し、電源電圧供給部４を制御し、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したときは、揮発性メモリ１に前回待機時よりも所定電圧値だけ高い待機電圧ＶＤＤ３を供給させ、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったときは、揮発性メモリ１に前回待機時よりも所定電圧値だけ低い待機電圧ＶＤＤ３を供給させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源を切ると記憶内容が失われる半導体メモリである揮発性メモリを搭載する電子装置、及び、揮発性メモリの待機時の電源電圧（以下、「待機電圧」と言う。）の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯ゲーム機やノート・パソコン等の電池駆動機器においては、電池の持続時間を長くするために、消費電力を削減することが要求されている。そこで、例えば、これらの電池駆動機器がＳＲＡＭ（static random access memory）を搭載する場合には、ＳＲＡＭの待機時のリーク電流による消費電力（以下、「リーク電力」と言う。）を削減することが要求される。
【０００３】
ここで、ＳＲＡＭの待機時のリーク電力を削減する方法として、例えば、ＳＲＡＭに供給する待機電圧を下げるという方法がある。しかしながら、待機電圧を下げ過ぎると、記憶データの破壊（誤り）が発生する（以下、記憶データを保持することができる限界の待機電圧を「限界待機電圧」と言う。）。そこで、ＳＲＡＭを搭載する従来の電池駆動機器においては、ＳＲＡＭに対して、待機電圧として、限界待機電圧にマージン電圧を加えた電圧を与えていた。
【０００４】
ところで、近年、ＳＲＡＭにおいては、微細化によって製造バラツキが増大し、チップの１つ１つ、また、チップ内のメモリビット（メモリセル）の１ビット、1ビットの特性の違いが大きくなってきている。即ち、1ビットごとに限界待機電圧が異なり、その違いが大きくなってきている。
【０００５】
このため、ＳＲＡＭを待機状態から通常動作状態に正常に復帰させるためには、限界待機電圧が最も高いメモリビット（最悪ビット）に全てのメモリビットの待機電圧を合わせる必要がある。しかしながら、近年のＳＲＡＭの大容量化に伴い、メモリビット数が増大することで、最悪ビットの限界待機電圧が高くなる確率が上昇し、このため、待機電圧を高くしなければならず、リーク電力が増加してきた。
【０００６】
また、一般に、ＳＲＡＭの待機電圧は、多くのチップの中で、一定の確率で出現する最悪チップの限界待機電圧から決められている。その結果、多くのチップにおいては、この決められた待機電圧よりも低い電圧でも正常に動作するにも関わらず、高い待機電圧が供給されることにより無駄に電力が消費されていた。
【０００７】
また、近年、半導体デバイスにおいては、長期的に特性が劣化するＮＢＴＩ（negative bias temperature instability）と言われる現象が問題となっている。例えば、１０年で数％の性能劣化が起こると言われている。ＳＲＡＭにおいても、ＮＢＴＩにより、その限界待機電圧は徐々に上昇することになるが、その上昇の程度はＳＲＡＭの使用状態に依存する。
【０００８】
そこで、ＮＢＴＩに対処するため、一般に、ＳＲＡＭの待機電圧は、設計時に、最悪の使用状態のチップが１０年後まで正常に動作するように決められている。このため、最悪の使用状態のチップであるといえども、１０年後に必要とする高い限界待機電圧を１０年間も使用し続けることで、１０年間は無駄な待機時電力を消費することになる。
【０００９】
更に、最悪の使用状態にないチップにおいては、１０年後においても、最悪の使用状態にあるチップが必要とする待機電圧以下の待機電圧でも正常に動作するにも関わらず、最悪の使用状態にあるチップと同一電圧値の待機電圧を供給されることになるので、無駄な待機時電力を消費することになる。
【特許文献１】特開２００６−１９５５６０号公報
【特許文献２】特開平９−１６０８３３号公報
【特許文献３】特開平７−４５０９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑み、揮発性メモリを搭載している電子装置であって、揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができるようにした電子装置、及び、揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができるようにした揮発性メモリの待機電圧制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ここで開示する電子装置は、揮発性メモリと、前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部とを有するというものである。
【００１２】
ここで開示する揮発性メモリの待機電圧制御方法は、揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１３】
開示した電子装置によれば、前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部とを有するので、前記揮発性メモリにおける誤りビットの有無や誤りビット数の多少などの誤り発生状態により、前記揮発性メモリに供給する待機電圧を調整することができる。したがって、前記揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができる。
【００１４】
また、開示した揮発性メモリの待機電圧制御方法によれば、揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程とを含むので、前記揮発性メモリにおける誤りビットの有無や誤りビット数の多少などの誤り発生状態により、前記揮発性メモリに供給する待機電圧を調整することができる。したがって、前記揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（本発明の電子装置の第１実施形態）
図１は本発明の電子装置の第１実施形態の一部分を示すブロック回路図である。図１中、１は揮発性メモリ、２は外部電源電圧入力端子、３は電池、４は電源電圧供給部、５は待機電圧値保持部、６は温度センサ、７はタイマ、８は誤り検出／訂正部、９は全体制御部、１０はアドレス・データ・バスである。
【００１６】
揮発性メモリ１は、待機電圧制御対象であり、例えば、ＳＲＡＭである。外部電源電圧入力端子２は、外部電源装置（図示せず）が出力する電源電圧ＶＤＤ１を入力するためのものである。電池３は、交換可能に搭載されたものであり、電源電圧ＶＤＤ２を出力するものである。
【００１７】
電源電圧供給部４は、揮発性メモリ１に電源電圧を供給するものであり、全体制御部９に制御されて、揮発性メモリ１が通常動作時のときは、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給し、揮発性メモリ１が待機時のときは、待機電圧ＶＤＤ３を供給するものである。なお、待機電圧ＶＤＤ３は、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２よりも低い電圧である。
【００１８】
待機電圧値保持部５は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に供給する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を更新的に保持させるものであり、電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部によりライト／リードが可能とされたものである。温度センサ６は、揮発性メモリ１の環境温度を測定し、その情報を電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。タイマ７は、時刻情報を電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。
【００１９】
誤り検出／訂正部８は、全体制御部９に制御されて、待機時に揮発性メモリ１に発生した誤りを検出して訂正を行うものである。全体制御部９は、本発明の電子装置の第１実施形態の全体を制御するものであり、電源電圧供給部４に対しては、待機電圧供給開始命令、待機電圧上昇命令、待機電圧降下命令、待機電圧不変更命令、待機電圧供給終了命令を発行して電源電圧調整指示部として機能し、誤り検出／訂正部８に対しては、作動命令を発行する。アドレス・データ・バス１０は、アドレス信号及びデータの伝送に使用されるものである。
【００２０】
電源電圧供給部４は、待機電圧生成部１１と、電源電圧選択部１２と、電源電圧制御部１３とを備えている。待機電圧生成部１１は、電源電圧制御部１３に制御されて待機電圧ＶＤＤ３を生成するものであり、外部電源電圧入力端子２から電源電圧ＶＤＤ１を入力している場合には、電源電圧ＶＤＤ１を降圧して待機電圧ＶＤＤ３を生成し、外部から電源電圧ＶＤＤ１を入力していない場合には、電池３から供給される電源電圧ＶＤＤ２を降圧して待機電圧ＶＤＤ３を生成する。
【００２１】
電源電圧選択部１２は、電源電圧制御部１３に制御されて、外部から供給される電源電圧ＶＤＤ１、電池３から供給されるＶＤＤ２及び待機電圧生成部１１から供給される待機電圧ＶＤＤ３の中から、揮発性メモリ１に供給する電源電圧を選択するものである。電源電圧制御部１３は、全体制御部９に制御されて、待機電圧生成部１１及び電源電圧選択部１２を制御するものである。
【００２２】
ここで、電源電圧制御部１３は、揮発性メモリ１が通常動作時において、待機電圧生成部１１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００２３】
また、電源電圧制御部１３は、全体制御部９から待機電圧供給開始命令が与えられたときは、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、その後、全体制御部９から待機電圧供給終了命令が与えられた場合において、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００２４】
また、電源電圧制御部１３は、全体制御部９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧上昇命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３が予め決められている所定電圧値だけ高くなるように待機電圧生成部１１を制御し、全体制御部９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧降下命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３が予め決められている所定電圧値だけ低くなるように待機電圧生成部１１を制御する。なお、電源電圧制御部１３は、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を待機電圧生成部１１から出力させるように待機電圧生成部１１を制御する。
【００２５】
このように構成された本発明の電子装置の第１実施形態によれば、以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００２６】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態）
図２は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第１例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図２に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【００２７】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ２０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ２０２）。
【００２８】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ２０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０３）。
【００２９】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００３０】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ２０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０４）。
【００３１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００３２】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ２０５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ２０６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０７）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００３３】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、この誤り検出結果を保存する（ステップＳ２０８）。以下、ステップＳ２０１〜Ｓ２０８が繰り返される。
【００３４】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００３５】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ２０３、Ｓ２０４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００３６】
図３は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の有効性を説明するための図であり、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２と、ワーストチップの最悪環境での限界待機電圧ＶＡの最大値ＶＡmaxと、限界待機電圧ＶＡと、待機電圧ＶＤＤ３が一度で誤り訂正を行うことができるメモリビット数以上のメモリビットに誤りが発生してしまう場合の電圧（以下、「限界訂正電圧」と言う。）ＶＢとの関係を示しており、（Ａ）は限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が大きい場合、（Ｂ）は限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さい場合を示している。
【００３７】
限界待機電圧ＶＡや限界訂正電圧ＶＢは、同一チップであっても、温度やノイズや設定値の誤差によって変動するが、図３（Ａ）に示すように、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が十分に大きい場合には、限界待機電圧ＶＡが最小値ＶＡminから最大値ＶＡmaxの範囲で変動しても、どの瞬間でも、限界待機電圧ＶＡ＞限界訂正電圧ＶＢであり、正常動作を継続することができる。
【００３８】
これに対して、図３（Ｂ）に示すように、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さい場合には、限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡmin＜限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxとなる場合がある。この場合、前回待機時において、待機電圧ＶＤＤ３が限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡminと同一電圧値であったときは、記憶データが破壊されないので、今回待機時には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧値にしても、温度変化がなければ、正常動作を継続することができる。
【００３９】
しかしながら、前回待機時とは環境温度が変わり、限界待機電圧ＶＡが上がり、また、限界訂正電圧ＶＢが最大値ＶＢmaxに近くなると、待機電圧ＶＤＤ３が前回待機時の場合と同一電圧値である場合には、待機電圧ＶＤＤ３＜限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡmin、かつ、待機電圧ＶＤＤ３＜限界訂正電圧ＶＢの最小値ＶＢminとなり、誤り訂正を行うことができるメモリビット数以上のメモリビットに記憶内容の破壊が発生し、正常動作を継続することができなくなる。
【００４０】
従来から一般的な誤り訂正手法では、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さく、誤り訂正に限界があった。限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差を大きくするのに最も適した手法は、強力な誤り訂正能力を持つ手法を用いることであるが、そのような誤り訂正手法は、従来はソフトウェアで実現されており、消費電力が大きく、かつ、処理速度が遅いものが多かった。
【００４１】
ところで、近年、待機時の電力削減の必要性の高い電池駆動機器の多くが無線通信機能を持ち始めた。無線通信では、データ伝送中に多くのデータ欠落が発生することが避けられないため、強力な誤り訂正能力が必要となる。また、電池駆動機器では、誤り検出／訂正を消費電力の少ないハードウェアで実現することが多くなった。
【００４２】
このような強力な誤り訂正能力を有するハードウェアを使用することが可能となったため、限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡminと限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxとの電圧差を従来の誤り訂正手法の数倍以上に大きくすることができるようになった。図３で言えば、従来においては、待機電圧ＶＤＤ３をワーストチップの最悪環境での限界待機電圧ＶＡの最大値ＶＡmaxまでしか下げることができなかったが、前述の強力な誤り訂正能力を有するハードウェアを使用することで、限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxまで下げることができるようになった。
【００４３】
このような状況下にあることから、誤り検出／訂正部８として強力な誤り検出／訂正能力を有するハードウェアを使用することで、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態を有効に使用することができる。以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態〜第１６実施形態においても同様である。
【００４４】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態）
図４は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第２例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図４に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【００４５】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ４０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ４０２）。
【００４６】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ４０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０３）。
【００４７】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００４８】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ４０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ４０４）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ４０４でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０５）。これにより、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げても良い場合を慎重に選択することができる。
【００４９】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００５０】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ４０４でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０６）。
【００５１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００５２】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ４０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ４０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１１に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１１は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００５３】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ４１０）。以下、ステップＳ４０１〜Ｓ４１０が繰り返される。
【００５４】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００５５】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ４０３、Ｓ４０５での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００５６】
また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしているので、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げる場合に、これを慎重に行うことができる。
【００５７】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態）
図５は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図５に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べ出し、この記憶ビットを特定記憶ビットとし、誤り検出／訂正部８に特定記憶ビットを対象として誤り検出／訂正を実行させるという特徴を有するものである。
【００５８】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ５０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ５０２）。
【００５９】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していた場合（ステップＳ５０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０３）。
【００６０】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００６１】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ５０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０４）。
【００６２】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００６３】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ５０５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ５０６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０７）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００６４】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の特定記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ５０８）。以下、ステップＳ５０１〜Ｓ５０８が繰り返される。
【００６５】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００６６】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ５０３、Ｓ５０４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００６７】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１の記憶ビット中の特定記憶ビットのみを対象として誤り検出／訂正を行えば足りるので、誤り検出／訂正の処理に要する電力を削減することができる。
【００６８】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態）
図６は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第４例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図６に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べておき、この記憶ビットを特定記憶ビットとし、誤り検出／訂正部８に特定記憶ビットを対象として誤り検出／訂正をさせるという特徴を有するものである。
【００６９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ６０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ６０２）。
【００７０】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していた場合（ステップＳ６０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０３）。
【００７１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００７２】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ６０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ６０４）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ６０４でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０５）。
【００７３】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００７４】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ６０４でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０６）。
【００７５】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００７６】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ６０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ６０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００７７】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の特定記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ６１０）。以下、ステップＳ６０１〜Ｓ６１０が繰り返される。
【００７８】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００７９】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ６０３、Ｓ６０５での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００８０】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１の記憶ビット中の特定記憶ビットのみを対象として誤り検出と訂正を行えば足りるので、誤り検出と訂正に要する電力を削減することができる。
【００８１】
また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしているので、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げる場合に、これを慎重に行うことができる。
【００８２】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態及び第４実施形態においては、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べ出し、この記憶ビットを特定記憶ビットとしているが、この代わりに、誤りを起こし易い複数の記憶ビットを事前に調べ出し、これら複数の記憶ビットを特定記憶ビットとし、これら複数の特定記憶ビットのいずれかが前回待機時に誤りを起こした場合に、待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。また、特定記憶ビットが、待機時に記憶データを論理０から論理１にする誤りを起こし易いか、論理１から論理０にする誤りを起こし易いかを事前に調べておき、待機時に記憶データが誤りを起こし易い論理値の場合にのみ、特定記憶ビットの誤りと訂正を行うようにしても良い。
【００８３】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態）
図７は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第５例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図７に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、誤り検出／訂正部８に全記憶ビットを対象として誤り発生の有無と誤り発生数とを検出させ、誤り発生数が所定数未満の場合には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧にするという特徴を有するものである。
【００８４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ７０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ７０２）。
【００８５】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ７０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、誤り発生数が所定数以上であるか否かを判断する（ステップＳ７０３）。誤り発生数が所定数以上の場合（ステップＳ７０３でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０４）。
【００８６】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００８７】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ７０２でＹＥＳの場合）において、誤り発生数が所定数未満の場合（ステップＳ７０３でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０５）。
【００８８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００８９】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ７０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０６）。
【００９０】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００９１】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ７０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ７０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００９２】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ７１０）。以下、ステップＳ７０１〜Ｓ７１０が繰り返される。
【００９３】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合において、誤り発生数が所定数以上の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、誤り発生数が所定数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００９４】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ７０４、Ｓ７０６での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００９５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態）
図８は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第６例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図８に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、誤り検出／訂正部８に全記憶ビットを対象として誤り発生の有無と誤り発生数とを検出させ、誤り発生数が所定数以下の場合には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧値とするという特徴を有するものである。
【００９６】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ８０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ８０２）。
【００９７】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ８０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、誤り発生数が所定数以上であるか否かを判断する（ステップＳ８０３）。誤り発生数が所定数以上の場合（ステップＳ８０３でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０４）。
【００９８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００９９】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ８０２でＹＥＳの場合）において、誤り発生数が所定数未満の場合（ステップＳ８０３でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０５）。
【０１００】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０１】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ８０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ８０６）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ８０６でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０７）。
【０１０２】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１０３】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ８０６でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０５）。
【０１０４】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０５】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ８０８）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ８０９）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８１０）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０６】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ８１１）。以下、ステップＳ８０１〜Ｓ８１１が繰り返される。
【０１０７】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合において、誤り発生数が所定数以上の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、誤り発生数が所定数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【０１０８】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ８０４、Ｓ８０７での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１０９】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態）
図９は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態を説明するための図であり、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第７例である。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、図９に示すように、揮発性メモリ１のメモリ領域を複数のメモリブロック１５−１〜１５−ｎに区分し、メモリブロック１５−１〜１５−ｎのそれぞれの所定記憶ビットを誤り検出済マーク書き込みビット１６−１〜１６−ｎとする。但し、メモリブロック１５−２、１５−ｎ間のメモリブロック１５−３〜１５−（ｎ−１）及びメモリブロック１５−３〜１５−（ｎ−１）の誤り検出済マーク書き込みビット１６−３〜１６−（ｎ−１）は、図示を省略している。
【０１１０】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態は、待機状態から復帰する際に全ての誤り検出済マークを消去し、その後、揮発性メモリ１にアクセスするときは、アクセスするビットが含まれるメモリブロックの誤り検出済マークが消去されている場合のみ、そのメモリブロックを誤り検出／訂正の対象とし、誤り検出済マークを書き込むというものである。
【０１１１】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１０に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１１２】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ１００１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ１００２）。
【０１１３】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生していた場合（ステップＳ１００２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ１００３）。
【０１１４】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１１５】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ１００２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ１００４）。
【０１１６】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１１７】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ１００５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ１００６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御し、その後、全ての誤り検出済マークを消去する（ステップＳ１００７）。
【０１１８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。そして、全体制御部９は、全ての誤り検出済マークの消去を行う。
【０１１９】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、アクセスするビットが含まれるメモリブロックの誤り検出済マークが消去されている場合のみ、そのメモリブロックを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存すると共に、誤り検出を実行したメモリブロックの誤り検出済マーク書き込みビットに誤り検出済マークを書き込む（ステップＳ１００８）。以下、ステップＳ１００１〜Ｓ１００８が繰り返される。
【０１２０】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【０１２１】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ１００３、Ｓ１００４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１２２】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、繰り返して待機状態に入っても、通常動作時にアクセスのないメモリブロックについては誤り検出／訂正を行わず、通常動作時に実際にアクセスのあったメモリブロックのみを対象として誤り検出／訂正を行えば足りるので、誤り検出／訂正の処理に要する電力を削減することができる。
【０１２３】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態、第４実施形態、第６実施形態においては、連続誤り不発生待機回数が所定回数となった場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにした場合について説明したが、この代わりに、１回の待機時の待機時間又は連続した誤り不発生待機時の合計待機時間が所定時間以上の場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにしても良い。また、同一電圧値を保存した待機回数が所定回数となった場合、前回待機時の保存値と異なる値を保存した待機時の待機時間が所定時間以上となった場合、又は、同一電圧値を保存した場合の連続した誤り不発生待機時の合計待機時間が所定時間以上の場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにしても良い。
【０１２４】
（本発明の電子装置の第２実施形態）
図１１は本発明の電子装置の第２実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第２実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態が備える電源電圧供給部４と構成の異なる電源電圧供給部１８を設け、その他については、本発明の電子装置の第１実施形態と同様に構成したものである。電源電圧供給部１８は、温度−電圧テーブル１９を設け、その他については、電源電圧供給部４と同様に構成したものである。
【０１２５】
図１２は温度−電圧テーブル１９の概念図である。温度−電圧テーブル１９は、揮発性メモリ１の環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示すものであり、書き換え可能な不揮発性メモリからなり、電源電圧制御部１３により書き換え可能とされたものである。温度−電圧テーブル１９の初期値は、出荷時にチップ毎に調べて決定される。
【０１２６】
本発明の電子装置の第２実施形態においては、電源電圧制御部１３は、電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、温度−電圧テーブル１９を参照し、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を待機電圧生成部１１から出力させるように待機電圧生成部１１を制御する。
【０１２７】
このように構成された本発明の電子装置の第２実施形態によれば、以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第２実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１２８】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態）
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第１例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、本発明の揮発性メモリの第１実施形態〜第７実施形態のいずれかを実行するというものである。
【０１２９】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態によれば、本発明の第１実施形態〜第７実施形態と同様の効果を得ることができると共に、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１３０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態）
図１３は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第２例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１３に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１３１】
図１３に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図２に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分にステップＳ１３０１、Ｓ１３０２を追加し、その他については、図２に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１３２】
ステップＳ１３０１は、ステップＳ２０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ２０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１３０１は、ステップＳ２０３の後に実行するようにしても良い。
【０１３３】
ステップＳ１３０２は、ステップＳ２０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ２０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１３０２は、ステップＳ２０４の後に実行するようにしても良い。
【０１３４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１３０１、Ｓ１３０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１３５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態）
図１４は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１４に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１３６】
図１４に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図４に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分にステップＳ１４０１、Ｓ１４０２を追加し、その他については、図４に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１３７】
ステップＳ１４０１は、ステップＳ４０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ４０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１４０１は、ステップＳ４０３の後に実行するようにしても良い。
【０１３８】
ステップＳ１４０２は、全体制御部９が、ステップＳ４０２で、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断し、かつ、ステップＳ４０４で、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して、電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ４０４でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１４０２は、ステップＳ４０５の後に実行するようにしても良い。
【０１３９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１４０１、Ｓ１４０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１４０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態）
図１５は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１５に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１４１】
図１５に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図５に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分にステップＳ１５０１、Ｓ１５０２を追加し、その他については、図５に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１４２】
ステップＳ１５０１は、ステップＳ５０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ５０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１５０１は、ステップＳ５０３の後に実行するようにしても良い。
【０１４３】
ステップＳ１５０２は、ステップＳ５０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ５０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１５０２は、ステップＳ５０４の後に実行するようにしても良い。
【０１４４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１５０１、Ｓ１５０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１４５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態）
図１６は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第４例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１６に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１４６】
図１６に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図６に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分にステップＳ１６０１、Ｓ１６０２を追加し、その他については、図６に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１４７】
ステップＳ１６０１は、ステップＳ６０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ６０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１６０１は、ステップＳ６０３の後に実行するようにしても良い。
【０１４８】
ステップＳ１６０２は、全体制御部９が、ステップＳ６０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかったと判断し、かつ、ステップＳ６０４で、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ６０４でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１６０２は、ステップＳ６０５の後に実行するようにしても良い。
【０１４９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１６０１、Ｓ１６０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１５０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態）
図１７は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第５例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１７に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１５１】
図１７に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図７に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分にステップＳ１７０１、Ｓ１７０２を追加し、その他については、図７に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１５２】
ステップＳ１７０１は、ステップＳ７０３で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に発生していた誤り発生数が所定数以上と判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ７０３でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１７０１は、ステップＳ７０４の後に実行するようにしても良い。
【０１５３】
ステップＳ１７０２は、ステップＳ７０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ７０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１７０２は、ステップＳ７０６の後に実行するようにしても良い。
【０１５４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１７０１、Ｓ１７０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１５５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態）
図１８は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第６例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１８に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１５６】
図１８に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図８に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分にステップＳ１８０１、ステップＳ１８０２を追加し、その他については、図８に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１５７】
ステップＳ１８０１は、ステップＳ８０３で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に発生していた誤り発生数が所定数以上と判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ８０３でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１８０１は、ステップＳ８０４の後に実行するようにしても良い。
【０１５８】
ステップＳ１８０２は、全体制御部９が、ステップＳ８０２で、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断し、かつ、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令を発行した場合（ステップＳ８０６でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１８０２は、ステップＳ８０７の後に実行するようにしても良い。
【０１５９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１８０１、Ｓ１８０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１６０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態）
図１９は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第７例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源電圧投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１９に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１６１】
図１９に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図１０に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分にステップＳ１９０１、Ｓ１９０２を追加し、その他については、図１０に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１６２】
ステップＳ１９０１は、ステップＳ１００２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ１００２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１９０１は、ステップＳ１００３の後に実行するようにしても良い。
【０１６３】
ステップＳ１９０２は、ステップＳ１００２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令を発行した場合（ステップＳ１００２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１９０２は、ステップＳ１００４の後に実行するようにしても良い。
【０１６４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１９０１、Ｓ１９０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１６５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態）
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態は、揮発性メモリ１の待機中に環境温度の変化があった場合、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させ、これを揮発性メモリ１に供給し、その他については、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１５実施形態のいずれかを実施するというものである。
【０１６６】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態〜第１５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６７】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、外部から電源電圧ＶＤＤ１が入力されている場合であっても、揮発性メモリ１の待機時には、揮発性メモリ１に待機電圧ＶＤＤ３を供給するようにした場合について説明したが、この代わりに、外部から電源電圧ＶＤＤ１が入力されておらず、揮発性メモリ１を電池駆動している場合にのみ、揮発性メモリ１の待機時に、揮発性メモリ１に待機電圧ＶＤＤ３を供給するようにしても良い。このようにする場合には、揮発性メモリ１の待機時には誤りが発生しないので、外部電源電圧ＶＤＤ１による駆動時における揮発性メモリ１の待機時から復帰時の誤り検出／訂正時間の節約を図ることができる。
【０１６８】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１の環境温度に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を微調整するようにしているが、この代わりに、揮発性メモリ１の環境温度がリーク電力削減効果が高い温度以上の場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。このようにする場合には、リーク電力削減効果が低い温度のときは、誤り検出／訂正を実行しなくて済み、消費電力の削減を図ることができる。
【０１６９】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、外部からの待機電圧調整処理を行う旨の指示に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を調整するようにしているが、この代わりに、外部から揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を調整する処理が指示された場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。
【０１７０】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１の待機時間に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしているが、この代わりに、揮発性メモリ１の待機時間が所定時間以上の場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。このようにする場合には、所定時間以内に待機状態と通常状態を繰り返すときは、待機電圧に下げないため、誤り検出／訂正を実行しなくて済み、消費電力の削減を図ることができる。
【０１７１】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から待機時に移行する度に、待機電圧ＶＤＤ３の調整のための処理が実行されるが、この代わりに、定期的に待機電圧ＶＤＤ３の調整処理を行うようにしても良い。
【０１７２】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態において、揮発性メモリ１が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、誤り検出／訂正動作を実行しないようにしても良い。
【０１７３】
（本発明の電子装置の第３実施形態）
図２０は本発明の電子装置の第３実施形態の一部分を示すブロック回路図である。図２０中、２１−１〜２１−４は揮発性メモリ、２２は外部電源電圧入力端子、２３は電池、２４は電源電圧供給部、２５は待機電圧値保持部、２６は温度センサ、２７はタイマ、２８は誤り検出／訂正部、２９は全体制御部、３０はアドレス・データ・バスである。
【０１７４】
揮発性メモリ２１−１〜２１−４は、待機電圧制御対象であり、例えば、ＳＲＡＭである。外部電源電圧入力端子２２は、外部電源装置（図示せず）が出力する電源電圧ＶＤＤ１を入力するためのものである。電池２３は、交換可能に搭載されたものであり、電源電圧ＶＤＤ２を出力するものである。
【０１７５】
電源電圧供給部２４は、揮発性メモリ２１−ｉ（但し、ｉは１、２、３、４のいずれかである。）に電源電圧を供給するものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−ｉが通常動作時の場合には、揮発性メモリ２１−ｉには電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給し、待機時の場合には、待機電圧ＶＤＤ３−ｉを供給するものである。なお、待機電圧ＶＤＤ３−ｉは、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２よりも低い電圧である。
【０１７６】
待機電圧値保持部２５は、電源電圧供給部２４が揮発性メモリ２１−１〜２１−４に供給する待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４の電圧値を更新的に保持させるものであり、電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部によりライト／リードが可能とされたものである。温度センサ２６は、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の環境温度を測定し、その情報を電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。タイマ２７は、時刻情報を電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。
【０１７７】
誤り検出／訂正部２８は、全体制御部２９に制御されて、待機時に揮発性メモリ２１−１〜２１−４に発生した誤りを検出して訂正を行うものである。全体制御部２９は、本発明の電子装置の第３実施形態の全体を制御するものであり、電源電圧供給部２４に対しては、待機電圧供給開始命令、待機電圧上昇命令、待機電圧降下命令、待機電圧不変更命令、待機電圧供給終了命令を発行して電源電圧調整指示部として機能し、誤り検出／訂正部２８に対しては、作動命令を発行する。アドレス・データ・バス３０は、アドレス信号及びデータの伝送に使用されるものである。
【０１７８】
電源電圧供給部２４は、待機電圧生成部３１と、電源電圧選択部３２と、電源電圧制御部３３とを備えている。待機電圧生成部３１は、電源電圧制御部３３に制御され、待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成するものであり、外部電源電圧入力端子２２から電源電圧ＶＤＤ１を入力している場合には、電源電圧ＶＤＤ１を降圧して待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成し、外部から電源電圧ＶＤＤ１を入力していない場合には、電池２３から供給される電源電圧ＶＤＤ２を降圧して待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成する。
【０１７９】
電源電圧選択部３２は、電源電圧制御部３３に制御されて、外部から供給される電源電圧ＶＤＤ１、電池２３から供給されるＶＤＤ２及び待機電圧生成部３１から供給される待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４の中から、揮発性メモリ２１−１〜２１−４に供給する電源電圧を選択するものである。電源電圧制御部３３は、全体制御部２９に制御され、待機電圧生成部３１及び電源電圧選択部３２を制御するものである。
【０１８０】
ここで、電源電圧制御部３３は、揮発性メモリ２１−ｉが通常動作時において、待機電圧生成部３１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、この電源電圧ＶＤＤ１を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、待機電圧生成部３１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ２を選択し、この電源電圧ＶＤＤ２を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御する。
【０１８１】
また、電源電圧制御部３３は、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給開始命令が与えられたときは、電源電圧選択部３２が待機電圧ＶＤＤ３−ｉを選択し、この待機電圧ＶＤＤ３−ｉを揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、その後、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給終了命令が与えられた場合において、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、この電源電圧ＶＤＤ１を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ２を選択し、この電源電圧ＶＤＤ２を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御する。
【０１８２】
また、電源電圧制御部３３は、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給開始命令とともに待機電圧上昇命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３−ｉが予め決められている所定電圧値だけ高くなるように待機電圧生成部１１を制御し、全体制御部２９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧降下命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３−ｉが予め決められている所定電圧値だけ低くなるように待機電圧生成部３１を制御する。なお、電源電圧制御部３３は、電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合には、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３−ｉを揮発性メモリ２１−ｉに供給するように待機電圧生成部３１を制御する。
【０１８３】
このように構成された本発明の電子装置の第３実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−４のそれぞれについて、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第３実施形態を電池駆動とする場合においては、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１８４】
（本発明の電子装置の第４実施形態）
図２１は本発明の電子装置の第４実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第４実施形態は、本発明の電子装置の第３実施形態が備える電源電圧供給部２４と構成の異なる電源電圧供給部３５を設け、その他については、本発明の電子装置の第３実施形態と同様に構成したものである。電源電圧供給部３５は、温度−電圧テーブル３６−１〜３６−４を設け、その他については、電源電圧供給部２４と同様に構成したものである。
【０１８５】
温度−電圧テーブル３６−ｉは、揮発性メモリ２１−ｉについて、環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示すものであり、書き換え可能な不揮発性メモリからなり、電源電圧制御部３３により書き換え可能とされたものである。温度−電圧テーブル３６−ｉの初期値は、出荷時に揮発性メモリ２１−ｉごとに調べて決定される。
【０１８６】
本発明の電子装置の第４実施形態においては、電源電圧制御部３３は、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合には、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３−ｉを待機電圧生成部３１から出力させるように待機電圧生成部３１を制御する。
【０１８７】
このように構成された本発明の電子装置の第４実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−４のそれぞれについて、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第４実施形態を電池駆動とする場合においては、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１８８】
なお、本発明の電子装置の第４実施形態においては、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合に、電源電圧供給部３５は、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を揮発性メモリ２１−ｉに供給するようにしているが、更に、揮発性メモリ２１−ｉの待機時に、揮発性メモリ２１−ｉの環境温度に変化が発生したときは、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を揮発性メモリ２１−ｉに供給するようにしても良い。
【０１８９】
（本発明の電子装置の第５実施形態）
図２２は本発明の電子装置の第５実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第５実施形態は、本発明の電子装置の第３実施形態が備える電源電圧供給部２４と構成の異なる電源電圧供給部３８を設けると共に、セレクタ３９、４０を設け、その他については、本発明の電子装置の第３実施形態と同様に構成したものである。
【０１９０】
電源電圧供給部３８は、揮発性メモリ２１−１に対して、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−１を出力し、揮発性メモリ２１−２に対しては、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−２を出力すると共に、待機電圧ＶＤＤ３−２より低い電圧ＶＤＤ４−２を出力し、揮発性メモリ２１−３に対しては、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−３を出力すると共に、待機電圧ＶＤＤ３−３より低い電圧ＶＤＤ４−３を出力し、揮発性メモリ２１−４に対しては、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を出力するというものである。
【０１９１】
セレクタ３９は、揮発性メモリ２１−２に対応して設けられたものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−２の通常動作時には、電源電圧供給部３８が出力する電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を選択して揮発性メモリ２１−２に供給し、揮発性メモリ２１−２の待機時には、電源電圧供給部３８が出力する待機電圧ＶＤＤ３−２又はＶＤＤ４−２又は接地電圧のいずれかを選択し、選択した待機電圧を揮発性メモリ２１−２に供給するか、又は、電源電圧の供給をオフとするものである。
【０１９２】
セレクタ４０は、揮発性メモリ２１−３に対応して設けられたものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−３の通常動作時には、電源電圧供給部３８が出力する電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を選択して揮発性メモリ２１−３に供給し、揮発性メモリ２１−３の待機時には、電源電圧供給部３８が出力する待機電圧ＶＤＤ３−３又はＶＤＤ４−３又は接地電圧のいずれかを選択し、選択した待機電圧を揮発性メモリ２１−３に供給するか、又は、電源電圧の供給をオフとするものである。
【０１９３】
このように構成された本発明の電子装置の第５実施形態においては、揮発性メモリ２１−１については、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができる。
【０１９４】
また、揮発性メモリ２１−２については、待機電圧ＶＤＤ３−２を選択する場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができ、また、揮発性メモリ２１−２の用途が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、待機電圧ＶＤＤ４−２を選択することにより、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施する場合よりも、待機時に多くの誤りが発生しても問題はないし、待機時のリーク電力をより削減することができる。
【０１９５】
また、揮発性メモリ２１−３については、待機電圧ＶＤＤ３−３を選択する場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができ、また、揮発性メモリ２１−３の用途が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、待機電圧ＶＤＤ４−３を選択することにより、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施する場合よりも、待機時に多くの誤りが発生しても問題はないし、待機時のリーク電力をより削減することができる。
【０１９６】
なお、揮発性メモリ２１−４については、待機時においても、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２が供給され、待機時のリーク電力の削減は行われず、また、誤り検出／訂正部２８による誤り検出／訂正処理の対象ともされていない。これは、揮発性メモリ２１−４が、例えば、プログラム等のように、誤りの不発生が要求されているものを格納するメモリの場合である。
【０１９７】
したがって、本発明の電子装置の第５実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−３の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第５実施形態を電池駆動とする場合には、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１９８】
なお、電源電圧供給部３８に、揮発性メモリ２１−１〜２１−３に対応して、環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示す温度−電圧テーブルを設け、揮発性メモリ２１−１〜２１−３について、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施するようにしても良く、このようにする場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１９９】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１５実施形態においては、待機状態に入るときに、待機電圧を決定しているが、この代わりに、待機電圧終了時の誤り検出後に、直ちに次回の待機時の電圧を決定するようにしても良い。
【０２００】
ここで、本発明を整理すると、本発明には、少なくとも、以下の電子装置及び揮発性メモリの待機電圧制御方法が含まれる。
【０２０１】
（付記１）揮発性メモリと、
前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、
前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部と
を有することを特徴とする電子装置。
【０２０２】
（付記２）前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０３】
（付記３）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０４】
（付記４）前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０５】
（付記５）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０６】
（付記６）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０７】
（付記７）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合、又は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０８】
（付記８）前記揮発性メモリは、複数のメモリブロックを有し、
前記待機電圧調整指示部は、前記複数のメモリブロックのうち、今回待機時の直近の通常動作時にアクセスされたメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０９】
（付記９）更に、前記揮発性メモリの環境温度を測定する温度センサと、
前記揮発性メモリの環境温度と限界待機電圧との関係を示す温度−電圧テーブルとを有し、
前記揮発性メモリが１回目の待機時に移行する場合には、前記電源電圧供給部は、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記温度センサから与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１０】
（付記１０）前記電源電圧供給部は、前記揮発性メモリの待機時に、前記揮発性メモリの環境温度に変化が発生したときは、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記温度センサから与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給することを特徴とする付記９に記載の電子装置。
【０２１１】
（付記１１）前記揮発性メモリが電池駆動されている場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１０のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１２】
（付記１２）前記揮発性メモリの環境温度が所定温度以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１１のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１３】
（付記１３）前記揮発性メモリの待機時間が所定時間以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１２のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１４】
（付記１４）外部から前記揮発性メモリの待機電圧の制御が指示された場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１３のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１５】
（付記１５）
前記揮発性メモリが画像メモリ、音声メモリ又は通信データ取り込みバッファの場合には、前記揮発性メモリ内の誤り検出を行わないことを特徴とする付記１乃至１４のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１６】
（付記１６）揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、
前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程と
を含むことを特徴とする揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１７】
（付記１７）前記待機電圧調整指示工程は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程であることを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１８】
（付記１８）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１９】
（付記１９）前記待機電圧調整指示工程は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２０】
（付記２０）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２１】
（付記２１）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２２】
（付記２２）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合、又は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２３】
（付記２３）前記揮発性メモリは、複数のメモリブロックを有し、
前記待機電圧調整指示工程は、前記複数のメモリブロックのうち、今回待機時の直近の通常動作時にアクセスされたメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２４】
（付記２４）前記揮発性メモリが１回目の待機時に移行する場合には、前記揮発性メモリの環境温度と限界待機電圧との関係を示す温度−電圧テーブルを参照し、前記揮発性メモリの温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する工程を含むことを特徴とする付記１６乃至２３のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２５】
（付記２５）前記揮発性メモリの待機時に、前記揮発性メモリの環境温度に変化が発生したときは、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記揮発性メモリの環境温度に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する工程を含むことを特徴とする付記２４に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２６】
（付記２６）前記揮発性メモリが電池駆動されている場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２５のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２７】
（付記２７）前記揮発性メモリの環境温度が所定温度以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２６のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２８】
（付記２８）前記揮発性メモリの待機時間が所定時間以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２７のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２９】
（付記２９）外部から前記揮発性メモリの待機電圧の制御が指示された場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２８のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２３０】
（付記３０）前記揮発性メモリが画像メモリ、音声メモリ又は通信データ取り込みバッファの場合には、前記揮発性メモリ内の誤り検出を行わないことを特徴とする付記１６乃至２９のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】本発明の電子装置の第１実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図３】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の有効性を説明するための図である。
【図４】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図５】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図６】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図７】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図８】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図９】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態を説明するための図である。
【図１０】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の電子装置の第２実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図１２】本発明の電子装置の第２実施形態が備える温度−電圧テーブルの概念図である。
【図１３】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１５】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１８】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１９】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の電子装置の第３実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２１】本発明の電子装置の第４実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２２】本発明の電子装置の第５実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【符号の説明】
【０２３２】
１…揮発性メモリ
２…外部電源電圧入力端子
３…電池
４…電源電圧供給部
５…待機電圧値保持部
６…温度センサ
７…タイマ
８…誤り検出／訂正部
９…全体制御部
１０…アドレス・データ・バス
１１…待機電圧生成部
１２…電源電圧選択部
１３…電源電圧制御部
１５−１、１５−２、１５−ｎ…メモリブロック
１６−１、１６−２、１６−ｎ…誤り検出済マーク書き込みビット
１８…電源電圧供給部
１９…温度−電圧テーブル
２１−１〜２１−４…揮発性メモリ
２２…外部電源電圧入力端子
２３…電池
２４…電源電圧供給部
２５…待機電圧値保持部
２６…温度センサ
２７…タイマ
２８…誤り検出／訂正部
２９…全体制御部
３０…アドレス・データ・バス
３１…待機電圧生成部
３２…電源電圧選択部
３３…電源電圧制御部
３５…電源電圧供給部
３６−１〜３６−４…温度−電圧テーブル
３８…電源電圧供給部
３９、４０…セレクタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源を切ると記憶内容が失われる半導体メモリである揮発性メモリを搭載する電子装置、及び、揮発性メモリの待機時の電源電圧（以下、「待機電圧」と言う。）の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯ゲーム機やノート・パソコン等の電池駆動機器においては、電池の持続時間を長くするために、消費電力を削減することが要求されている。そこで、例えば、これらの電池駆動機器がＳＲＡＭ（static random access memory）を搭載する場合には、ＳＲＡＭの待機時のリーク電流による消費電力（以下、「リーク電力」と言う。）を削減することが要求される。
【０００３】
ここで、ＳＲＡＭの待機時のリーク電力を削減する方法として、例えば、ＳＲＡＭに供給する待機電圧を下げるという方法がある。しかしながら、待機電圧を下げ過ぎると、記憶データの破壊（誤り）が発生する（以下、記憶データを保持することができる限界の待機電圧を「限界待機電圧」と言う。）。そこで、ＳＲＡＭを搭載する従来の電池駆動機器においては、ＳＲＡＭに対して、待機電圧として、限界待機電圧にマージン電圧を加えた電圧を与えていた。
【０００４】
ところで、近年、ＳＲＡＭにおいては、微細化によって製造バラツキが増大し、チップの１つ１つ、また、チップ内のメモリビット（メモリセル）の１ビット、1ビットの特性の違いが大きくなってきている。即ち、1ビットごとに限界待機電圧が異なり、その違いが大きくなってきている。
【０００５】
このため、ＳＲＡＭを待機状態から通常動作状態に正常に復帰させるためには、限界待機電圧が最も高いメモリビット（最悪ビット）に全てのメモリビットの待機電圧を合わせる必要がある。しかしながら、近年のＳＲＡＭの大容量化に伴い、メモリビット数が増大することで、最悪ビットの限界待機電圧が高くなる確率が上昇し、このため、待機電圧を高くしなければならず、リーク電力が増加してきた。
【０００６】
また、一般に、ＳＲＡＭの待機電圧は、多くのチップの中で、一定の確率で出現する最悪チップの限界待機電圧から決められている。その結果、多くのチップにおいては、この決められた待機電圧よりも低い電圧でも正常に動作するにも関わらず、高い待機電圧が供給されることにより無駄に電力が消費されていた。
【０００７】
また、近年、半導体デバイスにおいては、長期的に特性が劣化するＮＢＴＩ（negative bias temperature instability）と言われる現象が問題となっている。例えば、１０年で数％の性能劣化が起こると言われている。ＳＲＡＭにおいても、ＮＢＴＩにより、その限界待機電圧は徐々に上昇することになるが、その上昇の程度はＳＲＡＭの使用状態に依存する。
【０００８】
そこで、ＮＢＴＩに対処するため、一般に、ＳＲＡＭの待機電圧は、設計時に、最悪の使用状態のチップが１０年後まで正常に動作するように決められている。このため、最悪の使用状態のチップであるといえども、１０年後に必要とする高い限界待機電圧を１０年間も使用し続けることで、１０年間は無駄な待機時電力を消費することになる。
【０００９】
更に、最悪の使用状態にないチップにおいては、１０年後においても、最悪の使用状態にあるチップが必要とする待機電圧以下の待機電圧でも正常に動作するにも関わらず、最悪の使用状態にあるチップと同一電圧値の待機電圧を供給されることになるので、無駄な待機時電力を消費することになる。
【特許文献１】特開２００６−１９５５６０号公報
【特許文献２】特開平９−１６０８３３号公報
【特許文献３】特開平７−４５０９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑み、揮発性メモリを搭載している電子装置であって、揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができるようにした電子装置、及び、揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができるようにした揮発性メモリの待機電圧制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ここで開示する電子装置は、揮発性メモリと、前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部とを有するというものである。
【００１２】
ここで開示する揮発性メモリの待機電圧制御方法は、揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１３】
開示した電子装置によれば、前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部とを有するので、前記揮発性メモリにおける誤りビットの有無や誤りビット数の多少などの誤り発生状態により、前記揮発性メモリに供給する待機電圧を調整することができる。したがって、前記揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができる。
【００１４】
また、開示した揮発性メモリの待機電圧制御方法によれば、揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程とを含むので、前記揮発性メモリにおける誤りビットの有無や誤りビット数の多少などの誤り発生状態により、前記揮発性メモリに供給する待機電圧を調整することができる。したがって、前記揮発性メモリの待機時のリーク電力を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（本発明の電子装置の第１実施形態）
図１は本発明の電子装置の第１実施形態の一部分を示すブロック回路図である。図１中、１は揮発性メモリ、２は外部電源電圧入力端子、３は電池、４は電源電圧供給部、５は待機電圧値保持部、６は温度センサ、７はタイマ、８は誤り検出／訂正部、９は全体制御部、１０はアドレス・データ・バスである。
【００１６】
揮発性メモリ１は、待機電圧制御対象であり、例えば、ＳＲＡＭである。外部電源電圧入力端子２は、外部電源装置（図示せず）が出力する電源電圧ＶＤＤ１を入力するためのものである。電池３は、交換可能に搭載されたものであり、電源電圧ＶＤＤ２を出力するものである。
【００１７】
電源電圧供給部４は、揮発性メモリ１に電源電圧を供給するものであり、全体制御部９に制御されて、揮発性メモリ１が通常動作時のときは、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給し、揮発性メモリ１が待機時のときは、待機電圧ＶＤＤ３を供給するものである。なお、待機電圧ＶＤＤ３は、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２よりも低い電圧である。
【００１８】
待機電圧値保持部５は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に供給する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を更新的に保持させるものであり、電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部によりライト／リードが可能とされたものである。温度センサ６は、揮発性メモリ１の環境温度を測定し、その情報を電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。タイマ７は、時刻情報を電源電圧供給部４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。
【００１９】
誤り検出／訂正部８は、全体制御部９に制御されて、待機時に揮発性メモリ１に発生した誤りを検出して訂正を行うものである。全体制御部９は、本発明の電子装置の第１実施形態の全体を制御するものであり、電源電圧供給部４に対しては、待機電圧供給開始命令、待機電圧上昇命令、待機電圧降下命令、待機電圧不変更命令、待機電圧供給終了命令を発行して電源電圧調整指示部として機能し、誤り検出／訂正部８に対しては、作動命令を発行する。アドレス・データ・バス１０は、アドレス信号及びデータの伝送に使用されるものである。
【００２０】
電源電圧供給部４は、待機電圧生成部１１と、電源電圧選択部１２と、電源電圧制御部１３とを備えている。待機電圧生成部１１は、電源電圧制御部１３に制御されて待機電圧ＶＤＤ３を生成するものであり、外部電源電圧入力端子２から電源電圧ＶＤＤ１を入力している場合には、電源電圧ＶＤＤ１を降圧して待機電圧ＶＤＤ３を生成し、外部から電源電圧ＶＤＤ１を入力していない場合には、電池３から供給される電源電圧ＶＤＤ２を降圧して待機電圧ＶＤＤ３を生成する。
【００２１】
電源電圧選択部１２は、電源電圧制御部１３に制御されて、外部から供給される電源電圧ＶＤＤ１、電池３から供給されるＶＤＤ２及び待機電圧生成部１１から供給される待機電圧ＶＤＤ３の中から、揮発性メモリ１に供給する電源電圧を選択するものである。電源電圧制御部１３は、全体制御部９に制御されて、待機電圧生成部１１及び電源電圧選択部１２を制御するものである。
【００２２】
ここで、電源電圧制御部１３は、揮発性メモリ１が通常動作時において、待機電圧生成部１１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００２３】
また、電源電圧制御部１３は、全体制御部９から待機電圧供給開始命令が与えられたときは、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、その後、全体制御部９から待機電圧供給終了命令が与えられた場合において、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択するように電源電圧選択部１２を制御し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００２４】
また、電源電圧制御部１３は、全体制御部９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧上昇命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３が予め決められている所定電圧値だけ高くなるように待機電圧生成部１１を制御し、全体制御部９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧降下命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３が予め決められている所定電圧値だけ低くなるように待機電圧生成部１１を制御する。なお、電源電圧制御部１３は、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を待機電圧生成部１１から出力させるように待機電圧生成部１１を制御する。
【００２５】
このように構成された本発明の電子装置の第１実施形態によれば、以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００２６】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態）
図２は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第１例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図２に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【００２７】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ２０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ２０２）。
【００２８】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ２０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０３）。
【００２９】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００３０】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ２０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０４）。
【００３１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００３２】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ２０５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ２０６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ２０７）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００３３】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、この誤り検出結果を保存する（ステップＳ２０８）。以下、ステップＳ２０１〜Ｓ２０８が繰り返される。
【００３４】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００３５】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ２０３、Ｓ２０４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００３６】
図３は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の有効性を説明するための図であり、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２と、ワーストチップの最悪環境での限界待機電圧ＶＡの最大値ＶＡmaxと、限界待機電圧ＶＡと、待機電圧ＶＤＤ３が一度で誤り訂正を行うことができるメモリビット数以上のメモリビットに誤りが発生してしまう場合の電圧（以下、「限界訂正電圧」と言う。）ＶＢとの関係を示しており、（Ａ）は限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が大きい場合、（Ｂ）は限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さい場合を示している。
【００３７】
限界待機電圧ＶＡや限界訂正電圧ＶＢは、同一チップであっても、温度やノイズや設定値の誤差によって変動するが、図３（Ａ）に示すように、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が十分に大きい場合には、限界待機電圧ＶＡが最小値ＶＡminから最大値ＶＡmaxの範囲で変動しても、どの瞬間でも、限界待機電圧ＶＡ＞限界訂正電圧ＶＢであり、正常動作を継続することができる。
【００３８】
これに対して、図３（Ｂ）に示すように、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さい場合には、限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡmin＜限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxとなる場合がある。この場合、前回待機時において、待機電圧ＶＤＤ３が限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡminと同一電圧値であったときは、記憶データが破壊されないので、今回待機時には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧値にしても、温度変化がなければ、正常動作を継続することができる。
【００３９】
しかしながら、前回待機時とは環境温度が変わり、限界待機電圧ＶＡが上がり、また、限界訂正電圧ＶＢが最大値ＶＢmaxに近くなると、待機電圧ＶＤＤ３が前回待機時の場合と同一電圧値である場合には、待機電圧ＶＤＤ３＜限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡmin、かつ、待機電圧ＶＤＤ３＜限界訂正電圧ＶＢの最小値ＶＢminとなり、誤り訂正を行うことができるメモリビット数以上のメモリビットに記憶内容の破壊が発生し、正常動作を継続することができなくなる。
【００４０】
従来から一般的な誤り訂正手法では、限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差が小さく、誤り訂正に限界があった。限界待機電圧ＶＡと限界訂正電圧ＶＢとの電圧差を大きくするのに最も適した手法は、強力な誤り訂正能力を持つ手法を用いることであるが、そのような誤り訂正手法は、従来はソフトウェアで実現されており、消費電力が大きく、かつ、処理速度が遅いものが多かった。
【００４１】
ところで、近年、待機時の電力削減の必要性の高い電池駆動機器の多くが無線通信機能を持ち始めた。無線通信では、データ伝送中に多くのデータ欠落が発生することが避けられないため、強力な誤り訂正能力が必要となる。また、電池駆動機器では、誤り検出／訂正を消費電力の少ないハードウェアで実現することが多くなった。
【００４２】
このような強力な誤り訂正能力を有するハードウェアを使用することが可能となったため、限界待機電圧ＶＡの最小値ＶＡminと限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxとの電圧差を従来の誤り訂正手法の数倍以上に大きくすることができるようになった。図３で言えば、従来においては、待機電圧ＶＤＤ３をワーストチップの最悪環境での限界待機電圧ＶＡの最大値ＶＡmaxまでしか下げることができなかったが、前述の強力な誤り訂正能力を有するハードウェアを使用することで、限界訂正電圧ＶＢの最大値ＶＢmaxまで下げることができるようになった。
【００４３】
このような状況下にあることから、誤り検出／訂正部８として強力な誤り検出／訂正能力を有するハードウェアを使用することで、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態を有効に使用することができる。以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態〜第１６実施形態においても同様である。
【００４４】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態）
図４は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第２例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図４に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【００４５】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ４０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ４０２）。
【００４６】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ４０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０３）。
【００４７】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００４８】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ４０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ４０４）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ４０４でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０５）。これにより、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げても良い場合を慎重に選択することができる。
【００４９】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００５０】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ４０４でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０６）。
【００５１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００５２】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ４０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ４０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ４０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１１に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１１は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００５３】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ４１０）。以下、ステップＳ４０１〜Ｓ４１０が繰り返される。
【００５４】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００５５】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ４０３、Ｓ４０５での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００５６】
また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしているので、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げる場合に、これを慎重に行うことができる。
【００５７】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態）
図５は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図５に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べ出し、この記憶ビットを特定記憶ビットとし、誤り検出／訂正部８に特定記憶ビットを対象として誤り検出／訂正を実行させるという特徴を有するものである。
【００５８】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ５０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ５０２）。
【００５９】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していた場合（ステップＳ５０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０３）。
【００６０】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００６１】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ５０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０４）。
【００６２】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００６３】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ５０５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ５０６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ５０７）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００６４】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の特定記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ５０８）。以下、ステップＳ５０１〜Ｓ５０８が繰り返される。
【００６５】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００６６】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ５０３、Ｓ５０４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００６７】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態においては、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１の記憶ビット中の特定記憶ビットのみを対象として誤り検出／訂正を行えば足りるので、誤り検出／訂正の処理に要する電力を削減することができる。
【００６８】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態）
図６は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第４例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図６に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べておき、この記憶ビットを特定記憶ビットとし、誤り検出／訂正部８に特定記憶ビットを対象として誤り検出／訂正をさせるという特徴を有するものである。
【００６９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ６０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ６０２）。
【００７０】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していた場合（ステップＳ６０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０３）。
【００７１】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００７２】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ６０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ６０４）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ６０４でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０５）。
【００７３】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００７４】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ６０４でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０６）。
【００７５】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００７６】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ６０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ６０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ６０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００７７】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の特定記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ６１０）。以下、ステップＳ６０１〜Ｓ６１０が繰り返される。
【００７８】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００７９】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ６０３、Ｓ６０５での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００８０】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態においては、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１の記憶ビット中の特定記憶ビットのみを対象として誤り検出と訂正を行えば足りるので、誤り検出と訂正に要する電力を削減することができる。
【００８１】
また、前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしているので、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を下げる場合に、これを慎重に行うことができる。
【００８２】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態及び第４実施形態においては、待機時に誤りを起こし易い記憶ビットを事前に１つ調べ出し、この記憶ビットを特定記憶ビットとしているが、この代わりに、誤りを起こし易い複数の記憶ビットを事前に調べ出し、これら複数の記憶ビットを特定記憶ビットとし、これら複数の特定記憶ビットのいずれかが前回待機時に誤りを起こした場合に、待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。また、特定記憶ビットが、待機時に記憶データを論理０から論理１にする誤りを起こし易いか、論理１から論理０にする誤りを起こし易いかを事前に調べておき、待機時に記憶データが誤りを起こし易い論理値の場合にのみ、特定記憶ビットの誤りと訂正を行うようにしても良い。
【００８３】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態）
図７は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第５例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図７に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、誤り検出／訂正部８に全記憶ビットを対象として誤り発生の有無と誤り発生数とを検出させ、誤り発生数が所定数未満の場合には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧にするという特徴を有するものである。
【００８４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ７０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ７０２）。
【００８５】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ７０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、誤り発生数が所定数以上であるか否かを判断する（ステップＳ７０３）。誤り発生数が所定数以上の場合（ステップＳ７０３でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０４）。
【００８６】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００８７】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ７０２でＹＥＳの場合）において、誤り発生数が所定数未満の場合（ステップＳ７０３でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０５）。
【００８８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００８９】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ７０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０６）。
【００９０】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００９１】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ７０７）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ７０８）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ７０９）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【００９２】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ７１０）。以下、ステップＳ７０１〜Ｓ７１０が繰り返される。
【００９３】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合において、誤り発生数が所定数以上の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、誤り発生数が所定数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【００９４】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ７０４、Ｓ７０６での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【００９５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態）
図８は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第６例であり、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図８に示す待機電圧制御方法を実行するというものであるが、誤り検出／訂正部８に全記憶ビットを対象として誤り発生の有無と誤り発生数とを検出させ、誤り発生数が所定数以下の場合には、待機電圧ＶＤＤ３を前回待機時の場合と同一電圧値とするという特徴を有するものである。
【００９６】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ８０１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ８０２）。
【００９７】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していた場合（ステップＳ８０２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、誤り発生数が所定数以上であるか否かを判断する（ステップＳ８０３）。誤り発生数が所定数以上の場合（ステップＳ８０３でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０４）。
【００９８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【００９９】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ８０２でＹＥＳの場合）において、誤り発生数が所定数未満の場合（ステップＳ８０３でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０５）。
【０１００】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０１】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合（ステップＳ８０２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、連続して誤りが不発生であった待機回数、即ち、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断し（ステップＳ８０６）、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合（ステップＳ８０６でＹＥＳの場合）には、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０７）。
【０１０２】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１０３】
また、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かを判断した場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合（ステップＳ８０６でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８０５）。
【０１０４】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧不変更命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０５】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ８０８）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ８０９）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ８１０）。具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。
【０１０６】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、揮発性メモリ１の全記憶ビットを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存する（ステップＳ８１１）。以下、ステップＳ８０１〜Ｓ８１１が繰り返される。
【０１０７】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生した場合において、誤り発生数が所定数以上の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、誤り発生数が所定数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかった場合において、連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合と同一電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【０１０８】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ８０４、Ｓ８０７での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１０９】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態）
図９は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態を説明するための図であり、本発明の電子装置の第１実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第７例である。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、図９に示すように、揮発性メモリ１のメモリ領域を複数のメモリブロック１５−１〜１５−ｎに区分し、メモリブロック１５−１〜１５−ｎのそれぞれの所定記憶ビットを誤り検出済マーク書き込みビット１６−１〜１６−ｎとする。但し、メモリブロック１５−２、１５−ｎ間のメモリブロック１５−３〜１５−（ｎ−１）及びメモリブロック１５−３〜１５−（ｎ−１）の誤り検出済マーク書き込みビット１６−３〜１６−（ｎ−１）は、図示を省略している。
【０１１０】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態は、待機状態から復帰する際に全ての誤り検出済マークを消去し、その後、揮発性メモリ１にアクセスするときは、アクセスするビットが含まれるメモリブロックの誤り検出済マークが消去されている場合のみ、そのメモリブロックを誤り検出／訂正の対象とし、誤り検出済マークを書き込むというものである。
【０１１１】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が通常動作時から１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、電源電圧生成部１１を制御し、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御し、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１０に示す待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１１２】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行すると（ステップＳ１００１）、揮発性メモリ１に対する待機電圧制御動作が開始し、全体制御部９は、揮発性メモリ１が前回待機時から通常動作時に復帰した際に誤り検出／訂正部８から与えられた誤り検出結果から、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断する（ステップＳ１００２）。
【０１１３】
ここで、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生していた場合（ステップＳ１００２でＹＥＳの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ１００３）。
【０１１４】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１１５】
これに対して、前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかった場合（ステップＳ１００２でＮＯの場合）には、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するように電源電圧供給部４を制御する（ステップＳ１００４）。
【０１１６】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に対して、待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、待機電圧生成部１１を制御し、前回待機時の待機電圧ＶＤＤ３よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２が待機電圧ＶＤＤ３を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。また、電源電圧制御部１３は、今回待機時に揮発性メモリ１に供給される待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を待機電圧値保持部５に更新的に書き込む。
【０１１７】
このようにして、揮発性メモリ１は、電源電圧供給部４から待機電圧ＶＤＤ３が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３の下での待機状態に入る（ステップＳ１００５）。その後、揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰すると（ステップＳ１００６）、全体制御部９は、電源電圧供給部４が揮発性メモリ１に電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給するように電源電圧供給部４を制御し、その後、全ての誤り検出済マークを消去する（ステップＳ１００７）。
【０１１８】
具体的には、全体制御部９は、電源電圧制御部１３に待機電圧供給終了命令を発行する。電源電圧制御部１３は、これを受けて、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部１２が電源電圧ＶＤＤ２を選択するように電源電圧選択部１２を制御する。そして、全体制御部９は、全ての誤り検出済マークの消去を行う。
【０１１９】
次に、全体制御部９は、誤り検出／訂正部８に作動命令を発行する。誤り検出／訂正部８は、これを受けて、アクセスするビットが含まれるメモリブロックの誤り検出済マークが消去されている場合のみ、そのメモリブロックを対象として誤り検出を行い、誤りがある場合には、誤りを訂正し、また、誤り検出結果として誤りの有無を全体制御部９に与え、全体制御部９は、誤り検出結果を保存すると共に、誤り検出を実行したメモリブロックの誤り検出済マーク書き込みビットに誤り検出済マークを書き込む（ステップＳ１００８）。以下、ステップＳ１００１〜Ｓ１００８が繰り返される。
【０１２０】
以上のように、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、前回待機時に揮発性メモリ１の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生した場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ高くした待機電圧ＶＤＤ３を供給し、また、前回待機時に揮発性メモリ１の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、揮発性メモリ１に前回待機時の場合よりも所定電圧値だけ低くした待機電圧ＶＤＤ３を供給するとしている。
【０１２１】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態によれば、待機電圧ＶＤＤ３を使用環境が最悪のチップに合わせる必要がなく、また、ＮＢＴＩによる経年変化を考慮して、待機電圧ＶＤＤ３を、例えば、１０年後の限界待機電圧まで上げる必要もなく、待機電圧ＶＤＤ３の電圧値の調整を微調整とすることで（ステップＳ１００３、Ｓ１００４での所定電圧値を微小電圧値とすることで）、待機電圧ＶＤＤ３を誤りが発生しないぎりぎりの限界待機電圧まで低くすることができ、これにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第１実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１２２】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態においては、繰り返して待機状態に入っても、通常動作時にアクセスのないメモリブロックについては誤り検出／訂正を行わず、通常動作時に実際にアクセスのあったメモリブロックのみを対象として誤り検出／訂正を行えば足りるので、誤り検出／訂正の処理に要する電力を削減することができる。
【０１２３】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態、第４実施形態、第６実施形態においては、連続誤り不発生待機回数が所定回数となった場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにした場合について説明したが、この代わりに、１回の待機時の待機時間又は連続した誤り不発生待機時の合計待機時間が所定時間以上の場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにしても良い。また、同一電圧値を保存した待機回数が所定回数となった場合、前回待機時の保存値と異なる値を保存した待機時の待機時間が所定時間以上となった場合、又は、同一電圧値を保存した場合の連続した誤り不発生待機時の合計待機時間が所定時間以上の場合に、待機電圧ＶＤＤ３を低くするようにしても良い。
【０１２４】
（本発明の電子装置の第２実施形態）
図１１は本発明の電子装置の第２実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第２実施形態は、本発明の電子装置の第１実施形態が備える電源電圧供給部４と構成の異なる電源電圧供給部１８を設け、その他については、本発明の電子装置の第１実施形態と同様に構成したものである。電源電圧供給部１８は、温度−電圧テーブル１９を設け、その他については、電源電圧供給部４と同様に構成したものである。
【０１２５】
図１２は温度−電圧テーブル１９の概念図である。温度−電圧テーブル１９は、揮発性メモリ１の環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示すものであり、書き換え可能な不揮発性メモリからなり、電源電圧制御部１３により書き換え可能とされたものである。温度−電圧テーブル１９の初期値は、出荷時にチップ毎に調べて決定される。
【０１２６】
本発明の電子装置の第２実施形態においては、電源電圧制御部１３は、電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、温度−電圧テーブル１９を参照し、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を待機電圧生成部１１から出力させるように待機電圧生成部１１を制御する。
【０１２７】
このように構成された本発明の電子装置の第２実施形態によれば、以下に述べる本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ１の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第２実施形態を電池駆動とする場合には、電池３の持続時間を長くすることができる。
【０１２８】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態）
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第１例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、本発明の揮発性メモリの第１実施形態〜第７実施形態のいずれかを実行するというものである。
【０１２９】
したがって、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態によれば、本発明の第１実施形態〜第７実施形態と同様の効果を得ることができると共に、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１３０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態）
図１３は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第２例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１３に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１３１】
図１３に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図２に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分にステップＳ１３０１、Ｓ１３０２を追加し、その他については、図２に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１３２】
ステップＳ１３０１は、ステップＳ２０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ２０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１３０１は、ステップＳ２０３の後に実行するようにしても良い。
【０１３３】
ステップＳ１３０２は、ステップＳ２０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ２０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１３０２は、ステップＳ２０４の後に実行するようにしても良い。
【０１３４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１３０１、Ｓ１３０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１３５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態）
図１４は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１４に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１３６】
図１４に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図４に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分にステップＳ１４０１、Ｓ１４０２を追加し、その他については、図４に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１３７】
ステップＳ１４０１は、ステップＳ４０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ４０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１４０１は、ステップＳ４０３の後に実行するようにしても良い。
【０１３８】
ステップＳ１４０２は、全体制御部９が、ステップＳ４０２で、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断し、かつ、ステップＳ４０４で、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して、電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ４０４でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１４０２は、ステップＳ４０５の後に実行するようにしても良い。
【０１３９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１４０１、Ｓ１４０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１４０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態）
図１５は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第３例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１５に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１４１】
図１５に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図５に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分にステップＳ１５０１、Ｓ１５０２を追加し、その他については、図５に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１４２】
ステップＳ１５０１は、ステップＳ５０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ５０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１５０１は、ステップＳ５０３の後に実行するようにしても良い。
【０１４３】
ステップＳ１５０２は、ステップＳ５０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ５０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１５０２は、ステップＳ５０４の後に実行するようにしても良い。
【０１４４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１５０１、Ｓ１５０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１４５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態）
図１６は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第４例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１６に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１４６】
図１６に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図６に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分にステップＳ１６０１、Ｓ１６０２を追加し、その他については、図６に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１４７】
ステップＳ１６０１は、ステップＳ６０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ６０２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１６０１は、ステップＳ６０３の後に実行するようにしても良い。
【０１４８】
ステップＳ１６０２は、全体制御部９が、ステップＳ６０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１の特定記憶ビットに誤りが発生しなかったと判断し、かつ、ステップＳ６０４で、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ６０４でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１６０２は、ステップＳ６０５の後に実行するようにしても良い。
【０１４９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１６０１、Ｓ１６０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１５０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態）
図１７は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第５例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１７に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１５１】
図１７に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図７に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分にステップＳ１７０１、Ｓ１７０２を追加し、その他については、図７に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１５２】
ステップＳ１７０１は、ステップＳ７０３で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に発生していた誤り発生数が所定数以上と判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ７０３でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１７０１は、ステップＳ７０４の後に実行するようにしても良い。
【０１５３】
ステップＳ１７０２は、ステップＳ７０２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令とを発行した場合（ステップＳ７０２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１７０２は、ステップＳ７０６の後に実行するようにしても良い。
【０１５４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１７０１、Ｓ１７０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１５５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態）
図１８は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第６例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１８に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１５６】
図１８に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図８に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分にステップＳ１８０１、ステップＳ１８０２を追加し、その他については、図８に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１５７】
ステップＳ１８０１は、ステップＳ８０３で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１に発生していた誤り発生数が所定数以上と判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ８０３でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１８０１は、ステップＳ８０４の後に実行するようにしても良い。
【０１５８】
ステップＳ１８０２は、全体制御部９が、ステップＳ８０２で、前回待機時に揮発性メモリ１に誤りが発生しなかったと判断し、かつ、連続誤り不発生待機回数が所定回数であると判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令を発行した場合（ステップＳ８０６でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１８０２は、ステップＳ８０７の後に実行するようにしても良い。
【０１５９】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１８０１、Ｓ１８０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１６０】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態）
図１９は本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態の一部分を示すフローチャートである。本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態は、本発明の電子装置の第２実施形態で実施可能な揮発性メモリ１の待機電圧制御方法の第７例であり、本発明の電子装置の第２実施形態の電源電圧投入後又はリセット後、揮発性メモリ１が１回目の待機時に移行する場合には、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度センサ６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３を出力させると共に、電源電圧選択部１２を制御して、待機電圧生成部１１が出力する待機電圧ＶＤＤ３を揮発性メモリ１に供給させ、その後、揮発性メモリ１が通常動作時から２回目以降の待機時に移行する場合には、図１９に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法を実行するというものである。
【０１６１】
図１９に示す揮発性メモリ１の待機電圧制御方法は、図１０に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分にステップＳ１９０１、Ｓ１９０２を追加し、その他については、図１０に示す本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分と同様の内容を有するものである。
【０１６２】
ステップＳ１９０１は、ステップＳ１００２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生していたと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧上昇命令とを発行した場合（ステップＳ１００２でＹＥＳの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１９０１は、ステップＳ１００３の後に実行するようにしても良い。
【０１６３】
ステップＳ１９０２は、ステップＳ１００２で、全体制御部９が前回待機時に揮発性メモリ１中の誤り検出済マークが書き込まれているメモリブロックに誤りが発生しなかったと判断して電源電圧制御部１３に待機電圧供給開始命令と待機電圧降下命令を発行した場合（ステップＳ１００２でＮＯの場合）に、電源電圧制御部１３が、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させる待機電圧ＶＤＤ３の電圧値に書き換えるという工程である。このステップＳ１９０２は、ステップＳ１００４の後に実行するようにしても良い。
【０１６４】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態と同様の効果を得ることができると共に、ステップＳ１９０１、Ｓ１９０２を設け、温度−電圧テーブル１９を書き換えるようにしているので、本発明の電子装置の第２実施形態の電源投入後又はリセット後の揮発性メモリ１の１回目の待機時に、揮発性メモリ１に限界待機電圧に近い待機電圧ＶＤＤ３を供給することができる。
【０１６５】
（本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態）
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態は、揮発性メモリ１の待機中に環境温度の変化があった場合、電源電圧制御部１３は、温度−電圧テーブル１９を参照し、待機電圧生成部１１を制御して、温度−電圧テーブル１９中の、その時の環境温度に対応する待機電圧ＶＤＤ３の電圧値を、待機電圧生成部１１に生成させ、これを揮発性メモリ１に供給し、その他については、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１５実施形態のいずれかを実施するというものである。
【０１６６】
本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１６実施形態によれば、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態〜第１５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６７】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、外部から電源電圧ＶＤＤ１が入力されている場合であっても、揮発性メモリ１の待機時には、揮発性メモリ１に待機電圧ＶＤＤ３を供給するようにした場合について説明したが、この代わりに、外部から電源電圧ＶＤＤ１が入力されておらず、揮発性メモリ１を電池駆動している場合にのみ、揮発性メモリ１の待機時に、揮発性メモリ１に待機電圧ＶＤＤ３を供給するようにしても良い。このようにする場合には、揮発性メモリ１の待機時には誤りが発生しないので、外部電源電圧ＶＤＤ１による駆動時における揮発性メモリ１の待機時から復帰時の誤り検出／訂正時間の節約を図ることができる。
【０１６８】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１の環境温度に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を微調整するようにしているが、この代わりに、揮発性メモリ１の環境温度がリーク電力削減効果が高い温度以上の場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。このようにする場合には、リーク電力削減効果が低い温度のときは、誤り検出／訂正を実行しなくて済み、消費電力の削減を図ることができる。
【０１６９】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、外部からの待機電圧調整処理を行う旨の指示に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を調整するようにしているが、この代わりに、外部から揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３を調整する処理が指示された場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。
【０１７０】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１の待機時間に関係なく、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしているが、この代わりに、揮発性メモリ１の待機時間が所定時間以上の場合にのみ、揮発性メモリ１の待機電圧ＶＤＤ３の調整を行うようにしても良い。このようにする場合には、所定時間以内に待機状態と通常状態を繰り返すときは、待機電圧に下げないため、誤り検出／訂正を実行しなくて済み、消費電力の削減を図ることができる。
【０１７１】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態においては、揮発性メモリ１が通常動作時から待機時に移行する度に、待機電圧ＶＤＤ３の調整のための処理が実行されるが、この代わりに、定期的に待機電圧ＶＤＤ３の調整処理を行うようにしても良い。
【０１７２】
また、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１６実施形態において、揮発性メモリ１が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、誤り検出／訂正動作を実行しないようにしても良い。
【０１７３】
（本発明の電子装置の第３実施形態）
図２０は本発明の電子装置の第３実施形態の一部分を示すブロック回路図である。図２０中、２１−１〜２１−４は揮発性メモリ、２２は外部電源電圧入力端子、２３は電池、２４は電源電圧供給部、２５は待機電圧値保持部、２６は温度センサ、２７はタイマ、２８は誤り検出／訂正部、２９は全体制御部、３０はアドレス・データ・バスである。
【０１７４】
揮発性メモリ２１−１〜２１−４は、待機電圧制御対象であり、例えば、ＳＲＡＭである。外部電源電圧入力端子２２は、外部電源装置（図示せず）が出力する電源電圧ＶＤＤ１を入力するためのものである。電池２３は、交換可能に搭載されたものであり、電源電圧ＶＤＤ２を出力するものである。
【０１７５】
電源電圧供給部２４は、揮発性メモリ２１−ｉ（但し、ｉは１、２、３、４のいずれかである。）に電源電圧を供給するものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−ｉが通常動作時の場合には、揮発性メモリ２１−ｉには電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を供給し、待機時の場合には、待機電圧ＶＤＤ３−ｉを供給するものである。なお、待機電圧ＶＤＤ３−ｉは、電源電圧ＶＤＤ１、ＶＤＤ２よりも低い電圧である。
【０１７６】
待機電圧値保持部２５は、電源電圧供給部２４が揮発性メモリ２１−１〜２１−４に供給する待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４の電圧値を更新的に保持させるものであり、電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部によりライト／リードが可能とされたものである。温度センサ２６は、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の環境温度を測定し、その情報を電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。タイマ２７は、時刻情報を電源電圧供給部２４内の後述する電源電圧制御部に与えるものである。
【０１７７】
誤り検出／訂正部２８は、全体制御部２９に制御されて、待機時に揮発性メモリ２１−１〜２１−４に発生した誤りを検出して訂正を行うものである。全体制御部２９は、本発明の電子装置の第３実施形態の全体を制御するものであり、電源電圧供給部２４に対しては、待機電圧供給開始命令、待機電圧上昇命令、待機電圧降下命令、待機電圧不変更命令、待機電圧供給終了命令を発行して電源電圧調整指示部として機能し、誤り検出／訂正部２８に対しては、作動命令を発行する。アドレス・データ・バス３０は、アドレス信号及びデータの伝送に使用されるものである。
【０１７８】
電源電圧供給部２４は、待機電圧生成部３１と、電源電圧選択部３２と、電源電圧制御部３３とを備えている。待機電圧生成部３１は、電源電圧制御部３３に制御され、待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成するものであり、外部電源電圧入力端子２２から電源電圧ＶＤＤ１を入力している場合には、電源電圧ＶＤＤ１を降圧して待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成し、外部から電源電圧ＶＤＤ１を入力していない場合には、電池２３から供給される電源電圧ＶＤＤ２を降圧して待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４を生成する。
【０１７９】
電源電圧選択部３２は、電源電圧制御部３３に制御されて、外部から供給される電源電圧ＶＤＤ１、電池２３から供給されるＶＤＤ２及び待機電圧生成部３１から供給される待機電圧ＶＤＤ３−１〜ＶＤＤ３−４の中から、揮発性メモリ２１−１〜２１−４に供給する電源電圧を選択するものである。電源電圧制御部３３は、全体制御部２９に制御され、待機電圧生成部３１及び電源電圧選択部３２を制御するものである。
【０１８０】
ここで、電源電圧制御部３３は、揮発性メモリ２１−ｉが通常動作時において、待機電圧生成部３１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されている場合には、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、この電源電圧ＶＤＤ１を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、待機電圧生成部３１に外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていない場合には、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ２を選択し、この電源電圧ＶＤＤ２を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御する。
【０１８１】
また、電源電圧制御部３３は、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給開始命令が与えられたときは、電源電圧選択部３２が待機電圧ＶＤＤ３−ｉを選択し、この待機電圧ＶＤＤ３−ｉを揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、その後、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給終了命令が与えられた場合において、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されているときは、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ１を選択し、この電源電圧ＶＤＤ１を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御し、外部から電源電圧ＶＤＤ１が供給されていないときは、電源電圧選択部３２が電源電圧ＶＤＤ２を選択し、この電源電圧ＶＤＤ２を揮発性メモリ２１−ｉに供給するように電源電圧選択部３２を制御する。
【０１８２】
また、電源電圧制御部３３は、全体制御部２９から揮発性メモリ２１−ｉを対象として待機電圧供給開始命令とともに待機電圧上昇命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３−ｉが予め決められている所定電圧値だけ高くなるように待機電圧生成部１１を制御し、全体制御部２９から待機電圧供給開始命令とともに待機電圧降下命令が与えられると、待機電圧ＶＤＤ３−ｉが予め決められている所定電圧値だけ低くなるように待機電圧生成部３１を制御する。なお、電源電圧制御部３３は、電源投入後又はリセット後、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合には、予め決められている電圧値の待機電圧ＶＤＤ３−ｉを揮発性メモリ２１−ｉに供給するように待機電圧生成部３１を制御する。
【０１８３】
このように構成された本発明の電子装置の第３実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−４のそれぞれについて、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第３実施形態を電池駆動とする場合においては、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１８４】
（本発明の電子装置の第４実施形態）
図２１は本発明の電子装置の第４実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第４実施形態は、本発明の電子装置の第３実施形態が備える電源電圧供給部２４と構成の異なる電源電圧供給部３５を設け、その他については、本発明の電子装置の第３実施形態と同様に構成したものである。電源電圧供給部３５は、温度−電圧テーブル３６−１〜３６−４を設け、その他については、電源電圧供給部２４と同様に構成したものである。
【０１８５】
温度−電圧テーブル３６−ｉは、揮発性メモリ２１−ｉについて、環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示すものであり、書き換え可能な不揮発性メモリからなり、電源電圧制御部３３により書き換え可能とされたものである。温度−電圧テーブル３６−ｉの初期値は、出荷時に揮発性メモリ２１−ｉごとに調べて決定される。
【０１８６】
本発明の電子装置の第４実施形態においては、電源電圧制御部３３は、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合には、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧ＶＤＤ３−ｉを待機電圧生成部３１から出力させるように待機電圧生成部３１を制御する。
【０１８７】
このように構成された本発明の電子装置の第４実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−４のそれぞれについて、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、揮発性メモリ２１−１〜２１−４の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第４実施形態を電池駆動とする場合においては、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１８８】
なお、本発明の電子装置の第４実施形態においては、揮発性メモリ２１−ｉが１回目の待機時に移行する場合に、電源電圧供給部３５は、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を揮発性メモリ２１−ｉに供給するようにしているが、更に、揮発性メモリ２１−ｉの待機時に、揮発性メモリ２１−ｉの環境温度に変化が発生したときは、温度−電圧テーブル３６−ｉを参照し、温度センサ２６から与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を揮発性メモリ２１−ｉに供給するようにしても良い。
【０１８９】
（本発明の電子装置の第５実施形態）
図２２は本発明の電子装置の第５実施形態の一部分を示すブロック回路図である。本発明の電子装置の第５実施形態は、本発明の電子装置の第３実施形態が備える電源電圧供給部２４と構成の異なる電源電圧供給部３８を設けると共に、セレクタ３９、４０を設け、その他については、本発明の電子装置の第３実施形態と同様に構成したものである。
【０１９０】
電源電圧供給部３８は、揮発性メモリ２１−１に対して、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−１を出力し、揮発性メモリ２１−２に対しては、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−２を出力すると共に、待機電圧ＶＤＤ３−２より低い電圧ＶＤＤ４−２を出力し、揮発性メモリ２１−３に対しては、電源電圧供給部２４と同様に電源電圧ＶＤＤ１、電源電圧ＶＤＤ２又は待機電圧ＶＤＤ３−３を出力すると共に、待機電圧ＶＤＤ３−３より低い電圧ＶＤＤ４−３を出力し、揮発性メモリ２１−４に対しては、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を出力するというものである。
【０１９１】
セレクタ３９は、揮発性メモリ２１−２に対応して設けられたものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−２の通常動作時には、電源電圧供給部３８が出力する電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を選択して揮発性メモリ２１−２に供給し、揮発性メモリ２１−２の待機時には、電源電圧供給部３８が出力する待機電圧ＶＤＤ３−２又はＶＤＤ４−２又は接地電圧のいずれかを選択し、選択した待機電圧を揮発性メモリ２１−２に供給するか、又は、電源電圧の供給をオフとするものである。
【０１９２】
セレクタ４０は、揮発性メモリ２１−３に対応して設けられたものであり、全体制御部２９に制御されて、揮発性メモリ２１−３の通常動作時には、電源電圧供給部３８が出力する電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２を選択して揮発性メモリ２１−３に供給し、揮発性メモリ２１−３の待機時には、電源電圧供給部３８が出力する待機電圧ＶＤＤ３−３又はＶＤＤ４−３又は接地電圧のいずれかを選択し、選択した待機電圧を揮発性メモリ２１−３に供給するか、又は、電源電圧の供給をオフとするものである。
【０１９３】
このように構成された本発明の電子装置の第５実施形態においては、揮発性メモリ２１−１については、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができる。
【０１９４】
また、揮発性メモリ２１−２については、待機電圧ＶＤＤ３−２を選択する場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができ、また、揮発性メモリ２１−２の用途が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、待機電圧ＶＤＤ４−２を選択することにより、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施する場合よりも、待機時に多くの誤りが発生しても問題はないし、待機時のリーク電力をより削減することができる。
【０１９５】
また、揮発性メモリ２１−３については、待機電圧ＶＤＤ３−３を選択する場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施することができ、これらのいずれかを実施することにより、待機時のリーク電力を削減することができ、また、揮発性メモリ２１−３の用途が画像メモリや音声メモリや通信データ取り込みバッファ等のように、ある程度（例えば、数ビット）のデータ破壊が発生しても、問題が余り大きくないメモリである場合においては、待機電圧ＶＤＤ４−３を選択することにより、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第７実施形態を実施する場合よりも、待機時に多くの誤りが発生しても問題はないし、待機時のリーク電力をより削減することができる。
【０１９６】
なお、揮発性メモリ２１−４については、待機時においても、電源電圧ＶＤＤ１又はＶＤＤ２が供給され、待機時のリーク電力の削減は行われず、また、誤り検出／訂正部２８による誤り検出／訂正処理の対象ともされていない。これは、揮発性メモリ２１−４が、例えば、プログラム等のように、誤りの不発生が要求されているものを格納するメモリの場合である。
【０１９７】
したがって、本発明の電子装置の第５実施形態によれば、揮発性メモリ２１−１〜２１−３の待機時のリーク電力を削減することができ、本発明の電子装置の第５実施形態を電池駆動とする場合には、電池２３の持続時間を長くすることができる。
【０１９８】
なお、電源電圧供給部３８に、揮発性メモリ２１−１〜２１−３に対応して、環境温度と限界待機電圧ＶＡとの関係を示す温度−電圧テーブルを設け、揮発性メモリ２１−１〜２１−３について、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態を実施するようにしても良く、このようにする場合には、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第８実施形態〜第１６実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１９９】
なお、本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態〜第１５実施形態においては、待機状態に入るときに、待機電圧を決定しているが、この代わりに、待機電圧終了時の誤り検出後に、直ちに次回の待機時の電圧を決定するようにしても良い。
【０２００】
ここで、本発明を整理すると、本発明には、少なくとも、以下の電子装置及び揮発性メモリの待機電圧制御方法が含まれる。
【０２０１】
（付記１）揮発性メモリと、
前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、
前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部と
を有することを特徴とする電子装置。
【０２０２】
（付記２）前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０３】
（付記３）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０４】
（付記４）前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０５】
（付記５）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０６】
（付記６）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０７】
（付記７）前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合、又は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０８】
（付記８）前記揮発性メモリは、複数のメモリブロックを有し、
前記待機電圧調整指示部は、前記複数のメモリブロックのうち、今回待機時の直近の通常動作時にアクセスされたメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０２０９】
（付記９）更に、前記揮発性メモリの環境温度を測定する温度センサと、
前記揮発性メモリの環境温度と限界待機電圧との関係を示す温度−電圧テーブルとを有し、
前記揮発性メモリが１回目の待機時に移行する場合には、前記電源電圧供給部は、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記温度センサから与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１０】
（付記１０）前記電源電圧供給部は、前記揮発性メモリの待機時に、前記揮発性メモリの環境温度に変化が発生したときは、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記温度センサから与えられる温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給することを特徴とする付記９に記載の電子装置。
【０２１１】
（付記１１）前記揮発性メモリが電池駆動されている場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１０のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１２】
（付記１２）前記揮発性メモリの環境温度が所定温度以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１１のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１３】
（付記１３）前記揮発性メモリの待機時間が所定時間以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１２のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１４】
（付記１４）外部から前記揮発性メモリの待機電圧の制御が指示された場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御を行うことを特徴とする付記１乃至１３のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１５】
（付記１５）
前記揮発性メモリが画像メモリ、音声メモリ又は通信データ取り込みバッファの場合には、前記揮発性メモリ内の誤り検出を行わないことを特徴とする付記１乃至１４のいずれか一の付記に記載の電子装置。
【０２１６】
（付記１６）揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、
前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程と
を含むことを特徴とする揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１７】
（付記１７）前記待機電圧調整指示工程は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程であることを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１８】
（付記１８）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２１９】
（付記１９）前記待機電圧調整指示工程は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２０】
（付記２０）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２１】
（付記２１）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２２】
（付記２２）前記待機電圧調整指示工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、誤り発生数が所定数以上であるか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行う工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数以上の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合において、前記誤り発生数が前記所定数未満の場合、又は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が前記所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２３】
（付記２３）前記揮発性メモリは、複数のメモリブロックを有し、
前記待機電圧調整指示工程は、前記複数のメモリブロックのうち、今回待機時の直近の通常動作時にアクセスされたメモリブロックに誤りが発生したか否かを判断する工程であり、
前記電源電圧供給工程は、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記アクセスされたメモリブロックに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する工程である
ことを特徴とする付記１６に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２４】
（付記２４）前記揮発性メモリが１回目の待機時に移行する場合には、前記揮発性メモリの環境温度と限界待機電圧との関係を示す温度−電圧テーブルを参照し、前記揮発性メモリの温度情報に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する工程を含むことを特徴とする付記１６乃至２３のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２５】
（付記２５）前記揮発性メモリの待機時に、前記揮発性メモリの環境温度に変化が発生したときは、前記温度−電圧テーブルを参照し、前記揮発性メモリの環境温度に対応する電圧値の待機電圧を前記揮発性メモリに供給する工程を含むことを特徴とする付記２４に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２６】
（付記２６）前記揮発性メモリが電池駆動されている場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２５のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２７】
（付記２７）前記揮発性メモリの環境温度が所定温度以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２６のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２８】
（付記２８）前記揮発性メモリの待機時間が所定時間以上の場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２７のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２２９】
（付記２９）外部から前記揮発性メモリの待機電圧の制御が指示された場合にのみ、前記揮発性メモリの待機電圧の制御のための工程を行うことを特徴とする付記１６乃至２８のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【０２３０】
（付記３０）前記揮発性メモリが画像メモリ、音声メモリ又は通信データ取り込みバッファの場合には、前記揮発性メモリ内の誤り検出を行わないことを特徴とする付記１６乃至２９のいずれか一の付記に記載の揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】本発明の電子装置の第１実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図３】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１実施形態の有効性を説明するための図である。
【図４】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第２実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図５】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第３実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図６】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第４実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図７】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第５実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図８】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第６実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図９】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態を説明するための図である。
【図１０】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第７実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の電子装置の第２実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図１２】本発明の電子装置の第２実施形態が備える温度−電圧テーブルの概念図である。
【図１３】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第９実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１０実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１５】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１１実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１２実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１３実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１８】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１４実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図１９】本発明の揮発性メモリの待機電圧制御方法の第１５実施形態の一部分を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の電子装置の第３実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２１】本発明の電子装置の第４実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【図２２】本発明の電子装置の第５実施形態の一部分を示すブロック回路図である。
【符号の説明】
【０２３２】
１…揮発性メモリ
２…外部電源電圧入力端子
３…電池
４…電源電圧供給部
５…待機電圧値保持部
６…温度センサ
７…タイマ
８…誤り検出／訂正部
９…全体制御部
１０…アドレス・データ・バス
１１…待機電圧生成部
１２…電源電圧選択部
１３…電源電圧制御部
１５−１、１５−２、１５−ｎ…メモリブロック
１６−１、１６−２、１６−ｎ…誤り検出済マーク書き込みビット
１８…電源電圧供給部
１９…温度−電圧テーブル
２１−１〜２１−４…揮発性メモリ
２２…外部電源電圧入力端子
２３…電池
２４…電源電圧供給部
２５…待機電圧値保持部
２６…温度センサ
２７…タイマ
２８…誤り検出／訂正部
２９…全体制御部
３０…アドレス・データ・バス
３１…待機電圧生成部
３２…電源電圧選択部
３３…電源電圧制御部
３５…電源電圧供給部
３６−１〜３６−４…温度−電圧テーブル
３８…電源電圧供給部
３９、４０…セレクタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性メモリと、
前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、
前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部と
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、
前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程と
を含むことを特徴とする揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【請求項１】
揮発性メモリと、
前記揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示部と、
前記待機電圧調整指示部からの指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給部と
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記揮発性メモリに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記待機電圧調整指示部は、前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かを判断し、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記待機電圧調整指示部は、
前回待機時に前記揮発性メモリの特定記憶ビットに誤りが発生したか否かの判断と、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合には、連続誤り不発生待機回数が所定回数であるか否かの判断を行い、
前記電源電圧供給部は、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生した場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも高い電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数未満の場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧と同一電圧値の待機電圧を供給し、
前回待機時に前記特定記憶ビットに誤りが発生しなかった場合において、前記連続誤り不発生待機回数が所定回数である場合には、前記揮発性メモリに今回の待機電圧として前回の待機電圧よりも低い電圧値の待機電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
揮発性メモリが待機時に移行したときは、前回待機時における誤り発生状態を判断して前記揮発性メモリに供給する待機電圧の調整を指示する待機電圧調整指示工程と、
前記待機電圧調整指示工程による指示に従った待機電圧を前記揮発性メモリに供給する電源電圧供給工程と
を含むことを特徴とする揮発性メモリの待機電圧制御方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２００９−２０５２１６（Ｐ２００９−２０５２１６Ａ）
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４３９６８（Ｐ２００８−４３９６８）
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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