【課題】電子処理装置への電源電圧を最も効率の良い電力点で動作し、処理装置の出力の正確性を犠牲にすることなく、発生するエラーを修正することが可能な電圧制御方法を提供する。
【解決手段】プロセッサ又はメモリ要素を有する電子処理装置２への電源電圧を制御し電子処理装置の出力を受信する装置であって、当該装置は、電子処理装置の出力におけるエラーを検出するエラー検出手段５と、電子処理装置の出力において検出されたエラーの分析に基づいて、電子処理装置への電源電圧を適応的に変化させる手段６とを備える。装置は更に、電子処理装置の出力における検出されたエラーを修正する手段７を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ストレージシステム内の複数の物理記憶デバイスから得られる評価値を、物理的な位置関係で関連づけて、状態の異変を顕在化して検知する。
【解決手段】
入出力ユニット１０１、制御・演算ユニット１０２、一次記憶ユニット１０３、二次記憶ユニット１０４ａ、１０４ｂ、バス１０５を有するストレージシステムにおいて、物理的に近接する複数の物理記憶デバイスの組合せを定義し、組合せ定義に基づいて、グループ内の物理記憶デバイスの評価値の平均の分散と組合せサイズを乗算した指標により、ストレージシステム内の状態の異変を顕在化して通知する。 （もっと読む）

【課題】符号化処理を利用した効率的なメモリ検査を行う。
【解決手段】検査対象のメモリについてパリティ情報を付加したデータをメモリに書き込んだ後、該データをメモリから読み出してランレングス符号化処理を行って符号化データを生成する。符号化装置は、書き込まれたデータについてビット列を参照して符号化データを生成する際に、該ビット列と付加されているパリティ情報とを比較してビット反転エラーを検出する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ（「ＮＶＭ」）の正常性情報を取得して使用するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】正常性情報は、ＮＶＭの一部で検出されたエラー数、又は不揮発性メモリの一部から読み取りを行うために又はこのメモリの一部をプログラムするために必要な時間量などの、ＮＶＭ装置の一部の性能及び信頼性に関連する様々な情報を含むことができる。動作中、ホスト装置上にアドレス固有の正常性情報を受動的に記憶し、コマンドの一部としてメモリコントローラに提供することができる。メモリコントローラは、このコマンドから正常性情報を抽出し、この情報を使用してアクセス要求を実行することができる。アクセス要求の完了後、メモリコントローラは正常性情報を更新し、この情報をホスト装置へ返送することができる。 （もっと読む）

【課題】自装置に十分な記録容量がない場合、又は記録装置が故障している場合であっても、自他装置の記録しておくべきデータを損失することなく記録することができる電子制御システム及び電子制御装置（ＥＣＵ）を提供する。
【解決手段】データを記録する記録手段及び通信手段を有し、制御対象物の動作を制御する複数の電子制御装置を、通信線を介してデータ通信することが可能に接続してある。一の電子制御装置は、記録手段に所定のデータを記録することが可能であるか否かを判断し、可能であると判断した場合、記録手段にデータを記録する。可能ではないと判断した場合、他の電子制御装置へデータを送信する。他の電子制御装置は、受信したデータを記録手段に記録する。 （もっと読む）

【課題】高品質なメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイスは、不揮発性のメモリ１１と、コマンド格納部と、記憶部４６と、管理部と、を備えている。コマンド格納部は、コマンドを格納する。記憶部４６は、バックグランド処理の種類とその優先順位とが設定され、必要とされているバックグランド処理の情報が設定され、ホストデバイス２によって、バックグランド処理の許可または不許可が設定される。管理部は、コマンド格納部にコマンドが格納されていないと判定すると、記憶部４６を参照してホストデバイス２がバックグランド処理を行うことを許可しているか否かを判定し、許可されていない場合、記憶部４６に設定されたバックグランド処理の情報と優先順位とを参照して、メモリ１１の未使用のブロックの数と、必要とされているバックグランド処理の優先順位及び数とに基づいてバックグランド処理の重要度を記憶部４６に設定する。 （もっと読む）

【課題】記憶装置で発生したエラーに対して、簡易かつ的確にエラーを解析し、エラーの状況を取得できるようにする。
【解決手段】故障解析回路は、故障がある記憶領域に記憶された故障データと交替レジスタのデータとを比較する比較回路と、比較回路による比較結果データからエラービット位置を特定する位置特定回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリを低電圧で制御して省電力制御を図ることおよびエラーの発生を防止することを改善できるメモリ電圧制御装置およびメモリ電圧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ電圧制御装置１０およびメモリ電圧制御方法は、デバイス１３，１４と、デバイス１３，１４の異常を検出する電気機器１１と、を備え、電気機器１１は、デバイス１３，１４の異常を検出した時に、デバイス１３，１４に対して動的または静的に駆動電圧を昇圧する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】コンピュータシステムのメモリ部の障害の被疑部位を高速かつ正確に特定する診断装置を提供する。
【解決手段】コンピュータシステム１００のメモリ部３にアクセスしてエラーが発生した際に、診断装置１０は、エラー発生時のメモリ読み出しアドレスおよびメモリ読み出しデータのエラービットをそれぞれ読み出しアドレス保持回路１５およびエラービット保持回路１２に保持し、診断読み出しアドレス生成回路１６および診断読み出しコマンド生成回路１４からメモリ読み出し制御部２に指示してエラー発生時の同一メモリ読み出しアドレスに再度アクセスするリトライ動作を実施させ、リトライ結果として、エラービット比較回路１３において再度同一のエラービットが発生するか否かの比較結果１３１に基づいて、診断制御回路１７は、固定障害か否かを判別し、固定障害と判別した場合エラーが発生した部位を中心に切り分けテストを行い、障害被疑部位を特定する。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正回路の動作に起因して発生する消費電力の低減を図る。
【解決手段】プラグインカード収容装置は、受信した入力データを格納するメモリと、前記メモリに電気的に接続可能に設けられ、前記メモリから出力された前記入力データのエラーを訂正するエラー訂正回路とを含むプラグインカードと、前記プラグインカードが実装される装置本体と、前記装置本体に実装された前記プラグインカードに備えられる前記メモリのエラー率に基づいて前記プラグインカードの信頼性指標値を算出し、算出した前記信頼性指標値が基準値に近づくように、前記エラー訂正回路を前記メモリに電気的に接続するかどうかを決定するプロセッサとを有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの記憶領域に故障が発生しても、情報の蓄積に支障がないようにする。
【解決手段】イグニッションスイッチがＯＦＦになったことを契機として、不揮発性メモリに故障情報を書き込むときに、故障が発生していない記憶領域を選定し（Ｓ１）、記憶領域の全領域に消去データを書き込み（Ｓ２，Ｓ３）、消去データの確認により消去できたか否かを判定する（Ｓ４，Ｓ５）。記憶領域が消去できなかった場合、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む（Ｓ１６）。また、イグニッションスイッチがＯＮになったことを契機として、不揮発性メモリから故障情報を読み込むときに、チェックサムを利用して異常を検知し、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む。そして、素子異常情報を計数した計数値が所定の閾値以上である記憶領域は、故障が発生していると判定し、その使用を禁止する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、不揮発性メモリデバイスの信頼性を改善できるメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、不揮発性メモリデバイスとモニタ部と変更部とを有することを特徴とするメモリシステムが提供される。不揮発性メモリデバイスは、データを記憶する。モニタ部は、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタする。変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】データの正常性だけでなく、書き込みアドレスの正常性も確認する。
【解決手段】書き込み部１１は、メモリ１２にデータを書き込み、計算部１３は、書き込み部１１がメモリ１２に書き込んだデータのデータ・チェックサム値とデータを書き込んだアドレスのアドレス・チェックサム値とを計算し、データ・チェックサム値とアドレス・チェックサム値を合計したチェックサム合計値を計算する。表示部１４は、データ・チェックサム値とチェックサム合計値を表示する。 （もっと読む）

【課題】複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。ダイレベル、パッケージレベル、および／またはボードレベルにおいて、様々な動作不能化方法を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性を向上させ得るディスクアレイ装置を提案する。
【解決手段】ホスト計算機から送信されるデータを物理ディスクに読書きすると共に、ログデータを不揮発性メモリに格納する第１の制御部と、前記第１の制御部の動作内容が記憶されるメモリと、外部記憶媒体を接続するためのコネクタと、障害が発生したときに押下されるスイッチと、前記コネクタに前記外部記憶媒体が接続されていることを条件に、前記メモリに記憶されている前記第１の制御部の動作内容をダンプファイルとして直接前記メモリから採取して、前記コネクタを介して前記ダンプファイルを前記外部記憶媒体に格納する第２の制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクセス数の少ないメモリモジュールへのアクセス頻度に拘らず、エラーが発生したメモリモジュールに対してメモリチェックを行い、メモリモジュールの故障を早期に発見する。
【解決手段】コンピュータ１００は、エラー検出部１１０、ログ収集部１２０、診断部１３０、メモリチェック部１４０、障害処理部１５０、及び障害ログ情報格納部１６０を備え、メモリチェック部１４０は、診断機能によって特定されたメモリエラーが発生した位置に対してメモリチェックを行い、メモリアクセスを行い、メモリエラーが発生するかどうかの確認を行う。 （もっと読む）

【課題】誤り制御符号化（ＥＣＣ）の符号化率の動的調節方法、装置、およびシステムを提供する。
【解決手段】ビット誤り率モニタ１０６は、ＥＣＣエンジン１０４から受信した訂正不能コードワード信号に少なくとも部分的に基づいて、ビット誤り率を動的に決定する。ビット誤り率に基づいて、符号化率変更トリガがＥＣＣエンジン１０４へ送られ、所定の所望の範囲内に出力誤り率を維持するには符号化率を増減させる。ビット誤り率の変更に呼応して、誤り制御符号化の符号化率（ＥＣＣ符号化率）を、第１の符号化率から第２の符号化率へ変更する段階を備える。 （もっと読む）

【課題】コントローラやメモリモジュールを交換してもメモリモジュールに発生したエラーを再現する。
【解決手段】メモリモジュール１が、メモリデバイス１２−１〜１２−Ｎと、メモリデバイス１２−１〜１２−Ｎへのアクセスパターンであってエラーが発生するアクセスパターンを記憶する不揮発性メモリ１７と、コントローラ２によるメモリデバイス１２−１〜１２−Ｎへのアクセスによってエラーが発生したか否かを判定するエラー検出回路１５と、エラー検出回路１５によって、エラーが発生したと判定された場合、不揮発性メモリ１７にコントローラ２によるアクセスパターンを記録するアクセス情報記録回路１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】読み出しの処理時間を短縮することができるメモリシステムを得ること。
【解決手段】データと、２段階以上の誤り訂正処理により段階毎に定義された所定のサイズの前記データである単位データ毎に生成された各段階の誤り訂正符号と、を記憶する半導体記憶部、を備える。そして、半導体記憶部から読み出されたデータと当該データに対応する前記各段階の誤り訂正符号とに基づいて誤り訂正処理を行う誤り訂正処理部と、誤り訂正処理部による誤り訂正処理により誤り訂正が不可であったか否かを示す段階毎の誤り訂正履歴情報を前記単位データ毎に記憶する誤り訂正履歴情報記憶部と、を備える。さらに、読み出し対象の単位データに対応する前記誤り訂正履歴情報が訂正不可である段階の誤り訂正処理を実施せずに次段階の誤り訂正処理を実施するよう誤り訂正処理部を制御する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの交換、取り外しに適切に対応する。
【解決手段】実施の形態の記憶装置は、識別情報記憶手段と、位置情報記憶手段と、判定手段と、制御手段と、を備える。識別情報記憶手段は、ホストからのアクセスの対象となる不揮発性メモリを識別する識別情報を複数記憶する。位置情報記憶手段は、不揮発性メモリの不良領域を識別する位置情報を記憶する。判定手段は、自装置に接続されている複数の不揮発性メモリに格納されている識別情報のそれぞれが、識別情報記憶手段に記憶されている複数の識別情報のいずれかと一致するか否かを判定する。制御手段は、判定手段により不揮発性メモリの識別情報が識別情報記憶手段に記憶されている複数の識別情報のいずれも一致しないと判定された場合に、一致しない識別情報で識別される不揮発性メモリに対して、位置情報記憶手段に記憶された不良領域の位置情報の利用を抑止するともに、当該不揮発性メモリに対する、ホストからのアクセスを抑止する。 （もっと読む）