電気スズめっき液および電子部品の製造方法
【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に好適に使用される電気スズめっき液およびこのめっき液を用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタやそれらの複合体からなるセラミック電子部品の端子電極形成工程において、電気Ｓｎめっきが用いられている。例えば、内部電極を備えるセラミック電子部品の表面に、銀、銅等の導電ペーストを塗布して焼成して下地電極を形成した後に、この下地電極表面に選択的に電気バレルめっきでＮｉ層およびＳｎ層を連続的に形成し、端子電極を構成する。このＳｎ層の電気めっきには、ｐＨ４〜８の中性スズめっき液が用いられることが多い。
【０００３】
従来、めっき後のセラミック電子部品の電気特性が、めっき前の電気特性に比べて劣化するという問題があった。その理由の１つとして、主としてセラミックスからなる素体に存在する多数の細孔を通じて素体の内部にめっき液が侵入し、素体を腐食させていることが挙げられる。このような観点から、特許文献１に示すように、めっき液の粘度を高めて、細孔内部へのめっき液の侵入を抑制する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平７−２３５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者の研究によれば、単にめっき液の粘度を調整する手法では、素体の腐食を十分に抑制できないことが判明した。このため、素体の腐食を十分に抑制し、めっきによるセラミック電子部品の電気特性の劣化を防止し得るめっき液が要求されている。
【０００６】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の電気スズめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比（スズイオンのモル濃度に対するキレート剤のモル濃度の比の値）が２．５以下である。
【０００８】
上記構成のように、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限に抑え、ｐＨをできるだけ高くすることにより、セラミック電子部品の素体の腐食を抑制することができる。可能であれば、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンを含まないことが好ましい。
【０００９】
好ましくは、２価スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌ以下である。ｐＨが高くキレート剤の濃度が低い環境下では、スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌを超えて高いと、放置時もしくは通電時に沈殿が生じてしまい、この結果、めっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。
【００１０】
好ましくは、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満である。スルファミン酸イオンの濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上と高いと、通電時に沈殿が生じ、めっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。
【００１１】
水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、好ましくは０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは０．３ｍｏｌ／Ｌ以下である。水に対して水酸化物の溶解度が斯様に高いカチオンとしては、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオンや、アンモニウムイオンが挙げられる。このようなカチオンは、通電時にカソード周辺部に移動して濃縮され、強アルカリを生成し、セラミック電子部品の素体を腐食させることから、その濃度を０．５ｍｏｌ／Ｌ以下に抑制することが望ましい。
【００１２】
また、この観点より、Ｓｒ、Ｃａ、もしくはＭｇの塩からなるキレート剤又は導電性塩を含んでいてもよい。Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇの塩は、水に対する水酸化物の溶解度が非常に低いことから、通電時もカソード周辺部で濃縮されて強アルカリを生成せず、素体を腐食させることもないからである。なお、アルカリ土類金属の溶解度は、Ｍｇ＜Ｃａ＜Ｓｒ＜Ｂａである。
【００１３】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、本発明の電気スズめっき液を用いて好適に実施できる方法であり、すなわち、セラミック素子の下地電極上に電気スズめっきによりスズ層を形成する工程を備え、前記工程においては、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度の比が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である電気スズめっき液を用いる。
【００１４】
殊に、Ｚｎを含有するセラミック素体を用いる場合、本発明の効果が顕著である。Ｚｎを含む素体は、素体の耐薬品性に乏しいため、従来のめっき液による処理では素体の腐食が不都合な程度に大きくなってしまい、絶縁不良などの不具合が生じ易い場合があるのに対し、本発明によるセラミック電子部品の製造方法を用いることにより、かかる不具合を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、めっき液中におけるキレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限に抑え、ｐＨをできるだけ高くすることにより、めっき液による素体の腐食を抑制することができる。これにより、めっき後のセラミック電子部品の電気的特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】セラミック電子部品の概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】セラミック電子部品の下地電極の外側にめっきにより端子電極が形成された構造を示す概略断面図である。
【図４】めっき液中のキレート剤濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図５】アンモニウムイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１８】
＜セラミック電子部品の例＞
図１は、本発明による電気めっき処理の対象となるセラミック電子部品の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【００１９】
セラミック電子部品１は、セラミックスからなる素体２と、素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有し、換言すれば、素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。より具体的には、積層体４の一方の側面に露出した端部を有する内部電極３と、積層体４の他方の側面に露出した端部を有する内部電極３とが交互に積層されている。積層体４の両側（端）面には、それらの側面を覆うように下地電極５，５が設けられており、各下地電極５は、積層体４の一方の側面から露出した内部電極３の群、あるいは積層体４の他方の面から露出した内部電極３の群に電気的に接続されている。
【００２０】
セラミック電子部品１の素体２はセラミックス、具体的には、半導体セラミックスまたは誘電体セラミックスからなる。半導体セラミックス、および、誘電体セラミックスのいずれの場合にも、素体２にはＺｎが含まれることがある。半導体セラミックスでは、バリスタ、サーミスタなどの主成分として、また、誘電体では、焼結助剤としてＺｎを含むガラスが好ましく用いられる。特に後者では、ＬＴＣＣ（部品）の小型化に伴い薄層化が進み、このためにさらに焼結温度の低下が進んでおり、使用例も一段と増加している。
【００２１】
内部電極３には、素体２との間での確実なオーミック接触を可能とする観点から、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする材料が用いられるが、特に材料に限定はない。
【００２２】
下地電極５は、例えば、積層体４の側面への導電性ペーストの塗布および焼成により得られる。下地電極５を形成するための導電性ペーストとしては、主として、ガラス粉末（フリット）と、有機ビヒクル（バインダー）と、金属粉末とを含むものが挙げられ、導電性ペーストの焼成により、有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極５が形成される。なお、導電性ペーストには、必要に応じて、粘度調整剤、無機結合剤、酸化剤等種々の添加剤を加えてもよい。例えば、下地電極５は、金属成分としてＡｇ、Ｃｕ、または、Ｚｎを含む。
【００２３】
図３に示すように、セラミック電子部品１の下地電極５，５の表面に、さらに、電気めっきにより端子電極７，７が形成される。これらの端子電極７，７と、例えば、配線基板上の電極とがはんだ等により接合される。各端子電極７は、例えば、下地電極５側から積層形成されたＮｉ層７ａおよびＳｎ層７ｂを含む２層構造を有する。Ｎｉ層７ａは、はんだ付け時の熱によるＳｎ層７ｂと下地電極５との相互拡散によるはんだ付け性不良を防止するバリアメタルとして機能するものであり、その厚さは例えば２μｍ程度である。また、Ｓｎ層７ｂは、はんだの濡れ性を向上させる機能を有するものであり、その厚さは例えば４μｍ程度とされる。
【００２４】
＜めっき液＞
本実施形態に係るめっき液は、上述したＳｎ層７ｂのようなセラミック電子部品の電極の形成に好適に用いられる。以下、本実施形態に係るめっき液について説明する。
【００２５】
本実施形態の電気スズめっき液は、素体の腐食を抑制すべく、ｐＨをできるだけ高くして、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限としたものである。
【００２６】
キレート剤はできるだけ含まないことが好ましく、全く含まなくてもよい。キレート剤は錯イオン生成定数が大きいため、キレート剤が含まれると、セラミックスからなる素体自体が溶解され易くなる傾向にある。具体的には、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下となると、素体の腐食は大幅に抑制される。
【００２７】
なお、キレート剤の材料に限定はないが、例えば、グルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトノラクトン、クエン酸、ピロリン酸およびこれらのアルカリ金属、アルカリ土類金属との塩が挙げられる。具体的にはグルコン酸ナトリウム、グルコン酸マグネシウム、クエン酸カルシウム、ピロリン酸ストロンチウム等がある。その中でもグルコン酸塩はめっき液の安定性を高めることができるので好ましい。
【００２８】
アンモニアおよびアンモニウムイオンは、できる限り含まないことが好ましく、全く含まなくてもよい。アンモニアまたはアンモニウムイオンが含まれると、素体自体の腐食が進行し易くなる傾向にある。具体的には、アンモニウムイオンを０．３ｍｏＬ／Ｌ以下にすると、素体の腐食は大幅に抑制される。
【００２９】
また、キレート剤をできるだけ含まず、かつｐＨが高いめっき液では、Ｓｎの濃度が高いと、放置時もしくは通電時に沈殿が生じることに起因してめっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。そのためＳｎの濃度は小さい方がよいが、このＳｎ濃度が小さすぎると、めっき電流が下がってしまいめっき時間が長くなり生産性が低下する傾向にある。このような観点から、めっき液中のＳｎ濃度は０．０５〜０．１５ｍｏｌ／Ｌが好ましい。
【００３０】
このＳｎの供給源としては、メタンスルホン酸スズ等のスズアルカンスルホン酸塩、硫酸スズ、スルファミン酸スズ塩化スズ、酢酸第１スズ、酸化第１スズ、ホウフッ化第１スズ、２−ヒドロキシエタンスルホン酸第１スズ、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第１スズ、およびフェノールスルホン酸第１スズの等が挙げられる。これらのなかで、硫酸スズ、およびスルファミン酸スズは原料自体が不安定であって取り扱い性に問題があり、さらにスルファミン酸スズを用いると、連続通電時に沈殿が生じやすいという更なる問題がある。したがって、上述したもののなかでは、メタンスルホン酸スズを用いることが好ましい。
【００３１】
さらに、めっき液の導電性を高めるため、導電塩を含むことが好ましい。導電剤の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはアンモニアと、メタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、硫酸、スルファミン酸、酢酸、ホウフッ酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、およびフェノールスルホン酸等の酸との塩、もしくは塩化物が挙げられる。具体的にはメタンスルホン酸マグネシウム、メタンスルホン酸アンモニウム、塩化カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム等が挙げられる。このなかで、塩化アンモニウム等のアンモニウム塩は、素体が腐食し易い傾向にあり、また、スルファミン酸ナトリウム等のスルファミン酸塩は、通電時に沈殿が生じ易い傾向にある。このようなスルファミン酸塩の沈殿を防止するためには、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満であることが好ましい。
【００３２】
またさらに、水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。このようなカチオンは、例えば、キレート剤、導電塩、またはアンモニウムイオンから生じ得る。水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの例としては、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオンが挙げられる。このようなカチオンは、通電時にカソード周辺部に移動して濃縮され強アルカリを生成し、セラミック電子部品の素体を腐食させる傾向にあることから、その濃度を抑制することが望ましい。
【００３３】
例えば、キレート剤としてグルコン酸ナトリウムが用いられることが多いが、この場合めっき液中に多量のナトリウムイオンが存在し、めっき中にこのナトリウムイオンがＳｎ2+イオンと共にセラミック電子部品（チップ）の周辺に移動し、水酸化ナトリウムの濃厚液が生成して強アルカリとなり、素体が腐食される傾向にある。キレート剤がＫ，Ｌｉ等のアルカリ塩、もしくはアンモニウム塩の場合でも同様の傾向にある。
【００３４】
従って、キレート剤または導電塩として例示した材料のうち、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン等の塩を使用する場合には、これらの塩の濃度を０．５ｍｏｌ／Ｌ以下とすることが望ましく、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下とすることがさらに望ましい。このようなキレート剤の例としては、グルコン酸ナトリウムが挙げられる。また、導電塩の例として、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム、メタンスルホン酸アンモニウム等が挙げられる。
【００３５】
あるいは、キレート剤または導電塩として例示した材料のうち、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の金属の塩を好ましく用いることができる。これにより、めっき中もチップの周辺に強アルカリが生成することなく、素体の腐食が大幅に抑制される。このようなキレート剤として、グルコン酸マグネシウム、クエン酸カルシウム、ピロリン酸ストロンチウム等が挙げられる。また、このような導電塩として、メタンスルホン酸マグネシウム、塩化カルシウム、硫酸ストロンチウム等が挙げられる。
【００３６】
本実施形態に係るめっき液には、必要に応じて光沢剤や界面活性剤などの公知の添加剤を含んでいてもよく、その場合においても、上述した条件を満たすように添加剤の種類を選択し、またその量を調整することが好ましい。
【００３７】
本実施形態に係るめっき方法は、上述した電気スズめっき液で、セラミック電子部品にスズを電気めっきするものである。めっき方法として、例えばバレルめっきを用いることができる。必要に応じてカソード遥動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で攪拌することができる。
【００３８】
めっき条件としては、公知の条件を用いることができる。例えば、陽極としては、スズ金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきをしたチタン板などの不溶性電極を使用することもできる。浴温度は、特に制限されず、好ましくは１０℃〜３０℃である。陰極電流密度や、めっき時間等のめっき条件は、要求されるスズ層の膜厚等に応じて当業者が適宜決定することができる。このような本実施形態に係るめっき方法によれば、めっき液による素体の腐食を好適に抑制することが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態に係るめっき液およびめっき方法は、Ｚｎを含有する素体を備えるセラミック電子部品に好ましく用いることができる。Ｚｎを含む場合には、素体の耐薬品性が乏しくなることから、本実施形態に係るめっき液の効果が一層顕著になることによる。
【００４０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
予め、表１に示す５種類の電気スズめっき液Ａ〜Ｅを調製した。そして、素体２の主組成がチタン酸バリウムで外形が１．６×０．８×０．８ｍｍのチップコンデンサ（積層体４）の下地電極７に、まずワット浴でニッケルめっきを施して２μｍのＮｉ層７ａを形成し、これに続いて上記のめっき液Ａ〜Ｅでスズめっきを行って４μｍのＳｎ層７ｂを形成した。各めっき液で処理したチップについて素体の腐食距離を調べた。腐食距離は、めっき後のチップを１０個抜き取り（サンプリングし）、ＳＥＭの断面観察より素体表面の腐食層の厚さを測定した場合の平均値を示す。表２および図４に、キレート剤／Ｓｎイオンのモル比とともに腐食距離の測定結果を示す。表１における数値の単位は、ｍｏｌ／Ｌである。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
表２および図４に示すように、キレート剤の量がＳｎイオンの２．５倍を超えると腐食距離が有意に増大する傾向にあることが判明した。このことから、キレート剤／Ｓｎイオンのモル比は２．５以下にすべきことが確認された。
【００４５】
（実施例２）
表１に示すめっき液Ｂに導電塩としてメタンスルホン酸アンモニウムを添加してめっき液Ｂ０〜Ｂ４を調製し、実施例１と同じ条件でめっき液Ｂ０〜Ｂ４を用いてＳｎ層７ｂを形成し、セラミック電子部品を作製した。このセラミック電子部品（チップ）について腐食距離を調べた。表３および図５に、アンモニウムイオン濃度とともに腐食距離の結果を示す。表３において、特に単位を明示していない数値の単位は、ｍｏｌ／Ｌである。
【００４６】
【表３】
【００４７】
表３および図５に示すように、アンモニウムイオン濃度が０．３ｍｏＬ／Ｌを超えると腐食が大幅に増えることが判明した。このことから、アンモニウムイオンの濃度は０．３ｍｏｌ／Ｌ以下に抑えることが好ましいことが確認された。
【００４８】
（実施例３）
表３に示すめっき液Ｂ０に導電塩としてスルファミン酸ナトリウムを添加してめっき液Ｂ５〜Ｂ８を調製した。そして、めっき液Ｂ０およびＢ５〜Ｂ８に１００Ａｈ／Ｌの通電を行った後に沈殿の有無を調べた。結果を表４に示す。表４において、数値の単位はｍｏｌ／Ｌである。
【００４９】
【表４】
【００５０】
表４に示すように、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌを超えると沈殿が発生することが確認された。この沈殿物は、スルファミン酸ニッケルであると推定される。
【００５１】
（実施例４）
表５に示す主組成をもつ電気スズめっき液を調製した。めっき液の調製方法は次の通りである。０．１１ｍｏｌ／Ｌのメタンスルホン酸スズ、１．１０ｍｏｌ／Ｌのグルコン酸、１．８６ｍｏｌ／Ｌのメタンスルホン酸を混ぜて、水酸化ストロンチウムでｐＨを４．０に調整する。Ｓｒの価数は２なのでキレート剤及び導電塩の量をモル数で同じにするためにはグルコン酸とメタンスルホン酸を２倍量入れる必要がある。そして、主組成がチタン酸ストロンチウムでありＺｎを２％含有する素体２からなり、１．６×０．８×０．８ｍｍのサイズのコンデンサチップの下地電極７の上に４μｍのＳｎ層７ｂを形成した。このチップ３０個をランダムに３０個抜き取り、１４０℃、６．３Ｖ、１２時間の条件で高温負荷試験を行い、試験前後の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定した。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は０／３０であった。ここでチップの抵抗が５×１０8Ωを下回った場合に、抵抗が低下したと見なした。
【００５２】
【表５】
【００５３】
（実施例５）
つぎに実施例４のめっき液でＳｒをＭｇで置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。実施例４と等量のメタンスルホン酸スズ、グルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、水酸化マグネシウムでｐＨを４．０に調整した。当該めっき液を用いて、実施例４と同様の条件でコンデンサチップにＳｎ層７ｂを形成した。そして実施例４と同様の方法で高温負荷試験をおこない、試験前後の絶縁抵抗を測定した。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は０／３０であった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ、それらの複合部品からなるセラミック電子部品のめっき処理に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１…セラミック電子部品、２…素体、３…内部電極、４…積層体、５…下地電極、７…端子電極、７ａ…Ｎｉ層、７ｂ…Ｓｎ層、１０…単位構造。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に好適に使用される電気スズめっき液およびこのめっき液を用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタやそれらの複合体からなるセラミック電子部品の端子電極形成工程において、電気Ｓｎめっきが用いられている。例えば、内部電極を備えるセラミック電子部品の表面に、銀、銅等の導電ペーストを塗布して焼成して下地電極を形成した後に、この下地電極表面に選択的に電気バレルめっきでＮｉ層およびＳｎ層を連続的に形成し、端子電極を構成する。このＳｎ層の電気めっきには、ｐＨ４〜８の中性スズめっき液が用いられることが多い。
【０００３】
従来、めっき後のセラミック電子部品の電気特性が、めっき前の電気特性に比べて劣化するという問題があった。その理由の１つとして、主としてセラミックスからなる素体に存在する多数の細孔を通じて素体の内部にめっき液が侵入し、素体を腐食させていることが挙げられる。このような観点から、特許文献１に示すように、めっき液の粘度を高めて、細孔内部へのめっき液の侵入を抑制する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平７−２３５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者の研究によれば、単にめっき液の粘度を調整する手法では、素体の腐食を十分に抑制できないことが判明した。このため、素体の腐食を十分に抑制し、めっきによるセラミック電子部品の電気特性の劣化を防止し得るめっき液が要求されている。
【０００６】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の電気スズめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比（スズイオンのモル濃度に対するキレート剤のモル濃度の比の値）が２．５以下である。
【０００８】
上記構成のように、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限に抑え、ｐＨをできるだけ高くすることにより、セラミック電子部品の素体の腐食を抑制することができる。可能であれば、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンを含まないことが好ましい。
【０００９】
好ましくは、２価スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌ以下である。ｐＨが高くキレート剤の濃度が低い環境下では、スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌを超えて高いと、放置時もしくは通電時に沈殿が生じてしまい、この結果、めっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。
【００１０】
好ましくは、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満である。スルファミン酸イオンの濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上と高いと、通電時に沈殿が生じ、めっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。
【００１１】
水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、好ましくは０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは０．３ｍｏｌ／Ｌ以下である。水に対して水酸化物の溶解度が斯様に高いカチオンとしては、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオンや、アンモニウムイオンが挙げられる。このようなカチオンは、通電時にカソード周辺部に移動して濃縮され、強アルカリを生成し、セラミック電子部品の素体を腐食させることから、その濃度を０．５ｍｏｌ／Ｌ以下に抑制することが望ましい。
【００１２】
また、この観点より、Ｓｒ、Ｃａ、もしくはＭｇの塩からなるキレート剤又は導電性塩を含んでいてもよい。Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇの塩は、水に対する水酸化物の溶解度が非常に低いことから、通電時もカソード周辺部で濃縮されて強アルカリを生成せず、素体を腐食させることもないからである。なお、アルカリ土類金属の溶解度は、Ｍｇ＜Ｃａ＜Ｓｒ＜Ｂａである。
【００１３】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、本発明の電気スズめっき液を用いて好適に実施できる方法であり、すなわち、セラミック素子の下地電極上に電気スズめっきによりスズ層を形成する工程を備え、前記工程においては、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度の比が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である電気スズめっき液を用いる。
【００１４】
殊に、Ｚｎを含有するセラミック素体を用いる場合、本発明の効果が顕著である。Ｚｎを含む素体は、素体の耐薬品性に乏しいため、従来のめっき液による処理では素体の腐食が不都合な程度に大きくなってしまい、絶縁不良などの不具合が生じ易い場合があるのに対し、本発明によるセラミック電子部品の製造方法を用いることにより、かかる不具合を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、めっき液中におけるキレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限に抑え、ｐＨをできるだけ高くすることにより、めっき液による素体の腐食を抑制することができる。これにより、めっき後のセラミック電子部品の電気的特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】セラミック電子部品の概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】セラミック電子部品の下地電極の外側にめっきにより端子電極が形成された構造を示す概略断面図である。
【図４】めっき液中のキレート剤濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図５】アンモニウムイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１８】
＜セラミック電子部品の例＞
図１は、本発明による電気めっき処理の対象となるセラミック電子部品の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【００１９】
セラミック電子部品１は、セラミックスからなる素体２と、素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有し、換言すれば、素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。より具体的には、積層体４の一方の側面に露出した端部を有する内部電極３と、積層体４の他方の側面に露出した端部を有する内部電極３とが交互に積層されている。積層体４の両側（端）面には、それらの側面を覆うように下地電極５，５が設けられており、各下地電極５は、積層体４の一方の側面から露出した内部電極３の群、あるいは積層体４の他方の面から露出した内部電極３の群に電気的に接続されている。
【００２０】
セラミック電子部品１の素体２はセラミックス、具体的には、半導体セラミックスまたは誘電体セラミックスからなる。半導体セラミックス、および、誘電体セラミックスのいずれの場合にも、素体２にはＺｎが含まれることがある。半導体セラミックスでは、バリスタ、サーミスタなどの主成分として、また、誘電体では、焼結助剤としてＺｎを含むガラスが好ましく用いられる。特に後者では、ＬＴＣＣ（部品）の小型化に伴い薄層化が進み、このためにさらに焼結温度の低下が進んでおり、使用例も一段と増加している。
【００２１】
内部電極３には、素体２との間での確実なオーミック接触を可能とする観点から、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする材料が用いられるが、特に材料に限定はない。
【００２２】
下地電極５は、例えば、積層体４の側面への導電性ペーストの塗布および焼成により得られる。下地電極５を形成するための導電性ペーストとしては、主として、ガラス粉末（フリット）と、有機ビヒクル（バインダー）と、金属粉末とを含むものが挙げられ、導電性ペーストの焼成により、有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極５が形成される。なお、導電性ペーストには、必要に応じて、粘度調整剤、無機結合剤、酸化剤等種々の添加剤を加えてもよい。例えば、下地電極５は、金属成分としてＡｇ、Ｃｕ、または、Ｚｎを含む。
【００２３】
図３に示すように、セラミック電子部品１の下地電極５，５の表面に、さらに、電気めっきにより端子電極７，７が形成される。これらの端子電極７，７と、例えば、配線基板上の電極とがはんだ等により接合される。各端子電極７は、例えば、下地電極５側から積層形成されたＮｉ層７ａおよびＳｎ層７ｂを含む２層構造を有する。Ｎｉ層７ａは、はんだ付け時の熱によるＳｎ層７ｂと下地電極５との相互拡散によるはんだ付け性不良を防止するバリアメタルとして機能するものであり、その厚さは例えば２μｍ程度である。また、Ｓｎ層７ｂは、はんだの濡れ性を向上させる機能を有するものであり、その厚さは例えば４μｍ程度とされる。
【００２４】
＜めっき液＞
本実施形態に係るめっき液は、上述したＳｎ層７ｂのようなセラミック電子部品の電極の形成に好適に用いられる。以下、本実施形態に係るめっき液について説明する。
【００２５】
本実施形態の電気スズめっき液は、素体の腐食を抑制すべく、ｐＨをできるだけ高くして、キレート剤、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度を最小限としたものである。
【００２６】
キレート剤はできるだけ含まないことが好ましく、全く含まなくてもよい。キレート剤は錯イオン生成定数が大きいため、キレート剤が含まれると、セラミックスからなる素体自体が溶解され易くなる傾向にある。具体的には、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下となると、素体の腐食は大幅に抑制される。
【００２７】
なお、キレート剤の材料に限定はないが、例えば、グルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトノラクトン、クエン酸、ピロリン酸およびこれらのアルカリ金属、アルカリ土類金属との塩が挙げられる。具体的にはグルコン酸ナトリウム、グルコン酸マグネシウム、クエン酸カルシウム、ピロリン酸ストロンチウム等がある。その中でもグルコン酸塩はめっき液の安定性を高めることができるので好ましい。
【００２８】
アンモニアおよびアンモニウムイオンは、できる限り含まないことが好ましく、全く含まなくてもよい。アンモニアまたはアンモニウムイオンが含まれると、素体自体の腐食が進行し易くなる傾向にある。具体的には、アンモニウムイオンを０．３ｍｏＬ／Ｌ以下にすると、素体の腐食は大幅に抑制される。
【００２９】
また、キレート剤をできるだけ含まず、かつｐＨが高いめっき液では、Ｓｎの濃度が高いと、放置時もしくは通電時に沈殿が生じることに起因してめっき液の組成が変動し、安定しためっきが困難となる傾向にある。そのためＳｎの濃度は小さい方がよいが、このＳｎ濃度が小さすぎると、めっき電流が下がってしまいめっき時間が長くなり生産性が低下する傾向にある。このような観点から、めっき液中のＳｎ濃度は０．０５〜０．１５ｍｏｌ／Ｌが好ましい。
【００３０】
このＳｎの供給源としては、メタンスルホン酸スズ等のスズアルカンスルホン酸塩、硫酸スズ、スルファミン酸スズ塩化スズ、酢酸第１スズ、酸化第１スズ、ホウフッ化第１スズ、２−ヒドロキシエタンスルホン酸第１スズ、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第１スズ、およびフェノールスルホン酸第１スズの等が挙げられる。これらのなかで、硫酸スズ、およびスルファミン酸スズは原料自体が不安定であって取り扱い性に問題があり、さらにスルファミン酸スズを用いると、連続通電時に沈殿が生じやすいという更なる問題がある。したがって、上述したもののなかでは、メタンスルホン酸スズを用いることが好ましい。
【００３１】
さらに、めっき液の導電性を高めるため、導電塩を含むことが好ましい。導電剤の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはアンモニアと、メタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、硫酸、スルファミン酸、酢酸、ホウフッ酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、およびフェノールスルホン酸等の酸との塩、もしくは塩化物が挙げられる。具体的にはメタンスルホン酸マグネシウム、メタンスルホン酸アンモニウム、塩化カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム等が挙げられる。このなかで、塩化アンモニウム等のアンモニウム塩は、素体が腐食し易い傾向にあり、また、スルファミン酸ナトリウム等のスルファミン酸塩は、通電時に沈殿が生じ易い傾向にある。このようなスルファミン酸塩の沈殿を防止するためには、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満であることが好ましい。
【００３２】
またさらに、水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。このようなカチオンは、例えば、キレート剤、導電塩、またはアンモニウムイオンから生じ得る。水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの例としては、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオンが挙げられる。このようなカチオンは、通電時にカソード周辺部に移動して濃縮され強アルカリを生成し、セラミック電子部品の素体を腐食させる傾向にあることから、その濃度を抑制することが望ましい。
【００３３】
例えば、キレート剤としてグルコン酸ナトリウムが用いられることが多いが、この場合めっき液中に多量のナトリウムイオンが存在し、めっき中にこのナトリウムイオンがＳｎ2+イオンと共にセラミック電子部品（チップ）の周辺に移動し、水酸化ナトリウムの濃厚液が生成して強アルカリとなり、素体が腐食される傾向にある。キレート剤がＫ，Ｌｉ等のアルカリ塩、もしくはアンモニウム塩の場合でも同様の傾向にある。
【００３４】
従って、キレート剤または導電塩として例示した材料のうち、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン等の塩を使用する場合には、これらの塩の濃度を０．５ｍｏｌ／Ｌ以下とすることが望ましく、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下とすることがさらに望ましい。このようなキレート剤の例としては、グルコン酸ナトリウムが挙げられる。また、導電塩の例として、硫酸ナトリウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム、メタンスルホン酸アンモニウム等が挙げられる。
【００３５】
あるいは、キレート剤または導電塩として例示した材料のうち、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の金属の塩を好ましく用いることができる。これにより、めっき中もチップの周辺に強アルカリが生成することなく、素体の腐食が大幅に抑制される。このようなキレート剤として、グルコン酸マグネシウム、クエン酸カルシウム、ピロリン酸ストロンチウム等が挙げられる。また、このような導電塩として、メタンスルホン酸マグネシウム、塩化カルシウム、硫酸ストロンチウム等が挙げられる。
【００３６】
本実施形態に係るめっき液には、必要に応じて光沢剤や界面活性剤などの公知の添加剤を含んでいてもよく、その場合においても、上述した条件を満たすように添加剤の種類を選択し、またその量を調整することが好ましい。
【００３７】
本実施形態に係るめっき方法は、上述した電気スズめっき液で、セラミック電子部品にスズを電気めっきするものである。めっき方法として、例えばバレルめっきを用いることができる。必要に応じてカソード遥動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で攪拌することができる。
【００３８】
めっき条件としては、公知の条件を用いることができる。例えば、陽極としては、スズ金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきをしたチタン板などの不溶性電極を使用することもできる。浴温度は、特に制限されず、好ましくは１０℃〜３０℃である。陰極電流密度や、めっき時間等のめっき条件は、要求されるスズ層の膜厚等に応じて当業者が適宜決定することができる。このような本実施形態に係るめっき方法によれば、めっき液による素体の腐食を好適に抑制することが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態に係るめっき液およびめっき方法は、Ｚｎを含有する素体を備えるセラミック電子部品に好ましく用いることができる。Ｚｎを含む場合には、素体の耐薬品性が乏しくなることから、本実施形態に係るめっき液の効果が一層顕著になることによる。
【００４０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
予め、表１に示す５種類の電気スズめっき液Ａ〜Ｅを調製した。そして、素体２の主組成がチタン酸バリウムで外形が１．６×０．８×０．８ｍｍのチップコンデンサ（積層体４）の下地電極７に、まずワット浴でニッケルめっきを施して２μｍのＮｉ層７ａを形成し、これに続いて上記のめっき液Ａ〜Ｅでスズめっきを行って４μｍのＳｎ層７ｂを形成した。各めっき液で処理したチップについて素体の腐食距離を調べた。腐食距離は、めっき後のチップを１０個抜き取り（サンプリングし）、ＳＥＭの断面観察より素体表面の腐食層の厚さを測定した場合の平均値を示す。表２および図４に、キレート剤／Ｓｎイオンのモル比とともに腐食距離の測定結果を示す。表１における数値の単位は、ｍｏｌ／Ｌである。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
表２および図４に示すように、キレート剤の量がＳｎイオンの２．５倍を超えると腐食距離が有意に増大する傾向にあることが判明した。このことから、キレート剤／Ｓｎイオンのモル比は２．５以下にすべきことが確認された。
【００４５】
（実施例２）
表１に示すめっき液Ｂに導電塩としてメタンスルホン酸アンモニウムを添加してめっき液Ｂ０〜Ｂ４を調製し、実施例１と同じ条件でめっき液Ｂ０〜Ｂ４を用いてＳｎ層７ｂを形成し、セラミック電子部品を作製した。このセラミック電子部品（チップ）について腐食距離を調べた。表３および図５に、アンモニウムイオン濃度とともに腐食距離の結果を示す。表３において、特に単位を明示していない数値の単位は、ｍｏｌ／Ｌである。
【００４６】
【表３】
【００４７】
表３および図５に示すように、アンモニウムイオン濃度が０．３ｍｏＬ／Ｌを超えると腐食が大幅に増えることが判明した。このことから、アンモニウムイオンの濃度は０．３ｍｏｌ／Ｌ以下に抑えることが好ましいことが確認された。
【００４８】
（実施例３）
表３に示すめっき液Ｂ０に導電塩としてスルファミン酸ナトリウムを添加してめっき液Ｂ５〜Ｂ８を調製した。そして、めっき液Ｂ０およびＢ５〜Ｂ８に１００Ａｈ／Ｌの通電を行った後に沈殿の有無を調べた。結果を表４に示す。表４において、数値の単位はｍｏｌ／Ｌである。
【００４９】
【表４】
【００５０】
表４に示すように、スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌを超えると沈殿が発生することが確認された。この沈殿物は、スルファミン酸ニッケルであると推定される。
【００５１】
（実施例４）
表５に示す主組成をもつ電気スズめっき液を調製した。めっき液の調製方法は次の通りである。０．１１ｍｏｌ／Ｌのメタンスルホン酸スズ、１．１０ｍｏｌ／Ｌのグルコン酸、１．８６ｍｏｌ／Ｌのメタンスルホン酸を混ぜて、水酸化ストロンチウムでｐＨを４．０に調整する。Ｓｒの価数は２なのでキレート剤及び導電塩の量をモル数で同じにするためにはグルコン酸とメタンスルホン酸を２倍量入れる必要がある。そして、主組成がチタン酸ストロンチウムでありＺｎを２％含有する素体２からなり、１．６×０．８×０．８ｍｍのサイズのコンデンサチップの下地電極７の上に４μｍのＳｎ層７ｂを形成した。このチップ３０個をランダムに３０個抜き取り、１４０℃、６．３Ｖ、１２時間の条件で高温負荷試験を行い、試験前後の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定した。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は０／３０であった。ここでチップの抵抗が５×１０8Ωを下回った場合に、抵抗が低下したと見なした。
【００５２】
【表５】
【００５３】
（実施例５）
つぎに実施例４のめっき液でＳｒをＭｇで置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。実施例４と等量のメタンスルホン酸スズ、グルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、水酸化マグネシウムでｐＨを４．０に調整した。当該めっき液を用いて、実施例４と同様の条件でコンデンサチップにＳｎ層７ｂを形成した。そして実施例４と同様の方法で高温負荷試験をおこない、試験前後の絶縁抵抗を測定した。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は０／３０であった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ、それらの複合部品からなるセラミック電子部品のめっき処理に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１…セラミック電子部品、２…素体、３…内部電極、４…積層体、５…下地電極、７…端子電極、７ａ…Ｎｉ層、７ｂ…Ｓｎ層、１０…単位構造。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、
スズイオンを含み、
ｐＨが５以上８以下であり、
アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、
キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下である、
電気スズめっき液。
【請求項２】
スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１に記載の電気スズめっき液。
【請求項３】
スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満である、
請求項１または２に記載の電気スズめっき液。
【請求項４】
水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１〜３のいずれかに記載の電気スズめっき液。
【請求項５】
Ｓｒ、Ｃａ、もしくはＭｇの塩からなるキレート剤又は導電性塩を含む、
請求項１〜４のいずれかに記載の電気スズめっき液
【請求項６】
セラミック素子の下地電極上に電気スズめっきによりスズ層を形成する工程を備え、
前記工程においては、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下である電気スズめっき液を用いる、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記セラミック素体は、Ｚｎを含有する、
請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１】
セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、
スズイオンを含み、
ｐＨが５以上８以下であり、
アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、
キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下である、
電気スズめっき液。
【請求項２】
スズイオンの濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１に記載の電気スズめっき液。
【請求項３】
スルファミン酸イオン濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌ未満である、
請求項１または２に記載の電気スズめっき液。
【請求項４】
水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１〜３のいずれかに記載の電気スズめっき液。
【請求項５】
Ｓｒ、Ｃａ、もしくはＭｇの塩からなるキレート剤又は導電性塩を含む、
請求項１〜４のいずれかに記載の電気スズめっき液
【請求項６】
セラミック素子の下地電極上に電気スズめっきによりスズ層を形成する工程を備え、
前記工程においては、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の比が２．５以下である電気スズめっき液を用いる、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記セラミック素体は、Ｚｎを含有する、
請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−２７５６１３（Ｐ２０１０−２７５６１３Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３１４８３（Ｐ２００９−１３１４８３）
【出願日】平成２１年５月２９日（２００９．５．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２９日（２００９．５．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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