電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法
【課題】高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供すること。
【解決手段】透明基板に細い凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【解決手段】透明基板に細い凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法に関し、特に観察側基板上に画素電極を有する電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、視認性に優れ、低消費電力な表示素子が求められている。現在一般に用いられるＣＲＴ、ＰＤＰ、ＬＣＤといった自発光の表示素子や発光体から発せられる光を変調するような表示素子は、明るく見やすいが、消費電力が大きいという問題を抱える。
【０００３】
低消費電力という観点からは、一旦表示した画像を、無電力状態でも保持し続けるメモリ特性を有することが望ましく、さらには駆動電圧が低いことが望まれる。
【０００４】
このような特性を備える表示素子として、電極上の酸化還元反応による光吸収状態の可逆変化を利用したエレクトロクロミック方式や、銀または銀を化学構造中に有する化合物を含む電解液から電極上への銀の析出と電解液への溶解とを利用するエレクトロデポジション方式等の電気化学表示素子を用いた電気化学表示パネルが注目されている。
【０００５】
エレクトロクロミック方式およびエレクトロデポジション方式ともに、表示原理としては、電極上での酸化還元反応による反応物質単独での光吸収の変化を利用したものであり、ＬＣＤに比べて偏光板やバックライトといった追加部材も不要であり、低コスト化および省プロセス化に有利な表示素子である。
【０００６】
これらの電気化学表示素子の構成には、特許文献１に開示されている観察側基板ＯＢ上に共通電極ＣＥを有し、反対側基板ＲＢ上に画素電極ＰＥを有するタイプと、特許文献２に開示されている観察側基板ＯＢ上に画素電極ＰＥを有し、反対側基板ＲＢ上に共通電極ＣＥを有するタイプとが考えられる。図１２に、特許文献１および特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を模式的に示す。
【０００７】
これらを比較すると、図１２（ａ）に示す、特許文献１に開示されている反対側基板ＲＢ上に画素電極ＰＥを有するタイプよりも、図１２（ｂ）に示す、特許文献２に開示されている観察側基板ＯＳ上に画素電極ＰＥを有するタイプの方が、酸化還元反応による反応物質単独での光吸収の変化の発生する位置ＢＫが画素電極ＰＥ上に限られるために、画像にじみが少なく、電気化学表示パネルの高画質化に有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３９８５６６７号公報
【特許文献２】特開２００４−１９１９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を用いて、表示パネルの大型化を図ろうとすると、画素電極に電流を供給するための電源の配線が長くなるために配線抵抗が増大し、電圧降下による画質のムラ、劣化等が発生する。その対策として配線の幅を太くすると、画素電極の面積即ち画素の開口率が低下するために、画素のコントラストが低下し、表示性能が劣化する。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、下記構成により達成することができる。
【００１２】
１．画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
対向された前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルにおいて、
前記観察側基板は、
凹部を有する透明基板と、
前記凹部を金属で充填して形成された金属電極と、
前記画素電極と前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタとを有することを特徴とする電気化学表示パネル。
【００１３】
２．前記金属電極は、各々の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１４】
３．前記金属電極は、複数の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１５】
４．前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、各々の前記行又は前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１６】
５．前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、複数の前記行又は複数の前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１７】
６．前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする前記１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【００１８】
７．前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする前記１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【００１９】
８．画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルの製造方法において、
前記観察側基板を形成する観察側基板形成工程を備え、
前記観察側基板形成工程は、
透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記凹部を除く前記透明基板の表面に形成された前記金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程と、
前記画素電極と、前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
前記画素電極を形成する画素電極形成工程とを有することを特徴とする電気化学表示パネルの製造方法。
【００２０】
９．前記研磨工程で形成された前記金属電極の表面の高さは、前記透明基板の表面の高さと略同一、または前記透明基板の表面の高さよりも前記凹部側に低いことを特徴とする前記８に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【００２１】
１０．前記凹部形成工程において、
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする前記８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【００２２】
１１．前記凹部形成工程において、
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする前記８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、透明基板に凹部を形成し、凹部を金属で充填して金属電極を形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００２４】
また、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有することで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の画素の構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図４】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法を示すメイン工程表である。
【図５】図４の工程Ｓ１１の詳細を示すサブ工程表である。
【図６】図５の各工程を示す断面模式図（１／２）である。
【図７】図５の各工程を示す断面模式図（２／２）である。
【図８】凹部を形成する他の方法を説明するための断面模式図である。
【図９】本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１０】本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１１】本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１２】特許文献１および特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。なお、図中、同一あるいは同等の部分には同一の番号を付与し、重複する説明は省略することがある。
【００２７】
最初に、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態について、図１から図３を用いて説明する。図１は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。ここでは、エレクトロデポジション方式（以下、ＥＤ方式と言う）の表示素子（以下、ＥＤ素子と言う）を用いた電気化学表示パネルを例にとって説明するが、エレクトロクロミック方式の表示素子を用いた電気化学表示パネルであっても同様である。
【００２８】
図１において、電気化学表示パネル１は、パネル上にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは正の整数）の２次元マトリクス状に配置された画素Ｐｊｋ（ｊ、ｋは正の整数で、１≦ｊ≦ｍ、１≦ｋ≦ｎ）、ｍ行の垂直走査を行う垂直走査回路３１、ｎ列の水平走査を行う水平走査回路２１、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄおよび画素Ｐｊｋの共通電位を供給するコモン電源Ｖｃｏｍ等で構成される。図１では、画素Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２の４画素を例示している。
【００２９】
なお、画素Ｐｊｋの配列は２次元マトリクス状に限るものではなく、例えばハニカム配列等であってもよい。
【００３０】
垂直走査回路３１は、電気化学表示パネル１を駆動するために外部から供給される垂直駆動信号Ｓｇに基づいて、垂直走査線Ｇｊ（１≦ｊ≦ｍ）を順次アクティブ状態（例えば高電位）に制御する。水平走査回路２１は、電気化学表示パネル１を駆動するために外部から供給される水平駆動信号Ｓｓに基づいて、水平走査線Ｓｋ（１≦ｋ≦ｎ）を順次アクティブ状態（例えば高電位）に制御する。
【００３１】
画素Ｐｊｋは、選択トランジスタＱ１および駆動トランジスタＱ２の２個の薄膜トランジスタＴＦＴと、ＥＤ素子ＥＤ等で構成される。ＥＤ素子ＥＤは、各画素毎に設けられた画素電極１１１と、全画素共通の共通電極２１１との間に、電解液３０１が封入されて構成されている。共通電極２１１は共通電源Ｖｃｏｍに接続されている。
【００３２】
２個の薄膜トランジスタＴＦＴは、所謂アクティブマトリクス方式の構成をとっている。選択トランジスタＱ１は、ゲートＧ１が垂直走査線Ｇｊに接続され、ソースＳＯ１が水平走査線Ｓｋに接続され、ドレインＤ１が駆動トランジスタＱ２のゲートＧ２に接続されている。駆動トランジスタＱ２は、ソースＳＯ２が電源Ｖｄｄに接続され、ドレインＤ２がＥＤ素子ＥＤの画素電極１１１に接続されている。
【００３３】
垂直走査線Ｇｊがアクティブ状態にある時、即ち画素Ｐｊｋの選択トランジスタＱ１がオン状態にある時に、水平走査線Ｓｋがアクティブ状態にされることで、画素Ｐｊｋの駆動トランジスタＱ２がオン状態となり、駆動トランジスタＱ２を介して画素電極１１１が電源Ｖｄｄに接続される。
【００３４】
これによって、画素電極１１１と共通電極２１１との間に正負両極性の電圧が印加されることにより、両電極の表面で銀の酸化還元反応が行われ、画素電極１１１の表面では、還元状態の黒い銀の状態と、酸化状態の透明な銀の状態とが可逆的に切り替えられ、画素Ｐｊｋに表示が行われる。
【００３５】
図２は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示す断面模式図である。ここでは、１画素の断面を示してある。
【００３６】
図２において、電気化学表示パネル１は、電気化学表示パネル１の観察側の基板である観察側基板１００、観察側基板１００に対向する共通電極基板２００および観察側基板１００と共通電極基板２００との間に封入された電解液３０１等で構成される。
【００３７】
共通電極基板２００は、基板２０１等で構成される。また、ＥＤ素子ＥＤを構成する共通電極２１１は、共通電極基板２００の一部として形成される。
【００３８】
観察側基板１００は、透明基板１０１、金属電極ＭＬおよび選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴ等で構成される。また、ＥＤ素子ＥＤを構成する画素電極１１１は、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明電極であり、観察側基板１００の一部として形成される。
【００３９】
さらに詳細に見ると、透明基板１０１は細い溝状の凹部１５５を有している。金属電極ＭＬは、凹部１５５を例えばＣｕ等の金属で充填して形成された細い線状の電極で、金属電極ＭＬの表面の高さは、透明基板１０１の表面の高さと略同一、または透明基板１０１の表面よりも凹部１５５側に僅かに低い。金属電極ＭＬと薄膜トランジスタＴＦＴとは絶縁層１０３によって絶縁されている。
【００４０】
凹部１５５を深くすることで、細い線状の電極であっても金属電極ＭＬの抵抗値を低くすることができる。また、金属電極ＭＬの表面の高さを透明基板１０１の表面の高さと略同一または透明基板１０１の表面の高さよりも凹部１５５側に僅かに低くすることで、透明基板１０１の表面上に金属電極ＭＬを形成するよりも、絶縁層１０３による金属電極ＭＬのカバレッジがよくなるので、金属電極ＭＬの電解液３０１による腐食を防止でき、信頼性が高くなる。
【００４１】
金属電極ＭＬは画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄに接続されている。金属電極ＭＬと駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２とは、絶縁層１０３に形成されたコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されている。なお、図の右側に示した金属電極ＭＬは、図３で後述する画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成された金属電極ＭＬである。
【００４２】
薄膜トランジスタＴＦＴは、通常のトップゲート型の薄膜トランジスタである。画素電極１１１は、駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２と、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０７に開口されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００４３】
図では、選択トランジスタＱ１のドレインＤ１と駆動トランジスタＱ２のゲートＧ２とを接続する配線と、画素電極１１１と駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２とを接続する配線とが交差しているように見えるが、図の紙面垂直方向にずれた位置で配線されており、交差することはない。
【００４４】
図３は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。ここでは、観察側基板１００を画素電極１１１の側から見た時の４画素分の構成を示してある。
【００４５】
図３において、金属電極ＭＬは、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように、細い格子状に形成されている。上述したように、電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、細い線幅でも低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はほとんどない。
【００４６】
金属電極ＭＬと薄膜トランジスタＴＦＴとは、コンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されている。薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極１１１とについても同様である。
【００４７】
画素電極１１１は、格子状の金属電極ＭＬの内側に形成されている。ここで、画素電極１１１は金属電極ＭＬとオーバーラップしても構わない。金属電極ＭＬは細いので、画素電極１１１の面積を広くすることができ、開口率の向上に寄与することができる。
【００４８】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態によれば、透明基板に画素の周囲を囲むように細くて深い格子状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００４９】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法について、図４から図７を用いて説明する。図４は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法を示すメイン工程表である。
【００５０】
図４において、ここでは、液晶ディスプレイの製造で用いられる真空貼り合わせ法を用いる場合について説明するが、これに限定されるものではなく、例えば同じく液晶ディスプレイの製造で用いられる真空注入法を用いても製造可能である。
【００５１】
工程Ｓ１１（観察側基板形成サブ工程）
観察側基板１００を形成する工程である。
【００５２】
透明基板１０１上に金属電極ＭＬ、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴおよび画素電極１１１等が形成され、観察側基板１００が形成される。詳細は図５で説明する。
【００５３】
工程Ｓ２１（共通電極基板形成工程）
共通電極基板２００を形成する工程である。
【００５４】
基板２０１の上にスパッタ法等により共通電極２１１が形成されて、共通電極基板２００が形成される。基板２０１の材料としては、ガラスやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明基板材料を用いることができる他に、必ずしも透明である必要はないので、ステンレスフォイルやポリイミドといった基板材料も用いることができる。また、共通電極２１１としては、銀電極や銀パラジウム電極等の化学的に安定な金属電極を用いることができる。
【００５５】
工程Ｓ３１（シール剤塗布工程）
共通電極基板２００上にシール剤を塗布する工程である。
【００５６】
次の工程Ｓ３３で注入される電解液３０１をシーリングするためのシール剤が、共通電極２１１が形成された共通電極基板２００の周縁部に、ディスペンサ等により所定の厚さに塗布される。
【００５７】
工程Ｓ３３（電解液滴下工程）
共通電極基板２００上に電解液３０１を滴下する工程である。
【００５８】
共通電極基板２００上に塗布されたシール剤の内側に、電解液３０１がディスペンサ等により滴下される。
【００５９】
電解液３０１としては、銀または銀を化学構造中に含む化合物、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物が用いられる。
【００６０】
電解液３０１の層の厚さを保つためのスペーサを電解液３０１中に混入させてもよい。スペーサとしては、例えば、液晶ディスプレイ等に使用されているガラス製、アクリル樹脂製、シリカ製等の微小真球を用いることができる。さらに、電解液３０１の透明な状態における白色度を高めるために、電解液３０１にＴｉＯ２やＺｎＯ等の金属酸化物微粒子を分散させたり、共通電極２１１上に金属酸化物微粒子を水溶性高分子等のバインダを用いて多孔質化した散乱層を設けてもよい。
【００６１】
なお、工程Ｓ３１でのシール剤の塗布および工程Ｓ３３での電解液３０１の滴下を共通電極基板２００に対して行ったが、これに限るものではなく、観察側基板１００に対して行ってもよい。
【００６２】
工程Ｓ３５（基板貼り合わせ工程）
観察側基板１００と共通電極基板２００とを貼り合わせる工程である。
【００６３】
真空雰囲気中で、工程Ｓ１１で形成された観察側基板１００と、工程Ｓ３３で電解液３０１が注入された共通電極基板２００とが対向され、位置あわせされて加圧接合され、ＵＶ光照射や加熱等のシール剤に適した方法でシール剤が硬化されて、電気化学表示パネル１の貼り合わせが終了する。
【００６４】
次に、図４の工程Ｓ１１（観察側基板形成サブ工程）の詳細について、図５から図７を用いて説明する。図５は、図４の工程Ｓ１１の詳細を示すサブ工程表であり、図６および図７は、図５の各工程を示す断面模式図である。
【００６５】
図５の各工程を、図６および図７を参照しながら説明する。
【００６６】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
透明基板１０１に凹部１５５を形成する工程である。
【００６７】
図６（ａ）に示すように、透明基板１０１上にレジスト１５１が塗布され、透明基板１０１の凹部１５５が形成される位置に、例えばフォトリソグラフィ法等で開口パターン１５３が形成される。開口パターン１５３の形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、スクリーン印刷法、インクジェット塗布法、フレキソ印刷法等の周知の方法が挙げられる。
【００６８】
透明基板１０１の材料としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英等の電子デバイスに使用されている硬質の材料や、フレキシブルなプラスチックで構成されたものを用いることができる。
【００６９】
このプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができ、またこれらのプラスチック材料で構成された基板の特性を高める為に、その表面に公知の表面コートや表面処理を行ったものを用いることが好ましい。
【００７０】
続いて、図６（ｂ）に示すように、開口パターン１５３を介して、例えばエッチング法により、透明基板１０１に細くて深い凹部１５５が形成される。透明基板１０１をエッチングすることで、深い凹部１５５を形成することができる。次に、レジスト１５１が剥離されて、凹部１５５を有する透明基板１０１が完成される。この状態を図６（ｃ）に示す。
【００７１】
工程Ｓ１０３（金属膜成膜工程）
透明基板１０１の凹部１５５が形成された面に金属膜１５７を成膜する工程である。
【００７２】
図６（ｄ）に示すように、透明基板１０１の凹部１５５内部および凹部１５５が形成された面上に、例えばスパッタ法により、例えばＣｕ等の金属膜が成膜される。
【００７３】
成膜方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、無電界メッキ法、電界メッキ法等多くの方法が適用可能であり、また、これらの方法を組み合わせてもよい。例えば、スパッタ法で下地膜を成膜し、電界メッキ法で厚膜化する方法等である。また、金属膜の材料としては、Ｃｕ以外に、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌおよびそれらの合金等が挙げられる。
【００７４】
工程Ｓ１０５（研磨工程）
金属膜１５７を研磨して、金属電極ＭＬを形成する工程である。
【００７５】
透明基板１０１上に成膜された金属膜１５７を、化学機械研磨法により研磨して、金属膜１５７を透明基板１０１の凹部１５５内部のみに残すことで、細くて深い金属電極ＭＬが形成される。この状態を図６（ｅ）に示す。
【００７６】
形成された金属電極ＭＬの表面の高さが、透明基板１０１の表面の高さと略同一、または透明基板１０１の表面の高さよりも凹部１５５側に僅かに低くなるまで研磨されることが好ましい。これによって、凹部１５５内部以外の金属膜１５７を完全に除去することができる。また、透明基板１０１の表面上に金属電極ＭＬを形成するよりも、絶縁層１０３による金属電極ＭＬのカバレッジがよくなるので、金属電極ＭＬの電解液３０１による腐食を防止でき、信頼性が高くなる。
【００７７】
なお、化学機械研磨法とは、研磨対象物である透明基板１０１をキャリアと呼ばれる部材で保持し、研磨布または研磨パッドを張った平板（ラップ）に押し付けて、金属膜１５７の材料に応じた各種化学成分および硬質の微細な砥粒を含んだスラリーを流しながら、一緒に相対運動させることで研磨を行う方法である。
【００７８】
工程Ｓ１０７（絶縁膜成膜工程）
透明基板１０１上に絶縁膜１０３を成膜する工程である。
【００７９】
透明基板１０１の金属電極ＭＬが形成された面上に、例えばスピンコート法で、例えばアクリル樹脂の絶縁膜が成膜される。成膜方法としては、スピンコート法以外に、スパッタ法、真空蒸着法等が適用可能である。また、絶縁膜１０３の材料としては、アクリル樹脂やシリコーン、フッ素等の有機材料や、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸ等の無機材料が適用可能であるが、透明性の高い材料が望ましい。
【００８０】
工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）
絶縁膜１０３にコンタクトホールを形成する工程である。
【００８１】
絶縁膜１０３の金属電極ＭＬ上の所定の位置に、例えばフォトリソグラフィ法で、コンタクトホールＣＨが形成される。この状態を図７（ａ）に示す。コンタクトホールＣＨの形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、レーザ加工法、エッチング法、感光性樹脂を成膜し露光、現像する方法や、インクジェット法により樹脂を透明基板１０１上に直接印刷することで、絶縁膜１０３とコンタクトホールＣＨとを同時に形成する方法等、多くの方法を用いることができる。
【００８２】
工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）
絶縁膜１０３上に、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴを形成する工程である。
【００８３】
絶縁膜１０３上に、周知の方法により、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。この状態を図７（ｂ）に示す。形成される２個の薄膜トランジスタＴＦＴは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２形成時に、ソースＳＯ２の材料をコンタクトホールＣＨ内に流入させることで、金属電極ＭＬと駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２とが電気的に接続される。
【００８４】
なお、工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）を、工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）の途中に入れることで、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴを、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとすることも可能である。
【００８５】
工程Ｓ１１３（画素電極形成工程）
画素電極１１１を形成する工程である。
【００８６】
薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜１０７上に、周知の方法により、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の透明の画素電極１１１が形成される。この状態を図７（ｃ）に示す。画素電極１１１と駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２とは、薄膜トランジスタＴＦＴの層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０７に開口されたコンタクトホールに流入した画素電極１１１の材料によって電気的に接続される。
【００８７】
画素電極１１１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）以外に、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ）等の透明な無機酸化物をスパッタ法を用いて、あるいは、ポリスチレンスルホン酸ドープポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に代表される透明な導電性高分子を各種ウェットコーティング法を用いて成膜することで形成できる。
【００８８】
以上の各工程を経て、観察側基板１００が形成される。
【００８９】
上述した工程Ｓ１０１（凹部形成工程）では、透明基板１０１にエッチング法により凹部１５５を形成したが、他の方法でも凹部１５５を形成することができる。これを、図８を用いて説明する。図８は、凹部を形成する他の方法を説明するための断面模式図である。ここでは、ナノインプリント法を用いて凹部１５５を形成する方法について説明する。
【００９０】
図８（ａ）において、例えばポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の透明なベース板１０１ａ上に、例えば塗布法により、例えば透明な紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂層１０１ｂが形成される。ベース板１０１ａとＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂとを合わせて、透明基板１０１とする。一方、凹部１５５が形成される位置に凸部１６３を有する押し型１６１が用意される。
【００９１】
図８（ｂ）において、押し型１６１の凸部１６３がＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに型押しされて、凸部１６３の形状がＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに転写される。
【００９２】
図８（ｃ）において、押し型１６１を取り去った後に、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに紫外線ＵＶが照射されて、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂが硬化されることで、透明基板１０１に凹部１５５が形成される。
【００９３】
図８の方法を用いることで、エッチングには不向きな材料やフレキシブルな材料の透明基板１０１に対しても、より簡単に凹部１５５を形成することができる。
【００９４】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法によれば、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に細くて深い凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有し、透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とすることで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００９５】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態について、図９を用いて説明する。図９は、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【００９６】
第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図９に示すように、複数（図の例では４個）の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【００９７】
金属電極ＭＬを図９のような構成にすることで、図３の構成よりも画素Ｐｊｋ間に配線される金属電極ＭＬの本数が少なくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【００９８】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態によれば、透明基板に複数の画素の周囲を囲むように細くて深い格子状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００９９】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【０１００】
第３の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図１０に示すように、画素Ｐｊｋの行又は列毎に（図の例では列毎に）ストライプ状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【０１０１】
金属電極ＭＬを図１０のような構成にすることで、図３の構成の画素Ｐｊｋの行間の金属電極ＭＬの配線がなくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【０１０２】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態によれば、透明基板に画素の行又は列毎に細くて深いストライプ状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深いストライプ状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０３】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態について、図１１を用いて説明する。図１１は、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【０１０４】
第４の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図１１に示すように、画素Ｐｊｋの複数の行又は複数の列毎に（図の例では２列毎に）ストライプ状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【０１０５】
金属電極ＭＬを図１１のような構成にすることで、図３の構成の画素Ｐｊｋの行間の金属電極ＭＬの配線がなくなるとともに、列間の金属電極ＭＬの配線本数も少なくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【０１０６】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態によれば、透明基板に画素の複数の行又は複数の列毎に細くて深いストライプ状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深いストライプ状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０７】
以上に述べたように、本発明によれば、透明基板に凹部を形成し、凹部を金属で充填して金属電極を形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０８】
また、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有することで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【０１０９】
なお、本発明に係る電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法を構成する各構成の細部構成および細部動作に関しては、本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。
【実施例】
【０１１０】
以下に、本発明の実施の形態の詳細な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限るものではない。ここでは、４種類の実施例および２種類の比較例の観察側基板１００を作製して、特性を評価した。さらに、上記の観察側基板１００を用いて４種類の実施例および２種類の比較例の電気化学表示パネル１を作製して、特性を評価した。
【０１１１】
（実施例１）
実施例１は、第１の実施の形態の例である。
【０１１２】
以下の各サブ工程によって、観察側基板１００を形成した。
【０１１３】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
透明基板１０１として厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを用い、これに、レジスト１５１として厚さ１００ｎｍのＣｒ膜をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングして開口パターン１５３を形成した。開口パターン１５３は、図３に示した格子状パターンとした。
【０１１４】
バッファードフッ酸（ＢＨＦ）をエッチング液として、開口パターン１５３を介して透明基板１０１をエッチングして凹部１５５を形成し、硝酸アンモニウムセリウムと硝酸との混合液に浸漬することでレジスト１５１を除去した。形成された凹部１５５の形状は、幅１０μｍ、深さ２μｍ、格子ピッチ２００μｍであった。
【０１１５】
工程Ｓ１０３（金属膜成膜工程）
透明基板１０１上に、密着層としてスパッタ法でＣｒを厚さ３０ｎｍ成膜し、Ｃｒ膜の上に金属膜１５７としてスパッタ法でＣｕを厚さ１μｍ成膜し、電界メッキでＣｕを厚さ４μｍまで厚膜化した。
【０１１６】
工程Ｓ１０５（研磨工程）
エムエーティー社製の化学機械研磨装置と、セイミケミカル社製のＣｕ用のスラリー（商品名：アプラナドール）を用いて、金属膜１５７を化学機械研磨して、凹部１５５中のＣｕ膜を除く金属膜１５７を除去して金属電極ＭＬを形成した。形成された金属電極ＭＬの表面の高さは、透明基板１０１の表面よりも０．１μｍ低くなるように研磨した。
【０１１７】
工程Ｓ１０７（絶縁膜成膜工程）
透明基板１０１の金属電極ＭＬが形成された面上に、絶縁膜１０３として、ＪＳＲ社製の感光性アクリル樹脂（ＰＣ４０３）を、スピンコート法で厚さ１．５μｍに成膜した。
【０１１８】
工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）
露光、現像工程により、絶縁膜１０３の所定の位置に所定の形状のコンタクトホールＣＨを形成した。
【０１１９】
工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）
コンタクトホールＣＨが形成された透明基板１０１上に、周知の技術により、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した。
【０１２０】
工程Ｓ１１３（画素電極形成工程）
薄膜トランジスタＴＦＴが形成された透明基板１０１上に、周知の技術により、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の画素電極１１１を可能な限り広く形成した。
【０１２１】
以上の各サブ工程を経て完成した観察側基板１００は、図３の形状をしており、画素面積に占める表示面積の割合（以下、開口率と言う）は９０．３％、金属電極ＭＬの観察側基板１００の単位面積当たりの抵抗値（以下、シート抵抗と言う）は０．２０Ω／□であった。
【０１２２】
（実施例２）
実施例２は、第２の実施の形態の例である。画素Ｐｊｋと金属電極ＭＬとの配置を図９に示した形にした以外は、実施例１と同じにした。得られた実施例２の観察側基板１００の開口率は９５．１％、シート抵抗は０．３５Ω／□であった。
【０１２３】
（実施例３）
実施例３は、第４の実施の形態の例である。画素Ｐｊｋと金属電極ＭＬとの配置を図１１に示した形にした以外は、実施例１と同じにした。得られた実施例３の観察側基板１００の開口率は９７．５％、シート抵抗は０．４１Ω／□であった。
【０１２４】
（実施例４）
実施例４は、実施例１の透明基板１０１を図８の構成に変えたものである。
【０１２５】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
ベース板１０１ａとして厚さ０．１ｍｍのポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）基板を用い、これに、塗布法により、厚さ２μｍの紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂層１０１ｂを形成して、透明基板１０１とした。凹部１５５を形成する位置に凸部１６３を有する押し型１６１を用いて、０．１ＭＰａで型押しして、凸部１６３の形状をＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに転写した。凸部１６３の形状は、図３に示した格子状パターンとした。
【０１２６】
離型後、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに紫外線照射を行って硬化させ、凹部１５５を有する透明基板１０１を得た。形成された凹部１５５の形状は、幅２．５μｍ、深さ２μｍ、格子ピッチ２００μｍであった。これ以外は実施例１と同じとした。得られた実施例４の観察側基板１００の開口率は９７．５％、シート抵抗は０．４０Ω／□であった。
【０１２７】
（比較例１）
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス板の上にＣｕを厚さ２μｍで成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングして、実施例１の金属電極ＭＬと同様の格子状のＣｕ電極を有する透明基板１１１を得た。比較例１の透明基板１０１では、エッチングで高アスペクト比のパターニングを行うことが困難であるために、Ｃｕ電極の線幅が１５〜２０μｍと大きくばらついた。
【０１２８】
この透明基板１０１を用いて、実施例１の工程Ｓ１０７以降の各工程を行い、観察側基板１００を得た。得られた比較例１の観察側基板１００の開口率は、Ｃｕ電極の線幅のばらつきの影響で、測定箇所によって８５．６％〜８１．０％とばらつきがあった。シート抵抗は０．１６Ω／□であった。
【０１２９】
（比較例２）
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス板の上にＣｕを厚さ１μｍで成膜した。それ以外は比較例１と同じにした。比較例１と同様にＣｕ電極の線幅が８〜１２μｍと大きくばらついたために、得られた比較例２の観察側基板１００の開口率は、測定箇所によって９２．２％〜８８．４％とばらつきがあった。シート抵抗は０．６５Ω／□と高くなった。
【０１３０】
上述した６種類の観察側基板１００を用いて、周知の方法で３．５インチの電気化学表示パネル１を作製し、表示特性を測定した。表示特性としては、（１）白Ｙ値、（２）面内ムラ、（３）駆動安定性、の３項目を測定した。
【０１３１】
（１）白Ｙ値は、電気化学表示パネル１の全面に白表示をさせた時の反射率であり、白表示時の表示面の中央部を、コニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ３７００ｄを用いて測定した時の測定値である。
【０１３２】
（２）面内ムラは、電気化学表示パネル１の全面に中間階調の表示をさせた時の反射率のバラツキで、表示面の中央部が中間階調となるように駆動パルスを印加し、表示面の電源Ｖｄｄおよび共通電源Ｖｃｏｍ入力側から１０ｍｍの位置と、電源Ｖｄｄおよび共通電源Ｖｃｏｍ入力側と対向する側から１０ｍｍの位置とを、コニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ３７００ｄを用いて測定した時の測定値の差である。
【０１３３】
（３）駆動安定性は、白表示と黒表示とを毎秒１回交互に繰り返す動作耐久テストである。
【０１３４】
測定結果を、上述した開口率およびシート抵抗とともに、表１に示す。
【０１３５】
【表１】
【０１３６】
実施例１では、（１）白Ｙ値＝５２．９％と高く、（２）面内ムラ＝２％と非常に少なく、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３７】
実施例２では、（１）白Ｙ値＝５８．７％と高く、（２）面内ムラ＝４％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３８】
実施例３では、（１）白Ｙ値＝６１．８％と非常に高く、（２）面内ムラ＝５．５％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３９】
実施例４では、（１）白Ｙ値＝６１．８％と非常に高く、（２）面内ムラ＝５．５％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１４０】
比較例１では、（１）白Ｙ値＝４７．６％〜４２．６％とやや低くかつバラツキが大きく、（２）面内ムラ＝２％と非常に少なく、（３）駆動安定性＝２０００回の駆動で、パネル内部に気泡が発生して表示不能となり、信頼性に問題があることが確認できた。
【０１４１】
比較例２では、（１）白Ｙ値＝５５．２％〜５０．７％と高いがバラツキが大きく、（２）面内ムラ＝１０．５％と非常に大きく、（３）駆動安定性＝５０００回の駆動で、パネル内部に気泡が発生して表示不能となり、信頼性に問題があることが確認できた。
【０１４２】
比較例１および２の（３）駆動安定性での問題は、Ｃｕ電極がエッチングで透明基板１０１の上に形成されており、高さが絶縁層１０３の厚さに対して高いために、絶縁層１０３によるＣｕ電極のエッジ部のカバレッジが悪く、Ｃｕ電極が電解液３０１に触れて腐食して溶け出したためと考えられる。
【０１４３】
以上の結果から、本発明の有効性が実証できた。
【符号の説明】
【０１４４】
１ 電気化学表示パネル
２１ 水平走査回路
３１ 垂直走査回路
１００ 観察側基板
１０１ 透明基板
１０３ 絶縁層
１１１ 画素電極
１５５ 凹部
２００ 共通電極基板
２０１ 基板
２１１ 共通電極
３０１ 電解液
Ｐｊｋ （ｊ行ｋ列の位置の）画素
ＥＤ ＥＤ素子（エレクトロデポジション方式の表示素子）
Ｖｄｄ 電源
Ｖｃｏｍ 共通電源
ＭＬ 金属電極
ＣＨ コンタクトホール
Ｑ１ 選択トランジスタ
Ｑ２ 駆動トランジスタ
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法に関し、特に観察側基板上に画素電極を有する電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、視認性に優れ、低消費電力な表示素子が求められている。現在一般に用いられるＣＲＴ、ＰＤＰ、ＬＣＤといった自発光の表示素子や発光体から発せられる光を変調するような表示素子は、明るく見やすいが、消費電力が大きいという問題を抱える。
【０００３】
低消費電力という観点からは、一旦表示した画像を、無電力状態でも保持し続けるメモリ特性を有することが望ましく、さらには駆動電圧が低いことが望まれる。
【０００４】
このような特性を備える表示素子として、電極上の酸化還元反応による光吸収状態の可逆変化を利用したエレクトロクロミック方式や、銀または銀を化学構造中に有する化合物を含む電解液から電極上への銀の析出と電解液への溶解とを利用するエレクトロデポジション方式等の電気化学表示素子を用いた電気化学表示パネルが注目されている。
【０００５】
エレクトロクロミック方式およびエレクトロデポジション方式ともに、表示原理としては、電極上での酸化還元反応による反応物質単独での光吸収の変化を利用したものであり、ＬＣＤに比べて偏光板やバックライトといった追加部材も不要であり、低コスト化および省プロセス化に有利な表示素子である。
【０００６】
これらの電気化学表示素子の構成には、特許文献１に開示されている観察側基板ＯＢ上に共通電極ＣＥを有し、反対側基板ＲＢ上に画素電極ＰＥを有するタイプと、特許文献２に開示されている観察側基板ＯＢ上に画素電極ＰＥを有し、反対側基板ＲＢ上に共通電極ＣＥを有するタイプとが考えられる。図１２に、特許文献１および特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を模式的に示す。
【０００７】
これらを比較すると、図１２（ａ）に示す、特許文献１に開示されている反対側基板ＲＢ上に画素電極ＰＥを有するタイプよりも、図１２（ｂ）に示す、特許文献２に開示されている観察側基板ＯＳ上に画素電極ＰＥを有するタイプの方が、酸化還元反応による反応物質単独での光吸収の変化の発生する位置ＢＫが画素電極ＰＥ上に限られるために、画像にじみが少なく、電気化学表示パネルの高画質化に有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３９８５６６７号公報
【特許文献２】特開２００４−１９１９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を用いて、表示パネルの大型化を図ろうとすると、画素電極に電流を供給するための電源の配線が長くなるために配線抵抗が増大し、電圧降下による画質のムラ、劣化等が発生する。その対策として配線の幅を太くすると、画素電極の面積即ち画素の開口率が低下するために、画素のコントラストが低下し、表示性能が劣化する。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、下記構成により達成することができる。
【００１２】
１．画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
対向された前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルにおいて、
前記観察側基板は、
凹部を有する透明基板と、
前記凹部を金属で充填して形成された金属電極と、
前記画素電極と前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタとを有することを特徴とする電気化学表示パネル。
【００１３】
２．前記金属電極は、各々の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１４】
３．前記金属電極は、複数の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１５】
４．前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、各々の前記行又は前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１６】
５．前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、複数の前記行又は複数の前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする前記１に記載の電気化学表示パネル。
【００１７】
６．前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする前記１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【００１８】
７．前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする前記１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【００１９】
８．画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルの製造方法において、
前記観察側基板を形成する観察側基板形成工程を備え、
前記観察側基板形成工程は、
透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記凹部を除く前記透明基板の表面に形成された前記金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程と、
前記画素電極と、前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
前記画素電極を形成する画素電極形成工程とを有することを特徴とする電気化学表示パネルの製造方法。
【００２０】
９．前記研磨工程で形成された前記金属電極の表面の高さは、前記透明基板の表面の高さと略同一、または前記透明基板の表面の高さよりも前記凹部側に低いことを特徴とする前記８に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【００２１】
１０．前記凹部形成工程において、
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする前記８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【００２２】
１１．前記凹部形成工程において、
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする前記８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、透明基板に凹部を形成し、凹部を金属で充填して金属電極を形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００２４】
また、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有することで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の画素の構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図４】本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法を示すメイン工程表である。
【図５】図４の工程Ｓ１１の詳細を示すサブ工程表である。
【図６】図５の各工程を示す断面模式図（１／２）である。
【図７】図５の各工程を示す断面模式図（２／２）である。
【図８】凹部を形成する他の方法を説明するための断面模式図である。
【図９】本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１０】本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１１】本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【図１２】特許文献１および特許文献２に示された電気化学表示素子の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。なお、図中、同一あるいは同等の部分には同一の番号を付与し、重複する説明は省略することがある。
【００２７】
最初に、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態について、図１から図３を用いて説明する。図１は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。ここでは、エレクトロデポジション方式（以下、ＥＤ方式と言う）の表示素子（以下、ＥＤ素子と言う）を用いた電気化学表示パネルを例にとって説明するが、エレクトロクロミック方式の表示素子を用いた電気化学表示パネルであっても同様である。
【００２８】
図１において、電気化学表示パネル１は、パネル上にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは正の整数）の２次元マトリクス状に配置された画素Ｐｊｋ（ｊ、ｋは正の整数で、１≦ｊ≦ｍ、１≦ｋ≦ｎ）、ｍ行の垂直走査を行う垂直走査回路３１、ｎ列の水平走査を行う水平走査回路２１、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄおよび画素Ｐｊｋの共通電位を供給するコモン電源Ｖｃｏｍ等で構成される。図１では、画素Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２の４画素を例示している。
【００２９】
なお、画素Ｐｊｋの配列は２次元マトリクス状に限るものではなく、例えばハニカム配列等であってもよい。
【００３０】
垂直走査回路３１は、電気化学表示パネル１を駆動するために外部から供給される垂直駆動信号Ｓｇに基づいて、垂直走査線Ｇｊ（１≦ｊ≦ｍ）を順次アクティブ状態（例えば高電位）に制御する。水平走査回路２１は、電気化学表示パネル１を駆動するために外部から供給される水平駆動信号Ｓｓに基づいて、水平走査線Ｓｋ（１≦ｋ≦ｎ）を順次アクティブ状態（例えば高電位）に制御する。
【００３１】
画素Ｐｊｋは、選択トランジスタＱ１および駆動トランジスタＱ２の２個の薄膜トランジスタＴＦＴと、ＥＤ素子ＥＤ等で構成される。ＥＤ素子ＥＤは、各画素毎に設けられた画素電極１１１と、全画素共通の共通電極２１１との間に、電解液３０１が封入されて構成されている。共通電極２１１は共通電源Ｖｃｏｍに接続されている。
【００３２】
２個の薄膜トランジスタＴＦＴは、所謂アクティブマトリクス方式の構成をとっている。選択トランジスタＱ１は、ゲートＧ１が垂直走査線Ｇｊに接続され、ソースＳＯ１が水平走査線Ｓｋに接続され、ドレインＤ１が駆動トランジスタＱ２のゲートＧ２に接続されている。駆動トランジスタＱ２は、ソースＳＯ２が電源Ｖｄｄに接続され、ドレインＤ２がＥＤ素子ＥＤの画素電極１１１に接続されている。
【００３３】
垂直走査線Ｇｊがアクティブ状態にある時、即ち画素Ｐｊｋの選択トランジスタＱ１がオン状態にある時に、水平走査線Ｓｋがアクティブ状態にされることで、画素Ｐｊｋの駆動トランジスタＱ２がオン状態となり、駆動トランジスタＱ２を介して画素電極１１１が電源Ｖｄｄに接続される。
【００３４】
これによって、画素電極１１１と共通電極２１１との間に正負両極性の電圧が印加されることにより、両電極の表面で銀の酸化還元反応が行われ、画素電極１１１の表面では、還元状態の黒い銀の状態と、酸化状態の透明な銀の状態とが可逆的に切り替えられ、画素Ｐｊｋに表示が行われる。
【００３５】
図２は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の構成を示す断面模式図である。ここでは、１画素の断面を示してある。
【００３６】
図２において、電気化学表示パネル１は、電気化学表示パネル１の観察側の基板である観察側基板１００、観察側基板１００に対向する共通電極基板２００および観察側基板１００と共通電極基板２００との間に封入された電解液３０１等で構成される。
【００３７】
共通電極基板２００は、基板２０１等で構成される。また、ＥＤ素子ＥＤを構成する共通電極２１１は、共通電極基板２００の一部として形成される。
【００３８】
観察側基板１００は、透明基板１０１、金属電極ＭＬおよび選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴ等で構成される。また、ＥＤ素子ＥＤを構成する画素電極１１１は、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明電極であり、観察側基板１００の一部として形成される。
【００３９】
さらに詳細に見ると、透明基板１０１は細い溝状の凹部１５５を有している。金属電極ＭＬは、凹部１５５を例えばＣｕ等の金属で充填して形成された細い線状の電極で、金属電極ＭＬの表面の高さは、透明基板１０１の表面の高さと略同一、または透明基板１０１の表面よりも凹部１５５側に僅かに低い。金属電極ＭＬと薄膜トランジスタＴＦＴとは絶縁層１０３によって絶縁されている。
【００４０】
凹部１５５を深くすることで、細い線状の電極であっても金属電極ＭＬの抵抗値を低くすることができる。また、金属電極ＭＬの表面の高さを透明基板１０１の表面の高さと略同一または透明基板１０１の表面の高さよりも凹部１５５側に僅かに低くすることで、透明基板１０１の表面上に金属電極ＭＬを形成するよりも、絶縁層１０３による金属電極ＭＬのカバレッジがよくなるので、金属電極ＭＬの電解液３０１による腐食を防止でき、信頼性が高くなる。
【００４１】
金属電極ＭＬは画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄに接続されている。金属電極ＭＬと駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２とは、絶縁層１０３に形成されたコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されている。なお、図の右側に示した金属電極ＭＬは、図３で後述する画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成された金属電極ＭＬである。
【００４２】
薄膜トランジスタＴＦＴは、通常のトップゲート型の薄膜トランジスタである。画素電極１１１は、駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２と、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０７に開口されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００４３】
図では、選択トランジスタＱ１のドレインＤ１と駆動トランジスタＱ２のゲートＧ２とを接続する配線と、画素電極１１１と駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２とを接続する配線とが交差しているように見えるが、図の紙面垂直方向にずれた位置で配線されており、交差することはない。
【００４４】
図３は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。ここでは、観察側基板１００を画素電極１１１の側から見た時の４画素分の構成を示してある。
【００４５】
図３において、金属電極ＭＬは、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように、細い格子状に形成されている。上述したように、電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、細い線幅でも低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はほとんどない。
【００４６】
金属電極ＭＬと薄膜トランジスタＴＦＴとは、コンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されている。薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極１１１とについても同様である。
【００４７】
画素電極１１１は、格子状の金属電極ＭＬの内側に形成されている。ここで、画素電極１１１は金属電極ＭＬとオーバーラップしても構わない。金属電極ＭＬは細いので、画素電極１１１の面積を広くすることができ、開口率の向上に寄与することができる。
【００４８】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態によれば、透明基板に画素の周囲を囲むように細くて深い格子状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００４９】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法について、図４から図７を用いて説明する。図４は、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法を示すメイン工程表である。
【００５０】
図４において、ここでは、液晶ディスプレイの製造で用いられる真空貼り合わせ法を用いる場合について説明するが、これに限定されるものではなく、例えば同じく液晶ディスプレイの製造で用いられる真空注入法を用いても製造可能である。
【００５１】
工程Ｓ１１（観察側基板形成サブ工程）
観察側基板１００を形成する工程である。
【００５２】
透明基板１０１上に金属電極ＭＬ、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴおよび画素電極１１１等が形成され、観察側基板１００が形成される。詳細は図５で説明する。
【００５３】
工程Ｓ２１（共通電極基板形成工程）
共通電極基板２００を形成する工程である。
【００５４】
基板２０１の上にスパッタ法等により共通電極２１１が形成されて、共通電極基板２００が形成される。基板２０１の材料としては、ガラスやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明基板材料を用いることができる他に、必ずしも透明である必要はないので、ステンレスフォイルやポリイミドといった基板材料も用いることができる。また、共通電極２１１としては、銀電極や銀パラジウム電極等の化学的に安定な金属電極を用いることができる。
【００５５】
工程Ｓ３１（シール剤塗布工程）
共通電極基板２００上にシール剤を塗布する工程である。
【００５６】
次の工程Ｓ３３で注入される電解液３０１をシーリングするためのシール剤が、共通電極２１１が形成された共通電極基板２００の周縁部に、ディスペンサ等により所定の厚さに塗布される。
【００５７】
工程Ｓ３３（電解液滴下工程）
共通電極基板２００上に電解液３０１を滴下する工程である。
【００５８】
共通電極基板２００上に塗布されたシール剤の内側に、電解液３０１がディスペンサ等により滴下される。
【００５９】
電解液３０１としては、銀または銀を化学構造中に含む化合物、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物が用いられる。
【００６０】
電解液３０１の層の厚さを保つためのスペーサを電解液３０１中に混入させてもよい。スペーサとしては、例えば、液晶ディスプレイ等に使用されているガラス製、アクリル樹脂製、シリカ製等の微小真球を用いることができる。さらに、電解液３０１の透明な状態における白色度を高めるために、電解液３０１にＴｉＯ２やＺｎＯ等の金属酸化物微粒子を分散させたり、共通電極２１１上に金属酸化物微粒子を水溶性高分子等のバインダを用いて多孔質化した散乱層を設けてもよい。
【００６１】
なお、工程Ｓ３１でのシール剤の塗布および工程Ｓ３３での電解液３０１の滴下を共通電極基板２００に対して行ったが、これに限るものではなく、観察側基板１００に対して行ってもよい。
【００６２】
工程Ｓ３５（基板貼り合わせ工程）
観察側基板１００と共通電極基板２００とを貼り合わせる工程である。
【００６３】
真空雰囲気中で、工程Ｓ１１で形成された観察側基板１００と、工程Ｓ３３で電解液３０１が注入された共通電極基板２００とが対向され、位置あわせされて加圧接合され、ＵＶ光照射や加熱等のシール剤に適した方法でシール剤が硬化されて、電気化学表示パネル１の貼り合わせが終了する。
【００６４】
次に、図４の工程Ｓ１１（観察側基板形成サブ工程）の詳細について、図５から図７を用いて説明する。図５は、図４の工程Ｓ１１の詳細を示すサブ工程表であり、図６および図７は、図５の各工程を示す断面模式図である。
【００６５】
図５の各工程を、図６および図７を参照しながら説明する。
【００６６】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
透明基板１０１に凹部１５５を形成する工程である。
【００６７】
図６（ａ）に示すように、透明基板１０１上にレジスト１５１が塗布され、透明基板１０１の凹部１５５が形成される位置に、例えばフォトリソグラフィ法等で開口パターン１５３が形成される。開口パターン１５３の形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、スクリーン印刷法、インクジェット塗布法、フレキソ印刷法等の周知の方法が挙げられる。
【００６８】
透明基板１０１の材料としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英等の電子デバイスに使用されている硬質の材料や、フレキシブルなプラスチックで構成されたものを用いることができる。
【００６９】
このプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができ、またこれらのプラスチック材料で構成された基板の特性を高める為に、その表面に公知の表面コートや表面処理を行ったものを用いることが好ましい。
【００７０】
続いて、図６（ｂ）に示すように、開口パターン１５３を介して、例えばエッチング法により、透明基板１０１に細くて深い凹部１５５が形成される。透明基板１０１をエッチングすることで、深い凹部１５５を形成することができる。次に、レジスト１５１が剥離されて、凹部１５５を有する透明基板１０１が完成される。この状態を図６（ｃ）に示す。
【００７１】
工程Ｓ１０３（金属膜成膜工程）
透明基板１０１の凹部１５５が形成された面に金属膜１５７を成膜する工程である。
【００７２】
図６（ｄ）に示すように、透明基板１０１の凹部１５５内部および凹部１５５が形成された面上に、例えばスパッタ法により、例えばＣｕ等の金属膜が成膜される。
【００７３】
成膜方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、無電界メッキ法、電界メッキ法等多くの方法が適用可能であり、また、これらの方法を組み合わせてもよい。例えば、スパッタ法で下地膜を成膜し、電界メッキ法で厚膜化する方法等である。また、金属膜の材料としては、Ｃｕ以外に、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌおよびそれらの合金等が挙げられる。
【００７４】
工程Ｓ１０５（研磨工程）
金属膜１５７を研磨して、金属電極ＭＬを形成する工程である。
【００７５】
透明基板１０１上に成膜された金属膜１５７を、化学機械研磨法により研磨して、金属膜１５７を透明基板１０１の凹部１５５内部のみに残すことで、細くて深い金属電極ＭＬが形成される。この状態を図６（ｅ）に示す。
【００７６】
形成された金属電極ＭＬの表面の高さが、透明基板１０１の表面の高さと略同一、または透明基板１０１の表面の高さよりも凹部１５５側に僅かに低くなるまで研磨されることが好ましい。これによって、凹部１５５内部以外の金属膜１５７を完全に除去することができる。また、透明基板１０１の表面上に金属電極ＭＬを形成するよりも、絶縁層１０３による金属電極ＭＬのカバレッジがよくなるので、金属電極ＭＬの電解液３０１による腐食を防止でき、信頼性が高くなる。
【００７７】
なお、化学機械研磨法とは、研磨対象物である透明基板１０１をキャリアと呼ばれる部材で保持し、研磨布または研磨パッドを張った平板（ラップ）に押し付けて、金属膜１５７の材料に応じた各種化学成分および硬質の微細な砥粒を含んだスラリーを流しながら、一緒に相対運動させることで研磨を行う方法である。
【００７８】
工程Ｓ１０７（絶縁膜成膜工程）
透明基板１０１上に絶縁膜１０３を成膜する工程である。
【００７９】
透明基板１０１の金属電極ＭＬが形成された面上に、例えばスピンコート法で、例えばアクリル樹脂の絶縁膜が成膜される。成膜方法としては、スピンコート法以外に、スパッタ法、真空蒸着法等が適用可能である。また、絶縁膜１０３の材料としては、アクリル樹脂やシリコーン、フッ素等の有機材料や、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸ等の無機材料が適用可能であるが、透明性の高い材料が望ましい。
【００８０】
工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）
絶縁膜１０３にコンタクトホールを形成する工程である。
【００８１】
絶縁膜１０３の金属電極ＭＬ上の所定の位置に、例えばフォトリソグラフィ法で、コンタクトホールＣＨが形成される。この状態を図７（ａ）に示す。コンタクトホールＣＨの形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、レーザ加工法、エッチング法、感光性樹脂を成膜し露光、現像する方法や、インクジェット法により樹脂を透明基板１０１上に直接印刷することで、絶縁膜１０３とコンタクトホールＣＨとを同時に形成する方法等、多くの方法を用いることができる。
【００８２】
工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）
絶縁膜１０３上に、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴを形成する工程である。
【００８３】
絶縁膜１０３上に、周知の方法により、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。この状態を図７（ｂ）に示す。形成される２個の薄膜トランジスタＴＦＴは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２形成時に、ソースＳＯ２の材料をコンタクトホールＣＨ内に流入させることで、金属電極ＭＬと駆動トランジスタＱ２のソースＳＯ２とが電気的に接続される。
【００８４】
なお、工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）を、工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）の途中に入れることで、選択トランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２との２個の薄膜トランジスタＴＦＴを、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとすることも可能である。
【００８５】
工程Ｓ１１３（画素電極形成工程）
画素電極１１１を形成する工程である。
【００８６】
薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜１０７上に、周知の方法により、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の透明の画素電極１１１が形成される。この状態を図７（ｃ）に示す。画素電極１１１と駆動トランジスタＱ２のドレインＤ２とは、薄膜トランジスタＴＦＴの層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０７に開口されたコンタクトホールに流入した画素電極１１１の材料によって電気的に接続される。
【００８７】
画素電極１１１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）以外に、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ）等の透明な無機酸化物をスパッタ法を用いて、あるいは、ポリスチレンスルホン酸ドープポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に代表される透明な導電性高分子を各種ウェットコーティング法を用いて成膜することで形成できる。
【００８８】
以上の各工程を経て、観察側基板１００が形成される。
【００８９】
上述した工程Ｓ１０１（凹部形成工程）では、透明基板１０１にエッチング法により凹部１５５を形成したが、他の方法でも凹部１５５を形成することができる。これを、図８を用いて説明する。図８は、凹部を形成する他の方法を説明するための断面模式図である。ここでは、ナノインプリント法を用いて凹部１５５を形成する方法について説明する。
【００９０】
図８（ａ）において、例えばポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の透明なベース板１０１ａ上に、例えば塗布法により、例えば透明な紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂層１０１ｂが形成される。ベース板１０１ａとＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂとを合わせて、透明基板１０１とする。一方、凹部１５５が形成される位置に凸部１６３を有する押し型１６１が用意される。
【００９１】
図８（ｂ）において、押し型１６１の凸部１６３がＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに型押しされて、凸部１６３の形状がＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに転写される。
【００９２】
図８（ｃ）において、押し型１６１を取り去った後に、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに紫外線ＵＶが照射されて、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂが硬化されることで、透明基板１０１に凹部１５５が形成される。
【００９３】
図８の方法を用いることで、エッチングには不向きな材料やフレキシブルな材料の透明基板１０１に対しても、より簡単に凹部１５５を形成することができる。
【００９４】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第１の実施の形態の製造方法によれば、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に細くて深い凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有し、透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とすることで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００９５】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態について、図９を用いて説明する。図９は、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【００９６】
第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図９に示すように、複数（図の例では４個）の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【００９７】
金属電極ＭＬを図９のような構成にすることで、図３の構成よりも画素Ｐｊｋ間に配線される金属電極ＭＬの本数が少なくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【００９８】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第２の実施の形態によれば、透明基板に複数の画素の周囲を囲むように細くて深い格子状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い格子状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【００９９】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【０１００】
第３の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図１０に示すように、画素Ｐｊｋの行又は列毎に（図の例では列毎に）ストライプ状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【０１０１】
金属電極ＭＬを図１０のような構成にすることで、図３の構成の画素Ｐｊｋの行間の金属電極ＭＬの配線がなくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【０１０２】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第３の実施の形態によれば、透明基板に画素の行又は列毎に細くて深いストライプ状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深いストライプ状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０３】
次に、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態について、図１１を用いて説明する。図１１は、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態の観察側基板の構成を示す模式図である。
【０１０４】
第４の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、金属電極ＭＬが、図３に示したように、各々の画素Ｐｊｋの周囲を囲むように細い格子状に形成されているのではなく、図１１に示すように、画素Ｐｊｋの複数の行又は複数の列毎に（図の例では２列毎に）ストライプ状に形成されている点である。その他については、第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。また、製造方法についても同じであるので、説明は省略する。
【０１０５】
金属電極ＭＬを図１１のような構成にすることで、図３の構成の画素Ｐｊｋの行間の金属電極ＭＬの配線がなくなるとともに、列間の金属電極ＭＬの配線本数も少なくなるので、その分、画素電極１１１を広くすることができ、開口率を大きくすることができる。電極材料として金属を用い、凹部１５５を深くすることで、配線本数を少なくしても低抵抗の電極を実現することができ、画素Ｐｊｋの駆動電圧を供給する電源Ｖｄｄの配線として用いても抵抗による電圧降下はあまりない。
【０１０６】
上述したように、本発明における電気化学表示パネルの第４の実施の形態によれば、透明基板に画素の複数の行又は複数の列毎に細くて深いストライプ状の凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深いストライプ状の金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を格子状の金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０７】
以上に述べたように、本発明によれば、透明基板に凹部を形成し、凹部を金属で充填して金属電極を形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。
【０１０８】
また、観察側基板を形成する観察側基板形成工程に、透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、凹部を含む透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜成膜工程と、凹部を除く金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程とを有することで、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルの製造方法を提供することができる。
【０１０９】
なお、本発明に係る電気化学表示パネルおよび電気化学表示パネルの製造方法を構成する各構成の細部構成および細部動作に関しては、本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。
【実施例】
【０１１０】
以下に、本発明の実施の形態の詳細な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限るものではない。ここでは、４種類の実施例および２種類の比較例の観察側基板１００を作製して、特性を評価した。さらに、上記の観察側基板１００を用いて４種類の実施例および２種類の比較例の電気化学表示パネル１を作製して、特性を評価した。
【０１１１】
（実施例１）
実施例１は、第１の実施の形態の例である。
【０１１２】
以下の各サブ工程によって、観察側基板１００を形成した。
【０１１３】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
透明基板１０１として厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを用い、これに、レジスト１５１として厚さ１００ｎｍのＣｒ膜をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングして開口パターン１５３を形成した。開口パターン１５３は、図３に示した格子状パターンとした。
【０１１４】
バッファードフッ酸（ＢＨＦ）をエッチング液として、開口パターン１５３を介して透明基板１０１をエッチングして凹部１５５を形成し、硝酸アンモニウムセリウムと硝酸との混合液に浸漬することでレジスト１５１を除去した。形成された凹部１５５の形状は、幅１０μｍ、深さ２μｍ、格子ピッチ２００μｍであった。
【０１１５】
工程Ｓ１０３（金属膜成膜工程）
透明基板１０１上に、密着層としてスパッタ法でＣｒを厚さ３０ｎｍ成膜し、Ｃｒ膜の上に金属膜１５７としてスパッタ法でＣｕを厚さ１μｍ成膜し、電界メッキでＣｕを厚さ４μｍまで厚膜化した。
【０１１６】
工程Ｓ１０５（研磨工程）
エムエーティー社製の化学機械研磨装置と、セイミケミカル社製のＣｕ用のスラリー（商品名：アプラナドール）を用いて、金属膜１５７を化学機械研磨して、凹部１５５中のＣｕ膜を除く金属膜１５７を除去して金属電極ＭＬを形成した。形成された金属電極ＭＬの表面の高さは、透明基板１０１の表面よりも０．１μｍ低くなるように研磨した。
【０１１７】
工程Ｓ１０７（絶縁膜成膜工程）
透明基板１０１の金属電極ＭＬが形成された面上に、絶縁膜１０３として、ＪＳＲ社製の感光性アクリル樹脂（ＰＣ４０３）を、スピンコート法で厚さ１．５μｍに成膜した。
【０１１８】
工程Ｓ１０９（コンタクトホール形成工程）
露光、現像工程により、絶縁膜１０３の所定の位置に所定の形状のコンタクトホールＣＨを形成した。
【０１１９】
工程Ｓ１１１（トランジスタ形成工程）
コンタクトホールＣＨが形成された透明基板１０１上に、周知の技術により、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した。
【０１２０】
工程Ｓ１１３（画素電極形成工程）
薄膜トランジスタＴＦＴが形成された透明基板１０１上に、周知の技術により、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の画素電極１１１を可能な限り広く形成した。
【０１２１】
以上の各サブ工程を経て完成した観察側基板１００は、図３の形状をしており、画素面積に占める表示面積の割合（以下、開口率と言う）は９０．３％、金属電極ＭＬの観察側基板１００の単位面積当たりの抵抗値（以下、シート抵抗と言う）は０．２０Ω／□であった。
【０１２２】
（実施例２）
実施例２は、第２の実施の形態の例である。画素Ｐｊｋと金属電極ＭＬとの配置を図９に示した形にした以外は、実施例１と同じにした。得られた実施例２の観察側基板１００の開口率は９５．１％、シート抵抗は０．３５Ω／□であった。
【０１２３】
（実施例３）
実施例３は、第４の実施の形態の例である。画素Ｐｊｋと金属電極ＭＬとの配置を図１１に示した形にした以外は、実施例１と同じにした。得られた実施例３の観察側基板１００の開口率は９７．５％、シート抵抗は０．４１Ω／□であった。
【０１２４】
（実施例４）
実施例４は、実施例１の透明基板１０１を図８の構成に変えたものである。
【０１２５】
工程Ｓ１０１（凹部形成工程）
ベース板１０１ａとして厚さ０．１ｍｍのポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）基板を用い、これに、塗布法により、厚さ２μｍの紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂層１０１ｂを形成して、透明基板１０１とした。凹部１５５を形成する位置に凸部１６３を有する押し型１６１を用いて、０．１ＭＰａで型押しして、凸部１６３の形状をＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに転写した。凸部１６３の形状は、図３に示した格子状パターンとした。
【０１２６】
離型後、ＵＶ硬化性樹脂層１０１ｂに紫外線照射を行って硬化させ、凹部１５５を有する透明基板１０１を得た。形成された凹部１５５の形状は、幅２．５μｍ、深さ２μｍ、格子ピッチ２００μｍであった。これ以外は実施例１と同じとした。得られた実施例４の観察側基板１００の開口率は９７．５％、シート抵抗は０．４０Ω／□であった。
【０１２７】
（比較例１）
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス板の上にＣｕを厚さ２μｍで成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングして、実施例１の金属電極ＭＬと同様の格子状のＣｕ電極を有する透明基板１１１を得た。比較例１の透明基板１０１では、エッチングで高アスペクト比のパターニングを行うことが困難であるために、Ｃｕ電極の線幅が１５〜２０μｍと大きくばらついた。
【０１２８】
この透明基板１０１を用いて、実施例１の工程Ｓ１０７以降の各工程を行い、観察側基板１００を得た。得られた比較例１の観察側基板１００の開口率は、Ｃｕ電極の線幅のばらつきの影響で、測定箇所によって８５．６％〜８１．０％とばらつきがあった。シート抵抗は０．１６Ω／□であった。
【０１２９】
（比較例２）
厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス板の上にＣｕを厚さ１μｍで成膜した。それ以外は比較例１と同じにした。比較例１と同様にＣｕ電極の線幅が８〜１２μｍと大きくばらついたために、得られた比較例２の観察側基板１００の開口率は、測定箇所によって９２．２％〜８８．４％とばらつきがあった。シート抵抗は０．６５Ω／□と高くなった。
【０１３０】
上述した６種類の観察側基板１００を用いて、周知の方法で３．５インチの電気化学表示パネル１を作製し、表示特性を測定した。表示特性としては、（１）白Ｙ値、（２）面内ムラ、（３）駆動安定性、の３項目を測定した。
【０１３１】
（１）白Ｙ値は、電気化学表示パネル１の全面に白表示をさせた時の反射率であり、白表示時の表示面の中央部を、コニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ３７００ｄを用いて測定した時の測定値である。
【０１３２】
（２）面内ムラは、電気化学表示パネル１の全面に中間階調の表示をさせた時の反射率のバラツキで、表示面の中央部が中間階調となるように駆動パルスを印加し、表示面の電源Ｖｄｄおよび共通電源Ｖｃｏｍ入力側から１０ｍｍの位置と、電源Ｖｄｄおよび共通電源Ｖｃｏｍ入力側と対向する側から１０ｍｍの位置とを、コニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ３７００ｄを用いて測定した時の測定値の差である。
【０１３３】
（３）駆動安定性は、白表示と黒表示とを毎秒１回交互に繰り返す動作耐久テストである。
【０１３４】
測定結果を、上述した開口率およびシート抵抗とともに、表１に示す。
【０１３５】
【表１】
【０１３６】
実施例１では、（１）白Ｙ値＝５２．９％と高く、（２）面内ムラ＝２％と非常に少なく、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３７】
実施例２では、（１）白Ｙ値＝５８．７％と高く、（２）面内ムラ＝４％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３８】
実施例３では、（１）白Ｙ値＝６１．８％と非常に高く、（２）面内ムラ＝５．５％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１３９】
実施例４では、（１）白Ｙ値＝６１．８％と非常に高く、（２）面内ムラ＝５．５％と良好であり、（３）駆動安定性＝１０万回の駆動後も、機能は勿論のこと、性能にも殆ど変化が見られず、高い信頼性が確保されていることが確認できた。
【０１４０】
比較例１では、（１）白Ｙ値＝４７．６％〜４２．６％とやや低くかつバラツキが大きく、（２）面内ムラ＝２％と非常に少なく、（３）駆動安定性＝２０００回の駆動で、パネル内部に気泡が発生して表示不能となり、信頼性に問題があることが確認できた。
【０１４１】
比較例２では、（１）白Ｙ値＝５５．２％〜５０．７％と高いがバラツキが大きく、（２）面内ムラ＝１０．５％と非常に大きく、（３）駆動安定性＝５０００回の駆動で、パネル内部に気泡が発生して表示不能となり、信頼性に問題があることが確認できた。
【０１４２】
比較例１および２の（３）駆動安定性での問題は、Ｃｕ電極がエッチングで透明基板１０１の上に形成されており、高さが絶縁層１０３の厚さに対して高いために、絶縁層１０３によるＣｕ電極のエッジ部のカバレッジが悪く、Ｃｕ電極が電解液３０１に触れて腐食して溶け出したためと考えられる。
【０１４３】
以上の結果から、本発明の有効性が実証できた。
【符号の説明】
【０１４４】
１ 電気化学表示パネル
２１ 水平走査回路
３１ 垂直走査回路
１００ 観察側基板
１０１ 透明基板
１０３ 絶縁層
１１１ 画素電極
１５５ 凹部
２００ 共通電極基板
２０１ 基板
２１１ 共通電極
３０１ 電解液
Ｐｊｋ （ｊ行ｋ列の位置の）画素
ＥＤ ＥＤ素子（エレクトロデポジション方式の表示素子）
Ｖｄｄ 電源
Ｖｃｏｍ 共通電源
ＭＬ 金属電極
ＣＨ コンタクトホール
Ｑ１ 選択トランジスタ
Ｑ２ 駆動トランジスタ
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
対向された前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルにおいて、
前記観察側基板は、
凹部を有する透明基板と、
前記凹部を金属で充填して形成された金属電極と、
前記画素電極と前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタとを有することを特徴とする電気化学表示パネル。
【請求項２】
前記金属電極は、各々の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項３】
前記金属電極は、複数の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項４】
前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、各々の前記行又は前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項５】
前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、複数の前記行又は複数の前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項６】
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【請求項７】
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【請求項８】
画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルの製造方法において、
前記観察側基板を形成する観察側基板形成工程を備え、
前記観察側基板形成工程は、
透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記凹部を除く前記透明基板の表面に形成された前記金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程と、
前記画素電極と、前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
前記画素電極を形成する画素電極形成工程とを有することを特徴とする電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記研磨工程で形成された前記金属電極の表面の高さは、前記透明基板の表面の高さと略同一、または前記透明基板の表面の高さよりも前記凹部側に低いことを特徴とする請求項８に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記凹部形成工程において、
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記凹部形成工程において、
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項１】
画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
対向された前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルにおいて、
前記観察側基板は、
凹部を有する透明基板と、
前記凹部を金属で充填して形成された金属電極と、
前記画素電極と前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタとを有することを特徴とする電気化学表示パネル。
【請求項２】
前記金属電極は、各々の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項３】
前記金属電極は、複数の前記画素を囲む格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項４】
前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、各々の前記行又は前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項５】
前記画素は、行および列に２次元マトリクス状に配置され、
前記金属電極は、複数の前記行又は複数の前記列毎にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示パネル。
【請求項６】
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【請求項７】
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の電気化学表示パネル。
【請求項８】
画素毎に分割された透明な画素電極を有する観察側基板と、
共通電極を有する共通電極基板と、
前記観察側基板と前記共通電極基板との間に封入された電解液とを備えた電気化学表示パネルの製造方法において、
前記観察側基板を形成する観察側基板形成工程を備え、
前記観察側基板形成工程は、
透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記凹部を除く前記透明基板の表面に形成された前記金属の膜を化学機械研磨により除去し、金属電極を形成する研磨工程と、
前記画素電極と、前記金属電極との間の導通を制御するためのトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
前記画素電極を形成する画素電極形成工程とを有することを特徴とする電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記研磨工程で形成された前記金属電極の表面の高さは、前記透明基板の表面の高さと略同一、または前記透明基板の表面の高さよりも前記凹部側に低いことを特徴とする請求項８に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記凹部形成工程において、
前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記凹部形成工程において、
前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の電気化学表示パネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−１４５５９０（Ｐ２０１１−１４５５９０Ａ）
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７９２１（Ｐ２０１０−７９２１）
【出願日】平成２２年１月１８日（２０１０．１．１８）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月１８日（２０１０．１．１８）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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