電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルム
【課題】銀塩方式を用いて、低コストで、生産性高く、フォトリソ方式に対し、同じ抵抗値でも透過率の高い、電磁波遮蔽フィルムを生産可能な電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することにある。
【解決手段】連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【解決手段】連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続して走行する支持体上に、金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布形成した層に、露光、現像、物理現像及び／又はメッキ処理を行い、金属部、光透過部からなる導電性の金属メッシュパターンを支持体上に連続して形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法に関するものであり、また該製造方法により作製された電磁波遮蔽フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増し、電子電気機器では、電磁波放出の強さを規格又は規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
例えば、ＣＲＴ（陰極線管）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイ前面に用いる電磁波シールド材料がある。
【０００４】
特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生し強い電磁波シールド能が求められるため、ＰＤＰ用の透光性電磁波シールド材料では極めて高い導電性が要求されている。
【０００５】
透光性電磁波遮蔽材料は何らかの方法で導電性メッシュパターンを支持体上に形成するか、又は金属の超薄膜を支持体上の全面に製膜することにより作製される。
【０００６】
導電性メッシュパターンの作製には、これまでにも、種々の材料・方法が提案されている。例えば、金属薄膜のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工により、透明基体上に金属薄膜のメッシュを形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
また、これとは別に、銀塩感光材料を利用し、金属銀の薄膜メッシュパターンを形成する方法が知られている。銀塩微粒子含有感光層を露光し、現像処理し、金属銀部と光透過性部とを形成したのち、物理現像及び／又はメッキ処理することにより金属銀部に導電性金属粒子を担持させ、高い導電性と透光性を同時に満たす導電性金属メッシュパターンを電磁波シールド膜として容易に得ることができる（例えば、特許文献２）。
【０００８】
しかしながら、前記のフォトリソを用いた方式（特許文献１）では工程数が多く、工数がかかるため、生産収率が低く、装置コストも高くなり、非常にコストアップしてしまう。
【０００９】
また、特許文献２の銀塩微粒子含有感光材料を用いた方式では、銀塩微粒子含有感光層のメッシュパターン露光をデジタルで行っているため装置コストが非常に高価となり、結果的に製造コストがコストアップしてしまう。
【特許文献１】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、銀塩方式を用いて、低コストで、生産性高く、フォトリソ方式に対し、同じ抵抗値でも透過率の高い、電磁波遮蔽フィルムを生産可能な電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は下記の手段により達成される。
【００１２】
１．連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１３】
２．隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光するときの重なりが、マスクにより一度に露光されるメッシュパターンの支持体の長手方向の長さの０．２〜３％の範囲であることを特徴とする前記１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１４】
３．前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有することを特徴とする前記１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１５】
４．前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有しないことを特徴とする前記１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１６】
５．前記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理をロールツウロールで処理することを特徴とする前記１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１７】
６．前記メッキ処理が、無電解メッキ処理、これに続く電解メッキ処理からなることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１８】
７．前記メッキ処理が、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことからなることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１９】
８．前記金属塩微粒子が、ハロゲン化金属微粒子であることを特徴とする前記１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００２０】
９．ハロゲン化金属微粒子の金属成分の塗布量が、減圧押し出し塗布により、０．３〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする前記１〜８のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００２１】
１０．前記１〜９のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により銀塩方式を用いて、低コストで、生産性高い、電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２４】
電磁波障害（ＥＭＩ）に対する電磁波シールド材の、銀塩方式による製造は、基材フィルム上への銀塩塗布、塗布層へのパターン露光、現像、によるメッシュ化、物理現像、及び／又は、メッキによる導電性付与という工程により行われる。
【００２５】
製造の上では、連続的に製造工程の組めるように、導電性のあるフィルムが連続的に形成されていることが望まれている。デジタル露光技術を用いると、このように連続的に導電性のある部分が形成可能であるが、デジタル露光機は装置コストが高く、設備投資負担が大きい。
【００２６】
本発明は、マスクを使用したパターン露光で、連続的に、導電性のあるフィルムを連続的に形成する技術であり装置コストが安価である。
【００２７】
電磁波シールド材の製造においては、導電性のあるフィルムが連続的に形成できていないと、メッキ工程の生産性低下、メッキの収率低下（故障発生）という問題があり、連続的に導電性のあるフィルムを製造することによりコストダウンが可能となる。特に電解メッキ処理を行う場合、顕著となる。
【００２８】
従って、本発明は、連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液、具体的には銀塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥して、その銀塩微粒子塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を順次行い、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを連続して形成し、次いで、金属メッシュに物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュに捕力処理を行って導電性を付与して電磁波遮蔽フィルムを製造するとき、搬送する支持体上の塗布層への前記マスクによるメッシュパターン露光を、隣接するパターン露光する部分が一部重なるように行うことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法である。
【００２９】
マスクを使用したパターン露光で連続的に導電性のある金属部を形成する支持体は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース等のロールフィルムを用いるが、これらに限定されることはない。
【００３０】
支持体への、銀塩微粒子含有感光層の形成には、銀塩感光材料の技術を用いることができる。塗布後、連続して乾燥した後、露光、現像と、連続して行うことで支持体上に形成された銀塩微粒子含有感光層に金属メッシュパターンが形成される。強い電磁波シールド能をこれに付与するには、更に、物理現像、及び／又はメッキ処理を行う。物理現像、及び／又はメッキ処理により銀塩微粒子含有感光層の現像によって形成された金属銀は金属メッキにより更に補強され線幅が太ることで導電性が向上する。
【００３１】
本発明においては、銀塩微粒子含有感光層を現像した後、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うが、メッキ処理は、無電解メッキ処理、更にこれに続く電解メッキ処理からなることが好ましい。金属銀による金属メッシュに充分な電磁波シールド能を付与するには電解メッキを施すことが好ましい。
【００３２】
本発明において、導電性のあるフィルムが連続的に形成されていることは電解メッキ処理の効率を大きく向上させる。
【００３３】
無電解メッキと異なり、電解メッキは被メッキ材に電位をかけて、ここに金属を沈積するため、電解メッキ処理の生産性を上げるには、電磁波シールド材を構成する導電性層が連続的に形成されていることが好ましい。
【００３４】
以下、本発明の、支持体上に銀塩微粒子含有感光層に対し、マスクを用い連続して露光を行って、連続的な導電性層を形成する方法について説明する。
【００３５】
図１は、露光用のマスクＭ及びマスクにより形成されるメッシュパターンＰを概念的に示す。例えば４２インチモニターの場合であれば６００〜１０００ｍｍ程度のサイズの、モニター全面をカバーできる面積サイズのメッシュパターン露光が出来る。
【００３６】
図１（ｂ）は用いるマスクを模式的に、また、図１（ａ）はマスク露光によって得られるメッシュパターンの例を示す図である。
【００３７】
上記メッシュパターンの線幅は２０μｍ以下、線間隔（ピッチ）は５０μｍ以上〜４００μｍ程度あることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。またモアレの観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満がさらにより好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【００３８】
メッシュパターンにおいて、光透過性部の比率（即ち開口率）は、可視光透過率の点から８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。
【００３９】
図２には、マスクＭを介した露光、及びマスク露光により形成された基材上のパターンを概念的に示した。連続して走行する支持体Ｆ上に連続的に銀塩微粒子含有感光液を塗布し銀塩微粒子含有銀感光層を形成した後、これらのマスクを用いてこれに連続的（間欠的）に露光を行うときに通常行われる方法を示した。
【００４０】
図２（ａ）は、マスクＭを介して走行する銀塩微粒子含有銀感光層を有する支持体Ｆ上に露光を施すところ、また、図２（ｂ）は通常のマスク露光により基材上に連続的にメッシュパターンに対応した露光領域が連続して独立、並置する形で形成されたところを示す。因みに、（ｃ）は露光、現像処理された後、金属銀からなる金属メッシュパターンが支持体上に形成されたところを示す。
【００４１】
現像処理後金属銀により形成された金属メッシュパターンは、更に、物理現像或いはメッキ処理等の捕力処理が行われた後、個々のメッシュパターン単位に断裁され電磁波遮蔽フィルムが作製される。
【００４２】
本発明に係わるマスク露光方法を図３に模式的に示した。
【００４３】
本発明においては各メッシュパターン単位はそれぞれ一部が重なるように露光される。
【００４４】
図３（ａ）にこの様子を示す。図においてｎ、ｎ−１、ｎ＋１、ｎ＋２等は順次マスク露光を受けた順序を示す。図中Ｌはメッシュパターンの単位パターン長である。図においてｌは隣接メッシュパターンとの重なり長を表す。この例では両端部に非メッシュ部分があるが、ない場合でも同様である。ここでｎ番目のパターンが、ｎ−１番目のパターンとｌ分だけ重なって露光されており、またｌは、支持体搬送方向に長さをとっており、メッシュ露光されるパターン長（Ｌ）の０．２〜３％の範囲である。ｎ番目のメッシュパターンはｎ＋１ともまた一部が同様に重なり露光される。
【００４５】
この例では両端部に非メッシュ部分があるが、この一部を重ねる事で、連続的に導電性を有するフィルムを作製することができ、メッキ処理の効率をあげる上で好ましい。両端部に非メッシュ部分がないマスクを使用した場合も、その一部を重ねる事で、連続的に導電性を有するフィルムを作成することができ、メッキ処理の効率を上げることができる。
【００４６】
ｎ番目のパターンとｎ＋１番目のパターンとの重なりは必ずしもｎ番目のパターンとｎ−１番目のパターンとの重なり長と同じでなくともよい。前記光透過部のパターン長（Ｌの）０．２〜３％の範囲であればよい。但し後工程を考えると前後のパターンと同じ重なりであることが工程上は好ましい。
【００４７】
このようにすることで、露光、現像処理によって形成した金属メッシュパターン導電部を連続的に形成することが出来、電解メッキする際に、複数のパターンを同時に連続的に電解メッキ処理することが可能となる。支持体の露光領域、金属メッシュ部分の何処に端子を接触させても金属メッシュ全体に一様な電位をかけることが可能となり、電解メッキ処理が複数のパターンに亘って連続的に行える。
【００４８】
例えば、図４に電解メッキ装置１６の例を示したが、電荷メッキ処理槽３６入り口に陰極側給電ロール４８Ａを設けてロール電位をかければ、走行する支持体Ｆ上の金属メッシュパターンは、電解メッキ処理槽３６内で陽電極板４８Ｂによりメッキ浴液を介して通電され電解メッキ電流が流れ、金属メッシュパターンには電解メッキが施される。
【００４９】
連続的な導電性フィルムであるため支持体上の金属メッシュ部は均一な電位となりこれが電解メッキ槽に入ることで電解槽中で連続してメッキを行うことができる。
【００５０】
図２に示したような各パターン毎に独立した金属メッシュは、各パターン毎に電解メッキ処理を行わなければならず処理負担が課題となり連続処理が出来ない。
【００５１】
尚、図において、４２Ａ、４２Ｂ、４４は支持ロール、６２は回転ロールである。
【００５２】
マスクは、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有するマスクを例として述べたが、外枠の光透過部は必ずしも必要ではない。図５に、外枠に光透過部をもたないマスクを用いたときのメッシュパターン例を示す。この場合においても、実質的に導通を確保できるメッシュパターン同士の重なりがあればよく、マスクにより一度に露光されるパターンの支持体の長手方向のパターン長（Ｌ）の０．２〜３％の範囲で、単位パターン同士が重なればよい。図５（ａ）はマスク露光により形成されるメッシュパターン、図５（ｂ）は、これを重ねて露光したときのシームレスパターン例を示す。
【００５３】
本発明においては、走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに捕力処理を行って導電性を付与して磁波遮蔽フィルムを製造する。
【００５４】
現像処理後、銀現像によって形成された金属銀による金属メッシュのみでは導電性が不充分であり、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行って金属メッシュパターンを補強して導電性を付与する。
【００５５】
メッキ処理としては、無電解メッキ処理を行った後に電解メッキ処理を行うことができる。所定時間無電解メッキを行った後、メッキ速度の速い電解メッキ処理を行うことが生産性の面より好ましい。無電解メッキのみではメッキ処理に時間を要する。
【００５６】
また、電界メッキのみの処理も可能である。電解メッキ処理のみで行う場合は、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことが好ましい。初期に低い電流値でメッキを行うことでメッキの局所的なムラを最小にすることが出来る。従って、電界メッキのみで処理を行う場合は、電解メッキ処理装置を複数用いて、電流値を徐々に上げメッキ処理を行うことが好ましい。
【００５７】
現像済みのメッシュは電気抵抗値が高いため、高い電流値で電解メッキ処理を行うと、メッキ厚さにムラができてしまうため好ましくない。低電流値で電解メッキを行うとメッキ金属の成長速度が遅いという欠点があるが、電気抵抗値が低いメッシュにも均一にメッキ処理することができる。低電流によるメッキ処理をある一定時間行い、ある程度フィルムの電気抵抗値が下がった段階で、電流値を上げ、メッキの成長速度を上げて、最終的に求める電気抵抗値として仕上げることが、品質面、生産効率面から考えて、最も好ましい生産形態となる。
【００５８】
低い電流値とは、特に明確に定義することはできないが、メッキ金属の成長速度と品質面から決めればよい。高い電流値についても同様であり、低い電流値で処理する時間と高い電流値で処理する時間配分も同様である。
【００５９】
本発明においては、上記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理を連続でロールツウロールで連続的に処理することが好ましい。メッキ処理も連続的に処理でき、パターン毎に行わないで済むため効率よく導電性の向上が可能となり電磁波遮蔽能の高い導電性金属メッシュパターンが得られる。
【００６０】
以下、本発明で用いられる構成要件について説明する。
【００６１】
［支持体］
本発明において用いられる支持体としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラスなどを用いることができるが、好ましいのはプラスチックフィルムである。
【００６２】
プラスチックフィルムの原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、環状オレフィン系樹脂などであり、ロール状の基材から巻き出されながら連続して塗布、露光、現像処理等が行われる。
【００６３】
透明性、耐熱性、取り扱いやすさ及び価格の点から、上記プラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレートフィルム、トリアセチルセルロースフィルムであることが好ましい。
【００６４】
本発明におけるプラスチックフィルム等は、単層で用いることもできるが、２層以上を組み合わせ多層フィルムとして用いることも可能である。
【００６５】
本発明においては、支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を行う。金属塩微粒子を含有する塗布層は具体的には光センサーとしての銀塩微粒子を含有する層（銀塩微粒子含有感光層）であり、銀塩微粒子含有感光層は、銀塩微粒子のほか、架橋性バインダー樹脂、また、添加剤等が含有され、また、溶媒等を含有することができる。
【００６６】
［銀塩微粒子感光層］
用いられる銀塩微粒子としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００６７】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀についてさらに説明する。
【００６８】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられるハロゲン化銀技術をそのまま用いることができる。
【００６９】
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらにＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。
【００７０】
ここで、「ＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。このＡｇＣｌを主体としたハロゲン化銀粒子は、塩化物イオンのほかに沃化物イオン、臭化物イオンを含有していてもよい。
【００７１】
ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光、現像処理後に形成されるパターン状金属銀層の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、０．１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、ハロゲン化銀粒子の投影面積を同面積の円像に換算したときの直径（円相当径）をいう。走査型電子顕微鏡を用い１０００個の粒子の平均から求める。
【００７２】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。
【００７３】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、硬調な乳剤を得るために金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、Ｋ3Ｒｈ2Ｂｒ9及びＫ2ＩｒＣｌ6などが挙げられる。
【００７４】
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０-10〜１０-2モル／モルＡｇであることが好ましく、１０-9〜１０-3モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００７５】
その他、本発明では、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。Ｐｄはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。ここで、Ｐｄが「ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の表面から深さ方向に５０ｎｍ以内において、他層よりもパラジウムの含有率が高い層を有することを意味する。このようなハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でＰｄを添加することにより作製することができ、銀イオンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加量の５０％以上添加した後に、Ｐｄを添加することが好ましい。またＰｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。
【００７６】
このＰｄ含有ハロゲン化銀粒子は、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波シールド材の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられているが、本発明では、ハロゲン化銀粒子の表層にＰｄを偏在させることが可能なため、極めて高価なＰｄを節約することが可能である。
【００７７】
本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０-4〜０．５モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００７８】
使用するＰｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ4やＮａ2ＰｄＣｌ4等が挙げられる。
【００７９】
本発明では、さらに光センサーとしての感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することができる。
【００８０】
本発明で使用できる乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることができる。
【００８１】
化学増感されたハロゲン化銀粒子は、また分光増感することができる。好ましい分光増感色素としては、シアニン、カルボシアニン、ジカルボシアニン、複合シアニン、ヘミシアニン、スチリール色素、メロシアニン、複合メロシアニン、ホロポーラー色素等を挙げることができ、当業界で用いられている分光増感色素を単用、あるいは併用して使用することができる。
【００８２】
特に有用な色素はシアニン色素、メロシアニン色素、及び複合メロシアニン色素である。これらの色素類には、その塩基性異節環核としてシアニン色素類に通常利用される核のいずれをも通用できる。即ち、ピロリン核、オキサゾリン核、チアゾリン核、ピロール核、オキサゾール核、チアゾール核、セレナゾール核、イミダゾール核、テトラゾール核、ピリジン核及びこれらの核に脂環式炭化水素環が融合した核；及びこれらの核に芳香族炭化水素環が融合した核、即ちインドレニン核、ベンズインドレニン核、インドール核、ベンズオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ベンズイミダゾール核、キノリン核などである。これらの核は、炭素原子上で置換されてもよい。メロシアニン色素または複合メロシアニン色素には、ケトメチレン構造を有する核として、ピラゾリン−５−オン核、チオヒダントイン核、２−チオオキサゾリジン−２，４−ジオン核、チアゾリジン−２，４−ジオン核、ローダニン核、チオバルビツール酸核などの５から６員異節環核を適用することができる。特に好ましい増感色素は近赤外増感色素である。これらの色素は、特開２０００−３４７３４３号、同２００４−０３７７１１号、同２００５−１３４７１０号の各公報を参考にすることができる。
【００８３】
〈バインダー〉
本発明の銀塩微粒子含有感光層において、架橋性バインダー（樹脂）は、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩微粒子含有感光層と支持体との密着を補助する目的で用いることができる。本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれも架橋性バインダーとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
【００８４】
水溶性の架橋性バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００８５】
ハロゲン化銀粒子として写真用ハロゲン化銀ゼラチン乳剤をもちいるため架橋性バインダー（樹脂）としてゼラチンが最も好ましい。
【００８６】
ゼラチンとしては石灰処理ゼラチンのほか、酸処理ゼラチン、また、フタル化ゼラチン或いはフェニルカルバモイル化ゼラチン等、各種修飾ゼラチンも含むものである。
【００８７】
本発明の銀塩微粒子含有感光層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。銀塩微粒子含有感光層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜１であることがさらに好ましい。１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩微粒子含有感光層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。
【００８８】
また、上記架橋性バインダーは、銀塩微粒子含有感光層を形成する際には、架橋剤によって架橋され所定の膜強度を保つように形成されている。
【００８９】
架橋性バインダーの架橋剤としては実質的に架橋性バインダーのみを架橋して、水溶性化合物と架橋しない剤であれば、特に限定されない。
【００９０】
架橋性バインダーがゼラチンの場合は特開昭６１−２４９０４５号、同６１−２４５１５３号公報記載のビニルスルホン型硬膜剤やクロロトリアジン型硬膜剤などを使用することができる。また、その他、必要に応じて増粘剤、また延展剤としての活性剤等主旬汚点化剤を含んでもよい。
【００９１】
また、ハロゲン化銀粒子を硬調化する方法として、ヒドラジン化合物等を使用してもよい。また硬調化促進剤等を用いてもよい。
【００９２】
〈溶媒〉
本発明のハロゲン化銀粒子含有層において用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。写真用ハロゲン化銀ゼラチン乳剤が用いられることから水を主体とする溶媒が好ましい。水を主体とする溶媒とは水を７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上含有する溶媒である。水単独も好ましい。
【００９３】
［塗布］
ハロゲン化銀粒子層を塗布する方法としては、従来より種々の方法が知られている。例えば、ディップ塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビア塗布法、リバースロール塗布法、エクストリュージョン型塗布法、スライドホッパー塗布法、スロット型カーテン塗布法、スライド型カーテン塗布法等が知られている。
【００９４】
本発明においては、減圧チャンバを用いたエクストリュージョン型塗布法による減圧押し出し塗布法を用いることが好ましい。これにより、金属成分の塗布量として、０．３〜１ｇ／ｍ2の範囲になるよう塗布することが好ましい。減圧押し出し塗布法は、支持体の表面性や濡れ性の変化があっても、ビード部を減圧しているため支持体に対する塗布液の接液位置がほとんど変動せず、均一な膜厚の塗布膜が得ることができる。
【００９５】
従来の塗布液は塗布液のみにより目標性能を発現するため、ある程度の膜厚で塗布する必要があった。しかし、電磁波遮蔽フィルムに求められる機能は光透過率と電磁波遮蔽機能であり、電磁波遮蔽機能は電気抵抗値に依存する。電気抵抗値は、メッキ処理後の金属膜厚に依存するため、銀塩微粒子含有感光層は薄膜でも構わない。但し、金属成分が多い方、バインダー量が少ない方が物理現像処理、メッキ処理が容易となるため、銀／バインダー比が高いハロゲン化銀微粒子含有感光液を薄膜で塗布するのが最も好ましい。
【００９６】
［露光］
本発明では、連続して走行する支持体上に金属塩微粒子含有感光液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、支持体の搬送方向に、マスクによる露光部の一部を重ね合わせながら、連続して行った後、現像処理、更に、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって、前記のように連続的な導電性金属メッシュパターンを得る。
【００９７】
露光は、マスク通したコンタクト露光が好ましいが、他の方法でもよい。露光光源としては、電磁波を用い、電磁波としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、Ｘ線などの放射線等が挙げられる。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。
【００９８】
また、本発明では露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザーまたは半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、さらにＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー等も用いることができる。
【００９９】
システムをコンパクトで迅速なものにするために、露光は半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで迅速、さらに寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【０１００】
レーザー光源としては、具体的には紫外半導体、青色半導体レーザー、緑色半導体レーザー、赤色半導体レーザー、近赤外レーザー等が好ましく用いられる。
【０１０１】
マスクは金属等遮光性の材料で形成され、公知の種々の方法を用いて作製できるが、例えば、フォトリソグラフィーを用い金属薄膜をエッチングして作製することが出来る。
【０１０２】
［現像処理］
本発明において現像処理（工程）とは下記のように現像処理から定着処理までをあらわす。
【０１０３】
本発明では、ハロゲン化銀粒子含有感光層を有する電磁波遮蔽材料用原版を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、発色現像主薬を含有しない、いわゆる黒白現像処理であることが好ましい。
【０１０４】
現像処理液としては、現像主薬としてハイドロキノン、ハイドロキノンスルホン酸ナトリウム、クロルハイドロキノン等のハイドロキノン類の他に、１−フェニル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４，４−ジメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−３−ピラゾリドン等のピラゾリドン類及びＮ−メチルパラアミノフェノール硫酸塩等の超加成性現像主薬と併用することができる。また、ハイドロキノンを使用しないでアスコルビン酸やイソアスコルビン酸等レダクトン類化合物を上記超加成性現像主薬と併用することが好ましい。
【０１０５】
また、現像処理液には保恒剤として亜硫酸ナトリウム塩や亜硫酸カリウム塩、緩衝剤として炭酸ナトリウム塩や炭酸カリウム塩、現像促進剤としてジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノプロパンジオール等を適宜使用できる。
【０１０６】
現像処理で用いられる現像処理液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、５−メチルベンゾトリアゾール等の含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。また、リス現像液を利用する場合、特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。
【０１０７】
本発明においては、露光後に行われる現像処理が、定着前物理現像を含んでいることが好ましい。ここで言う定着前物理現像とは、後述の定着処理を行う前に、露光により潜像を有するハロゲン化銀粒子の内部以外から銀イオンを供給し、現像銀を補強するプロセスのことを示す。現像処理液から銀イオンを供給するための具体的な方法としては、例えば予め現像処理液中に硝酸銀等を溶解しておき銀イオンを溶かしておく方法、あるいは現像液中に、チオ硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウム等のようなハロゲン化銀溶剤を溶解しておき、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解させ、潜像を有するハロゲン化銀粒子の現像を補力する方法等が挙げられる。
【０１０８】
本発明においては、現像液中に予めハロゲン化銀溶剤を溶解しておく処方を用いた方が、未露光部でのカブリ発生による、フィルムの透過率低下を抑制できるため好ましい。
【０１０９】
本発明における現像処理においては、露光されたハロゲン化銀粒子の現像終了後に、未露光部分のハロゲン化銀粒子を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を行う。本発明における定着処理は、ハロゲン化銀粒子を用いた写真フィルムや印画紙等で用いられる定着液処方を用いることができる。定着処理で使用する定着液は、定着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用することができる。定着時の硬膜剤として硫酸アルミウム、硫酸クロミウム等を使用することができる。定着剤の保恒剤としては、現像処理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等を使用することができ、その他にクエン酸、蓚酸等を使用することができる。
【０１１０】
露光及び現像処理を行うことにより金属銀からなるメッシュパターンが形成されると共に光透過性部も形成される。
【０１１１】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【０１１２】
最初の現像処理に於いては硬膜は強くない方が好ましい。
【０１１３】
従って、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【０１１４】
一方、電磁波遮蔽材料としては電磁波遮蔽金属パターンを含む層に一定の強度を持たせる必要があるので、物理現像及び／又はメッキ処理の後では、膜を架橋して膜強度を高める必要があり、金属パターンを含む層中のバインダー樹脂を架橋、硬膜することが好ましく、例えばバインダー樹脂がゼラチンの場合、グルタルアルデヒド、グルタルアルデヒドの亜硫酸付加物などのアルデヒド化合物や塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、カリ明礬などの水溶性アルミニウム塩などで膜を架橋することが好ましい。従って、物理現像やメッキ処理浴の後に、例えば、ゼラチン硬膜剤を含有する硬膜浴を設け、バインダー樹脂を架橋したのち乾燥する。
【０１１５】
或いは、物理現像及び／又はメッキ処理工程に架橋剤を含有させて硬膜浴とかねても良い。
【０１１６】
特に、アルミニウムイオンを含有する硬膜浴は、物理現像及び／又はメッキ処理の後、硬膜浴に電磁波遮蔽材料を浸漬するだけでよく、硬膜浴自体の安定性もよく、ゼラチンの架橋によって強固な膜を得ることができるため特に好ましい。
【０１１７】
本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることができる。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。
【０１１８】
［物理現像及びメッキ処理］
本発明では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はメッキ処理を行う。
【０１１９】
本発明における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。
【０１２０】
また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。
【０１２１】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることができる。
【０１２２】
本発明においては、メッキ処理は、無電解メッキ処理を行って、これに続き電解メッキ処理を行うことが好ましい。
【０１２３】
また、メッキ処理は、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行ことも好ましい。
【０１２４】
低い電流値での電解メッキは、高抵抗値のフィルムにも均一なメッキが可能だが、メッキ金属の成長速度が遅く、高い電流値での電解メッキは高抵抗値のフィルムに均一なメッキができないが、メッキ金属の成長速度が速いため、品質面、生産能力の面から、電流値及び各電流値でのメッキ処理時間を決めればよい。
【０１２５】
本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることができ、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることができ、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。
【０１２６】
無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。
【０１２７】
本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことができ、さらに５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることができる。
【０１２８】
又、電解メッキ処理としては、公知の電解メッキ技術を適用することができ、例えば、プリント配線板等で用いられている電解メッキ技術を適用することができ、電解メッキは電解銅メッキであることが好ましい。メッキ浴液としては、電解銅メッキ浴液を適用することが好ましい。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、ホウフッ化銅浴等が挙げられる。電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、メッキ液の安定性、導電性を高め、均一電着性の増加を図る硫酸、アノードの溶解促進及び添加剤の補助効果作用の塩素、浴の安定化やメッキ緻密性を向上させるための添加剤としてポリエチレンオキサイド、ビピリジン等が挙げられる。
【０１２９】
陰電極側給電ロールから被メッキ面である支持体上の金属メッシュ部へ、メッキ用電源から電解メッキ電流を流し、電解メッキを施す。金属メッシュパターンがシームレスに連続しているので連続して電解メッキを行うことができる。
【０１３０】
なお、電解メッキ処理は、槽を２セット配置し、電流値を変えて行うことが好ましい。また、所望のメッキ膜厚（導電性金属部の厚み）に応じて、これを２以上行ってもよい。
【０１３１】
その後、電解メッキ処理が施された金属メッシュパターンを有する長尺フィルムは、同一の処理を繰り返した後、付着したメッキ液をエアーナイフ及び吸水ロール等により除去され、更に洗浄槽に搬入され洗浄、また防錆処理等が施され乾燥して巻取られる。
【０１３２】
このようにして、走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥して塗布層とした感光材料のメッシュパターン状金属銀部にメッキ（導電性金属部）が形成される。ここで、導電性金属部は、導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／またはメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１３３】
［導電性金属部］
次に、本発明において形成された導電性金属パターンについて説明する。
【０１３４】
本発明では、導電性金属部からなる電磁波遮蔽性のメッシュパターンは、前述した露光及び現像処理により形成された金属銀部からなるメッシュパターンを物理現像又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させることにより形成されることが好ましい。
【０１３５】
前記金属銀部に、物理現像及び／又はメッキ処理により担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることができる。導電性、価格等から、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子が好ましい。また、磁場シールド性を付与する場合、常磁性金属粒子を用いることが好ましい。
【０１３６】
上記導電性金属部において、コントラストを高め、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色するのを防止する観点から、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましく、その表面が黒化処理されたものであることがさらに好ましい。黒化処理は、プリント配線板分野で行われている方法を用いて行うことができる。例えば、亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸三ナトリウム（１２ｇ／ｌ）の水溶液中で、９５℃で２分間処理することにより黒化処理を行うことができる。
【０１３７】
上記導電性金属部は、該導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。
【０１３８】
さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１３９】
本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波シールド膜（導電性金属部）の表面抵抗率は、１０3Ω／□以下であることが好ましく、１０2Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましく、１．０Ω／□以下であることが最も好ましい。
【０１４０】
透光性電磁波遮蔽材料の用途において、上記導電性金属部の線幅は２０μｍ以下、線間隔は５０μｍ以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満であることがさらに好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【０１４１】
メッシュパターンにおいて、光透過性部の比率（即ち開口率）は、可視光透過率の点から８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。
【０１４２】
［光透過率］
本発明において、可視光域の平均透過率とは、４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を、少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めたものと定義する。
【０１４３】
測定においては、測定アパチャーを、前述のメッシュパターンより十分大きくとっておく必要があり、少なくともメッシュの格子面積よ１００倍以上大きな面積で測定して求める。
【０１４４】
本発明においては、可視光域による平均透過率が、８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。
【０１４５】
［電磁波遮蔽材料の層構成］
本発明の電磁波遮蔽材料における支持体の厚さは、５〜２００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。５〜２００μｍの範囲であれば所望の可視光の透過率が得られ、かつ取り扱いも容易である。
【０１４６】
物理現像及び／又はメッキ処理前の支持体上に設けられる金属銀部の厚さは、支持体上に塗布されるハロゲン化銀粒子含有層用の塗布液の塗布厚みで適宜決定することができる。金属銀部の厚さは、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、０．０１〜９μｍであることがさらに好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。
【０１４７】
ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、導電性金属部の厚さが薄いほどディスプレイの視野角が広がり好ましい。導電性配線材料としては、薄膜化、高密度化が要求され、このような観点から、導電性金属部に担持された導電性金属からなる層の厚さは、９μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ未満であることがより好ましく、０．１μｍ以上３μｍ未満であることがさらに好ましい。
【０１４８】
本発明では、上述した銀塩含有層の塗布厚みをコントロールすることにより所望の厚さの金属銀部を形成し、さらに物理現像及び／又はメッキ処理により導電性金属粒子からなる層の厚みを自在にコントロールできるため、５μｍ未満、好ましくは３μｍ未満の厚みを有する透光性電磁波シールド膜であっても容易に形成することができる。
【実施例】
【０１４９】
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
【０１５０】
なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１５１】
実施例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
水媒体中のＡｇ１００ｇに対してゼラチン１００ｇを含む、球相当径平均０．０４４μｍの沃臭化銀粒子（Ｉ＝２．５モル％）を含有する乳剤を調製した。この際、Ａｇ／ゼラチン質量比は１０／１とし、ゼラチン種としては平均分子量４万のアルカリ処理低分子量ゼラチンを用いた。
【０１５２】
また、この乳剤中には臭化ロジウム酸カリウム及び塩化イリジウム酸カリウムを濃度が１０-7（モル／モル銀）になるように添加し、臭化銀粒子にＲｈイオンとＩｒイオンをドープした。
【０１５３】
この乳剤に塩化パラジウム酸ナトリウムを添加し、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、近赤外増感色素をハロゲン化銀１モル当たり１０-4モル添加し、近赤外増感（（Ｓ−１）を使用）をした後、硬調化剤としてヒドラジン（Ｈ−２）、促進剤のアミン化合物（Ａ−１０）を加えた。
【０１５４】
【化１】
【０１５５】
（Ｈ−２）：１−トリフロロメチルカルボニル−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ａ−１０）：１−ジメチルアミノ−２−プロパノール
なお、ハロゲン化銀粒子径は、仕込み時の温度（２５℃）により４４ｎｍとなるように作製した。
【０１５６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０１５７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光長さを１０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１５８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１５９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１６０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１６１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１６２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１６３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム１を作成した。
【０１６４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１６５】
実施例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１６６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2なるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０１６７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１８００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを５ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１６８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１６９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１７０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１７１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１７２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１７３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム２を作成した。
【０１７４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１７５】
実施例３
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１７６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１７７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１５００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを３０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１７８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１７９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１８０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１８１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１８２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１８３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム３を作成した。
【０１８４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１８５】
実施例４
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１８６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１８７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ２０００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを５ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１８８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１８９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１９０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１９１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１９２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１９３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更し、さらに３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、電磁波遮蔽フィルム４を作製した。
【０１９４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１９５】
実施例５
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１９６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１９７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１８００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを４０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１９８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１９９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０２００】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０２０１】
《無電解メッキ》
下記Ｐｄ触媒液、無電解メッキ液を用い、無電解メッキを行い、３μｍの無電解銅メッキ膜を形成した。
【０２０２】
（Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム ２０ｍｇ
水を加えて全量を１リットルとする。
【０２０３】
（無電解銅メッキ液）
硫酸銅 ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７質量％） ０．０８モル
水酸化ナトリウム ０．１０モル
トリエタノールアミン ０．０５モル
ポリエチレングリコール １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１リットルとする。
【０２０４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件でさらに２μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、電磁波遮蔽フィルム５を作製した。
【０２０５】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２０６】
実施例６
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施１と同様のハロゲン化銀粒子含有液を使用した。
【０２０７】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2なるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２０８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１５００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光長さを２０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２０９】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１０】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０２１１】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０２１２】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２１３】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０２１４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルムを作成した。
【０２１５】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２１６】
比較例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０２１７】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２１８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを、露光長さ２０００ｍｍのマスクを使用し、間欠的に露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）し、実施例と同じ現像液、定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１９】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更を行い、更に３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、比較例１のサンプルを作成した。
【０２２０】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２２１】
比較例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０２２２】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２２３】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを、赤色半導体レーザー（波長６８５ｎｍ）で、ＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）を使用して、各露光ヘッド毎のレーザー光が結像するように配置して、連続露光を行った。その後、実施例と同じ現像液、定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２２４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更を行い、更に３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、比較例２のサンプルを作成した。
【０２２５】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２２６】
《評価》
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明な電磁波遮蔽フィルム試料各々に対して、表面比抵抗率と透過率をそれぞれ抵抗率計（ロレスタＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）：（株）ダイヤインスツルメンツ社製）と分光光度計（日立分光光度計Ｕ−３２１０：（株）日立製作所製）を用いて測定した。なお、透過率は４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算しその平均値として求めた。
【０２２７】
各々の評価項目について、下記のように評価した。
【０２２８】
○：非常に優れている
△：欠点はあるが、実用下限
×：使用不可。
【０２２９】
各製造方法について、装置製造コスト、生産収率の面から、下記のように評価を行った。
【０２３０】
○：安価で収率高い
△：標準的（許容範囲）
×：高価又は収率低く、使用不可
【０２３１】
【表１】
【０２３２】
表１より、本発明の製造方法により製造された電磁波遮蔽フィルムは、光透過性、電磁波遮蔽性のいずれにも優れ、また本発明の製造方法では従来の方法に比し、装置コストの面、製造収率の面からも従来法に比し優れている。
【図面の簡単な説明】
【０２３３】
【図１】露光用のマスクＭ及びマスクにより形成されるパターンを示す概念図である。
【図２】マスクＭを介した露光、及びマスク露光により形成される基材上のパターンを示す概念図である。
【図３】メッシュパターンの部が重なるように露光される本発明の方法を示す概念図である。
【図４】電解メッキ装置の例を示す概念図である。
【図５】外枠に光透過部をもたないマスクを用いた場合のメッシュパターン例を示す。
【符号の説明】
【０２３４】
１６ 電解メッキ装置
３６ 電荷メッキ処理槽
４２Ａ、４２Ｂ、４４ 支持ロール
４８Ａ 陰極側給電ロール
４８Ｂ 陽電極板
６２ 回転ロール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続して走行する支持体上に、金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布形成した層に、露光、現像、物理現像及び／又はメッキ処理を行い、金属部、光透過部からなる導電性の金属メッシュパターンを支持体上に連続して形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法に関するものであり、また該製造方法により作製された電磁波遮蔽フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増し、電子電気機器では、電磁波放出の強さを規格又は規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
例えば、ＣＲＴ（陰極線管）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイ前面に用いる電磁波シールド材料がある。
【０００４】
特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生し強い電磁波シールド能が求められるため、ＰＤＰ用の透光性電磁波シールド材料では極めて高い導電性が要求されている。
【０００５】
透光性電磁波遮蔽材料は何らかの方法で導電性メッシュパターンを支持体上に形成するか、又は金属の超薄膜を支持体上の全面に製膜することにより作製される。
【０００６】
導電性メッシュパターンの作製には、これまでにも、種々の材料・方法が提案されている。例えば、金属薄膜のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工により、透明基体上に金属薄膜のメッシュを形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
また、これとは別に、銀塩感光材料を利用し、金属銀の薄膜メッシュパターンを形成する方法が知られている。銀塩微粒子含有感光層を露光し、現像処理し、金属銀部と光透過性部とを形成したのち、物理現像及び／又はメッキ処理することにより金属銀部に導電性金属粒子を担持させ、高い導電性と透光性を同時に満たす導電性金属メッシュパターンを電磁波シールド膜として容易に得ることができる（例えば、特許文献２）。
【０００８】
しかしながら、前記のフォトリソを用いた方式（特許文献１）では工程数が多く、工数がかかるため、生産収率が低く、装置コストも高くなり、非常にコストアップしてしまう。
【０００９】
また、特許文献２の銀塩微粒子含有感光材料を用いた方式では、銀塩微粒子含有感光層のメッシュパターン露光をデジタルで行っているため装置コストが非常に高価となり、結果的に製造コストがコストアップしてしまう。
【特許文献１】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、銀塩方式を用いて、低コストで、生産性高く、フォトリソ方式に対し、同じ抵抗値でも透過率の高い、電磁波遮蔽フィルムを生産可能な電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は下記の手段により達成される。
【００１２】
１．連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１３】
２．隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光するときの重なりが、マスクにより一度に露光されるメッシュパターンの支持体の長手方向の長さの０．２〜３％の範囲であることを特徴とする前記１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１４】
３．前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有することを特徴とする前記１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１５】
４．前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有しないことを特徴とする前記１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１６】
５．前記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理をロールツウロールで処理することを特徴とする前記１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１７】
６．前記メッキ処理が、無電解メッキ処理、これに続く電解メッキ処理からなることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１８】
７．前記メッキ処理が、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことからなることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１９】
８．前記金属塩微粒子が、ハロゲン化金属微粒子であることを特徴とする前記１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００２０】
９．ハロゲン化金属微粒子の金属成分の塗布量が、減圧押し出し塗布により、０．３〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする前記１〜８のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００２１】
１０．前記１〜９のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により銀塩方式を用いて、低コストで、生産性高い、電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２４】
電磁波障害（ＥＭＩ）に対する電磁波シールド材の、銀塩方式による製造は、基材フィルム上への銀塩塗布、塗布層へのパターン露光、現像、によるメッシュ化、物理現像、及び／又は、メッキによる導電性付与という工程により行われる。
【００２５】
製造の上では、連続的に製造工程の組めるように、導電性のあるフィルムが連続的に形成されていることが望まれている。デジタル露光技術を用いると、このように連続的に導電性のある部分が形成可能であるが、デジタル露光機は装置コストが高く、設備投資負担が大きい。
【００２６】
本発明は、マスクを使用したパターン露光で、連続的に、導電性のあるフィルムを連続的に形成する技術であり装置コストが安価である。
【００２７】
電磁波シールド材の製造においては、導電性のあるフィルムが連続的に形成できていないと、メッキ工程の生産性低下、メッキの収率低下（故障発生）という問題があり、連続的に導電性のあるフィルムを製造することによりコストダウンが可能となる。特に電解メッキ処理を行う場合、顕著となる。
【００２８】
従って、本発明は、連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液、具体的には銀塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥して、その銀塩微粒子塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を順次行い、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを連続して形成し、次いで、金属メッシュに物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュに捕力処理を行って導電性を付与して電磁波遮蔽フィルムを製造するとき、搬送する支持体上の塗布層への前記マスクによるメッシュパターン露光を、隣接するパターン露光する部分が一部重なるように行うことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法である。
【００２９】
マスクを使用したパターン露光で連続的に導電性のある金属部を形成する支持体は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース等のロールフィルムを用いるが、これらに限定されることはない。
【００３０】
支持体への、銀塩微粒子含有感光層の形成には、銀塩感光材料の技術を用いることができる。塗布後、連続して乾燥した後、露光、現像と、連続して行うことで支持体上に形成された銀塩微粒子含有感光層に金属メッシュパターンが形成される。強い電磁波シールド能をこれに付与するには、更に、物理現像、及び／又はメッキ処理を行う。物理現像、及び／又はメッキ処理により銀塩微粒子含有感光層の現像によって形成された金属銀は金属メッキにより更に補強され線幅が太ることで導電性が向上する。
【００３１】
本発明においては、銀塩微粒子含有感光層を現像した後、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うが、メッキ処理は、無電解メッキ処理、更にこれに続く電解メッキ処理からなることが好ましい。金属銀による金属メッシュに充分な電磁波シールド能を付与するには電解メッキを施すことが好ましい。
【００３２】
本発明において、導電性のあるフィルムが連続的に形成されていることは電解メッキ処理の効率を大きく向上させる。
【００３３】
無電解メッキと異なり、電解メッキは被メッキ材に電位をかけて、ここに金属を沈積するため、電解メッキ処理の生産性を上げるには、電磁波シールド材を構成する導電性層が連続的に形成されていることが好ましい。
【００３４】
以下、本発明の、支持体上に銀塩微粒子含有感光層に対し、マスクを用い連続して露光を行って、連続的な導電性層を形成する方法について説明する。
【００３５】
図１は、露光用のマスクＭ及びマスクにより形成されるメッシュパターンＰを概念的に示す。例えば４２インチモニターの場合であれば６００〜１０００ｍｍ程度のサイズの、モニター全面をカバーできる面積サイズのメッシュパターン露光が出来る。
【００３６】
図１（ｂ）は用いるマスクを模式的に、また、図１（ａ）はマスク露光によって得られるメッシュパターンの例を示す図である。
【００３７】
上記メッシュパターンの線幅は２０μｍ以下、線間隔（ピッチ）は５０μｍ以上〜４００μｍ程度あることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。またモアレの観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満がさらにより好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【００３８】
メッシュパターンにおいて、光透過性部の比率（即ち開口率）は、可視光透過率の点から８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。
【００３９】
図２には、マスクＭを介した露光、及びマスク露光により形成された基材上のパターンを概念的に示した。連続して走行する支持体Ｆ上に連続的に銀塩微粒子含有感光液を塗布し銀塩微粒子含有銀感光層を形成した後、これらのマスクを用いてこれに連続的（間欠的）に露光を行うときに通常行われる方法を示した。
【００４０】
図２（ａ）は、マスクＭを介して走行する銀塩微粒子含有銀感光層を有する支持体Ｆ上に露光を施すところ、また、図２（ｂ）は通常のマスク露光により基材上に連続的にメッシュパターンに対応した露光領域が連続して独立、並置する形で形成されたところを示す。因みに、（ｃ）は露光、現像処理された後、金属銀からなる金属メッシュパターンが支持体上に形成されたところを示す。
【００４１】
現像処理後金属銀により形成された金属メッシュパターンは、更に、物理現像或いはメッキ処理等の捕力処理が行われた後、個々のメッシュパターン単位に断裁され電磁波遮蔽フィルムが作製される。
【００４２】
本発明に係わるマスク露光方法を図３に模式的に示した。
【００４３】
本発明においては各メッシュパターン単位はそれぞれ一部が重なるように露光される。
【００４４】
図３（ａ）にこの様子を示す。図においてｎ、ｎ−１、ｎ＋１、ｎ＋２等は順次マスク露光を受けた順序を示す。図中Ｌはメッシュパターンの単位パターン長である。図においてｌは隣接メッシュパターンとの重なり長を表す。この例では両端部に非メッシュ部分があるが、ない場合でも同様である。ここでｎ番目のパターンが、ｎ−１番目のパターンとｌ分だけ重なって露光されており、またｌは、支持体搬送方向に長さをとっており、メッシュ露光されるパターン長（Ｌ）の０．２〜３％の範囲である。ｎ番目のメッシュパターンはｎ＋１ともまた一部が同様に重なり露光される。
【００４５】
この例では両端部に非メッシュ部分があるが、この一部を重ねる事で、連続的に導電性を有するフィルムを作製することができ、メッキ処理の効率をあげる上で好ましい。両端部に非メッシュ部分がないマスクを使用した場合も、その一部を重ねる事で、連続的に導電性を有するフィルムを作成することができ、メッキ処理の効率を上げることができる。
【００４６】
ｎ番目のパターンとｎ＋１番目のパターンとの重なりは必ずしもｎ番目のパターンとｎ−１番目のパターンとの重なり長と同じでなくともよい。前記光透過部のパターン長（Ｌの）０．２〜３％の範囲であればよい。但し後工程を考えると前後のパターンと同じ重なりであることが工程上は好ましい。
【００４７】
このようにすることで、露光、現像処理によって形成した金属メッシュパターン導電部を連続的に形成することが出来、電解メッキする際に、複数のパターンを同時に連続的に電解メッキ処理することが可能となる。支持体の露光領域、金属メッシュ部分の何処に端子を接触させても金属メッシュ全体に一様な電位をかけることが可能となり、電解メッキ処理が複数のパターンに亘って連続的に行える。
【００４８】
例えば、図４に電解メッキ装置１６の例を示したが、電荷メッキ処理槽３６入り口に陰極側給電ロール４８Ａを設けてロール電位をかければ、走行する支持体Ｆ上の金属メッシュパターンは、電解メッキ処理槽３６内で陽電極板４８Ｂによりメッキ浴液を介して通電され電解メッキ電流が流れ、金属メッシュパターンには電解メッキが施される。
【００４９】
連続的な導電性フィルムであるため支持体上の金属メッシュ部は均一な電位となりこれが電解メッキ槽に入ることで電解槽中で連続してメッキを行うことができる。
【００５０】
図２に示したような各パターン毎に独立した金属メッシュは、各パターン毎に電解メッキ処理を行わなければならず処理負担が課題となり連続処理が出来ない。
【００５１】
尚、図において、４２Ａ、４２Ｂ、４４は支持ロール、６２は回転ロールである。
【００５２】
マスクは、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有するマスクを例として述べたが、外枠の光透過部は必ずしも必要ではない。図５に、外枠に光透過部をもたないマスクを用いたときのメッシュパターン例を示す。この場合においても、実質的に導通を確保できるメッシュパターン同士の重なりがあればよく、マスクにより一度に露光されるパターンの支持体の長手方向のパターン長（Ｌ）の０．２〜３％の範囲で、単位パターン同士が重なればよい。図５（ａ）はマスク露光により形成されるメッシュパターン、図５（ｂ）は、これを重ねて露光したときのシームレスパターン例を示す。
【００５３】
本発明においては、走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに捕力処理を行って導電性を付与して磁波遮蔽フィルムを製造する。
【００５４】
現像処理後、銀現像によって形成された金属銀による金属メッシュのみでは導電性が不充分であり、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行って金属メッシュパターンを補強して導電性を付与する。
【００５５】
メッキ処理としては、無電解メッキ処理を行った後に電解メッキ処理を行うことができる。所定時間無電解メッキを行った後、メッキ速度の速い電解メッキ処理を行うことが生産性の面より好ましい。無電解メッキのみではメッキ処理に時間を要する。
【００５６】
また、電界メッキのみの処理も可能である。電解メッキ処理のみで行う場合は、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことが好ましい。初期に低い電流値でメッキを行うことでメッキの局所的なムラを最小にすることが出来る。従って、電界メッキのみで処理を行う場合は、電解メッキ処理装置を複数用いて、電流値を徐々に上げメッキ処理を行うことが好ましい。
【００５７】
現像済みのメッシュは電気抵抗値が高いため、高い電流値で電解メッキ処理を行うと、メッキ厚さにムラができてしまうため好ましくない。低電流値で電解メッキを行うとメッキ金属の成長速度が遅いという欠点があるが、電気抵抗値が低いメッシュにも均一にメッキ処理することができる。低電流によるメッキ処理をある一定時間行い、ある程度フィルムの電気抵抗値が下がった段階で、電流値を上げ、メッキの成長速度を上げて、最終的に求める電気抵抗値として仕上げることが、品質面、生産効率面から考えて、最も好ましい生産形態となる。
【００５８】
低い電流値とは、特に明確に定義することはできないが、メッキ金属の成長速度と品質面から決めればよい。高い電流値についても同様であり、低い電流値で処理する時間と高い電流値で処理する時間配分も同様である。
【００５９】
本発明においては、上記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理を連続でロールツウロールで連続的に処理することが好ましい。メッキ処理も連続的に処理でき、パターン毎に行わないで済むため効率よく導電性の向上が可能となり電磁波遮蔽能の高い導電性金属メッシュパターンが得られる。
【００６０】
以下、本発明で用いられる構成要件について説明する。
【００６１】
［支持体］
本発明において用いられる支持体としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラスなどを用いることができるが、好ましいのはプラスチックフィルムである。
【００６２】
プラスチックフィルムの原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、環状オレフィン系樹脂などであり、ロール状の基材から巻き出されながら連続して塗布、露光、現像処理等が行われる。
【００６３】
透明性、耐熱性、取り扱いやすさ及び価格の点から、上記プラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレートフィルム、トリアセチルセルロースフィルムであることが好ましい。
【００６４】
本発明におけるプラスチックフィルム等は、単層で用いることもできるが、２層以上を組み合わせ多層フィルムとして用いることも可能である。
【００６５】
本発明においては、支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を行う。金属塩微粒子を含有する塗布層は具体的には光センサーとしての銀塩微粒子を含有する層（銀塩微粒子含有感光層）であり、銀塩微粒子含有感光層は、銀塩微粒子のほか、架橋性バインダー樹脂、また、添加剤等が含有され、また、溶媒等を含有することができる。
【００６６】
［銀塩微粒子感光層］
用いられる銀塩微粒子としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００６７】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀についてさらに説明する。
【００６８】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられるハロゲン化銀技術をそのまま用いることができる。
【００６９】
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらにＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。
【００７０】
ここで、「ＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。このＡｇＣｌを主体としたハロゲン化銀粒子は、塩化物イオンのほかに沃化物イオン、臭化物イオンを含有していてもよい。
【００７１】
ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光、現像処理後に形成されるパターン状金属銀層の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、０．１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、ハロゲン化銀粒子の投影面積を同面積の円像に換算したときの直径（円相当径）をいう。走査型電子顕微鏡を用い１０００個の粒子の平均から求める。
【００７２】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。
【００７３】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、硬調な乳剤を得るために金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、Ｋ3Ｒｈ2Ｂｒ9及びＫ2ＩｒＣｌ6などが挙げられる。
【００７４】
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０-10〜１０-2モル／モルＡｇであることが好ましく、１０-9〜１０-3モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００７５】
その他、本発明では、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。Ｐｄはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。ここで、Ｐｄが「ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の表面から深さ方向に５０ｎｍ以内において、他層よりもパラジウムの含有率が高い層を有することを意味する。このようなハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でＰｄを添加することにより作製することができ、銀イオンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加量の５０％以上添加した後に、Ｐｄを添加することが好ましい。またＰｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。
【００７６】
このＰｄ含有ハロゲン化銀粒子は、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波シールド材の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられているが、本発明では、ハロゲン化銀粒子の表層にＰｄを偏在させることが可能なため、極めて高価なＰｄを節約することが可能である。
【００７７】
本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０-4〜０．５モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００７８】
使用するＰｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ4やＮａ2ＰｄＣｌ4等が挙げられる。
【００７９】
本発明では、さらに光センサーとしての感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することができる。
【００８０】
本発明で使用できる乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることができる。
【００８１】
化学増感されたハロゲン化銀粒子は、また分光増感することができる。好ましい分光増感色素としては、シアニン、カルボシアニン、ジカルボシアニン、複合シアニン、ヘミシアニン、スチリール色素、メロシアニン、複合メロシアニン、ホロポーラー色素等を挙げることができ、当業界で用いられている分光増感色素を単用、あるいは併用して使用することができる。
【００８２】
特に有用な色素はシアニン色素、メロシアニン色素、及び複合メロシアニン色素である。これらの色素類には、その塩基性異節環核としてシアニン色素類に通常利用される核のいずれをも通用できる。即ち、ピロリン核、オキサゾリン核、チアゾリン核、ピロール核、オキサゾール核、チアゾール核、セレナゾール核、イミダゾール核、テトラゾール核、ピリジン核及びこれらの核に脂環式炭化水素環が融合した核；及びこれらの核に芳香族炭化水素環が融合した核、即ちインドレニン核、ベンズインドレニン核、インドール核、ベンズオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ベンズイミダゾール核、キノリン核などである。これらの核は、炭素原子上で置換されてもよい。メロシアニン色素または複合メロシアニン色素には、ケトメチレン構造を有する核として、ピラゾリン−５−オン核、チオヒダントイン核、２−チオオキサゾリジン−２，４−ジオン核、チアゾリジン−２，４−ジオン核、ローダニン核、チオバルビツール酸核などの５から６員異節環核を適用することができる。特に好ましい増感色素は近赤外増感色素である。これらの色素は、特開２０００−３４７３４３号、同２００４−０３７７１１号、同２００５−１３４７１０号の各公報を参考にすることができる。
【００８３】
〈バインダー〉
本発明の銀塩微粒子含有感光層において、架橋性バインダー（樹脂）は、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩微粒子含有感光層と支持体との密着を補助する目的で用いることができる。本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれも架橋性バインダーとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
【００８４】
水溶性の架橋性バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００８５】
ハロゲン化銀粒子として写真用ハロゲン化銀ゼラチン乳剤をもちいるため架橋性バインダー（樹脂）としてゼラチンが最も好ましい。
【００８６】
ゼラチンとしては石灰処理ゼラチンのほか、酸処理ゼラチン、また、フタル化ゼラチン或いはフェニルカルバモイル化ゼラチン等、各種修飾ゼラチンも含むものである。
【００８７】
本発明の銀塩微粒子含有感光層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。銀塩微粒子含有感光層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜１であることがさらに好ましい。１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩微粒子含有感光層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。
【００８８】
また、上記架橋性バインダーは、銀塩微粒子含有感光層を形成する際には、架橋剤によって架橋され所定の膜強度を保つように形成されている。
【００８９】
架橋性バインダーの架橋剤としては実質的に架橋性バインダーのみを架橋して、水溶性化合物と架橋しない剤であれば、特に限定されない。
【００９０】
架橋性バインダーがゼラチンの場合は特開昭６１−２４９０４５号、同６１−２４５１５３号公報記載のビニルスルホン型硬膜剤やクロロトリアジン型硬膜剤などを使用することができる。また、その他、必要に応じて増粘剤、また延展剤としての活性剤等主旬汚点化剤を含んでもよい。
【００９１】
また、ハロゲン化銀粒子を硬調化する方法として、ヒドラジン化合物等を使用してもよい。また硬調化促進剤等を用いてもよい。
【００９２】
〈溶媒〉
本発明のハロゲン化銀粒子含有層において用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。写真用ハロゲン化銀ゼラチン乳剤が用いられることから水を主体とする溶媒が好ましい。水を主体とする溶媒とは水を７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上含有する溶媒である。水単独も好ましい。
【００９３】
［塗布］
ハロゲン化銀粒子層を塗布する方法としては、従来より種々の方法が知られている。例えば、ディップ塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビア塗布法、リバースロール塗布法、エクストリュージョン型塗布法、スライドホッパー塗布法、スロット型カーテン塗布法、スライド型カーテン塗布法等が知られている。
【００９４】
本発明においては、減圧チャンバを用いたエクストリュージョン型塗布法による減圧押し出し塗布法を用いることが好ましい。これにより、金属成分の塗布量として、０．３〜１ｇ／ｍ2の範囲になるよう塗布することが好ましい。減圧押し出し塗布法は、支持体の表面性や濡れ性の変化があっても、ビード部を減圧しているため支持体に対する塗布液の接液位置がほとんど変動せず、均一な膜厚の塗布膜が得ることができる。
【００９５】
従来の塗布液は塗布液のみにより目標性能を発現するため、ある程度の膜厚で塗布する必要があった。しかし、電磁波遮蔽フィルムに求められる機能は光透過率と電磁波遮蔽機能であり、電磁波遮蔽機能は電気抵抗値に依存する。電気抵抗値は、メッキ処理後の金属膜厚に依存するため、銀塩微粒子含有感光層は薄膜でも構わない。但し、金属成分が多い方、バインダー量が少ない方が物理現像処理、メッキ処理が容易となるため、銀／バインダー比が高いハロゲン化銀微粒子含有感光液を薄膜で塗布するのが最も好ましい。
【００９６】
［露光］
本発明では、連続して走行する支持体上に金属塩微粒子含有感光液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、支持体の搬送方向に、マスクによる露光部の一部を重ね合わせながら、連続して行った後、現像処理、更に、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって、前記のように連続的な導電性金属メッシュパターンを得る。
【００９７】
露光は、マスク通したコンタクト露光が好ましいが、他の方法でもよい。露光光源としては、電磁波を用い、電磁波としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、Ｘ線などの放射線等が挙げられる。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。
【００９８】
また、本発明では露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザーまたは半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、さらにＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー等も用いることができる。
【００９９】
システムをコンパクトで迅速なものにするために、露光は半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで迅速、さらに寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【０１００】
レーザー光源としては、具体的には紫外半導体、青色半導体レーザー、緑色半導体レーザー、赤色半導体レーザー、近赤外レーザー等が好ましく用いられる。
【０１０１】
マスクは金属等遮光性の材料で形成され、公知の種々の方法を用いて作製できるが、例えば、フォトリソグラフィーを用い金属薄膜をエッチングして作製することが出来る。
【０１０２】
［現像処理］
本発明において現像処理（工程）とは下記のように現像処理から定着処理までをあらわす。
【０１０３】
本発明では、ハロゲン化銀粒子含有感光層を有する電磁波遮蔽材料用原版を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、発色現像主薬を含有しない、いわゆる黒白現像処理であることが好ましい。
【０１０４】
現像処理液としては、現像主薬としてハイドロキノン、ハイドロキノンスルホン酸ナトリウム、クロルハイドロキノン等のハイドロキノン類の他に、１−フェニル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４，４−ジメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−３−ピラゾリドン等のピラゾリドン類及びＮ−メチルパラアミノフェノール硫酸塩等の超加成性現像主薬と併用することができる。また、ハイドロキノンを使用しないでアスコルビン酸やイソアスコルビン酸等レダクトン類化合物を上記超加成性現像主薬と併用することが好ましい。
【０１０５】
また、現像処理液には保恒剤として亜硫酸ナトリウム塩や亜硫酸カリウム塩、緩衝剤として炭酸ナトリウム塩や炭酸カリウム塩、現像促進剤としてジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノプロパンジオール等を適宜使用できる。
【０１０６】
現像処理で用いられる現像処理液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、５−メチルベンゾトリアゾール等の含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。また、リス現像液を利用する場合、特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。
【０１０７】
本発明においては、露光後に行われる現像処理が、定着前物理現像を含んでいることが好ましい。ここで言う定着前物理現像とは、後述の定着処理を行う前に、露光により潜像を有するハロゲン化銀粒子の内部以外から銀イオンを供給し、現像銀を補強するプロセスのことを示す。現像処理液から銀イオンを供給するための具体的な方法としては、例えば予め現像処理液中に硝酸銀等を溶解しておき銀イオンを溶かしておく方法、あるいは現像液中に、チオ硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウム等のようなハロゲン化銀溶剤を溶解しておき、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解させ、潜像を有するハロゲン化銀粒子の現像を補力する方法等が挙げられる。
【０１０８】
本発明においては、現像液中に予めハロゲン化銀溶剤を溶解しておく処方を用いた方が、未露光部でのカブリ発生による、フィルムの透過率低下を抑制できるため好ましい。
【０１０９】
本発明における現像処理においては、露光されたハロゲン化銀粒子の現像終了後に、未露光部分のハロゲン化銀粒子を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を行う。本発明における定着処理は、ハロゲン化銀粒子を用いた写真フィルムや印画紙等で用いられる定着液処方を用いることができる。定着処理で使用する定着液は、定着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用することができる。定着時の硬膜剤として硫酸アルミウム、硫酸クロミウム等を使用することができる。定着剤の保恒剤としては、現像処理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等を使用することができ、その他にクエン酸、蓚酸等を使用することができる。
【０１１０】
露光及び現像処理を行うことにより金属銀からなるメッシュパターンが形成されると共に光透過性部も形成される。
【０１１１】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【０１１２】
最初の現像処理に於いては硬膜は強くない方が好ましい。
【０１１３】
従って、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【０１１４】
一方、電磁波遮蔽材料としては電磁波遮蔽金属パターンを含む層に一定の強度を持たせる必要があるので、物理現像及び／又はメッキ処理の後では、膜を架橋して膜強度を高める必要があり、金属パターンを含む層中のバインダー樹脂を架橋、硬膜することが好ましく、例えばバインダー樹脂がゼラチンの場合、グルタルアルデヒド、グルタルアルデヒドの亜硫酸付加物などのアルデヒド化合物や塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、カリ明礬などの水溶性アルミニウム塩などで膜を架橋することが好ましい。従って、物理現像やメッキ処理浴の後に、例えば、ゼラチン硬膜剤を含有する硬膜浴を設け、バインダー樹脂を架橋したのち乾燥する。
【０１１５】
或いは、物理現像及び／又はメッキ処理工程に架橋剤を含有させて硬膜浴とかねても良い。
【０１１６】
特に、アルミニウムイオンを含有する硬膜浴は、物理現像及び／又はメッキ処理の後、硬膜浴に電磁波遮蔽材料を浸漬するだけでよく、硬膜浴自体の安定性もよく、ゼラチンの架橋によって強固な膜を得ることができるため特に好ましい。
【０１１７】
本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることができる。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。
【０１１８】
［物理現像及びメッキ処理］
本発明では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はメッキ処理を行う。
【０１１９】
本発明における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。
【０１２０】
また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。
【０１２１】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることができる。
【０１２２】
本発明においては、メッキ処理は、無電解メッキ処理を行って、これに続き電解メッキ処理を行うことが好ましい。
【０１２３】
また、メッキ処理は、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行ことも好ましい。
【０１２４】
低い電流値での電解メッキは、高抵抗値のフィルムにも均一なメッキが可能だが、メッキ金属の成長速度が遅く、高い電流値での電解メッキは高抵抗値のフィルムに均一なメッキができないが、メッキ金属の成長速度が速いため、品質面、生産能力の面から、電流値及び各電流値でのメッキ処理時間を決めればよい。
【０１２５】
本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることができ、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることができ、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。
【０１２６】
無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。
【０１２７】
本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことができ、さらに５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることができる。
【０１２８】
又、電解メッキ処理としては、公知の電解メッキ技術を適用することができ、例えば、プリント配線板等で用いられている電解メッキ技術を適用することができ、電解メッキは電解銅メッキであることが好ましい。メッキ浴液としては、電解銅メッキ浴液を適用することが好ましい。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、ホウフッ化銅浴等が挙げられる。電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、メッキ液の安定性、導電性を高め、均一電着性の増加を図る硫酸、アノードの溶解促進及び添加剤の補助効果作用の塩素、浴の安定化やメッキ緻密性を向上させるための添加剤としてポリエチレンオキサイド、ビピリジン等が挙げられる。
【０１２９】
陰電極側給電ロールから被メッキ面である支持体上の金属メッシュ部へ、メッキ用電源から電解メッキ電流を流し、電解メッキを施す。金属メッシュパターンがシームレスに連続しているので連続して電解メッキを行うことができる。
【０１３０】
なお、電解メッキ処理は、槽を２セット配置し、電流値を変えて行うことが好ましい。また、所望のメッキ膜厚（導電性金属部の厚み）に応じて、これを２以上行ってもよい。
【０１３１】
その後、電解メッキ処理が施された金属メッシュパターンを有する長尺フィルムは、同一の処理を繰り返した後、付着したメッキ液をエアーナイフ及び吸水ロール等により除去され、更に洗浄槽に搬入され洗浄、また防錆処理等が施され乾燥して巻取られる。
【０１３２】
このようにして、走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥して塗布層とした感光材料のメッシュパターン状金属銀部にメッキ（導電性金属部）が形成される。ここで、導電性金属部は、導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／またはメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１３３】
［導電性金属部］
次に、本発明において形成された導電性金属パターンについて説明する。
【０１３４】
本発明では、導電性金属部からなる電磁波遮蔽性のメッシュパターンは、前述した露光及び現像処理により形成された金属銀部からなるメッシュパターンを物理現像又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させることにより形成されることが好ましい。
【０１３５】
前記金属銀部に、物理現像及び／又はメッキ処理により担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることができる。導電性、価格等から、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子が好ましい。また、磁場シールド性を付与する場合、常磁性金属粒子を用いることが好ましい。
【０１３６】
上記導電性金属部において、コントラストを高め、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色するのを防止する観点から、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましく、その表面が黒化処理されたものであることがさらに好ましい。黒化処理は、プリント配線板分野で行われている方法を用いて行うことができる。例えば、亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸三ナトリウム（１２ｇ／ｌ）の水溶液中で、９５℃で２分間処理することにより黒化処理を行うことができる。
【０１３７】
上記導電性金属部は、該導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。
【０１３８】
さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１３９】
本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波シールド膜（導電性金属部）の表面抵抗率は、１０3Ω／□以下であることが好ましく、１０2Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましく、１．０Ω／□以下であることが最も好ましい。
【０１４０】
透光性電磁波遮蔽材料の用途において、上記導電性金属部の線幅は２０μｍ以下、線間隔は５０μｍ以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満であることがさらに好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【０１４１】
メッシュパターンにおいて、光透過性部の比率（即ち開口率）は、可視光透過率の点から８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。
【０１４２】
［光透過率］
本発明において、可視光域の平均透過率とは、４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を、少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めたものと定義する。
【０１４３】
測定においては、測定アパチャーを、前述のメッシュパターンより十分大きくとっておく必要があり、少なくともメッシュの格子面積よ１００倍以上大きな面積で測定して求める。
【０１４４】
本発明においては、可視光域による平均透過率が、８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。
【０１４５】
［電磁波遮蔽材料の層構成］
本発明の電磁波遮蔽材料における支持体の厚さは、５〜２００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。５〜２００μｍの範囲であれば所望の可視光の透過率が得られ、かつ取り扱いも容易である。
【０１４６】
物理現像及び／又はメッキ処理前の支持体上に設けられる金属銀部の厚さは、支持体上に塗布されるハロゲン化銀粒子含有層用の塗布液の塗布厚みで適宜決定することができる。金属銀部の厚さは、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、０．０１〜９μｍであることがさらに好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。
【０１４７】
ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、導電性金属部の厚さが薄いほどディスプレイの視野角が広がり好ましい。導電性配線材料としては、薄膜化、高密度化が要求され、このような観点から、導電性金属部に担持された導電性金属からなる層の厚さは、９μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ未満であることがより好ましく、０．１μｍ以上３μｍ未満であることがさらに好ましい。
【０１４８】
本発明では、上述した銀塩含有層の塗布厚みをコントロールすることにより所望の厚さの金属銀部を形成し、さらに物理現像及び／又はメッキ処理により導電性金属粒子からなる層の厚みを自在にコントロールできるため、５μｍ未満、好ましくは３μｍ未満の厚みを有する透光性電磁波シールド膜であっても容易に形成することができる。
【実施例】
【０１４９】
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
【０１５０】
なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１５１】
実施例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
水媒体中のＡｇ１００ｇに対してゼラチン１００ｇを含む、球相当径平均０．０４４μｍの沃臭化銀粒子（Ｉ＝２．５モル％）を含有する乳剤を調製した。この際、Ａｇ／ゼラチン質量比は１０／１とし、ゼラチン種としては平均分子量４万のアルカリ処理低分子量ゼラチンを用いた。
【０１５２】
また、この乳剤中には臭化ロジウム酸カリウム及び塩化イリジウム酸カリウムを濃度が１０-7（モル／モル銀）になるように添加し、臭化銀粒子にＲｈイオンとＩｒイオンをドープした。
【０１５３】
この乳剤に塩化パラジウム酸ナトリウムを添加し、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、近赤外増感色素をハロゲン化銀１モル当たり１０-4モル添加し、近赤外増感（（Ｓ−１）を使用）をした後、硬調化剤としてヒドラジン（Ｈ−２）、促進剤のアミン化合物（Ａ−１０）を加えた。
【０１５４】
【化１】
【０１５５】
（Ｈ−２）：１−トリフロロメチルカルボニル−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ａ−１０）：１−ジメチルアミノ−２−プロパノール
なお、ハロゲン化銀粒子径は、仕込み時の温度（２５℃）により４４ｎｍとなるように作製した。
【０１５６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０１５７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光長さを１０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１５８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１５９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１６０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１６１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１６２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１６３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム１を作成した。
【０１６４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１６５】
実施例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１６６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2なるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０１６７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１８００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを５ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１６８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１６９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１７０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１７１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１７２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１７３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム２を作成した。
【０１７４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１７５】
実施例３
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１７６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１７７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１５００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを３０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１７８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１７９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１８０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１８１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１８２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１８３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルム３を作成した。
【０１８４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１８５】
実施例４
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１８６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１８７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ２０００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを５ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１８８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１８９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１９０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１９１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１９２】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１９３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更し、さらに３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、電磁波遮蔽フィルム４を作製した。
【０１９４】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１９５】
実施例５
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１９６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。銀の付量は、０．８ｇ／ｍ2とした。
【０１９７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１８００ｍｍ、露光部の全長に渡りメッシュが形成されているガラスマスクを使用して、露光長さを４０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１９８】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１９９】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０２００】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０２０１】
《無電解メッキ》
下記Ｐｄ触媒液、無電解メッキ液を用い、無電解メッキを行い、３μｍの無電解銅メッキ膜を形成した。
【０２０２】
（Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム ２０ｍｇ
水を加えて全量を１リットルとする。
【０２０３】
（無電解銅メッキ液）
硫酸銅 ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７質量％） ０．０８モル
水酸化ナトリウム ０．１０モル
トリエタノールアミン ０．０５モル
ポリエチレングリコール １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１リットルとする。
【０２０４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件でさらに２μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、電磁波遮蔽フィルム５を作製した。
【０２０５】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２０６】
実施例６
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施１と同様のハロゲン化銀粒子含有液を使用した。
【０２０７】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2なるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２０８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長さ１５００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光長さを２０ｍｍ重ね合わせながら、連続露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２０９】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１０】
（現像液組成）
ハイドロキノン ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン １．５ｇ
臭化カリウム ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム ５０ｇ
水酸化カリウム ３０ｇ
硼酸 １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０２１１】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液 ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩 ６．５ｇ
硼酸 ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩 ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液 １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液 ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液） ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０２１２】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２１３】
（物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０２１４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁は遮蔽フィルムを作成した。
【０２１５】
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２１６】
比較例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０２１７】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２１８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを、露光長さ２０００ｍｍのマスクを使用し、間欠的に露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）し、実施例と同じ現像液、定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１９】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更を行い、更に３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、比較例１のサンプルを作成した。
【０２２０】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２２１】
比較例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０２２２】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
実施例１と同じく、銀の付量が０．５ｇ／ｍ2となるように減圧押し出し塗布方法により塗布を行った。
【０２２３】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを、赤色半導体レーザー（波長６８５ｎｍ）で、ＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）を使用して、各露光ヘッド毎のレーザー光が結像するように配置して、連続露光を行った。その後、実施例と同じ現像液、定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２２４】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５度、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更を行い、更に３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、比較例２のサンプルを作成した。
【０２２５】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅 ８０ｇ
硫酸 ２００ｇ
塩素イオン ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０２２６】
《評価》
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明な電磁波遮蔽フィルム試料各々に対して、表面比抵抗率と透過率をそれぞれ抵抗率計（ロレスタＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）：（株）ダイヤインスツルメンツ社製）と分光光度計（日立分光光度計Ｕ−３２１０：（株）日立製作所製）を用いて測定した。なお、透過率は４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算しその平均値として求めた。
【０２２７】
各々の評価項目について、下記のように評価した。
【０２２８】
○：非常に優れている
△：欠点はあるが、実用下限
×：使用不可。
【０２２９】
各製造方法について、装置製造コスト、生産収率の面から、下記のように評価を行った。
【０２３０】
○：安価で収率高い
△：標準的（許容範囲）
×：高価又は収率低く、使用不可
【０２３１】
【表１】
【０２３２】
表１より、本発明の製造方法により製造された電磁波遮蔽フィルムは、光透過性、電磁波遮蔽性のいずれにも優れ、また本発明の製造方法では従来の方法に比し、装置コストの面、製造収率の面からも従来法に比し優れている。
【図面の簡単な説明】
【０２３３】
【図１】露光用のマスクＭ及びマスクにより形成されるパターンを示す概念図である。
【図２】マスクＭを介した露光、及びマスク露光により形成される基材上のパターンを示す概念図である。
【図３】メッシュパターンの部が重なるように露光される本発明の方法を示す概念図である。
【図４】電解メッキ装置の例を示す概念図である。
【図５】外枠に光透過部をもたないマスクを用いた場合のメッシュパターン例を示す。
【符号の説明】
【０２３４】
１６ 電解メッキ装置
３６ 電荷メッキ処理槽
４２Ａ、４２Ｂ、４４ 支持ロール
４８Ａ 陰極側給電ロール
４８Ｂ 陽電極板
６２ 回転ロール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項２】
隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光するときの重なりが、マスクにより一度に露光されるメッシュパターンの支持体の長手方向の長さの０．２〜３％の範囲であることを特徴とする請求項１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有することを特徴とする請求項１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有しないことを特徴とする請求項１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理をロールツウロールで処理することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記メッキ処理が、無電解メッキ処理、これに続く電解メッキ処理からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記メッキ処理が、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記金属塩微粒子が、ハロゲン化金属微粒子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項９】
ハロゲン化金属微粒子の金属成分の塗布量が、減圧押し出し塗布により、０．３〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【請求項１】
連続して走行する支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュパターン露光を、順次、連続して行った後、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを形成し、次いで、物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことによって金属メッシュパターンに導電性を付与して電磁波遮蔽機能を付与する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、搬送する支持体上の塗布層への前記メッシュパターン露光を、隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項２】
隣接するメッシュパターン同士が一部重なるように露光するときの重なりが、マスクにより一度に露光されるメッシュパターンの支持体の長手方向の長さの０．２〜３％の範囲であることを特徴とする請求項１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有することを特徴とする請求項１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記マスクが、メッシュパターンの外枠としてメッシュを形成していない、光透過部を有しないことを特徴とする請求項１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記現像処理、物理現像処理及び／又はメッキ処理をロールツウロールで処理することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記メッキ処理が、無電解メッキ処理、これに続く電解メッキ処理からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記メッキ処理が、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記金属塩微粒子が、ハロゲン化金属微粒子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項９】
ハロゲン化金属微粒子の金属成分の塗布量が、減圧押し出し塗布により、０．３〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２８３０２９（Ｐ２００８−２８３０２９Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２６５７７（Ｐ２００７−１２６５７７）
【出願日】平成１９年５月１１日（２００７．５．１１）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１１日（２００７．５．１１）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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