ＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法
【課題】 ＡｌまたはＡｌ合金材を接合する際に、接合界面を拡散接合によって確実且つ強固に接合一体化することのできる方法を開発すること。
【解決手段】 接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に、相対密度４０〜９０％の低密度領域を好ましくは厚さ１ｍｍ以上設け、該低密度部を合わせて拡散接合することにより、接合面の母材を大きく変形させて清浄面を露出させ、同時に界面の酸化物を微細に破砕して微分散させることにより、強固に接合一体化する。
【解決手段】 接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に、相対密度４０〜９０％の低密度領域を好ましくは厚さ１ｍｍ以上設け、該低密度部を合わせて拡散接合することにより、接合面の母材を大きく変形させて清浄面を露出させ、同時に界面の酸化物を微細に破砕して微分散させることにより、強固に接合一体化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法に関し、より詳細には、ＡｌまたはＡｌ合金材を接合する際に、接合界面を拡散接合によって確実且つ強固に接合一体化することのできる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレーパネル等の大型化が進むにつれて、Ａｌ−Ｎｄ系合金を始めとする液晶ディスプイレー形成用ターゲットの大型化も急速に進んでいる。こうした状況の下で本発明者らは、Ａｌ合金系ターゲットの大型化に向けて研究を進めている。
【０００３】
ところでターゲットを大型化する具体的な手法としては、１）ターゲット形成用プリフォーム体の大型化、２）現状サイズのプリフォーム体の接合による大型化、３）鍛造材や圧延材の接合による大型化などが考えられる。得られる大型接合体は、その用途に拘らず接合部を含めて成分組成が均質であることが望ましく、特にターゲット用途に適用する場合、液晶ディスプレーパネル等としての品質を確保するには微細な欠陥も許されない。
【０００４】
ところで、金属材を接合一体化する方法としては、次の様な方法が知られている。第１は、非特許文献１の第５３〜５９頁に記載されている様な拡散接合法であるが、ＡｌまたはＡｌ合金材の表面は安定な酸化物系皮膜で覆われており、この酸化皮膜は安定で拡散接合中にも消失することがない。拡散接合を行なう際には、ＡｌまたはＡｌ合金材の接合面を合わせて圧接し、接合面に存在する微細な突起部の変形により酸化物系皮膜を破壊させることで清浄面を露出させ、該清浄面同士を拡散接合させることになるが、上記の様に被接合面に存在する酸化物系皮膜は消失することがなく、露出する清浄面も僅かであるため、強固な接合一体化は難しい。同非特許文献１の第５８頁に記載されている如く、被接合面を粗面化することで突起部を多くすると、圧接時の変形による酸化物系皮膜の破壊箇所も多くなり、拡散接合に有効な清浄面も増大して接合強度は向上するが、その値は最高でも母材強度の約３５％に過ぎず、接合一体化の目的は達成できない。
【０００５】
また非特許文献２には、接合時の温度を接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の融点直下にまで高め、接合面を軟化させることにより変形し易くすることで、酸化物系皮膜を破壊し易くして清浄面を露出させて接合力を高める手法が示されている。しかしこの方法は、非接合材の融点直下まで昇温するための温度コントロールが困難で、とりわけ大型部材の接合面を満遍なく均一に加熱することは至難のことであり、しかも高温加熱による結晶粒粗大化などによる母材の物性劣化が避けられない。
【０００６】
更に非特許文献３には、拡散接合時に超音波を作用させることで酸化物系皮膜を破壊し、清浄面を露出させることにより接合強度を高める方法が開示されている。しかしこの方法も、基本的には接合面付近を超音波によって母材の融点直下にまで高めて変形を容易にする点では前掲の技術と本質的に変わりがなく、同様の問題が指摘される。また、大型材に超音波加熱を適用することは非常に困難であり、現にその様な実用化例は存在しない。
【非特許文献１】「溶接学会論文集」第４巻（１９８６）第１号、第５３〜５９頁
【非特許文献２】「軽金属」Ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．７（１９８５）、第３８８〜３９５頁
【非特許文献３】「軽金属」Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．８（１９８６）、第４９８〜５０６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、被接合面に酸化物系皮膜が存在していても、拡散接合工程で被接合面の素材を確実に大変形させることにより酸化物系皮膜を破壊して清浄面を十分に露出させ、被接合面同士を強固に接合一体化することのできる新規な接合技術を確立することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決することのできた本発明に係るＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法とは、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、該低密度部を合わせて拡散接合するところに特徴を有している。
【０００９】
上記方法を実施するに当たっては、被接合面における厚み方向、すなわち深さ方向の１ｍｍ以上を低密度領域としておくことで、より強固な接合体を得ることができる。また該低密度領域はスプレイフォーミング法によって形成されているのがよく、また拡散接合にはＨＩＰ法を採用し、より好ましくは６００℃以下の温度で拡散接合を行うことが好ましい。
【００１０】
なお本発明において相対密度とは、アルキメデス法により測定した材料（試料）の密度をＡとし、材料（試料）の各添加成分が金属間化合物を生成せずに単体で存在し、且つ完全緻密体と仮定した時の計算密度をＢとしたとき、下記式によって算出される値である。
相対密度＝（Ａ／Ｂ）×１００（％）
そして本発明によれば、追って詳述する如く接合面を母材部と殆ど見分けが付かない程度に確実且つ強固に接合一体化できるので、最近その需要が急増しているＡｌ合金製の大型スパッタリングターゲットの製造に特に有効に活用できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＡｌまたはＡｌ合金材を接合一体化する際に、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、当該低密度部を合わせて拡散接合することで、拡散接合のための圧接力で該低密度部の素材を大きく変形させることができ、それにより表面の酸化物系皮膜は効果的に破壊されて全面に清浄面が露出すると共に、それらが接合界面で交錯して拡散接合するので、結果的に母材部と殆ど見分けが付かない程度にまで確実且つ強固に接合一体化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
ＡｌまたはＡｌ合金材の拡散接合が困難である最大の理由は、その表面に存在する酸化物系皮膜が非常に安定であり、その除去が困難であることに加えて、拡散接合後も当該酸化物系皮膜は接合界面に安定に残存することによる。ちなみに、Ａｌと同様に酸化物系の安定な不動体皮膜を形成する金属ＴｉやＴｉ合金は、拡散接合すると酸化物系皮膜を構成していた酸化チタン中のＴｉが両母材方向へ拡散移行していくため、接合界面には微量の酸素が残存するだけで、全面が強固に接合一体化する。またＳＵＳなどの鉄基合金や銅も、拡散接合の直後は部材表面で酸化鉄や酸化銅を形成している酸化被膜が接合の進行と共に介在物として凝集し、それが母材方向へ拡散していくため、接合部に酸化物として残存することは少ない。
【００１３】
ところがＡｌやＡｌ合金の酸化物は非常に安定であり、圧接時にたとえ酸化物系皮膜が破壊されたとしても、Ａｌが金属として母材方向へ拡散移行していくことはなく、当該接合部に残存する。従って、接合界面における該酸化物が破砕不足で面状のままで存在すると、その分だけ接合強度は低下する。しかし、該酸化物系皮膜を破砕して十分に微細化してやれば、該酸化物はマトリクスを構成する母材金属内へ微分散するため、接合強度には殆ど悪影響を及ぼさない様になる。
【００１４】
そこで従来例でも、ＡｌまたはＡｌ合金材を拡散接合する際には、表面を粗面化するなど拡散接合時における接合界面の変形量を大きくすることで、酸化物系皮膜を破砕し易くしている。ところが、こうした処理にも拘らず、被接合界面における母材の変形量が不十分であるため酸化物系皮膜が破砕不足となり、これが接合強度を充分に高めることができない最大の原因になっていると思われる。
【００１５】
そこで本発明者らは、拡散接合時における接合界面における母材の変形量を大幅に増大させることによって、酸化物系皮膜を微細に破砕すると共に清浄面を大量に露出させるべく研究を進めてきた。
【００１６】
その結果、上述した如く接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側にポーラスな低密度領域を設け、該低密度領域を合わせて拡散接合させる方法を採用すれば、当該ポーラスな低密度領域が圧接されて高密度化する際に母材を構成する素材は界面で著しく変形し、該変形により大量の清浄面が露出すると共に、表面の酸化物系皮膜は微細に破砕されること、しかも、ポーラスな上記低密度領域同士を圧接することで露出した清浄面同士は、圧接界面で相互に交錯しつつ、微細化された酸化物を界面近傍に均一に微細分散せしめ、接合部を確実且つ強固に一体化できる、という新たな知見を得た。
【００１７】
そして、こうした低密度領域同士の圧接による効果を実用規模で有効に発揮させるには、後記実施例でも明らかにする如く低密度領域の相対密度を９０％以下にする必要があり、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下にするのがよいことを突き止めた。
【００１８】
ちなみに、上記低密度領域の相対密度が９０％を超える場合は、圧接時の密度アップによる変形量は高々１０％止まりで充分な変形量が得られず、清浄面の露出量や酸化物系皮膜の破砕程度も不十分となり、本発明が意図するレベルの強力な接合一体化が実現できなくなる。
【００１９】
但し、低密度領域の相対密度が４０％未満になると、過度の空孔の存在で形態を維持できなくなり、或いは取扱い時に低密度部が簡単に崩壊し易くなることから、少なくとも４０％以上の相対密度は確保すべきである。適度の形態保持性と取扱い性を確保する上でより好ましい相対密度は４５％以上、更に好ましくは５０％以上である。
【００２０】
なお本発明では、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の全体を上記密度範囲のポーラスな低密度領域とすることも可能であるが、酸化物系皮膜の存在によって一体接合が阻害されるのは接合界面のみであるから、該接合界面で十分な接合強度を確保するには、接合一体化すべき素材における被接合面の厚さ方向（すなわち深さ方向）に少なくとも１ｍｍ以上、より確実には３ｍｍ以上を低密度領域としておけば、大変形による接合一体化の目的は充分に達成できる。換言すると、被接合面における厚さ（深さ）方向に少なくとも１ｍｍまでの領域が、相対密度９０％以上の高密度域である場合は、バルク材同士を圧接する場合と同様に、接合界面での大変形と酸化物系皮膜の破壊と微分散が起こらないため、本発明の目的は果たせない。
【００２１】
なお拡散接合のための具体的な方法は特に制限されず、要は非酸化性雰囲気下で接合面を適度に加熱して圧接する方法であればよく、爆着法、摩擦圧接法などを採用することも可能であるが、より実用性の高いのはＨＩＰ法（Hot Isostatic Pressing）である。ＨＩＰ法を実施する際の圧力や温度も特に制限されないが、接合一体化を短時間で効率よく実施するうえで好ましい圧力は８０ＭＰａ以上、より好ましくは１００ＭＰａ以上、加熱温度は５００〜６００℃、より好ましくは５２５〜５７５℃の範囲である。ちなみに、加熱温度が高くなり過ぎると、前掲の従来技術でも指摘した如くＡｌまたはＡｌ合金素材の結晶粒が粗大化したり局部溶融を起こすなど、物性劣化の原因になるからである。
【００２２】
また被接合面を構成する低密度領域の形成法にも格別の制限はないが、一般的なのはスプレイフォーミング法であり、具体的には、ＡｌまたはＡｌ合金素材をスプレイフォーミング法によって成形する際に、当該成形体の被接合面が形成される少なくとも成形末期にガス／メタル比を高めることによって相対密度を低下させる方法である。
【００２３】
本発明は以上の様に構成されており、被接合面に低密度領域を形成しておき、これらを合わせて拡散接合する方法を採用することにより、被接合面に酸化物系皮膜が存在する場合であっても、該酸化物系皮膜の存在に悪影響を受けることなく強固かつ確実に接合一体化することができる。
【００２４】
従ってこの方法は、酸化物系皮膜が接合の障害となるＡｌおよびＡｌ合金素材の全ての拡散接合に広く活用することができ、具体的には合金元素としてＭｇ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｚｎ等を含有するＪＩＳ５０００系、同６０００系、同７０００系など様々のＡｌ合金がその対象となり、また最近特に液晶用などのスパッタリングターゲットとして注目を集めているＡｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金なども、本発明の特徴が有効に発揮されるＡｌ合金として推奨される。
【００２５】
特に近年は、液晶ディスプレーパネル等の急速な大型化に伴って、ヒロック欠陥の少ないことで注目されている大型のＡｌ−Ｎｄ合金ターゲットを製造するは、複数のＡｌ−Ｎｄ合金材の接合一体化が不可欠の要件となっているが、本発明の製法によればこうした要求にも容易に対応できる。
【実施例】
【００２６】
以下、実験例を挙げて本発明の構成及び作用効果をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実験例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらは何れも本発明の技術的範囲に包含される。
【００２７】
実験例
Ａｌ−２ａｔ％Ｎｄ合金を使用し、スプレイフォーミング法によって下記表１に示す密度構成の合金塊（直径２９５ｍｍ×高さ６７５ｍｍ）を作製した。なお、該合金塊の製造に当たっては、本体部の形成と被接合面となる先端部を形成する形成末期のガス（窒素ガス）／メタル比を約１Ｎｍ3／ｋｇから約１４Ｎｍ3／ｋｇに変えることで、各部位の相対密度を調整した。得られた合金塊の相対密度は、（株）長計量器製作所製の密度測定器（型番「ＪＰ−２００」）を用いて本体部と成形末期の先端表層部をそれぞれ３箇所ずつ測定し、平均値を各部位の相対密度とした。尚、成形末期の先端表層部を形成する際のガス／メタル比を１５Ｎｍ3／ｋｇ以上に高めることで、該表層部の相対密度を４５％以下に低減しようとしたが、このガス／メタル比では形成したプリフォーム体を運搬する際に、プリフォーム体が崩れてしまった。
【００２８】
得られた合金塊を夫々２個１組準備し、密度調整を行った表層側を突き合わせてからＨＩＰ用のキャン内に真空封入し、（株）神戸製鋼所製のＨＩＰ装置を用いて５５０℃×１００ＭＰａで１２０分間静水圧加圧することにより、各合金塊を圧密化すると共に両合金塊を接合一体化した。
【００２９】
得られた接合体から、接合継手部を略中央にして引張試験用の試料（長さ１２ｍｍ×幅６ｍｍ×厚さ２ｍｍ、平行部：長さ４ｍｍ×幅３ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を切り出し、インストロン社製の万能試験機（型番「５５６７型」）を用いて継手部の接合強度を測定した。
【００３０】
また、各接合体の接合界面を顕微鏡によって断面観察し、その状態を観察した。
【００３１】
結果を表１，２に一括して示す。また、この実験で得たＨＩＰ接合前の合金塊の先端表層部の相対密度と、ＨＩＰ接合後の継手引張強度の関係を図１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
表１，２および図１からも明らかな様に、先端表層部の相対密度を７０％レベル以下に抑えてからＨＩＰ接合を行ったものは、母材強度（１５０ＭＰａ）に対してほぼ９０％以上の継手強度を確保することができ、また同相対密度を９０％レベルに抑えた場合でも、母材強度に対し８０％以上の継手強度を得ることができる。しかし、相対密度が９０％を超えると継手強度は急激に低下し、母材強度に対し４０％レベル以下にまで低下することが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実験で得たＨＩＰ接合前の接合側表層部の相対密度とＨＩＰ後の継手引張強度の関係を示すグラフである。
【技術分野】
【０００１】
本発明はＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法に関し、より詳細には、ＡｌまたはＡｌ合金材を接合する際に、接合界面を拡散接合によって確実且つ強固に接合一体化することのできる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレーパネル等の大型化が進むにつれて、Ａｌ−Ｎｄ系合金を始めとする液晶ディスプイレー形成用ターゲットの大型化も急速に進んでいる。こうした状況の下で本発明者らは、Ａｌ合金系ターゲットの大型化に向けて研究を進めている。
【０００３】
ところでターゲットを大型化する具体的な手法としては、１）ターゲット形成用プリフォーム体の大型化、２）現状サイズのプリフォーム体の接合による大型化、３）鍛造材や圧延材の接合による大型化などが考えられる。得られる大型接合体は、その用途に拘らず接合部を含めて成分組成が均質であることが望ましく、特にターゲット用途に適用する場合、液晶ディスプレーパネル等としての品質を確保するには微細な欠陥も許されない。
【０００４】
ところで、金属材を接合一体化する方法としては、次の様な方法が知られている。第１は、非特許文献１の第５３〜５９頁に記載されている様な拡散接合法であるが、ＡｌまたはＡｌ合金材の表面は安定な酸化物系皮膜で覆われており、この酸化皮膜は安定で拡散接合中にも消失することがない。拡散接合を行なう際には、ＡｌまたはＡｌ合金材の接合面を合わせて圧接し、接合面に存在する微細な突起部の変形により酸化物系皮膜を破壊させることで清浄面を露出させ、該清浄面同士を拡散接合させることになるが、上記の様に被接合面に存在する酸化物系皮膜は消失することがなく、露出する清浄面も僅かであるため、強固な接合一体化は難しい。同非特許文献１の第５８頁に記載されている如く、被接合面を粗面化することで突起部を多くすると、圧接時の変形による酸化物系皮膜の破壊箇所も多くなり、拡散接合に有効な清浄面も増大して接合強度は向上するが、その値は最高でも母材強度の約３５％に過ぎず、接合一体化の目的は達成できない。
【０００５】
また非特許文献２には、接合時の温度を接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の融点直下にまで高め、接合面を軟化させることにより変形し易くすることで、酸化物系皮膜を破壊し易くして清浄面を露出させて接合力を高める手法が示されている。しかしこの方法は、非接合材の融点直下まで昇温するための温度コントロールが困難で、とりわけ大型部材の接合面を満遍なく均一に加熱することは至難のことであり、しかも高温加熱による結晶粒粗大化などによる母材の物性劣化が避けられない。
【０００６】
更に非特許文献３には、拡散接合時に超音波を作用させることで酸化物系皮膜を破壊し、清浄面を露出させることにより接合強度を高める方法が開示されている。しかしこの方法も、基本的には接合面付近を超音波によって母材の融点直下にまで高めて変形を容易にする点では前掲の技術と本質的に変わりがなく、同様の問題が指摘される。また、大型材に超音波加熱を適用することは非常に困難であり、現にその様な実用化例は存在しない。
【非特許文献１】「溶接学会論文集」第４巻（１９８６）第１号、第５３〜５９頁
【非特許文献２】「軽金属」Ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．７（１９８５）、第３８８〜３９５頁
【非特許文献３】「軽金属」Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．８（１９８６）、第４９８〜５０６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、被接合面に酸化物系皮膜が存在していても、拡散接合工程で被接合面の素材を確実に大変形させることにより酸化物系皮膜を破壊して清浄面を十分に露出させ、被接合面同士を強固に接合一体化することのできる新規な接合技術を確立することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決することのできた本発明に係るＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法とは、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、該低密度部を合わせて拡散接合するところに特徴を有している。
【０００９】
上記方法を実施するに当たっては、被接合面における厚み方向、すなわち深さ方向の１ｍｍ以上を低密度領域としておくことで、より強固な接合体を得ることができる。また該低密度領域はスプレイフォーミング法によって形成されているのがよく、また拡散接合にはＨＩＰ法を採用し、より好ましくは６００℃以下の温度で拡散接合を行うことが好ましい。
【００１０】
なお本発明において相対密度とは、アルキメデス法により測定した材料（試料）の密度をＡとし、材料（試料）の各添加成分が金属間化合物を生成せずに単体で存在し、且つ完全緻密体と仮定した時の計算密度をＢとしたとき、下記式によって算出される値である。
相対密度＝（Ａ／Ｂ）×１００（％）
そして本発明によれば、追って詳述する如く接合面を母材部と殆ど見分けが付かない程度に確実且つ強固に接合一体化できるので、最近その需要が急増しているＡｌ合金製の大型スパッタリングターゲットの製造に特に有効に活用できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＡｌまたはＡｌ合金材を接合一体化する際に、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、当該低密度部を合わせて拡散接合することで、拡散接合のための圧接力で該低密度部の素材を大きく変形させることができ、それにより表面の酸化物系皮膜は効果的に破壊されて全面に清浄面が露出すると共に、それらが接合界面で交錯して拡散接合するので、結果的に母材部と殆ど見分けが付かない程度にまで確実且つ強固に接合一体化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
ＡｌまたはＡｌ合金材の拡散接合が困難である最大の理由は、その表面に存在する酸化物系皮膜が非常に安定であり、その除去が困難であることに加えて、拡散接合後も当該酸化物系皮膜は接合界面に安定に残存することによる。ちなみに、Ａｌと同様に酸化物系の安定な不動体皮膜を形成する金属ＴｉやＴｉ合金は、拡散接合すると酸化物系皮膜を構成していた酸化チタン中のＴｉが両母材方向へ拡散移行していくため、接合界面には微量の酸素が残存するだけで、全面が強固に接合一体化する。またＳＵＳなどの鉄基合金や銅も、拡散接合の直後は部材表面で酸化鉄や酸化銅を形成している酸化被膜が接合の進行と共に介在物として凝集し、それが母材方向へ拡散していくため、接合部に酸化物として残存することは少ない。
【００１３】
ところがＡｌやＡｌ合金の酸化物は非常に安定であり、圧接時にたとえ酸化物系皮膜が破壊されたとしても、Ａｌが金属として母材方向へ拡散移行していくことはなく、当該接合部に残存する。従って、接合界面における該酸化物が破砕不足で面状のままで存在すると、その分だけ接合強度は低下する。しかし、該酸化物系皮膜を破砕して十分に微細化してやれば、該酸化物はマトリクスを構成する母材金属内へ微分散するため、接合強度には殆ど悪影響を及ぼさない様になる。
【００１４】
そこで従来例でも、ＡｌまたはＡｌ合金材を拡散接合する際には、表面を粗面化するなど拡散接合時における接合界面の変形量を大きくすることで、酸化物系皮膜を破砕し易くしている。ところが、こうした処理にも拘らず、被接合界面における母材の変形量が不十分であるため酸化物系皮膜が破砕不足となり、これが接合強度を充分に高めることができない最大の原因になっていると思われる。
【００１５】
そこで本発明者らは、拡散接合時における接合界面における母材の変形量を大幅に増大させることによって、酸化物系皮膜を微細に破砕すると共に清浄面を大量に露出させるべく研究を進めてきた。
【００１６】
その結果、上述した如く接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側にポーラスな低密度領域を設け、該低密度領域を合わせて拡散接合させる方法を採用すれば、当該ポーラスな低密度領域が圧接されて高密度化する際に母材を構成する素材は界面で著しく変形し、該変形により大量の清浄面が露出すると共に、表面の酸化物系皮膜は微細に破砕されること、しかも、ポーラスな上記低密度領域同士を圧接することで露出した清浄面同士は、圧接界面で相互に交錯しつつ、微細化された酸化物を界面近傍に均一に微細分散せしめ、接合部を確実且つ強固に一体化できる、という新たな知見を得た。
【００１７】
そして、こうした低密度領域同士の圧接による効果を実用規模で有効に発揮させるには、後記実施例でも明らかにする如く低密度領域の相対密度を９０％以下にする必要があり、より好ましくは８０％以下、更に好ましくは７０％以下にするのがよいことを突き止めた。
【００１８】
ちなみに、上記低密度領域の相対密度が９０％を超える場合は、圧接時の密度アップによる変形量は高々１０％止まりで充分な変形量が得られず、清浄面の露出量や酸化物系皮膜の破砕程度も不十分となり、本発明が意図するレベルの強力な接合一体化が実現できなくなる。
【００１９】
但し、低密度領域の相対密度が４０％未満になると、過度の空孔の存在で形態を維持できなくなり、或いは取扱い時に低密度部が簡単に崩壊し易くなることから、少なくとも４０％以上の相対密度は確保すべきである。適度の形態保持性と取扱い性を確保する上でより好ましい相対密度は４５％以上、更に好ましくは５０％以上である。
【００２０】
なお本発明では、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の全体を上記密度範囲のポーラスな低密度領域とすることも可能であるが、酸化物系皮膜の存在によって一体接合が阻害されるのは接合界面のみであるから、該接合界面で十分な接合強度を確保するには、接合一体化すべき素材における被接合面の厚さ方向（すなわち深さ方向）に少なくとも１ｍｍ以上、より確実には３ｍｍ以上を低密度領域としておけば、大変形による接合一体化の目的は充分に達成できる。換言すると、被接合面における厚さ（深さ）方向に少なくとも１ｍｍまでの領域が、相対密度９０％以上の高密度域である場合は、バルク材同士を圧接する場合と同様に、接合界面での大変形と酸化物系皮膜の破壊と微分散が起こらないため、本発明の目的は果たせない。
【００２１】
なお拡散接合のための具体的な方法は特に制限されず、要は非酸化性雰囲気下で接合面を適度に加熱して圧接する方法であればよく、爆着法、摩擦圧接法などを採用することも可能であるが、より実用性の高いのはＨＩＰ法（Hot Isostatic Pressing）である。ＨＩＰ法を実施する際の圧力や温度も特に制限されないが、接合一体化を短時間で効率よく実施するうえで好ましい圧力は８０ＭＰａ以上、より好ましくは１００ＭＰａ以上、加熱温度は５００〜６００℃、より好ましくは５２５〜５７５℃の範囲である。ちなみに、加熱温度が高くなり過ぎると、前掲の従来技術でも指摘した如くＡｌまたはＡｌ合金素材の結晶粒が粗大化したり局部溶融を起こすなど、物性劣化の原因になるからである。
【００２２】
また被接合面を構成する低密度領域の形成法にも格別の制限はないが、一般的なのはスプレイフォーミング法であり、具体的には、ＡｌまたはＡｌ合金素材をスプレイフォーミング法によって成形する際に、当該成形体の被接合面が形成される少なくとも成形末期にガス／メタル比を高めることによって相対密度を低下させる方法である。
【００２３】
本発明は以上の様に構成されており、被接合面に低密度領域を形成しておき、これらを合わせて拡散接合する方法を採用することにより、被接合面に酸化物系皮膜が存在する場合であっても、該酸化物系皮膜の存在に悪影響を受けることなく強固かつ確実に接合一体化することができる。
【００２４】
従ってこの方法は、酸化物系皮膜が接合の障害となるＡｌおよびＡｌ合金素材の全ての拡散接合に広く活用することができ、具体的には合金元素としてＭｇ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｚｎ等を含有するＪＩＳ５０００系、同６０００系、同７０００系など様々のＡｌ合金がその対象となり、また最近特に液晶用などのスパッタリングターゲットとして注目を集めているＡｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金なども、本発明の特徴が有効に発揮されるＡｌ合金として推奨される。
【００２５】
特に近年は、液晶ディスプレーパネル等の急速な大型化に伴って、ヒロック欠陥の少ないことで注目されている大型のＡｌ−Ｎｄ合金ターゲットを製造するは、複数のＡｌ−Ｎｄ合金材の接合一体化が不可欠の要件となっているが、本発明の製法によればこうした要求にも容易に対応できる。
【実施例】
【００２６】
以下、実験例を挙げて本発明の構成及び作用効果をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実験例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらは何れも本発明の技術的範囲に包含される。
【００２７】
実験例
Ａｌ−２ａｔ％Ｎｄ合金を使用し、スプレイフォーミング法によって下記表１に示す密度構成の合金塊（直径２９５ｍｍ×高さ６７５ｍｍ）を作製した。なお、該合金塊の製造に当たっては、本体部の形成と被接合面となる先端部を形成する形成末期のガス（窒素ガス）／メタル比を約１Ｎｍ3／ｋｇから約１４Ｎｍ3／ｋｇに変えることで、各部位の相対密度を調整した。得られた合金塊の相対密度は、（株）長計量器製作所製の密度測定器（型番「ＪＰ−２００」）を用いて本体部と成形末期の先端表層部をそれぞれ３箇所ずつ測定し、平均値を各部位の相対密度とした。尚、成形末期の先端表層部を形成する際のガス／メタル比を１５Ｎｍ3／ｋｇ以上に高めることで、該表層部の相対密度を４５％以下に低減しようとしたが、このガス／メタル比では形成したプリフォーム体を運搬する際に、プリフォーム体が崩れてしまった。
【００２８】
得られた合金塊を夫々２個１組準備し、密度調整を行った表層側を突き合わせてからＨＩＰ用のキャン内に真空封入し、（株）神戸製鋼所製のＨＩＰ装置を用いて５５０℃×１００ＭＰａで１２０分間静水圧加圧することにより、各合金塊を圧密化すると共に両合金塊を接合一体化した。
【００２９】
得られた接合体から、接合継手部を略中央にして引張試験用の試料（長さ１２ｍｍ×幅６ｍｍ×厚さ２ｍｍ、平行部：長さ４ｍｍ×幅３ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を切り出し、インストロン社製の万能試験機（型番「５５６７型」）を用いて継手部の接合強度を測定した。
【００３０】
また、各接合体の接合界面を顕微鏡によって断面観察し、その状態を観察した。
【００３１】
結果を表１，２に一括して示す。また、この実験で得たＨＩＰ接合前の合金塊の先端表層部の相対密度と、ＨＩＰ接合後の継手引張強度の関係を図１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
表１，２および図１からも明らかな様に、先端表層部の相対密度を７０％レベル以下に抑えてからＨＩＰ接合を行ったものは、母材強度（１５０ＭＰａ）に対してほぼ９０％以上の継手強度を確保することができ、また同相対密度を９０％レベルに抑えた場合でも、母材強度に対し８０％以上の継手強度を得ることができる。しかし、相対密度が９０％を超えると継手強度は急激に低下し、母材強度に対し４０％レベル以下にまで低下することが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実験で得たＨＩＰ接合前の接合側表層部の相対密度とＨＩＰ後の継手引張強度の関係を示すグラフである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌまたはＡｌ合金接合体を製造する方法であって、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、該低密度部を合わせて拡散接合することを特徴とするＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項２】
前記接合面における厚み方向の少なくとも１ｍｍを低密度領域とする請求項１に記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項３】
前記低密度領域がスプレイフォーミング法によって形成されている請求項１または２に記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項４】
拡散接合をＨＩＰ法によって行なう請求項１〜３のいずれかに記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項５】
拡散接合を６００℃以下の温度で行なう請求項１〜４のいずれかに記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項６】
スパッタリングターゲットとして使用する大型のＡｌまたはＡｌ合金接合体を製造する請求項１〜５のいずれかに記載の製法。
【請求項１】
ＡｌまたはＡｌ合金接合体を製造する方法であって、接合すべきＡｌまたはＡｌ合金材の接合面側に相対密度４０〜９０％の低密度領域を設け、該低密度部を合わせて拡散接合することを特徴とするＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項２】
前記接合面における厚み方向の少なくとも１ｍｍを低密度領域とする請求項１に記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項３】
前記低密度領域がスプレイフォーミング法によって形成されている請求項１または２に記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項４】
拡散接合をＨＩＰ法によって行なう請求項１〜３のいずれかに記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項５】
拡散接合を６００℃以下の温度で行なう請求項１〜４のいずれかに記載のＡｌまたはＡｌ合金接合体の製法。
【請求項６】
スパッタリングターゲットとして使用する大型のＡｌまたはＡｌ合金接合体を製造する請求項１〜５のいずれかに記載の製法。
【図１】
【公開番号】特開２００６−１５９２２３（Ｐ２００６−１５９２２３Ａ）
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３５１７１８（Ｐ２００４−３５１７１８）
【出願日】平成１６年１２月３日（２００４．１２．３）
【出願人】（０００１３０２５９）株式会社コベルコ科研 (174)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月３日（２００４．１２．３）
【出願人】（０００１３０２５９）株式会社コベルコ科研 (174)
【Ｆターム（参考）】
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