ＭＲ流体ダンパ
【課題】 ＭＲ流体ダンパにおいて、減衰力の位置依存性を簡易に確保すること。
【解決手段】 ダンパチューブ１１にピストンロッド１２を摺動自在に挿入し、ダンパチューブ１１の内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室１３を形成し、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に磁場発生装置４０を設け、磁場発生装置４０がピストンロッド１２との間でＭＲ流体用流路１４を形成するＭＲ流体ダンパ１０であって、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する外周に、該ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けたもの。
【解決手段】 ダンパチューブ１１にピストンロッド１２を摺動自在に挿入し、ダンパチューブ１１の内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室１３を形成し、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に磁場発生装置４０を設け、磁場発生装置４０がピストンロッド１２との間でＭＲ流体用流路１４を形成するＭＲ流体ダンパ１０であって、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する外周に、該ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けたもの。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＲ流体ダンパに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の如く、ＭＲ流体ダンパとして、ダンパチューブのＭＲ流体収容室にピストンロッドを挿入し、ピストンロッドに設けたピストンによりＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、該ピストンに磁場発生装置を設け、磁場発生装置がダンパチューブの内周との間でＭＲ流体用流路を形成するものがある。磁場発生装置がＭＲ流体用流路を通過するＭＲ流体に磁場を与え減衰力を発生させる。
【特許文献１】特表2000-514161
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１のＭＲ流体ダンパでは、ダンパチューブに対するピストンロッドの収縮ストローク端や伸張ストローク端で、急激に減衰力を増加させてその伸縮動作を抑制したい場合には、磁場発生装置のコイルへの入力電流量を伸縮ストロークに応じて増減させる必要がある。このため、複雑な通電制御が必要になるし、使用電流量も大きくなる。
【０００４】
本発明の課題は、ＭＲ流体ダンパにおいて、減衰力の位置依存性を簡易に確保することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、該ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けたものである。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１の発明において更に、前記溝が、ピストンロッドの摺動により磁場発生装置に相対する外周のうちの軸方向の一部の外周に設けられるようにしたものである。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において更に、前記溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化するようにしたものである。
【０００８】
請求項４の発明は、ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、該ピストンロッドの軸方向で変化させたものである。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項４の発明において更に、前記外径の変化が、該ピストンロッドの軸方向で複数段をなすようにしたものである。
【００１０】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかの発明において更に、前記ＭＲ流体ダンパが、ダンパチューブにピストンロッドを挿入し、ピストンロッドの軸方向２位置にダンパチューブ内を摺動する第１と第２のピストンを設け、ダンパチューブの内部にピストンロッドの第１と第２のピストンにより挟まれてＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を区画し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、ピストンロッドとの間で上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
（請求項１）
(a)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けた。溝が磁場の弱い部分を作り、溝の存在によりピストンロッドの低速時の減衰力を下げることができ、二乗孔特性（オリフィス特性）を発生できる。
【００１２】
（請求項２）
(b)溝のない部分では強い磁場を、溝がある部分では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００１３】
（請求項３）
(c)溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化することにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００１４】
（請求項４）
(d)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、ピストンロッドの軸方向で変化させた。大外径部では強い磁場を、小外径部では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００１５】
（請求項５）
(e)外径の変化が、ピストンロッドの軸方向で複数段をなすものとすることにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００１６】
（請求項６）
(f)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの軸方向２位置に設けた第１と第２のピストンをダンパチューブの内部で摺動し、ダンパチューブの内部で第１と第２のピストンにより挟まれる部分をＭＲ流体収容室とし、ダンパチューブに設けた磁場発生装置によりＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、磁場発生装置とピストンロッドとの間に上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成し、ピストンロッドの摺動によりＭＲ流体用流路を通過する流体に磁場を与えて減衰力を発生させる。ダンパチューブに対するピストンロッドの進入／退出分のロッド体積補償室を設ける必要がなく、ＭＲ流体はダンパチューブのＭＲ流体収容室にだけ封入すれば足り、ＭＲ流体の使用量を低減できる。
【００１７】
(g)磁場発生装置をダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に設けるものであり、磁場発生装置の設置構造は単純かつ小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１はＭＲ流体ダンパを示す断面図、図２は図１の要部を示す断面図、図３は磁場発生装置を示す断面図、図４はピストンを示す断面図、図５は図３のV−V線に沿う断面図、図６はＭＲ流体ダンパの変形例を示す断面図、図７は磁場発生装置を示す断面図である。
【実施例】
【００１９】
ＭＲ流体ダンパ１０は、図１、図２に示す如く、ダンパチューブ１１にピストンロッド１２を挿入し、ピストンロッド１２の軸方向２位置にダンパチューブ１１内を摺動する第１と第２のピストン２０、３０を設け、ダンパチューブ１１の内部にピストンロッド１２の第１と第２のピストン２０、３０により挟まれてＭＲ流体（磁気レオロジカル流体）を収容するＭＲ流体収容室１３を区画する。
【００２０】
尚、ＭＲ流体は、一定の粘度をもつ易流動性である。磁場にさらされると、液体から瞬間的に固体に近い状態になり、磁場がなくなると、速やかに液体状態に戻る。ＭＲ流体の粘度変化は、磁場の大きさ（磁力）に比例する。ＭＲ流体は、球形の軟常磁性粒子、例えばマグネタイト、カルボニル鉄粉末、鉄合金、窒化鉄、炭化鉄、二酸化クローム、低炭素鋼、ケイ素鋼、ニッケル、コバルト等、できれば約1〜6ミロクンの公称直径を有し、シリコーン油、炭化水素油、パラフィン油、鉱油、塩化及びフッ化流体、ケロシン、グリコール、又は水等の低い粘度の液体に配合されて懸濁される。
【００２１】
ピストンロッド１２は、ダンパチューブ１１の内部に位置するロッド本体１２Ａと、ロッド本体１２Ａの一端部に同軸的に螺合するロッド突出部１２Ｂとからなり、ロッド突出部１２Ｂをダンパチューブ１１の一端側から外方に突出する。
【００２２】
第１ピストン２０は、ピストンロッド１２におけるロッド本体１２Ａの一端側で、ロッド本体１２Ａの端面とロッド突出部１２Ｂの段差部との間にシール押え２１とともに挟まれて液密に固定される。第１ピストン２０は、ダンパチューブ１１に摺接するガイドブッシュ２２と流体シール２３を外周に備え、流体シール２３をシール押え２１により保持する。
【００２３】
第２ピストン３０は、ピストンロッド１２におけるロッド本体１２Ａの他端側で、ロッド本体１２Ａの段差部とロッド本体１２Ａに螺着されるナット３１との間にシール押え３２とともに挟まれて液密に固定される。第２ピストン３０は、ダンパチューブ１１に摺接するガイドブッシュ３３と流体シール３４を外周に備え、流体シール３４をシール押え３２により保持する。
【００２４】
第２ピストン３０は、図４に示す如く、ＭＲ流体収容室１３と連通するＭＲ流体用体積膨張補償室３５を備える。第２ピストン３０は、ガイドブッシュ３３を外周に備える筒状部３０Ａの内周にフリーピストン３６（Ｏリング３６Ａ）を液密に摺動自在に備え、フリーピストン３６のロッド本体１２Ａ寄りスペースを体積膨張補償室３５とする。体積膨張補償室３５は、筒状部３０Ａの基端側に穿設した孔３７、流体シール３４がピストン３０、シール押え３２との間に形成する環状間隙を介してＭＲ流体収容室１３と連通する。尚、筒状部３０Ａの先端部には、フリーピストン３６の抜け止めストッパ３０Ｂが設けられる。
【００２５】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分、換言すればピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周を囲む部分に磁場発生装置４０を設ける。磁場発生装置４０は、ＭＲ流体収容室１３を上下の２室１３Ａ、１３Ｂに区画するとともに、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周との間で上下の２室１３Ａ、１３Ｂを連通する、環状間隙からなるＭＲ流体用流路１４を形成する。
【００２６】
ダンパチューブ１１は上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂからなり、上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの間にアルミ等からなる非磁性体のシール材１５Ａ、１５Ｂにシールを介して磁場発生装置４０を液密に挟持する。
【００２７】
磁場発生装置４０は、図３に示す如く、環状の鉄心４１にコイル４２を設けてなり、鉄心４１がピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周との間でＭＲ流体用流路１４を形成する。鉄心４１は軸方向に沿う両端部を小径部４１Ａ、４１Ｂとし、軸方向に沿う中央部に大外径部４１Ｃを設け、鉄心４１の内周であって小径部４１Ａ、４１Ｂに挟まれる軸方向中間部に大溝４１Ｄを設け、この大溝４１Ｄにコイル４２を樹脂４３によってモールドする。ダンパチューブ１１の上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂは、鉄心４１の大外径部４１Ｃを軸方向の両側から挟み込み、環状シール材１５Ａ、１５Ｂの大径部１６を鉄心４１の大外径部４１Ｃの外周に密着し、小径部１７を鉄心４１の小径部４１Ａ、４１Ｂの外周と分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの内周との間で液密に挟着する。磁場発生装置４０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周に臨んでＭＲ流体用流路１４を形成する、鉄心４１の小径部４１Ａ、４１Ｂの内周と樹脂４３の内周を面一にする。
【００２８】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１の周囲にアウタチューブ５０を備え、ダブルチューブをなす。アウタチューブ５０は有底筒状体であり、アウタチューブ５０に挿入されたダンパチューブ１１の下端部はボトムピース５１を介してアウタチューブ５０の底部に着座する。アウタチューブ５０の上端開口部には、ダンパチューブ１１の上端部に設けられるロッドガイド５２、ダストシール５３（芯金５３Ａ）が挿着され、アウタチューブ５０の上端かしめ部５０Ａと底部との間にダンパチューブ１１（分割チューブ１１Ａ、１１Ｂ）、磁場発生装置４０、ボトムピース５１、ロッドガイド５２、ダストシール５３が挟持される。アウタチューブ５０の上端開口部の外周にはキャップ５４が被着され、キャップ５４の外面にはバンプストッパ５５が取着される。尚、ダンパチューブ１１の内部にあるピストンロッド１２（ロッド突出部１２Ｂ）の外周であって、第１ピストン２０の直上部にはリバウンドラバー５６が挿着される。
【００２９】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１の内部で、第１ピストン２０とロッドガイド５２の間を第１の気体室５７Ａ、第２ピストン３０とボトムピース５１の間を第２気体室５７Ｂとし、ダンパチューブ１１とアウタチューブ５０の環状間隙を外周気体室５７Ｃとする。第１の気体室５７Ａは、ロッドガイド５２に設けた溝５２Ａにより外周気体室５７Ｃと連通し、第２の気体室５７Ｂは、ボトムピース５１に設けた孔５１Ａ、溝５１Ｂにより外周気体室５７Ｃと連通する。
【００３０】
ＭＲ流体ダンパ１０は、アウタチューブ５０の下部に車軸側取付部を備え、ピストンロッド１２の突出部に車体側取付部を備える。そして、アウタチューブ５０の外周に取着される下ばね受とピストンロッド１２に取着される上ばね受との間に懸架スプリングを介装する。ＭＲ流体ダンパ１０は、懸架スプリングにより路面からの衝撃を吸収し、ピストンロッド１２の上下摺動に伴なってＭＲ流体用流路１４を通過するＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力により懸架スプリングの伸縮振動を制振させる。
【００３１】
即ち、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０のコイル４２への電流の印加によりコイル４２に磁場（磁界）を生ずると、この磁場はコイル４２の一端から鉄心４１の小径部４１Ａを通り、ＭＲ流体用流路１４のギャップを飛び越えてピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の一端側に入り、ピストンロッド１２を通って、ピストンロッド１２の他端側からＭＲ流体用流路１４のギャップを飛び越えて鉄心４１の小径部４１Ｂに入り、コイル４２の他端に戻る閉磁気回路を形成する。磁場発生装置４０がＭＲ流体用流路１４に及ぼす磁場の大きさはコイル４２への印加電流の変更により調整される。
【００３２】
他方、ダンパ１０の伸張行程では、ピストンロッド１２のピストン２０、３０がダンパチューブ１１の内周を上方へ向けて摺動するに際し、下室１３ＢのＭＲ流体がＭＲ流体用流路１４を通って上室１３Ａに流れる。また、ダンパ１０の圧縮行程では、ピストンロッド１２のピストン２０、３０がダンパチューブ１１の内周を下方へ向けて摺動するに際し、上室１３ＡのＭＲ流体がＭＲ流体用流路１４を通って下室１３Ｂに流れる。
【００３３】
そして、ダンパ１０にあっては、伸張行程や圧縮行程で、ＭＲ流体が上述の如くに流路１４を通るときに、磁場発生装置４０が流路１４に及ぼす磁場の大きさを調整することにより、流路１４を通過するＭＲ流体の粘度を変化させ、結果として流路１４におけるＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力を調整可能にする。
【００３４】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０を上述の如くに構成したから、以下の作用効果を奏する。
【００３５】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の軸方向２位置に設けた第１と第２のピストン２０、３０をダンパチューブ１１の内部で摺動し、ダンパチューブ１１の内部で第１と第２のピストン２０、３０により挟まれる部分をＭＲ流体収容室１３とし、ダンパチューブ１１に設けた磁場発生装置４０によりＭＲ流体収容室１３を上下の２室１３Ａ、１３Ｂに区画するとともに、磁場発生装置４０とピストンロッド１２との間に上下の２室１３Ａ、１３Ｂを連通するＭＲ流体用流路１４を形成し、ピストンロッド１２の摺動によりＭＲ流体用流路１４を通過する流体に磁場を与えて減衰力を発生させる。ダンパチューブ１１に対するピストンロッド１２の進入／退出分のロッド体積補償室を設ける必要がなく、ＭＲ流体はダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３にだけ封入すれば足り、ＭＲ流体の使用量を低減できる。
【００３６】
(b)磁場発生装置４０をダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に設けるものであり、磁場発生装置４０の設置構造は単純かつ小型化できる。
【００３７】
(c)磁場発生装置４０は、ダンパチューブ１１の上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの間にシール材１５Ａ、１５Ｂを介して挟持することにて設置でき、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に簡易に設置できる。
【００３８】
(d)磁場発生装置４０の鉄心４１が、ピストンロッド１２との間でＭＲ流体用流路１４を形成でき、ＭＲ流体用流路１４を簡易に形成できる。
【００３９】
(e)ＭＲ流体用体積膨張補償室３５は小容量で足りるし、ピストン３０に設けることで管路系も短縮でき、ＭＲ流体の使用量を低減できる。ＭＲ流体用体積膨張補償室３５をピストン３０に一体化して組付性も向上できる。
【００４０】
(f)ＭＲ流体ダンパ１０がダンパチューブ１１の周囲にアウタチューブ５０を備えたダブルチューブ式にて構成されることにより、ダンパ１０に作用する横力等に対する耐力、強度を向上できる。ＭＲ流体ダンパ１０に併設される懸架スプリングのためのスプリングシートをアウタチューブに容易に固定（溶接等）できる。
【００４１】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１に対するピストンロッド１２の伸縮ストローク（位置）に応じて磁場発生装置４０のコイル４２への入力電流量を増減制御し、磁場発生装置４０がＭＲ流体用流路１４に及ぼす磁場の大きさを変化させることにより、ＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力に位置(伸縮ストローク)依存性を付与することができる。
【００４２】
ところが、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０のコイル４２への入力電流量の増減制御によらずに、減衰力の位置依存性を確保可能にするため、以下の構成を具備する。
【００４３】
即ち、ＭＲ流体ダンパ１０は、図３、図５に示す如く、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けた。
【００４４】
溝６０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の上下摺動により磁場発生装置４０に相対する外周のうちの軸方向の一部、本実施例ではロッド本体１２Ａの両端部を除く中間部の外周に設けた。
【００４５】
溝６０の溝深さは、ピストンロッド１２の軸方向に沿って変化する。本実施例では、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０の両端部を除く中央部の溝深さを一定とし、両端部の溝深さを中央部の側から徐々に浅くするようにテーパ状（段階状でも可）に変化させた（図３）。
【００４６】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）に溝６０を設けたから、以下の作用効果を奏する。
【００４７】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けた。溝６０が磁場の弱い部分を作り、溝６０の存在によりピストンロッド１２の低速時の減衰力を下げることができ、二乗孔特性（オリフィス特性）を発生できる。ピストンロッド１２の微低速時に減衰力を発生させる微低速用溝６０を設けることもできる。
【００４８】
(b)ピストンロッド１２の軸方向の一部にだけ溝６０を設けたから、溝６０のない部分では強い磁場を、溝６０がある部分では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。ピストンロッド１２の両端部に溝６０を設けない場合、ピストンロッド１２の伸縮ストローク端で高い減衰力を発生する。
【００４９】
但し、ピストンロッド１２の摺動により磁場発生装置４０に相対する外周のうちの軸方向の両端部を含む全部の外周に溝６０を設けても良い。
【００５０】
(c)溝６０の溝深さをピストンロッド１２の軸方向に沿って変化することにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００５１】
溝６０の溝幅を、ピストンロッド１２の軸方向に沿ってテーパ状又は段階状に変化することによっても、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００５２】
図６、図７のＭＲ流体ダンパ１０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で変化させたものである。即ち、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する部分の外径のうち、ロッド本体１２Ａの両端部を大外径部７０とし、両端部を除く中間部の外径を小外径部８０とした。
【００５３】
小外径部８０の外径は、ピストンロッド１２の軸方向に沿って変化する。本実施例では、ピストンロッド１２の軸方向に沿う小外径部８０の両端部を除く中央部の直径を一定の小径にし、両端部の直径を中央部の側から徐々に大外径部７０に近づくように大径化するテーパ状（段階状でも可）に変化させた（図７）。
【００５４】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）に大外径部７０と小外径部８０を設けたから、以下の作用効果を奏する。
【００５５】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で変化させた。大外径部７０では強い磁場を、小外径部８０では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００５６】
(b)ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で３段階以上に多段変化させても良い。例えば、ピストンロッド１２の軸方向の中央部の外径を小外径部として柔らかい減衰力を発生させ、ピストンロッド１２の小外径部の両側傍部の外径を中外径部、ピストンロッド１２の中外径部の両側傍部の外径を大外径部として伸縮ストローク端側でより高い減衰力を発生させることができる。
【００５７】
尚、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝を設け、かつ当該部分の外径をピストンロッド１２の軸方向で変化させても良い。ピストンロッド１２の軸方向の中央部のみに微低速用溝を設け、伸縮ストローク端側に向けて溝の二乗孔特性をなくすこともできる。さらに、溝の長さを変えることもできるし、複数本の溝を設けることも可能であり、複数本の溝を設ける場合には溝長さをそれぞれ変更し、ストローク位置によって減衰特性を変えることが可能である。
【００５８】
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１はＭＲ流体ダンパを示す断面図である。
【図２】図２は図１の要部を示す断面図である。
【図３】図３は磁場発生装置を示す断面図である。
【図４】図４はピストンを示す断面図である。
【図５】図５は図３のV−V線に沿う断面図である。
【図６】図６はＭＲ流体ダンパの変形例を示す断面図である。
【図７】図７は磁場発生装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０ ＭＲ流体ダンパ
１１ ダンパチューブ
１１Ａ、１１Ｂ 分割チューブ
１２ ピストンロッド
１３ ＭＲ流体収容室
１３Ａ、１３Ｂ 上下の２室
１４ ＭＲ流体用流路
１５Ａ、１５Ｂ シール材
２０ 第１のピストン
３０ 第２のピストン
３５ 体積膨張補償室
４０ 磁場発生装置
４１ 鉄心
４２ コイル
５０ アウタチューブ
６０ 溝
７０ 大外径部
８０ 小外径部
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＲ流体ダンパに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の如く、ＭＲ流体ダンパとして、ダンパチューブのＭＲ流体収容室にピストンロッドを挿入し、ピストンロッドに設けたピストンによりＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、該ピストンに磁場発生装置を設け、磁場発生装置がダンパチューブの内周との間でＭＲ流体用流路を形成するものがある。磁場発生装置がＭＲ流体用流路を通過するＭＲ流体に磁場を与え減衰力を発生させる。
【特許文献１】特表2000-514161
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１のＭＲ流体ダンパでは、ダンパチューブに対するピストンロッドの収縮ストローク端や伸張ストローク端で、急激に減衰力を増加させてその伸縮動作を抑制したい場合には、磁場発生装置のコイルへの入力電流量を伸縮ストロークに応じて増減させる必要がある。このため、複雑な通電制御が必要になるし、使用電流量も大きくなる。
【０００４】
本発明の課題は、ＭＲ流体ダンパにおいて、減衰力の位置依存性を簡易に確保することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、該ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けたものである。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１の発明において更に、前記溝が、ピストンロッドの摺動により磁場発生装置に相対する外周のうちの軸方向の一部の外周に設けられるようにしたものである。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において更に、前記溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化するようにしたものである。
【０００８】
請求項４の発明は、ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、該ピストンロッドの軸方向で変化させたものである。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項４の発明において更に、前記外径の変化が、該ピストンロッドの軸方向で複数段をなすようにしたものである。
【００１０】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかの発明において更に、前記ＭＲ流体ダンパが、ダンパチューブにピストンロッドを挿入し、ピストンロッドの軸方向２位置にダンパチューブ内を摺動する第１と第２のピストンを設け、ダンパチューブの内部にピストンロッドの第１と第２のピストンにより挟まれてＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を区画し、ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、磁場発生装置がＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、ピストンロッドとの間で上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
（請求項１）
(a)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けた。溝が磁場の弱い部分を作り、溝の存在によりピストンロッドの低速時の減衰力を下げることができ、二乗孔特性（オリフィス特性）を発生できる。
【００１２】
（請求項２）
(b)溝のない部分では強い磁場を、溝がある部分では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００１３】
（請求項３）
(c)溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化することにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００１４】
（請求項４）
(d)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、ピストンロッドの軸方向で変化させた。大外径部では強い磁場を、小外径部では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００１５】
（請求項５）
(e)外径の変化が、ピストンロッドの軸方向で複数段をなすものとすることにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００１６】
（請求項６）
(f)ＭＲ流体ダンパにおいて、ピストンロッドの軸方向２位置に設けた第１と第２のピストンをダンパチューブの内部で摺動し、ダンパチューブの内部で第１と第２のピストンにより挟まれる部分をＭＲ流体収容室とし、ダンパチューブに設けた磁場発生装置によりＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、磁場発生装置とピストンロッドとの間に上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成し、ピストンロッドの摺動によりＭＲ流体用流路を通過する流体に磁場を与えて減衰力を発生させる。ダンパチューブに対するピストンロッドの進入／退出分のロッド体積補償室を設ける必要がなく、ＭＲ流体はダンパチューブのＭＲ流体収容室にだけ封入すれば足り、ＭＲ流体の使用量を低減できる。
【００１７】
(g)磁場発生装置をダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に設けるものであり、磁場発生装置の設置構造は単純かつ小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１はＭＲ流体ダンパを示す断面図、図２は図１の要部を示す断面図、図３は磁場発生装置を示す断面図、図４はピストンを示す断面図、図５は図３のV−V線に沿う断面図、図６はＭＲ流体ダンパの変形例を示す断面図、図７は磁場発生装置を示す断面図である。
【実施例】
【００１９】
ＭＲ流体ダンパ１０は、図１、図２に示す如く、ダンパチューブ１１にピストンロッド１２を挿入し、ピストンロッド１２の軸方向２位置にダンパチューブ１１内を摺動する第１と第２のピストン２０、３０を設け、ダンパチューブ１１の内部にピストンロッド１２の第１と第２のピストン２０、３０により挟まれてＭＲ流体（磁気レオロジカル流体）を収容するＭＲ流体収容室１３を区画する。
【００２０】
尚、ＭＲ流体は、一定の粘度をもつ易流動性である。磁場にさらされると、液体から瞬間的に固体に近い状態になり、磁場がなくなると、速やかに液体状態に戻る。ＭＲ流体の粘度変化は、磁場の大きさ（磁力）に比例する。ＭＲ流体は、球形の軟常磁性粒子、例えばマグネタイト、カルボニル鉄粉末、鉄合金、窒化鉄、炭化鉄、二酸化クローム、低炭素鋼、ケイ素鋼、ニッケル、コバルト等、できれば約1〜6ミロクンの公称直径を有し、シリコーン油、炭化水素油、パラフィン油、鉱油、塩化及びフッ化流体、ケロシン、グリコール、又は水等の低い粘度の液体に配合されて懸濁される。
【００２１】
ピストンロッド１２は、ダンパチューブ１１の内部に位置するロッド本体１２Ａと、ロッド本体１２Ａの一端部に同軸的に螺合するロッド突出部１２Ｂとからなり、ロッド突出部１２Ｂをダンパチューブ１１の一端側から外方に突出する。
【００２２】
第１ピストン２０は、ピストンロッド１２におけるロッド本体１２Ａの一端側で、ロッド本体１２Ａの端面とロッド突出部１２Ｂの段差部との間にシール押え２１とともに挟まれて液密に固定される。第１ピストン２０は、ダンパチューブ１１に摺接するガイドブッシュ２２と流体シール２３を外周に備え、流体シール２３をシール押え２１により保持する。
【００２３】
第２ピストン３０は、ピストンロッド１２におけるロッド本体１２Ａの他端側で、ロッド本体１２Ａの段差部とロッド本体１２Ａに螺着されるナット３１との間にシール押え３２とともに挟まれて液密に固定される。第２ピストン３０は、ダンパチューブ１１に摺接するガイドブッシュ３３と流体シール３４を外周に備え、流体シール３４をシール押え３２により保持する。
【００２４】
第２ピストン３０は、図４に示す如く、ＭＲ流体収容室１３と連通するＭＲ流体用体積膨張補償室３５を備える。第２ピストン３０は、ガイドブッシュ３３を外周に備える筒状部３０Ａの内周にフリーピストン３６（Ｏリング３６Ａ）を液密に摺動自在に備え、フリーピストン３６のロッド本体１２Ａ寄りスペースを体積膨張補償室３５とする。体積膨張補償室３５は、筒状部３０Ａの基端側に穿設した孔３７、流体シール３４がピストン３０、シール押え３２との間に形成する環状間隙を介してＭＲ流体収容室１３と連通する。尚、筒状部３０Ａの先端部には、フリーピストン３６の抜け止めストッパ３０Ｂが設けられる。
【００２５】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分、換言すればピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周を囲む部分に磁場発生装置４０を設ける。磁場発生装置４０は、ＭＲ流体収容室１３を上下の２室１３Ａ、１３Ｂに区画するとともに、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周との間で上下の２室１３Ａ、１３Ｂを連通する、環状間隙からなるＭＲ流体用流路１４を形成する。
【００２６】
ダンパチューブ１１は上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂからなり、上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの間にアルミ等からなる非磁性体のシール材１５Ａ、１５Ｂにシールを介して磁場発生装置４０を液密に挟持する。
【００２７】
磁場発生装置４０は、図３に示す如く、環状の鉄心４１にコイル４２を設けてなり、鉄心４１がピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周との間でＭＲ流体用流路１４を形成する。鉄心４１は軸方向に沿う両端部を小径部４１Ａ、４１Ｂとし、軸方向に沿う中央部に大外径部４１Ｃを設け、鉄心４１の内周であって小径部４１Ａ、４１Ｂに挟まれる軸方向中間部に大溝４１Ｄを設け、この大溝４１Ｄにコイル４２を樹脂４３によってモールドする。ダンパチューブ１１の上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂは、鉄心４１の大外径部４１Ｃを軸方向の両側から挟み込み、環状シール材１５Ａ、１５Ｂの大径部１６を鉄心４１の大外径部４１Ｃの外周に密着し、小径部１７を鉄心４１の小径部４１Ａ、４１Ｂの外周と分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの内周との間で液密に挟着する。磁場発生装置４０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の外周に臨んでＭＲ流体用流路１４を形成する、鉄心４１の小径部４１Ａ、４１Ｂの内周と樹脂４３の内周を面一にする。
【００２８】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１の周囲にアウタチューブ５０を備え、ダブルチューブをなす。アウタチューブ５０は有底筒状体であり、アウタチューブ５０に挿入されたダンパチューブ１１の下端部はボトムピース５１を介してアウタチューブ５０の底部に着座する。アウタチューブ５０の上端開口部には、ダンパチューブ１１の上端部に設けられるロッドガイド５２、ダストシール５３（芯金５３Ａ）が挿着され、アウタチューブ５０の上端かしめ部５０Ａと底部との間にダンパチューブ１１（分割チューブ１１Ａ、１１Ｂ）、磁場発生装置４０、ボトムピース５１、ロッドガイド５２、ダストシール５３が挟持される。アウタチューブ５０の上端開口部の外周にはキャップ５４が被着され、キャップ５４の外面にはバンプストッパ５５が取着される。尚、ダンパチューブ１１の内部にあるピストンロッド１２（ロッド突出部１２Ｂ）の外周であって、第１ピストン２０の直上部にはリバウンドラバー５６が挿着される。
【００２９】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１の内部で、第１ピストン２０とロッドガイド５２の間を第１の気体室５７Ａ、第２ピストン３０とボトムピース５１の間を第２気体室５７Ｂとし、ダンパチューブ１１とアウタチューブ５０の環状間隙を外周気体室５７Ｃとする。第１の気体室５７Ａは、ロッドガイド５２に設けた溝５２Ａにより外周気体室５７Ｃと連通し、第２の気体室５７Ｂは、ボトムピース５１に設けた孔５１Ａ、溝５１Ｂにより外周気体室５７Ｃと連通する。
【００３０】
ＭＲ流体ダンパ１０は、アウタチューブ５０の下部に車軸側取付部を備え、ピストンロッド１２の突出部に車体側取付部を備える。そして、アウタチューブ５０の外周に取着される下ばね受とピストンロッド１２に取着される上ばね受との間に懸架スプリングを介装する。ＭＲ流体ダンパ１０は、懸架スプリングにより路面からの衝撃を吸収し、ピストンロッド１２の上下摺動に伴なってＭＲ流体用流路１４を通過するＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力により懸架スプリングの伸縮振動を制振させる。
【００３１】
即ち、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０のコイル４２への電流の印加によりコイル４２に磁場（磁界）を生ずると、この磁場はコイル４２の一端から鉄心４１の小径部４１Ａを通り、ＭＲ流体用流路１４のギャップを飛び越えてピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の一端側に入り、ピストンロッド１２を通って、ピストンロッド１２の他端側からＭＲ流体用流路１４のギャップを飛び越えて鉄心４１の小径部４１Ｂに入り、コイル４２の他端に戻る閉磁気回路を形成する。磁場発生装置４０がＭＲ流体用流路１４に及ぼす磁場の大きさはコイル４２への印加電流の変更により調整される。
【００３２】
他方、ダンパ１０の伸張行程では、ピストンロッド１２のピストン２０、３０がダンパチューブ１１の内周を上方へ向けて摺動するに際し、下室１３ＢのＭＲ流体がＭＲ流体用流路１４を通って上室１３Ａに流れる。また、ダンパ１０の圧縮行程では、ピストンロッド１２のピストン２０、３０がダンパチューブ１１の内周を下方へ向けて摺動するに際し、上室１３ＡのＭＲ流体がＭＲ流体用流路１４を通って下室１３Ｂに流れる。
【００３３】
そして、ダンパ１０にあっては、伸張行程や圧縮行程で、ＭＲ流体が上述の如くに流路１４を通るときに、磁場発生装置４０が流路１４に及ぼす磁場の大きさを調整することにより、流路１４を通過するＭＲ流体の粘度を変化させ、結果として流路１４におけるＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力を調整可能にする。
【００３４】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０を上述の如くに構成したから、以下の作用効果を奏する。
【００３５】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の軸方向２位置に設けた第１と第２のピストン２０、３０をダンパチューブ１１の内部で摺動し、ダンパチューブ１１の内部で第１と第２のピストン２０、３０により挟まれる部分をＭＲ流体収容室１３とし、ダンパチューブ１１に設けた磁場発生装置４０によりＭＲ流体収容室１３を上下の２室１３Ａ、１３Ｂに区画するとともに、磁場発生装置４０とピストンロッド１２との間に上下の２室１３Ａ、１３Ｂを連通するＭＲ流体用流路１４を形成し、ピストンロッド１２の摺動によりＭＲ流体用流路１４を通過する流体に磁場を与えて減衰力を発生させる。ダンパチューブ１１に対するピストンロッド１２の進入／退出分のロッド体積補償室を設ける必要がなく、ＭＲ流体はダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３にだけ封入すれば足り、ＭＲ流体の使用量を低減できる。
【００３６】
(b)磁場発生装置４０をダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に設けるものであり、磁場発生装置４０の設置構造は単純かつ小型化できる。
【００３７】
(c)磁場発生装置４０は、ダンパチューブ１１の上下の分割チューブ１１Ａ、１１Ｂの間にシール材１５Ａ、１５Ｂを介して挟持することにて設置でき、ダンパチューブ１１のＭＲ流体収容室１３に臨む部分に簡易に設置できる。
【００３８】
(d)磁場発生装置４０の鉄心４１が、ピストンロッド１２との間でＭＲ流体用流路１４を形成でき、ＭＲ流体用流路１４を簡易に形成できる。
【００３９】
(e)ＭＲ流体用体積膨張補償室３５は小容量で足りるし、ピストン３０に設けることで管路系も短縮でき、ＭＲ流体の使用量を低減できる。ＭＲ流体用体積膨張補償室３５をピストン３０に一体化して組付性も向上できる。
【００４０】
(f)ＭＲ流体ダンパ１０がダンパチューブ１１の周囲にアウタチューブ５０を備えたダブルチューブ式にて構成されることにより、ダンパ１０に作用する横力等に対する耐力、強度を向上できる。ＭＲ流体ダンパ１０に併設される懸架スプリングのためのスプリングシートをアウタチューブに容易に固定（溶接等）できる。
【００４１】
ＭＲ流体ダンパ１０は、ダンパチューブ１１に対するピストンロッド１２の伸縮ストローク（位置）に応じて磁場発生装置４０のコイル４２への入力電流量を増減制御し、磁場発生装置４０がＭＲ流体用流路１４に及ぼす磁場の大きさを変化させることにより、ＭＲ流体の流れ抵抗に起因して生ずる減衰力に位置(伸縮ストローク)依存性を付与することができる。
【００４２】
ところが、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、磁場発生装置４０のコイル４２への入力電流量の増減制御によらずに、減衰力の位置依存性を確保可能にするため、以下の構成を具備する。
【００４３】
即ち、ＭＲ流体ダンパ１０は、図３、図５に示す如く、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けた。
【００４４】
溝６０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の上下摺動により磁場発生装置４０に相対する外周のうちの軸方向の一部、本実施例ではロッド本体１２Ａの両端部を除く中間部の外周に設けた。
【００４５】
溝６０の溝深さは、ピストンロッド１２の軸方向に沿って変化する。本実施例では、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０の両端部を除く中央部の溝深さを一定とし、両端部の溝深さを中央部の側から徐々に浅くするようにテーパ状（段階状でも可）に変化させた（図３）。
【００４６】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）に溝６０を設けたから、以下の作用効果を奏する。
【００４７】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝６０を設けた。溝６０が磁場の弱い部分を作り、溝６０の存在によりピストンロッド１２の低速時の減衰力を下げることができ、二乗孔特性（オリフィス特性）を発生できる。ピストンロッド１２の微低速時に減衰力を発生させる微低速用溝６０を設けることもできる。
【００４８】
(b)ピストンロッド１２の軸方向の一部にだけ溝６０を設けたから、溝６０のない部分では強い磁場を、溝６０がある部分では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。ピストンロッド１２の両端部に溝６０を設けない場合、ピストンロッド１２の伸縮ストローク端で高い減衰力を発生する。
【００４９】
但し、ピストンロッド１２の摺動により磁場発生装置４０に相対する外周のうちの軸方向の両端部を含む全部の外周に溝６０を設けても良い。
【００５０】
(c)溝６０の溝深さをピストンロッド１２の軸方向に沿って変化することにより、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００５１】
溝６０の溝幅を、ピストンロッド１２の軸方向に沿ってテーパ状又は段階状に変化することによっても、減衰力の位置依存性を多様化できる。
【００５２】
図６、図７のＭＲ流体ダンパ１０は、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で変化させたものである。即ち、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する部分の外径のうち、ロッド本体１２Ａの両端部を大外径部７０とし、両端部を除く中間部の外径を小外径部８０とした。
【００５３】
小外径部８０の外径は、ピストンロッド１２の軸方向に沿って変化する。本実施例では、ピストンロッド１２の軸方向に沿う小外径部８０の両端部を除く中央部の直径を一定の小径にし、両端部の直径を中央部の側から徐々に大外径部７０に近づくように大径化するテーパ状（段階状でも可）に変化させた（図７）。
【００５４】
ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）に大外径部７０と小外径部８０を設けたから、以下の作用効果を奏する。
【００５５】
(a)ＭＲ流体ダンパ１０において、ピストンロッド１２の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で変化させた。大外径部７０では強い磁場を、小外径部８０では弱い磁場を発生させ、減衰力の位置依存性を得ることができる。
【００５６】
(b)ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外径を、ピストンロッド１２の軸方向で３段階以上に多段変化させても良い。例えば、ピストンロッド１２の軸方向の中央部の外径を小外径部として柔らかい減衰力を発生させ、ピストンロッド１２の小外径部の両側傍部の外径を中外径部、ピストンロッド１２の中外径部の両側傍部の外径を大外径部として伸縮ストローク端側でより高い減衰力を発生させることができる。
【００５７】
尚、ＭＲ流体ダンパ１０にあっては、ピストンロッド１２（ロッド本体１２Ａ）の磁場発生装置４０に相対する部分の外周に、ピストンロッド１２の軸方向に沿う溝を設け、かつ当該部分の外径をピストンロッド１２の軸方向で変化させても良い。ピストンロッド１２の軸方向の中央部のみに微低速用溝を設け、伸縮ストローク端側に向けて溝の二乗孔特性をなくすこともできる。さらに、溝の長さを変えることもできるし、複数本の溝を設けることも可能であり、複数本の溝を設ける場合には溝長さをそれぞれ変更し、ストローク位置によって減衰特性を変えることが可能である。
【００５８】
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１はＭＲ流体ダンパを示す断面図である。
【図２】図２は図１の要部を示す断面図である。
【図３】図３は磁場発生装置を示す断面図である。
【図４】図４はピストンを示す断面図である。
【図５】図５は図３のV−V線に沿う断面図である。
【図６】図６はＭＲ流体ダンパの変形例を示す断面図である。
【図７】図７は磁場発生装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０ ＭＲ流体ダンパ
１１ ダンパチューブ
１１Ａ、１１Ｂ 分割チューブ
１２ ピストンロッド
１３ ＭＲ流体収容室
１３Ａ、１３Ｂ 上下の２室
１４ ＭＲ流体用流路
１５Ａ、１５Ｂ シール材
２０ 第１のピストン
３０ 第２のピストン
３５ 体積膨張補償室
４０ 磁場発生装置
４１ 鉄心
４２ コイル
５０ アウタチューブ
６０ 溝
７０ 大外径部
８０ 小外径部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、
ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、
ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、該ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けたＭＲ流体ダンパ。
【請求項２】
前記溝が、ピストンロッドの摺動により磁場発生装置に相対する外周のうちの軸方向の一部の外周に設けられる請求項１に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項３】
前記溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化する請求項１又は２に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項４】
ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、
ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、
ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、該ピストンロッドの軸方向で変化させたＭＲ流体ダンパ。
【請求項５】
前記外径の変化が、該ピストンロッドの軸方向で複数段をなす請求項４に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項６】
前記ＭＲ流体ダンパが、ダンパチューブにピストンロッドを挿入し、
ピストンロッドの軸方向２位置にダンパチューブ内を摺動する第１と第２のピストンを設け、
ダンパチューブの内部にピストンロッドの第１と第２のピストンにより挟まれてＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を区画し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、ピストンロッドとの間で上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成する請求項１〜５のいずれかに記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項１】
ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、
ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、
ピストンロッドの磁場発生装置に相対する外周に、該ピストンロッドの軸方向に沿う溝を設けたＭＲ流体ダンパ。
【請求項２】
前記溝が、ピストンロッドの摺動により磁場発生装置に相対する外周のうちの軸方向の一部の外周に設けられる請求項１に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項３】
前記溝の溝幅及び／又は溝深さが、ピストンロッドの軸方向に沿って変化する請求項１又は２に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項４】
ダンパチューブにピストンロッドを摺動自在に挿入し、
ダンパチューブの内部にＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を形成し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がピストンロッドとの間でＭＲ流体用流路を形成するＭＲ流体ダンパであって、
ピストンロッドの磁場発生装置に相対する部分の外径を、該ピストンロッドの軸方向で変化させたＭＲ流体ダンパ。
【請求項５】
前記外径の変化が、該ピストンロッドの軸方向で複数段をなす請求項４に記載のＭＲ流体ダンパ。
【請求項６】
前記ＭＲ流体ダンパが、ダンパチューブにピストンロッドを挿入し、
ピストンロッドの軸方向２位置にダンパチューブ内を摺動する第１と第２のピストンを設け、
ダンパチューブの内部にピストンロッドの第１と第２のピストンにより挟まれてＭＲ流体を収容するＭＲ流体収容室を区画し、
ダンパチューブのＭＲ流体収容室に臨む部分に磁場発生装置を設け、
磁場発生装置がＭＲ流体収容室を上下の２室に区画するとともに、ピストンロッドとの間で上下の２室を連通するＭＲ流体用流路を形成する請求項１〜５のいずれかに記載のＭＲ流体ダンパ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−５７７６７（Ｐ２００６−５７７６７Ａ）
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２４１４３２（Ｐ２００４−２４１４３２）
【出願日】平成１６年８月２０日（２００４．８．２０）
【出願人】（０００１４６０１０）株式会社ショーワ (715)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月２０日（２００４．８．２０）
【出願人】（０００１４６０１０）株式会社ショーワ (715)
【Ｆターム（参考）】
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