ＰＴＣ素子
【課題】 素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】 このＰＴＣ素子１は、素体１０と、素体１０を挟んで圧着される一対の端子電極１２，１４と、素体１０を覆う保護膜１６を更に備え、端子電極１２，１４は素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とを有し、この重複領域１２１，１４１には素体１０に食い込むアンカー突起ＡＣが形成されており、素体１０に隣接する非重複領域１２２，１４２にはアンカー保護膜１６ａ〜１６ｄの剥離を抑制するための剥離抑制領域が形成されており、剥離抑制領域には貫通孔１７ａ〜１７ｄが形成されて、この貫通孔１７ａ〜１７ｄを通って端子電極１２，１４の反対面まで保護膜１６が回りこんでいる。
【解決手段】 このＰＴＣ素子１は、素体１０と、素体１０を挟んで圧着される一対の端子電極１２，１４と、素体１０を覆う保護膜１６を更に備え、端子電極１２，１４は素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とを有し、この重複領域１２１，１４１には素体１０に食い込むアンカー突起ＡＣが形成されており、素体１０に隣接する非重複領域１２２，１４２にはアンカー保護膜１６ａ〜１６ｄの剥離を抑制するための剥離抑制領域が形成されており、剥離抑制領域には貫通孔１７ａ〜１７ｄが形成されて、この貫通孔１７ａ〜１７ｄを通って端子電極１２，１４の反対面まで保護膜１６が回りこんでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
過電流から回路素子を保護するための素子として、ＰＴＣ素子が知られている。ＰＴＣ素子は、ある特定の温度領域に達すると抵抗値の正温度係数が急激に増大する素子である。そのようなＰＴＣ素子の一つとして、下記特許文献１に記載されたものが知られている。
【特許文献１】特公平５−９９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載のＰＴＣ素子は、重合体とその重合体に分散された導電性粉末とからなる正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、その素子の表面と接する面を粗面化した金属板を接合し、その金属板を端子電極としている。このように素子の表面と接する面を粗面化するのは、素子と金属板との接合強度を向上させるためである。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載のＰＴＣ素子のように素子の表面と接する面全体を粗面化した場合、端子電極となった金属板を外部端子等の接続端子と溶接やはんだで接合すると接合強度が十分に確保できない場合があった。
【０００５】
そこで本発明では、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上述した課題を解決可能なＰＴＣ素子を検討する過程で、次のような新たな課題も見出した。ＰＴＣ素子を製造してから所定の時間が経過すると、素体に周囲から酸素が入ってくる場合がある。そこで素体を覆うように保護膜を設けることが考えられる。しかしながら、この保護膜が剥がれる場合があり、何らかの対策が必要であることを本発明者らは見出した。本発明はこの視点からなされたものである。
【０００７】
本発明に係るＰＴＣ素子は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで圧着される一対のリード端子とを備えるＰＴＣ素子であって、素体の前記一対のリード端子に圧着されていない部分を覆う保護膜を更に備え、一対のリード端子はそれぞれ、素体と重なる重複領域と、素体と重ならない非重複領域とを有し、一対のリード端子それぞれの重複領域には素体に食い込むアンカー突起が形成されており、素体に隣接する非重複領域には貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成された剥離抑制領域を有し、保護膜は貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通ってリード端子の反対面まで形成されていると共に、少なくとも剥離抑制領域を除いた非重複領域においてはアンカー突起が押しつぶされて平坦化されている。
【０００８】
本発明によれば、リード端子の剥離抑制領域を除いた非重複領域が平坦化されているので、他の端子と接合する際の接合強度を向上させることができる。また、剥離抑制領域に貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成され、保護膜が貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通って回り込みアンカー形状を形成するため、素体を覆う保護膜の剥離を抑制できる。
【０００９】
また本発明では、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は一対のリード端子が互いに重なりあう領域にそれぞれ形成されていることも好ましい。貫通孔及び切欠きの少なくとも一方はリード端子が互いに重なりあう領域に形成されているので、保護膜をリード端子が挟み込み、保護膜の剥離をより抑制できる。また、素体及び素体に隣接する非重複領域周辺に配される保護膜に滞留するエアを、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通して抜くことができる。従って、窪んだ形状となっている部分に保護膜を充填する際にも、エアを抱くことなくコーティングできる。
【００１０】
また本発明では、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は、重複領域の両側に有する非重複領域の互いに重なり合う領域にそれぞれ形成されていることも好ましい。貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は素体の両側の互いに重なり合う領域に形成されているので、さらに保護膜の剥離を抑制できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能となると共に、素体を覆う保護膜の剥離を抑制できる。従って、素体に酸素が接触し、素体が酸化することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１３】
本発明の実施形態であるＰＴＣ素子について図１を参照しながら説明する。図１の（ａ）は、ＰＴＣ素子１の平面図であり、図１の（ｂ）は、ＰＴＣ素子１の中央近傍（図１の（ａ）のＩ−Ｉ）における断面図であり、図１の（ｃ）は、ＰＴＣ素子１の構成要素である端子電極１4の平面図である。ＰＴＣ素子１は、ポリマーＰＴＣ素子であり、一対の端子電極１２，１４（リード端子）と、素体１０と、保護膜１６とを備えている。
【００１４】
一対の端子電極１２，１４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極１２，１４それぞれは、第１の部分１２ａ，１４ａと、第２の部分１２ｂ，１４ｂとを備えている。第２の部分１２ｂ，１４ｂは、第１の部分１２ａ，１４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分１２ｂ，１４ｂは、第１の部分１２ａ，１４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極１２，１４は、第１の部分１２ａ，１４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分１２ａ，１４ａの間には素体１０が配置されているので、一対の端子電極１２，１４はそれぞれの向き合う面で素体１０を挟んでいる。従って、一対の端子電極１２，１４にはそれぞれ、素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とが形成されている。
【００１５】
端子電極１２，１４それぞれの非重複領域１２２，１４２に、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄが形成されている。貫通孔１７ａ，１７ｂは端子電極１４の非重複領域１４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。この剥離抑制領域は、非重複領域１４２であって重複領域１４１に隣接する領域である。
【００１６】
貫通孔１７ａは、端子電極１４の第１の部分１４ａであって、第２の部分１４ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。貫通孔１７ｂは、端子電極１４の第１の部分１４ａであって、第２の部分１４ｂが延びる辺と対向する辺の略中央近傍に形成されている。
【００１７】
貫通孔１７ｃ，１７ｄは端子電極１２の非重複領域１２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。この剥離抑制領域は、非重複領域１２２であって重複領域１２１に隣接する領域である。貫通孔１７ｃは、端子電極１２の第１の部分１２ａであって、第２の部分１２ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。貫通孔１７ｄは、端子電極１２の第１の部分１２ａであって、第２の部分１２ｂが延びる辺と対向する辺の略中央近傍に形成されている。
【００１８】
図１の（ａ）における平面視方向においては、貫通孔１７ａと貫通孔１７ｄとが、貫通孔１７ｂと貫通孔１７ｃとが、それぞれ対応する位置に重なり合うように形成されている。
【００１９】
素体１０は、端子電極１２と端子電極１４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０の周囲には、端子電極１２と端子電極１４とが互いに重なりあうが、素体１０とは重ならない非重複領域１２２，１４２が形成されている。
【００２０】
素体１０は、結晶性高分子樹脂に導電性フィラーを分散させて形成されている。導電性フィラーとしてはＮｉ粉が、結晶性高分子樹脂としては熱可塑性樹脂であるポリエチレン樹脂がそれぞれ好適に用いられる。素体１０は一対の端子電極１２，１４に加圧・加熱して圧着されている。
【００２１】
保護膜１６は、素体１０が端子電極１２，１４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０が端子電極１２，１４に圧着されていない面は４面あり、保護膜１６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００２２】
保護膜１６は、アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを含んでいる。アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを通って端子電極１２，１４の反対面まで回り込んでいる部分である。アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを覆うように形成されている。従って、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを介して、アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄそれぞれのアンカー効果により、保護膜１６全体が端子電極１２，１４を挟み込むように形成され、端子電極１２，１４と保護膜１６とが固定されている。
【００２３】
保護膜１６は、エポキシ樹脂とチオール系硬化剤とが反応して形成された硬化物層中に、その硬化物層よりも酸素透過性の低い材料からなるフィラーが分散されて形成されている。フィラーは無機フィラーであることが好ましい。また、フィラーの少なくとも一部は板状であることが好ましい。また、保護膜１６は、それら保護膜全体の質量を基準としてフィラーを５〜５０質量％含んでいることも好ましい。
【００２４】
保護膜１６は、例えば、エポキシ樹脂、チオール系硬化剤及びフィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を加熱してエポキシ樹脂とチオール系硬化剤との反応を進行させることにより形成される。
【００２５】
フィラーとしては、マイカ、シリカ、タルク、粘土（天然若しくは合成スメクタイト又はそれらの混合物等）、ガラス、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及びセラミック等の無機フィラーや、銀粉、金粉、銅粉及びニッケル粉等の金属フィラー、カーボン及びポリイミド等の有機フィラーが好適に用いられる。
【００２６】
端子電極１２，１４それぞれが素体１０を挟む面には、アンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣがそれぞれ複数形成されている。
【００２７】
アンカー突起ＡＣは、重複領域１２１，１４１と、非重複領域１２２，１４２であって重複領域１２１，１４１に隣接する剥離抑制領域とにそれぞれ形成されている。別の観点からは、アンカー突起ＡＣは、重複領域１２１，１４１と、非重複領域１２２，１４２であって端子電極１２，１４が互いに重なりあっている領域とにそれぞれ形成されている。
【００２８】
平坦化突起ＦＣは非重複領域１２２，１４２であって、剥離抑制領域を除いた領域に形成されている。別の観点からは、平坦化突起ＦＣは非重複領域１２２，１４２であって、端子電極１２，１４が互いに重なりあっていない領域に形成されている。
【００２９】
尚、図１においては、説明のためにアンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣを相対的に大きく描いている。実際のアンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣは微小突起であって視認することは困難な大きさとなっている。以下の説明に用いる図面においても同様である。
【００３０】
アンカー突起ＡＣは、それぞれ大径部及び小径部を有している。大径部は、アンカー突起ＡＣが端子電極１２，１４から延びる方向において先端側に設けられ、その方向における外周が小径部の外周よりも大きくなるように形成されている。小径部は、大径部よりもアンカー突起ＡＣの根元側に設けられている。各アンカー突起ＡＣにおける大径部及び小径部の形状は不揃いであってもよい。また、大径部及び小径部の外周形状が円形又は楕円形といった整った形状でなく、いびつな形状であってもよい。
【００３１】
隣接するアンカー突起ＡＣは、互いに離隔するように配置されている。従って、各アンカー突起ＡＣ間に形成される凹部に素体１０が入り込み（素体１０にアンカー突起ＡＣが食い込み）、端子電極１２，１４と素体１０とが固定されている。また、各アンカー突起ＡＣ間に形成される凹部に保護膜１６が入り込み（保護膜１６にアンカー突起ＡＣが食い込み）、端子電極１２，１４と保護膜１６とが更に強固に固定されている。
【００３２】
平坦化突起ＦＣは、それぞれ大径部及び小径部を有している。大径部は、平坦化突起ＦＣが端子電極１２，１４から延びる方向において先端側に設けられ、その方向における外周が小径部の外周よりも大きくなるように形成されている。大径部の先端には平坦面が形成されている。小径部は、大径部よりも平坦化突起ＦＣの根元側に設けられている。各平坦化突起ＦＣにおける大径部及び小径部の形状は不揃いであってもよい。また、大径部及び小径部の外周形状が円形又は楕円形といった整った形状でなく、いびつな形状であってもよい。
【００３３】
隣接する平坦化突起ＦＣは、互いに接するように配置されている。各平坦化突起ＦＣの平坦面（平坦化突起ＦＣの先端面）が連続し、実質的な平坦面を形成している。従って、各平坦化突起間に形成される凹部に素体１０や保護膜１６が入り込むことは実質的にない。もっとも、全面に渡って完全に各平坦化突起ＦＣが接しているわけではなく、端子電極１２，１４が他の端子と接合する際の接合強度に実質的な影響を与えない範囲で、平坦化突起ＦＣ同士が離隔している場合もある。
【００３４】
本実施形態においては平坦化突起ＦＣを互いに接するように形成することによって実質的な平坦面を形成したけれども、実質的な平坦面を形成することが可能であれば、実施形態は上述したものに限られない。例えば、切削又は研削するなどして平坦化しても構わない。
【００３５】
本実施形態の第１の変形例を図２に示す。図２の（ａ）は、第１の変形例であるＰＴＣ素子２の平面図であり、図２の（ｂ）は、ＰＴＣ素子２の端部近傍（図２の（ａ）のＩＩ−ＩＩ）における断面図であり、図２の（ｃ）は、ＰＴＣ素子２の構成要素である端子電極２4の平面図である。ＰＴＣ素子２は、一対の端子電極２２，２４と、素体１０ａと、保護膜２６とを備えている。
【００３６】
一対の端子電極２２，２４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極２２，２４それぞれは、第１の部分２２ａ，２４ａと、第２の部分２２ｂ，２４ｂとを備えている。第２の部分２２ｂ，２４ｂは、第１の部分２２ａ，２４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分２２ｂ，２４ｂは、第１の部分２２ａ，２４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極２２，２４は、第１の部分２２ａ，２４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分２２ａ，２４ａの間には素体１０ａが配置されているので、一対の端子電極２２，２４はそれぞれの向き合う面で素体１０ａを挟んでいる。従って、一対の端子電極２２，２４にはそれぞれ、素体１０ａと重なる重複領域２２１，２４１と、素体１０ａと重ならない非重複領域２２２，２４２とが形成されている。
【００３７】
端子電極２２，２４それぞれの非重複領域２２２，２４２に、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈが形成されている。
【００３８】
切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄは端子電極２４の非重複領域２４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。切欠き１８ａ，１８ｂは、端子電極２４の第１の部分２４ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２４ｂが延びる辺に沿って形成されている。切欠き１８ｂ，１８ｃは、端子電極２４の第１の部分２４ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２４ｂが延びる辺と対向する辺に沿って形成されている。
【００３９】
切欠き１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈは端子電極２２の非重複領域２２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。切欠き１８ｅ，１８ｈは、端子電極２２の第１の部分２２ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２２ｂが延びる辺に沿って形成されている。切欠き１８ｆ、１８ｇは、端子電極２２の第１の部分２２ａにおいて、第２の部分２２ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２２ｂが延びる辺と対向する辺に沿って形成されている。
【００４０】
図２の（ａ）における平面視方向においては、切欠き１８ａと切欠き１８ｅとが、切欠き１８ｂと切欠き１８ｆとが、切欠き１８ｃと切欠き１８ｇとが、切欠き１８ｄと切欠き１８ｈとが、それぞれ対応する位置に重なり合うように形成されている。
【００４１】
素体１０ａは、端子電極２２と端子電極２４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ａの周囲には、端子電極２２と端子電極２４とが互いに重なりあうが、素体１０ａとは重ならない非重複領域２２２，２４２が形成されている。素体１０ａは一対の端子電極２２，２４に加圧・加熱して圧着されている。
【００４２】
保護膜２６は、素体１０ａが端子電極２２，２４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ａが端子電極２２，２４に圧着されていない面は４面あり、保護膜２６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００４３】
保護膜２６は、アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈを含んでいる。アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを通って端子電極２２，２４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００４４】
アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを覆うように形成されている。従って、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを介して、アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈそれぞれのアンカー効果により、保護膜２６全体が端子電極２２，２４を挟み込むように形成され、端子電極２２，２４と保護膜２６とが固定されている。
【００４５】
尚、素体１０ａ、保護膜２６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００４６】
本実施形態の第２の変形例を図３に示す。図３の（ａ）は、第２の変形例であるＰＴＣ素子３の平面図であり、図３の（ｂ）は、ＰＴＣ素子３の端部近傍（図３の（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ）における断面図であり、図３の（ｃ）は、ＰＴＣ素子３の構成要素である端子電極３４の平面図である。ＰＴＣ素子３は、一対の端子電極３２，３４と、素体１０ｂと、保護膜３６とを備えている。
【００４７】
一対の端子電極３２，３４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極３２，３４それぞれは、第１の部分３２ａ，３４ａと、第２の部分３２ｂ，３４ｂとを備えている。第２の部分３２ｂ，３４ｂは、第１の部分３２ａ，３４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分３２ｂ，３４ｂは、第１の部分３２ａ，３４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極３２，３４は、第１の部分３２ａ，３４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分３２ａ，３４ａの間には素体１０ｂが配置されているので、一対の端子電極３２，３４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｂを挟んでいる。従って、一対の端子電極３２，３４にはそれぞれ、素体１０ｂと重なる重複領域３２１，３４１と、素体１０ｂと重ならない非重複領域３２２，３４２とが形成されている。
【００４８】
端子電極３２，３４それぞれの非重複領域３２２，３４２に、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇが形成されている。
【００４９】
貫通孔１９ａ，１９ｄ及び切欠き１９ｂ，１９ｃは端子電極３４の非重複領域３４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔１９ａ，１９ｄは、端子電極３４の第１の部分３４ａであって、第２の部分３４ｂが延びる辺の近傍に形成されている。貫通孔１９ａ，１９ｄは、第２の部分３４ｂよりも外側にそれぞれ形成されている。切欠き１９ｂ，１９ｃは、端子電極３４の第１の部分３４ａにおいて、第２の部分３４ｂが延びる辺と対向する辺から、第２の部分３４ｂが延びる辺と隣接する辺に沿って形成されている。
【００５０】
貫通孔１９ｆ，１９ｇ及び切欠き１９ｅ，１９ｈは端子電極３２の非重複領域３２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔１９ｆ，１９ｇは、端子電極３２の第１の部分３２ａであって、第２の部分３２ｂが延びる辺の近傍に形成されている。貫通孔１９ｆ，１９ｇは、第２の部分３２ｂよりも外側にそれぞれ形成されている。切欠き１９ｅ，１９ｈは、端子電極３２の第１の部分３２ａであって、第２の部分３２ｂが延びる辺と対向する辺から、第２の部分３２ｂが延びる辺と隣接する辺に沿って形成されている。
【００５１】
図３の（ａ）における平面視方向においては、貫通孔１９ａ，１９ｄと切欠き１９ｅ，１９ｈとが、切欠き１９ｂ、１９ｃと貫通孔１９ｆ，１９ｇとが、それぞれ対応する位置に形成されている。
【００５２】
素体１０ｂは、端子電極３２と端子電極３４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｂの周囲には、端子電極３２と端子電極３４とが互いに重なりあうが、素体１０ｂとは重ならない非重複領域３２２，３４２が形成されている。素体１０ｂは一対の端子電極３２，３４に加圧・加熱して圧着されている。
【００５３】
保護膜３６は、素体１０ｂが端子電極３２，３４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｂが端子電極３２，３４に圧着されていない面は４面あり、保護膜３６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００５４】
保護膜３６は、アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈを含んでいる。アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈは、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを通って端子電極３２，３４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００５５】
アンカー保護膜３６ａ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｈは、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈを覆うように形成されている。アンカー保護膜３６ｂ，３６ｃ，３６ｆ，３６ｇは、切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを覆うように形成されている。従って、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを介して、アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈそれぞれのアンカー効果により、保護膜３６全体が端子電極３２，３４を挟み込むように形成され、端子電極３２，３４と保護膜３６とが固定されている。
【００５６】
尚、素体１０ｂ、保護膜３６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００５７】
本実施形態の第３の変形例を図４に示す。図４の（ａ）は、第３の変形例であるＰＴＣ素子４の平面図であり、図４の（ｂ）は、ＰＴＣ素子４の中央近傍（図４の（ａ）のＩＶ−ＩＶ）における断面図であり、図４の（ｃ）は、ＰＴＣ素子４の構成要素である端子電極４4の平面図である。ＰＴＣ素子４は、一対の端子電極４２，４４と、素体１０ｃと、保護膜４６とを備えている。
【００５８】
一対の端子電極４２，４４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極４２，４４それぞれは、第１の部分４２ａ，４４ａと、第２の部分４２ｂ，４４ｂとを備えている。第２の部分４２ｂ，４４ｂは、第１の部分４２ａ，４４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分４２ｂ，４４ｂは、第１の部分４２ａ，４４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極４２，４４は、第１の部分４２ａ，４４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分４２ａ，４４ａの間には素体１０ｃが配置されているので、一対の端子電極４２，４４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｃを挟んでいる。従って、一対の端子電極４２，４４にはそれぞれ、素体１０ｃと重なる重複領域４２１，４４１と、素体１０ｃと重ならない非重複領域４２２，４４２とが形成されている。
【００５９】
端子電極４２，４４それぞれの非重複領域４２２，４４２に、貫通孔２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００６０】
貫通孔２０ａは、端子電極４４の非重複領域４４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔２０ａは、端子電極４４の第１の部分４４ａであって、第２の部分４４ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。
【００６１】
貫通孔２０ｂは、端子電極４２の非重複領域４２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔２０ｂは、端子電極４２の第１の部分４２ａであって、第２の部分４２ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。
【００６２】
従って、第３の変形例は非重複領域４２２，４４２の、第２の部分４２ｂ、４４ｂが延びる辺側にのみ貫通孔２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００６３】
素体１０ｃは、端子電極４２と端子電極４４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｃの周囲には、端子電極４２と端子電極４４とが互いに重なりあうが、素体１０ｃとは重ならない非重複領域４２２，４４２が形成されている。素体１０ｃは一対の端子電極４２，４４に加圧・加熱して圧着されている。
【００６４】
保護膜４６は、素体１０ｃが端子電極４２，４４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｃが端子電極４２，４４に圧着されていない面は４面あり、保護膜４６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００６５】
保護膜４６は、アンカー保護膜４６ａ，４６ｂを含んでいる。アンカー保護膜４６ａ，４６ｂは、貫通孔２０ａ，２０ｂを通って端子電極４２，４４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００６６】
アンカー保護膜４６ａ，４６ｂは、貫通孔２０ａ，２０ｂを覆うように形成されている。従って、貫通孔２０ａ，２０ｂを介して、アンカー保護膜４６ａ，４６ｂそれぞれのアンカー効果により、保護膜４６全体が端子電極４２，４４を挟み込むように形成され、端子電極４２，４４と保護膜４６とが固定されている。
【００６７】
尚、素体１０ｃ、保護膜４６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００６８】
引き続いて、本実施形態のＰＴＣ素子１，２，３，４における保護膜１６，２６，３６，４６の剥離防止効果について説明する。比較の対象としては、図５に示すＰＴＣ素子５を用いる。
【００６９】
ＰＴＣ素子５は、一対の端子電極５２，５４と、素体１０ｄと、保護膜５６とを備えている。
【００７０】
一対の端子電極５２，５４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極５２，５４それぞれは、第１の部分５２ａ，５４ａと、第２の部分５２ｂ，５４ｂとを備えている。第２の部分５２ｂ，５４ｂは、第１の部分５２ａ，５４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分５２ｂ，５４ｂは、第１の部分５２ａ，５４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極５２，５４は、第１の部分５２ａ，５４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分５２ａ，５４ａの間には素体１０ｄが配置されているので、一対の端子電極５２，５４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｄを挟んでいる。従って、一対の端子電極５２，５４にはそれぞれ、素体１０ｄと重なる重複領域５２１，５４１と、素体１０ｄと重ならない非重複領域５２２，５４２とが形成されている。
【００７１】
素体１０ｄは、端子電極５２と端子電極５４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｄの周囲には、端子電極５２と端子電極５４とが互いに重なりあうが、素体１０ｄとは重ならない非重複領域５２２，５４２が形成されている。素体１０ｄは一対の端子電極５２，５４に加圧・加熱して圧着されている。
【００７２】
保護膜５６は、素体１０ｄが端子電極５２，５４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｄが端子電極５２，５４に圧着されていない面は４面あり、保護膜５６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００７３】
尚、素体１０ｄ、保護膜５６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００７４】
端子電極５２，５４それぞれが素体１０ｄを挟む面には、アンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣがそれぞれ複数形成されている。
【００７５】
アンカー突起ＡＣは、重複領域５２１，５４１のみに形成されている。平坦化突起ＦＣは非重複領域５２２，５４２に形成されている。
【００７６】
上述したＰＴＣ素子１，２，３，４，５について、端子電極の剥離試験を行った結果を図６に示す。図６は、ＰＴＣ素子１，２，３，４，５それぞれの端子電極を素体から垂直に引き離した場合の保護膜の剥離強度を示している。
【００７７】
図６に示すように、本実施形態に係るＰＴＣ素子１，２，３，４は、ＰＴＣ素子５に比較して剥離強度が高くなっている。具体的には、ＰＴＣ素子５の剥離強度はサンプル数５で、２．７５Ｎ〜７．１６Ｎ、平均値が４．６３Ｎである。ＰＴＣ素子１の剥離強度はサンプル数５で、７．４５Ｎ〜１３．１４Ｎ、平均値が１０．４９Ｎである。ＰＴＣ素子２の剥離強度はサンプル数５で、９．０８Ｎ〜１３．２８Ｎ、平均値が１０．９７Ｎである。ＰＴＣ素子３の剥離強度はサンプル数５で、７．６５Ｎ〜１４．７１Ｎ、平均値が１１．０２Ｎである。ＰＴＣ素子４の剥離強度はサンプル数５で、６．５４Ｎ〜７．４５Ｎである。
【００７８】
これは、保護膜１６，２６，３６，４６にアンカー突起ＡＣが食い込んでいると、剥離強度が上昇するためである。また、保護膜１６，２６，３６，４６は、端子電極１２，２２，３２，４２と端子電極１４，２４，３４，４４とに挟まれているので、更に剥離強度が上昇するためである。また、保護膜１６，２６，３６，４６が、貫通孔１７ａ〜１７ｄ、切欠き１８ａ〜１８ｈ、貫通孔１９ａ〜１９ｄ及び切欠き１９ｅ〜１９ｈ、貫通孔２０ａ，２０ｂをそれぞれ通って端子電極１２，１４，２２，２４，３２，３４，４２，４４の反対面に回り込んで挟み込んでいるので、更に剥離強度が上昇するためである。
【００７９】
引き続いて、上述したＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法について説明する。ＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法は、素体準備工程と、端子準備工程と、平坦化工程と、熱圧着工程と、保護膜形成工程と、を備えている。尚、ＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法は、貫通孔１７ａ〜１７ｄ、切欠き１８ａ〜１８ｈ、貫通孔１９ａ〜１９ｄ及び切欠き１９ｅ〜１９ｈ、貫通孔２０ａ及び２０ｂの形成以外は基本的に同じであるため、ＰＴＣ素子１で代表して説明する。
【００８０】
素体準備工程では、素体１０となる素体素材を作製して準備する。まず、導電性フィラーとなるＮｉ粉と、母材樹脂となるポリエチレンとを混錬してブロックを形成する。このブロックを円盤状にプレスし、カットして素体素材を得る。
【００８１】
続く端子準備工程では、端子電極１２，１４となる金属板を作成して準備する。端子電極１２，１４が素体１０を挟む面には、アンカー突起ＡＣが形成されている。アンカー突起ＡＣは、上述した節瘤状の突起が連続して形成されたものである。尚、端子電極１２には貫通孔１６ｃ，１６ｄが、端子電極１４には貫通孔１６ａ，１６ｄがそれぞれ形成されているものを準備する。
【００８２】
平坦化工程では、上述したように必要な領域においてアンカー突起ＡＣを押しつぶして平坦化し、平坦化突起ＦＣとする。この場合のプレス移動量は、１０〜３５μｍであり、より好ましくは１０〜１５μｍである。
【００８３】
各平坦化突起ＦＣは、上述したように互いに接触して実質的に平坦化されている。端子電極の厚みからみると、アンカー突起ＡＣが形成されている領域の平均厚みよりも、平坦化突起ＦＣが形成されている領域の平均厚みは薄くなっている。尚、平均厚みは、所定面積を打ち抜いた試料を作り、その質量及び比重から求めることができる。
【００８４】
例えば本実施形態であるＰＴＣ素子１の場合、平坦化後の厚みは、重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域（アンカー突起ＡＣが形成されている領域）を含む非重複領域１２２，１４２が６０〜１４０μｍ、剥離抑制領域（アンカー突起ＡＣが形成されている領域）を除く非重複領域１２２，１４２が５０〜１２０μｍであることが好ましい。この場合、アンカー突起ＡＣの平均高さは５〜４０μｍである。また、平坦化後の厚みは、重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域を含む非重複領域１２２，１４２が９５〜１００μｍ、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２が８０〜９０μｍであることがより好ましい。この場合、アンカー突起ＡＣの平均高さは５〜２０μｍである。
【００８５】
重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域を含む非重複領域１２２，１４２の厚みが１４０μｍよりも厚くなると、端子電極１２，１４が厚くなり過ぎてしまい、素体１０と端子電極１２，１４との熱圧着が不十分となり、素体１０と端子電極１２，１４との接続強度が弱くなる。従って、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２の厚みは、平坦化を考慮して１２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００８６】
また、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２の厚みが５０μｍよりも薄くなると端子電極１２，１４自体の強度が低下し、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２において折れ曲がってしまうなど製造工程時及び製品後の取り扱いが困難になる。従って、重複領域１２１，１４１の厚みは、非重複領域１２２，１４２の平坦化を考慮して６０μｍ以上とすることが好ましい。
【００８７】
また、アンカー突起ＡＣの平均高さが５μｍよりも低いと、素体１０と端子電極１２，１４との間におけるアンカー効果を十分に発揮できず、素体１０と端子電極１２，１４との接続強度が弱くなる。また、アンカー突起ＡＣの平均高さが４０μｍよりも高いと、アンカー突起ＡＣ自体の強度が低下し、素体１０との熱圧着時にアンカー突起ＡＣが端子電極１２，１４から脱落する。
【００８８】
熱圧着工程では、一対の端子電極１２，１４それぞれにおける重複領域１２１，１４１で素体素材（素体）を挟み込み、熱圧着によって一対の端子電極１２，１４と素体１０とを固定する。
【００８９】
保護膜形成工程では、保護膜１６を形成する。保護膜１６は、エポキシ樹脂とチオール系硬化剤とが反応して形成された硬化物層中に、その硬化物層よりも酸素透過性の低い材料からなるフィラーを分散して形成する。
【００９０】
尚、保護膜１６の形成においては、貫通孔１７ａ〜１７ｄ（他の変形例の貫通孔及び切欠きも、この貫通孔と同等である。）を通って保護膜１６を端子電極１２，１４の反対側に回り込ませてアンカー保護膜１６ａ〜１６ｄを形成する。また、保護膜１６を形成する際に、端子電極１２，１４に挟まれる部分に生じるエアは、貫通孔１７ａ〜１７ｄを通して抜くことができる。
【００９１】
本実施形態によれば、端子電極１２，１４の剥離抑制領域を除いた非重複領域１２２，１４２が平坦化されているので、他の端子と接合する際の接合強度を向上させることができる。また、剥離抑制領域が素体に隣接する非重複領域１２２，１４２に形成されており、また貫通孔１７ａ〜１７ｄを通って保護膜１６がアンカー形状となって端子電極１２，１４を固定しているので、素体１０を覆う保護膜１６の剥離を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本実施形態におけるＰＴＣ素子を示す平面図及び断面図である。
【図２】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第１の変形例を示す図である。
【図３】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第２の変形例を示す図である。
【図４】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第３の変形例を示す図である。
【図５】本実施形態の比較例のＰＴＣ素子を示す図である。
【図６】本実施形態のＰＴＣ素子と比較例のＰＴＣ素子とを比較した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…ＰＴＣ素子、１２，１４…端子電極、１０…素体、１２１，１４１…重複領域、１２２，１４２…非重複領域、１６…保護膜、１７…貫通孔、１８…切欠き、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ…アンカー保護膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
過電流から回路素子を保護するための素子として、ＰＴＣ素子が知られている。ＰＴＣ素子は、ある特定の温度領域に達すると抵抗値の正温度係数が急激に増大する素子である。そのようなＰＴＣ素子の一つとして、下記特許文献１に記載されたものが知られている。
【特許文献１】特公平５−９９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載のＰＴＣ素子は、重合体とその重合体に分散された導電性粉末とからなる正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、その素子の表面と接する面を粗面化した金属板を接合し、その金属板を端子電極としている。このように素子の表面と接する面を粗面化するのは、素子と金属板との接合強度を向上させるためである。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載のＰＴＣ素子のように素子の表面と接する面全体を粗面化した場合、端子電極となった金属板を外部端子等の接続端子と溶接やはんだで接合すると接合強度が十分に確保できない場合があった。
【０００５】
そこで本発明では、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上述した課題を解決可能なＰＴＣ素子を検討する過程で、次のような新たな課題も見出した。ＰＴＣ素子を製造してから所定の時間が経過すると、素体に周囲から酸素が入ってくる場合がある。そこで素体を覆うように保護膜を設けることが考えられる。しかしながら、この保護膜が剥がれる場合があり、何らかの対策が必要であることを本発明者らは見出した。本発明はこの視点からなされたものである。
【０００７】
本発明に係るＰＴＣ素子は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで圧着される一対のリード端子とを備えるＰＴＣ素子であって、素体の前記一対のリード端子に圧着されていない部分を覆う保護膜を更に備え、一対のリード端子はそれぞれ、素体と重なる重複領域と、素体と重ならない非重複領域とを有し、一対のリード端子それぞれの重複領域には素体に食い込むアンカー突起が形成されており、素体に隣接する非重複領域には貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成された剥離抑制領域を有し、保護膜は貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通ってリード端子の反対面まで形成されていると共に、少なくとも剥離抑制領域を除いた非重複領域においてはアンカー突起が押しつぶされて平坦化されている。
【０００８】
本発明によれば、リード端子の剥離抑制領域を除いた非重複領域が平坦化されているので、他の端子と接合する際の接合強度を向上させることができる。また、剥離抑制領域に貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成され、保護膜が貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通って回り込みアンカー形状を形成するため、素体を覆う保護膜の剥離を抑制できる。
【０００９】
また本発明では、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は一対のリード端子が互いに重なりあう領域にそれぞれ形成されていることも好ましい。貫通孔及び切欠きの少なくとも一方はリード端子が互いに重なりあう領域に形成されているので、保護膜をリード端子が挟み込み、保護膜の剥離をより抑制できる。また、素体及び素体に隣接する非重複領域周辺に配される保護膜に滞留するエアを、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通して抜くことができる。従って、窪んだ形状となっている部分に保護膜を充填する際にも、エアを抱くことなくコーティングできる。
【００１０】
また本発明では、貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は、重複領域の両側に有する非重複領域の互いに重なり合う領域にそれぞれ形成されていることも好ましい。貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は素体の両側の互いに重なり合う領域に形成されているので、さらに保護膜の剥離を抑制できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能となると共に、素体を覆う保護膜の剥離を抑制できる。従って、素体に酸素が接触し、素体が酸化することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１３】
本発明の実施形態であるＰＴＣ素子について図１を参照しながら説明する。図１の（ａ）は、ＰＴＣ素子１の平面図であり、図１の（ｂ）は、ＰＴＣ素子１の中央近傍（図１の（ａ）のＩ−Ｉ）における断面図であり、図１の（ｃ）は、ＰＴＣ素子１の構成要素である端子電極１4の平面図である。ＰＴＣ素子１は、ポリマーＰＴＣ素子であり、一対の端子電極１２，１４（リード端子）と、素体１０と、保護膜１６とを備えている。
【００１４】
一対の端子電極１２，１４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極１２，１４それぞれは、第１の部分１２ａ，１４ａと、第２の部分１２ｂ，１４ｂとを備えている。第２の部分１２ｂ，１４ｂは、第１の部分１２ａ，１４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分１２ｂ，１４ｂは、第１の部分１２ａ，１４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極１２，１４は、第１の部分１２ａ，１４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分１２ａ，１４ａの間には素体１０が配置されているので、一対の端子電極１２，１４はそれぞれの向き合う面で素体１０を挟んでいる。従って、一対の端子電極１２，１４にはそれぞれ、素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とが形成されている。
【００１５】
端子電極１２，１４それぞれの非重複領域１２２，１４２に、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄが形成されている。貫通孔１７ａ，１７ｂは端子電極１４の非重複領域１４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。この剥離抑制領域は、非重複領域１４２であって重複領域１４１に隣接する領域である。
【００１６】
貫通孔１７ａは、端子電極１４の第１の部分１４ａであって、第２の部分１４ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。貫通孔１７ｂは、端子電極１４の第１の部分１４ａであって、第２の部分１４ｂが延びる辺と対向する辺の略中央近傍に形成されている。
【００１７】
貫通孔１７ｃ，１７ｄは端子電極１２の非重複領域１２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。この剥離抑制領域は、非重複領域１２２であって重複領域１２１に隣接する領域である。貫通孔１７ｃは、端子電極１２の第１の部分１２ａであって、第２の部分１２ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。貫通孔１７ｄは、端子電極１２の第１の部分１２ａであって、第２の部分１２ｂが延びる辺と対向する辺の略中央近傍に形成されている。
【００１８】
図１の（ａ）における平面視方向においては、貫通孔１７ａと貫通孔１７ｄとが、貫通孔１７ｂと貫通孔１７ｃとが、それぞれ対応する位置に重なり合うように形成されている。
【００１９】
素体１０は、端子電極１２と端子電極１４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０の周囲には、端子電極１２と端子電極１４とが互いに重なりあうが、素体１０とは重ならない非重複領域１２２，１４２が形成されている。
【００２０】
素体１０は、結晶性高分子樹脂に導電性フィラーを分散させて形成されている。導電性フィラーとしてはＮｉ粉が、結晶性高分子樹脂としては熱可塑性樹脂であるポリエチレン樹脂がそれぞれ好適に用いられる。素体１０は一対の端子電極１２，１４に加圧・加熱して圧着されている。
【００２１】
保護膜１６は、素体１０が端子電極１２，１４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０が端子電極１２，１４に圧着されていない面は４面あり、保護膜１６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００２２】
保護膜１６は、アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを含んでいる。アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを通って端子電極１２，１４の反対面まで回り込んでいる部分である。アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを覆うように形成されている。従って、貫通孔１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを介して、アンカー保護膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄそれぞれのアンカー効果により、保護膜１６全体が端子電極１２，１４を挟み込むように形成され、端子電極１２，１４と保護膜１６とが固定されている。
【００２３】
保護膜１６は、エポキシ樹脂とチオール系硬化剤とが反応して形成された硬化物層中に、その硬化物層よりも酸素透過性の低い材料からなるフィラーが分散されて形成されている。フィラーは無機フィラーであることが好ましい。また、フィラーの少なくとも一部は板状であることが好ましい。また、保護膜１６は、それら保護膜全体の質量を基準としてフィラーを５〜５０質量％含んでいることも好ましい。
【００２４】
保護膜１６は、例えば、エポキシ樹脂、チオール系硬化剤及びフィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を加熱してエポキシ樹脂とチオール系硬化剤との反応を進行させることにより形成される。
【００２５】
フィラーとしては、マイカ、シリカ、タルク、粘土（天然若しくは合成スメクタイト又はそれらの混合物等）、ガラス、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及びセラミック等の無機フィラーや、銀粉、金粉、銅粉及びニッケル粉等の金属フィラー、カーボン及びポリイミド等の有機フィラーが好適に用いられる。
【００２６】
端子電極１２，１４それぞれが素体１０を挟む面には、アンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣがそれぞれ複数形成されている。
【００２７】
アンカー突起ＡＣは、重複領域１２１，１４１と、非重複領域１２２，１４２であって重複領域１２１，１４１に隣接する剥離抑制領域とにそれぞれ形成されている。別の観点からは、アンカー突起ＡＣは、重複領域１２１，１４１と、非重複領域１２２，１４２であって端子電極１２，１４が互いに重なりあっている領域とにそれぞれ形成されている。
【００２８】
平坦化突起ＦＣは非重複領域１２２，１４２であって、剥離抑制領域を除いた領域に形成されている。別の観点からは、平坦化突起ＦＣは非重複領域１２２，１４２であって、端子電極１２，１４が互いに重なりあっていない領域に形成されている。
【００２９】
尚、図１においては、説明のためにアンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣを相対的に大きく描いている。実際のアンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣは微小突起であって視認することは困難な大きさとなっている。以下の説明に用いる図面においても同様である。
【００３０】
アンカー突起ＡＣは、それぞれ大径部及び小径部を有している。大径部は、アンカー突起ＡＣが端子電極１２，１４から延びる方向において先端側に設けられ、その方向における外周が小径部の外周よりも大きくなるように形成されている。小径部は、大径部よりもアンカー突起ＡＣの根元側に設けられている。各アンカー突起ＡＣにおける大径部及び小径部の形状は不揃いであってもよい。また、大径部及び小径部の外周形状が円形又は楕円形といった整った形状でなく、いびつな形状であってもよい。
【００３１】
隣接するアンカー突起ＡＣは、互いに離隔するように配置されている。従って、各アンカー突起ＡＣ間に形成される凹部に素体１０が入り込み（素体１０にアンカー突起ＡＣが食い込み）、端子電極１２，１４と素体１０とが固定されている。また、各アンカー突起ＡＣ間に形成される凹部に保護膜１６が入り込み（保護膜１６にアンカー突起ＡＣが食い込み）、端子電極１２，１４と保護膜１６とが更に強固に固定されている。
【００３２】
平坦化突起ＦＣは、それぞれ大径部及び小径部を有している。大径部は、平坦化突起ＦＣが端子電極１２，１４から延びる方向において先端側に設けられ、その方向における外周が小径部の外周よりも大きくなるように形成されている。大径部の先端には平坦面が形成されている。小径部は、大径部よりも平坦化突起ＦＣの根元側に設けられている。各平坦化突起ＦＣにおける大径部及び小径部の形状は不揃いであってもよい。また、大径部及び小径部の外周形状が円形又は楕円形といった整った形状でなく、いびつな形状であってもよい。
【００３３】
隣接する平坦化突起ＦＣは、互いに接するように配置されている。各平坦化突起ＦＣの平坦面（平坦化突起ＦＣの先端面）が連続し、実質的な平坦面を形成している。従って、各平坦化突起間に形成される凹部に素体１０や保護膜１６が入り込むことは実質的にない。もっとも、全面に渡って完全に各平坦化突起ＦＣが接しているわけではなく、端子電極１２，１４が他の端子と接合する際の接合強度に実質的な影響を与えない範囲で、平坦化突起ＦＣ同士が離隔している場合もある。
【００３４】
本実施形態においては平坦化突起ＦＣを互いに接するように形成することによって実質的な平坦面を形成したけれども、実質的な平坦面を形成することが可能であれば、実施形態は上述したものに限られない。例えば、切削又は研削するなどして平坦化しても構わない。
【００３５】
本実施形態の第１の変形例を図２に示す。図２の（ａ）は、第１の変形例であるＰＴＣ素子２の平面図であり、図２の（ｂ）は、ＰＴＣ素子２の端部近傍（図２の（ａ）のＩＩ−ＩＩ）における断面図であり、図２の（ｃ）は、ＰＴＣ素子２の構成要素である端子電極２4の平面図である。ＰＴＣ素子２は、一対の端子電極２２，２４と、素体１０ａと、保護膜２６とを備えている。
【００３６】
一対の端子電極２２，２４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極２２，２４それぞれは、第１の部分２２ａ，２４ａと、第２の部分２２ｂ，２４ｂとを備えている。第２の部分２２ｂ，２４ｂは、第１の部分２２ａ，２４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分２２ｂ，２４ｂは、第１の部分２２ａ，２４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極２２，２４は、第１の部分２２ａ，２４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分２２ａ，２４ａの間には素体１０ａが配置されているので、一対の端子電極２２，２４はそれぞれの向き合う面で素体１０ａを挟んでいる。従って、一対の端子電極２２，２４にはそれぞれ、素体１０ａと重なる重複領域２２１，２４１と、素体１０ａと重ならない非重複領域２２２，２４２とが形成されている。
【００３７】
端子電極２２，２４それぞれの非重複領域２２２，２４２に、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈが形成されている。
【００３８】
切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄは端子電極２４の非重複領域２４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。切欠き１８ａ，１８ｂは、端子電極２４の第１の部分２４ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２４ｂが延びる辺に沿って形成されている。切欠き１８ｂ，１８ｃは、端子電極２４の第１の部分２４ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２４ｂが延びる辺と対向する辺に沿って形成されている。
【００３９】
切欠き１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈは端子電極２２の非重複領域２２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。切欠き１８ｅ，１８ｈは、端子電極２２の第１の部分２２ａにおいて、第２の部分２４ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２２ｂが延びる辺に沿って形成されている。切欠き１８ｆ、１８ｇは、端子電極２２の第１の部分２２ａにおいて、第２の部分２２ｂが延びる辺と隣接する２辺それぞれから、第２の部分２２ｂが延びる辺と対向する辺に沿って形成されている。
【００４０】
図２の（ａ）における平面視方向においては、切欠き１８ａと切欠き１８ｅとが、切欠き１８ｂと切欠き１８ｆとが、切欠き１８ｃと切欠き１８ｇとが、切欠き１８ｄと切欠き１８ｈとが、それぞれ対応する位置に重なり合うように形成されている。
【００４１】
素体１０ａは、端子電極２２と端子電極２４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ａの周囲には、端子電極２２と端子電極２４とが互いに重なりあうが、素体１０ａとは重ならない非重複領域２２２，２４２が形成されている。素体１０ａは一対の端子電極２２，２４に加圧・加熱して圧着されている。
【００４２】
保護膜２６は、素体１０ａが端子電極２２，２４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ａが端子電極２２，２４に圧着されていない面は４面あり、保護膜２６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００４３】
保護膜２６は、アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈを含んでいる。アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを通って端子電極２２，２４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００４４】
アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを覆うように形成されている。従って、切欠き１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈを介して、アンカー保護膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈそれぞれのアンカー効果により、保護膜２６全体が端子電極２２，２４を挟み込むように形成され、端子電極２２，２４と保護膜２６とが固定されている。
【００４５】
尚、素体１０ａ、保護膜２６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００４６】
本実施形態の第２の変形例を図３に示す。図３の（ａ）は、第２の変形例であるＰＴＣ素子３の平面図であり、図３の（ｂ）は、ＰＴＣ素子３の端部近傍（図３の（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ）における断面図であり、図３の（ｃ）は、ＰＴＣ素子３の構成要素である端子電極３４の平面図である。ＰＴＣ素子３は、一対の端子電極３２，３４と、素体１０ｂと、保護膜３６とを備えている。
【００４７】
一対の端子電極３２，３４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極３２，３４それぞれは、第１の部分３２ａ，３４ａと、第２の部分３２ｂ，３４ｂとを備えている。第２の部分３２ｂ，３４ｂは、第１の部分３２ａ，３４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分３２ｂ，３４ｂは、第１の部分３２ａ，３４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極３２，３４は、第１の部分３２ａ，３４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分３２ａ，３４ａの間には素体１０ｂが配置されているので、一対の端子電極３２，３４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｂを挟んでいる。従って、一対の端子電極３２，３４にはそれぞれ、素体１０ｂと重なる重複領域３２１，３４１と、素体１０ｂと重ならない非重複領域３２２，３４２とが形成されている。
【００４８】
端子電極３２，３４それぞれの非重複領域３２２，３４２に、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇが形成されている。
【００４９】
貫通孔１９ａ，１９ｄ及び切欠き１９ｂ，１９ｃは端子電極３４の非重複領域３４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔１９ａ，１９ｄは、端子電極３４の第１の部分３４ａであって、第２の部分３４ｂが延びる辺の近傍に形成されている。貫通孔１９ａ，１９ｄは、第２の部分３４ｂよりも外側にそれぞれ形成されている。切欠き１９ｂ，１９ｃは、端子電極３４の第１の部分３４ａにおいて、第２の部分３４ｂが延びる辺と対向する辺から、第２の部分３４ｂが延びる辺と隣接する辺に沿って形成されている。
【００５０】
貫通孔１９ｆ，１９ｇ及び切欠き１９ｅ，１９ｈは端子電極３２の非重複領域３２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔１９ｆ，１９ｇは、端子電極３２の第１の部分３２ａであって、第２の部分３２ｂが延びる辺の近傍に形成されている。貫通孔１９ｆ，１９ｇは、第２の部分３２ｂよりも外側にそれぞれ形成されている。切欠き１９ｅ，１９ｈは、端子電極３２の第１の部分３２ａであって、第２の部分３２ｂが延びる辺と対向する辺から、第２の部分３２ｂが延びる辺と隣接する辺に沿って形成されている。
【００５１】
図３の（ａ）における平面視方向においては、貫通孔１９ａ，１９ｄと切欠き１９ｅ，１９ｈとが、切欠き１９ｂ、１９ｃと貫通孔１９ｆ，１９ｇとが、それぞれ対応する位置に形成されている。
【００５２】
素体１０ｂは、端子電極３２と端子電極３４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｂの周囲には、端子電極３２と端子電極３４とが互いに重なりあうが、素体１０ｂとは重ならない非重複領域３２２，３４２が形成されている。素体１０ｂは一対の端子電極３２，３４に加圧・加熱して圧着されている。
【００５３】
保護膜３６は、素体１０ｂが端子電極３２，３４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｂが端子電極３２，３４に圧着されていない面は４面あり、保護膜３６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００５４】
保護膜３６は、アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈを含んでいる。アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈは、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを通って端子電極３２，３４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００５５】
アンカー保護膜３６ａ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｈは、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈを覆うように形成されている。アンカー保護膜３６ｂ，３６ｃ，３６ｆ，３６ｇは、切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを覆うように形成されている。従って、貫通孔１９ａ，１９ｄ，１９ｅ，１９ｈ及び切欠き１９ｂ，１９ｃ，１９ｆ，１９ｇを介して、アンカー保護膜３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ，３６ｈそれぞれのアンカー効果により、保護膜３６全体が端子電極３２，３４を挟み込むように形成され、端子電極３２，３４と保護膜３６とが固定されている。
【００５６】
尚、素体１０ｂ、保護膜３６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００５７】
本実施形態の第３の変形例を図４に示す。図４の（ａ）は、第３の変形例であるＰＴＣ素子４の平面図であり、図４の（ｂ）は、ＰＴＣ素子４の中央近傍（図４の（ａ）のＩＶ−ＩＶ）における断面図であり、図４の（ｃ）は、ＰＴＣ素子４の構成要素である端子電極４4の平面図である。ＰＴＣ素子４は、一対の端子電極４２，４４と、素体１０ｃと、保護膜４６とを備えている。
【００５８】
一対の端子電極４２，４４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極４２，４４それぞれは、第１の部分４２ａ，４４ａと、第２の部分４２ｂ，４４ｂとを備えている。第２の部分４２ｂ，４４ｂは、第１の部分４２ａ，４４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分４２ｂ，４４ｂは、第１の部分４２ａ，４４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極４２，４４は、第１の部分４２ａ，４４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分４２ａ，４４ａの間には素体１０ｃが配置されているので、一対の端子電極４２，４４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｃを挟んでいる。従って、一対の端子電極４２，４４にはそれぞれ、素体１０ｃと重なる重複領域４２１，４４１と、素体１０ｃと重ならない非重複領域４２２，４４２とが形成されている。
【００５９】
端子電極４２，４４それぞれの非重複領域４２２，４４２に、貫通孔２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００６０】
貫通孔２０ａは、端子電極４４の非重複領域４４２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔２０ａは、端子電極４４の第１の部分４４ａであって、第２の部分４４ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。
【００６１】
貫通孔２０ｂは、端子電極４２の非重複領域４２２に含まれる剥離抑制領域に形成されている。貫通孔２０ｂは、端子電極４２の第１の部分４２ａであって、第２の部分４２ｂが延びる辺の略中央近傍に形成されている。
【００６２】
従って、第３の変形例は非重複領域４２２，４４２の、第２の部分４２ｂ、４４ｂが延びる辺側にのみ貫通孔２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００６３】
素体１０ｃは、端子電極４２と端子電極４４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｃの周囲には、端子電極４２と端子電極４４とが互いに重なりあうが、素体１０ｃとは重ならない非重複領域４２２，４４２が形成されている。素体１０ｃは一対の端子電極４２，４４に加圧・加熱して圧着されている。
【００６４】
保護膜４６は、素体１０ｃが端子電極４２，４４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｃが端子電極４２，４４に圧着されていない面は４面あり、保護膜４６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００６５】
保護膜４６は、アンカー保護膜４６ａ，４６ｂを含んでいる。アンカー保護膜４６ａ，４６ｂは、貫通孔２０ａ，２０ｂを通って端子電極４２，４４の反対面まで回り込んでいる部分である。
【００６６】
アンカー保護膜４６ａ，４６ｂは、貫通孔２０ａ，２０ｂを覆うように形成されている。従って、貫通孔２０ａ，２０ｂを介して、アンカー保護膜４６ａ，４６ｂそれぞれのアンカー効果により、保護膜４６全体が端子電極４２，４４を挟み込むように形成され、端子電極４２，４４と保護膜４６とが固定されている。
【００６７】
尚、素体１０ｃ、保護膜４６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００６８】
引き続いて、本実施形態のＰＴＣ素子１，２，３，４における保護膜１６，２６，３６，４６の剥離防止効果について説明する。比較の対象としては、図５に示すＰＴＣ素子５を用いる。
【００６９】
ＰＴＣ素子５は、一対の端子電極５２，５４と、素体１０ｄと、保護膜５６とを備えている。
【００７０】
一対の端子電極５２，５４は、厚みが０．１ｍｍ程度のＮｉ又はＮｉ合金である。端子電極５２，５４それぞれは、第１の部分５２ａ，５４ａと、第２の部分５２ｂ，５４ｂとを備えている。第２の部分５２ｂ，５４ｂは、第１の部分５２ａ，５４ａの一つの辺の略中央部分から延びるように形成されている。第２の部分５２ｂ，５４ｂは、第１の部分５２ａ，５４ａよりも幅が狭くなるように形成されている。一対の端子電極５２，５４は、第１の部分５２ａ，５４ａが対向するように配置されている。その対向している第１の部分５２ａ，５４ａの間には素体１０ｄが配置されているので、一対の端子電極５２，５４はそれぞれの向き合う面で素体１０ｄを挟んでいる。従って、一対の端子電極５２，５４にはそれぞれ、素体１０ｄと重なる重複領域５２１，５４１と、素体１０ｄと重ならない非重複領域５２２，５４２とが形成されている。
【００７１】
素体１０ｄは、端子電極５２と端子電極５４とが互いに重なりあう部分よりも小さくなるように形成されている。従って、素体１０ｄの周囲には、端子電極５２と端子電極５４とが互いに重なりあうが、素体１０ｄとは重ならない非重複領域５２２，５４２が形成されている。素体１０ｄは一対の端子電極５２，５４に加圧・加熱して圧着されている。
【００７２】
保護膜５６は、素体１０ｄが端子電極５２，５４に圧着されていない部分を覆うように配置されている。素体１０ｄが端子電極５２，５４に圧着されていない面は４面あり、保護膜５６はそれぞれその４面に沿って配置されている。
【００７３】
尚、素体１０ｄ、保護膜５６の組成等は既に説明した素体１０、保護膜１６と同様であるのでその説明を省略する。
【００７４】
端子電極５２，５４それぞれが素体１０ｄを挟む面には、アンカー突起ＡＣ及び平坦化突起ＦＣがそれぞれ複数形成されている。
【００７５】
アンカー突起ＡＣは、重複領域５２１，５４１のみに形成されている。平坦化突起ＦＣは非重複領域５２２，５４２に形成されている。
【００７６】
上述したＰＴＣ素子１，２，３，４，５について、端子電極の剥離試験を行った結果を図６に示す。図６は、ＰＴＣ素子１，２，３，４，５それぞれの端子電極を素体から垂直に引き離した場合の保護膜の剥離強度を示している。
【００７７】
図６に示すように、本実施形態に係るＰＴＣ素子１，２，３，４は、ＰＴＣ素子５に比較して剥離強度が高くなっている。具体的には、ＰＴＣ素子５の剥離強度はサンプル数５で、２．７５Ｎ〜７．１６Ｎ、平均値が４．６３Ｎである。ＰＴＣ素子１の剥離強度はサンプル数５で、７．４５Ｎ〜１３．１４Ｎ、平均値が１０．４９Ｎである。ＰＴＣ素子２の剥離強度はサンプル数５で、９．０８Ｎ〜１３．２８Ｎ、平均値が１０．９７Ｎである。ＰＴＣ素子３の剥離強度はサンプル数５で、７．６５Ｎ〜１４．７１Ｎ、平均値が１１．０２Ｎである。ＰＴＣ素子４の剥離強度はサンプル数５で、６．５４Ｎ〜７．４５Ｎである。
【００７８】
これは、保護膜１６，２６，３６，４６にアンカー突起ＡＣが食い込んでいると、剥離強度が上昇するためである。また、保護膜１６，２６，３６，４６は、端子電極１２，２２，３２，４２と端子電極１４，２４，３４，４４とに挟まれているので、更に剥離強度が上昇するためである。また、保護膜１６，２６，３６，４６が、貫通孔１７ａ〜１７ｄ、切欠き１８ａ〜１８ｈ、貫通孔１９ａ〜１９ｄ及び切欠き１９ｅ〜１９ｈ、貫通孔２０ａ，２０ｂをそれぞれ通って端子電極１２，１４，２２，２４，３２，３４，４２，４４の反対面に回り込んで挟み込んでいるので、更に剥離強度が上昇するためである。
【００７９】
引き続いて、上述したＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法について説明する。ＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法は、素体準備工程と、端子準備工程と、平坦化工程と、熱圧着工程と、保護膜形成工程と、を備えている。尚、ＰＴＣ素子１，２，３，４の製造方法は、貫通孔１７ａ〜１７ｄ、切欠き１８ａ〜１８ｈ、貫通孔１９ａ〜１９ｄ及び切欠き１９ｅ〜１９ｈ、貫通孔２０ａ及び２０ｂの形成以外は基本的に同じであるため、ＰＴＣ素子１で代表して説明する。
【００８０】
素体準備工程では、素体１０となる素体素材を作製して準備する。まず、導電性フィラーとなるＮｉ粉と、母材樹脂となるポリエチレンとを混錬してブロックを形成する。このブロックを円盤状にプレスし、カットして素体素材を得る。
【００８１】
続く端子準備工程では、端子電極１２，１４となる金属板を作成して準備する。端子電極１２，１４が素体１０を挟む面には、アンカー突起ＡＣが形成されている。アンカー突起ＡＣは、上述した節瘤状の突起が連続して形成されたものである。尚、端子電極１２には貫通孔１６ｃ，１６ｄが、端子電極１４には貫通孔１６ａ，１６ｄがそれぞれ形成されているものを準備する。
【００８２】
平坦化工程では、上述したように必要な領域においてアンカー突起ＡＣを押しつぶして平坦化し、平坦化突起ＦＣとする。この場合のプレス移動量は、１０〜３５μｍであり、より好ましくは１０〜１５μｍである。
【００８３】
各平坦化突起ＦＣは、上述したように互いに接触して実質的に平坦化されている。端子電極の厚みからみると、アンカー突起ＡＣが形成されている領域の平均厚みよりも、平坦化突起ＦＣが形成されている領域の平均厚みは薄くなっている。尚、平均厚みは、所定面積を打ち抜いた試料を作り、その質量及び比重から求めることができる。
【００８４】
例えば本実施形態であるＰＴＣ素子１の場合、平坦化後の厚みは、重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域（アンカー突起ＡＣが形成されている領域）を含む非重複領域１２２，１４２が６０〜１４０μｍ、剥離抑制領域（アンカー突起ＡＣが形成されている領域）を除く非重複領域１２２，１４２が５０〜１２０μｍであることが好ましい。この場合、アンカー突起ＡＣの平均高さは５〜４０μｍである。また、平坦化後の厚みは、重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域を含む非重複領域１２２，１４２が９５〜１００μｍ、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２が８０〜９０μｍであることがより好ましい。この場合、アンカー突起ＡＣの平均高さは５〜２０μｍである。
【００８５】
重複領域１２１，１４１と剥離抑制領域を含む非重複領域１２２，１４２の厚みが１４０μｍよりも厚くなると、端子電極１２，１４が厚くなり過ぎてしまい、素体１０と端子電極１２，１４との熱圧着が不十分となり、素体１０と端子電極１２，１４との接続強度が弱くなる。従って、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２の厚みは、平坦化を考慮して１２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００８６】
また、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２の厚みが５０μｍよりも薄くなると端子電極１２，１４自体の強度が低下し、剥離抑制領域を除く非重複領域１２２，１４２において折れ曲がってしまうなど製造工程時及び製品後の取り扱いが困難になる。従って、重複領域１２１，１４１の厚みは、非重複領域１２２，１４２の平坦化を考慮して６０μｍ以上とすることが好ましい。
【００８７】
また、アンカー突起ＡＣの平均高さが５μｍよりも低いと、素体１０と端子電極１２，１４との間におけるアンカー効果を十分に発揮できず、素体１０と端子電極１２，１４との接続強度が弱くなる。また、アンカー突起ＡＣの平均高さが４０μｍよりも高いと、アンカー突起ＡＣ自体の強度が低下し、素体１０との熱圧着時にアンカー突起ＡＣが端子電極１２，１４から脱落する。
【００８８】
熱圧着工程では、一対の端子電極１２，１４それぞれにおける重複領域１２１，１４１で素体素材（素体）を挟み込み、熱圧着によって一対の端子電極１２，１４と素体１０とを固定する。
【００８９】
保護膜形成工程では、保護膜１６を形成する。保護膜１６は、エポキシ樹脂とチオール系硬化剤とが反応して形成された硬化物層中に、その硬化物層よりも酸素透過性の低い材料からなるフィラーを分散して形成する。
【００９０】
尚、保護膜１６の形成においては、貫通孔１７ａ〜１７ｄ（他の変形例の貫通孔及び切欠きも、この貫通孔と同等である。）を通って保護膜１６を端子電極１２，１４の反対側に回り込ませてアンカー保護膜１６ａ〜１６ｄを形成する。また、保護膜１６を形成する際に、端子電極１２，１４に挟まれる部分に生じるエアは、貫通孔１７ａ〜１７ｄを通して抜くことができる。
【００９１】
本実施形態によれば、端子電極１２，１４の剥離抑制領域を除いた非重複領域１２２，１４２が平坦化されているので、他の端子と接合する際の接合強度を向上させることができる。また、剥離抑制領域が素体に隣接する非重複領域１２２，１４２に形成されており、また貫通孔１７ａ〜１７ｄを通って保護膜１６がアンカー形状となって端子電極１２，１４を固定しているので、素体１０を覆う保護膜１６の剥離を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本実施形態におけるＰＴＣ素子を示す平面図及び断面図である。
【図２】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第１の変形例を示す図である。
【図３】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第２の変形例を示す図である。
【図４】本実施形態におけるＰＴＣ素子の第３の変形例を示す図である。
【図５】本実施形態の比較例のＰＴＣ素子を示す図である。
【図６】本実施形態のＰＴＣ素子と比較例のＰＴＣ素子とを比較した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…ＰＴＣ素子、１２，１４…端子電極、１０…素体、１２１，１４１…重複領域、１２２，１４２…非重複領域、１６…保護膜、１７…貫通孔、１８…切欠き、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ…アンカー保護膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで圧着される一対のリード端子とを備えるＰＴＣ素子であって、
前記素体の前記一対のリード端子に圧着されていない部分を覆う保護膜を更に備え、
前記一対のリード端子はそれぞれ、前記素体と重なる重複領域と、前記素体と重ならない非重複領域とを有し、
前記一対のリード端子それぞれの重複領域には前記素体に食い込むアンカー突起が形成されており、
前記素体に隣接する前記非重複領域には貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成された剥離抑制領域を有し、
前記保護膜は前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通って前記リード端子の反対面まで形成されていると共に、少なくとも前記剥離抑制領域を除いた前記非重複領域においては前記アンカー突起が押しつぶされて平坦化されている、ＰＴＣ素子。
【請求項２】
前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は前記一対のリード端子が互いに重なりあう領域にそれぞれ形成されている、請求項１に記載のＰＴＣ素子。
【請求項３】
前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は、前記重複領域の両側に有する非重複領域の互いに重なり合う領域にそれぞれ形成されている、請求項２に記載のＰＴＣ素子。
【請求項１】
結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで圧着される一対のリード端子とを備えるＰＴＣ素子であって、
前記素体の前記一対のリード端子に圧着されていない部分を覆う保護膜を更に備え、
前記一対のリード端子はそれぞれ、前記素体と重なる重複領域と、前記素体と重ならない非重複領域とを有し、
前記一対のリード端子それぞれの重複領域には前記素体に食い込むアンカー突起が形成されており、
前記素体に隣接する前記非重複領域には貫通孔及び切欠きの少なくとも一方が形成された剥離抑制領域を有し、
前記保護膜は前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方を通って前記リード端子の反対面まで形成されていると共に、少なくとも前記剥離抑制領域を除いた前記非重複領域においては前記アンカー突起が押しつぶされて平坦化されている、ＰＴＣ素子。
【請求項２】
前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は前記一対のリード端子が互いに重なりあう領域にそれぞれ形成されている、請求項１に記載のＰＴＣ素子。
【請求項３】
前記貫通孔及び切欠きの少なくとも一方は、前記重複領域の両側に有する非重複領域の互いに重なり合う領域にそれぞれ形成されている、請求項２に記載のＰＴＣ素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−３０５８７０（Ｐ２００７−３０５８７０Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３４１１８（Ｐ２００６−１３４１１８）
【出願日】平成１８年５月１２日（２００６．５．１２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１２日（２００６．５．１２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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