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Fターム[5E034DE01]の内容

Fターム[5E034DE01]に分類される特許

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【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを2つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、2000〜9000V/mmの電位勾配及び21.5〜55の非線形係数(α)を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 (もっと読む)


【課題】マトリックス樹脂中に充填剤を均一に分散させ、良好な非直線抵抗特性が得られる非直線抵抗材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の非直線抵抗材料10は、エポキシ樹脂およびこのエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤からなるマトリックス樹脂40を備える。非直線抵抗材料10は、さらに、このマトリックス樹脂40に分散して含有され、非直線抵抗性を有し、ZnOを主成分とする焼結体からなる粒子で構成される第1の充填剤20と、マトリックス樹脂40に分散して含有され、半導電性材料の粒子で構成される第2の充填剤30とを具備する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗化が図れるとともに、非直線抵抗特性、サージ耐量および課電寿命特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電流−電圧非直線抵抗体10は、酸化亜鉛を主成分とする混合物の焼結体を備え、混合物が、アンチモンをSbに換算して0.2〜0.8mol%、コバルトをCoに換算して0.2〜1.5mol%、マンガンをMnOに換算して0.1〜1mol%、ニッケルをNiOに換算して0.3〜2mol%を含み、かつビスマスを、ビスマスのアンチモンに対するmol%相対比が、それぞれの酸化物に換算して、1.5≦Bi/Sb≦4.5の関係を満たすように含み、焼結体20中の酸化亜鉛粒子の平均粒径が25μm以上であり、かつ焼結体20中の酸化亜鉛粒子の粒度分布に基づく標準偏差が酸化亜鉛粒子の平均粒径の20%以下である。 (もっと読む)


【課題】抵抗値のバラツキが少ないPTC素子を提供すること。
【解決手段】第1および第2電極板10および12で覆われていない素子本体4の外周面に、幅が0.02mm以上で深さが0.05mm以上の凹部4aを、少なくとも一つ以上形成してあるポリマーPTC素子。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、絶縁基板上に形成した厚膜素子により低静電容量化するとともに、性能のばらつきがなく、高速通信に必要な高周波帯域でも通信品質に影響を与えることなく十分な静電対策が可能な静電気保護素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板14上の中央部に位置した中間電極12と、中間電極12に積層された静電気吸収体16と、静電気吸収体16を挟んで中間電極12に各々対向した対をなす端部電極17,18を有する。端部電極17,18及び静電気吸収体16を覆った絶縁体の保持層20を備える。対をなす端部電極17,18の互いに対向する端部間の間隔Gは、端部電極17,18と中間電極12間の静電気吸収体16の膜厚tよりも大きい。中間電極12若しくは対をなす端部電極17,18と静電気吸収体16との間に、絶縁体のガラス若しくはセラミックスの中間層20を備える。 (もっと読む)


【課題】インパルス耐量特性に優れ、且つ特性のバラツキを低減することができる酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化アンチモンと、酸化コバルトまたは酸化マンガンと、酸化クロムと、ホウ酸と、二酸化ケイ素と、酸化アルミニウムと、を含むバリスタ原料を準備し、バリスタ原料に分散剤を加えてスラリーを作成し、スラリーを用いてグリーンシートを作成し、グリーンシートを積層してグリーンチップを作成し、グリーンチップを、所定温度まで加熱して焼成する酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法であって、焼成は、400℃/hr以上の昇温速度で、所定温度まで昇温させる。分散剤として、α−オレフィンと無水マレイン酸の共重合体を用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】BaTiO−(Bi1/2Na1/2)TiO系材料のジャンプ特性を向上させる。
【解決手段】BaTiOのBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、(BaQ)TiO仮焼粉(Qは半導体化元素)を用意する工程、(BiNa)TiO仮焼粉を用意する工程、前記(BaQ)TiO仮焼粉及び前記(BiNa)TiO仮焼粉を混合する工程、混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、得られた焼結体を600℃以下で熱処理する工程、前記工程で作製した素子を用いたPTCヒータを含む。 (もっと読む)


【課題】炭素系材料の充填量を変えることなく変化倍率を向上させ、かつ柔軟性をも付与した高分子抵抗体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】高分子抵抗体は、主成分が反応性樹脂を介して架橋された樹脂組成物と炭素系材料とを有し、常温で液状物質を10wt%以上含有したものである。これにより、炭素系材料の充填量を変えることなく変化倍率を向上させ、かつ柔軟性をも付与させることができる。液状物質としては、リン酸エステル系化合物、シリコン系化合物などがかんがえられるものである。 (もっと読む)


【課題】広い組成範囲において、良好なB定数を維持しつつ、高温高湿使用下の抵抗変化率が小さく、しかも高温下(たとえば、120℃以上)の油中における抵抗変化率をも小さくすることができるサーミスタ用組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、マンガン酸化物を、Mn元素換算で、25〜70モル%、ニッケル酸化物を、Ni元素換算で、0.1〜70モル%、コバルト酸化物を、Co元素換算で、1〜70モル%含有し、前記主成分100重量%に対して、鉄酸化物を、Fe換算で、0.1〜10重量%、ジルコニウム酸化物を、ZrO換算で、0.1〜5重量%(ただし、5重量%は除く)含有することを特徴とするサーミスタ用組成物。
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【課題】 サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法において、1100℃付近の高温でも抵抗値変化が小さい特性を得ること。
【解決手段】 サーミスタに用いられる金属酸化物焼結体であって、一般式:(1−z)La1−y(Cr1−xMn)O+zMgO(ただし、0.0<x<1.0、0.0≦y≦0.2、0.0<z≦0.8)で示される複合酸化物を含む。また、サーミスタ素子3が、このサーミスタ用金属酸化物焼結体2と、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に一端が固定された一対のリード線1と、を有する。 (もっと読む)


【課題】還元雰囲気下600℃超の高温度領域で、正確に温度測定の可能な、特性変動の抑制されたサーミスタ素子、及びこのサーミスタ素子を用いた温度センサを提供すること。
【解決手段】サーミスタ組成物からなるサーミスタ部と、その表面を被覆する被覆層とを備えるサーミスタ素子であって、前記サーミスタ部は、ペロブスカイト型結晶構造の導電性ペロブスカイト相を含み、前記被覆層は、SiO10〜25質量%、アルカリ土類金属の酸化物15〜30質量%、TiO15〜30質量%、ZnO10〜25質量%及びRE(但し、REは希土類金属元素を示す。)15〜30質量%を含有し、B無含有である結晶化ガラスであることを特徴とするサーミスタ素子、及びこれを有する温度センサ。 (もっと読む)


【課題】高密度実装が可能であり、優れたバリスタ特性を有しつつ抵抗のバラつきが十分に低減されたバリスタを提供すること。
【解決手段】バリスタ1は、バリスタ素体10と、バリスタ素体10の一方の主面上に一対の外部電極30a,30bと、当該主面上に抵抗体60とを備え、抵抗体60は一対の外部電極30a,30bを連結するように設けられている。バリスタ素体10は、主成分として酸化亜鉛、副成分としてCa酸化物とSi酸化物と希土類金属の酸化物とを含んでおり、主成分100モルに対するCa酸化物のCa原子換算の比率Xが2〜80原子%、主成分100モルに対するSi酸化物のSi原子換算の比率Yは1〜40原子%、X/Yは下記式(1)を満たし、外部電極及び抵抗体は、酸化ビスマス及び酸化銅とは異なる酸化物を含む。
1≦X/Y<3 (1) (もっと読む)


【課題】抵抗値が増大した後に室温に復帰する場合に低い抵抗値を得ることのできる過電流保護素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の導電性微粒子2を分散させて含有する高分子マトリクス1を一対の電極箔3の間に挟持して使用する素子であって、高分子マトリクス1中に有機金属化合物を含有する。有機金属化合物は、モノアゾ金属化合物、アセチルアセトン金属化合物、芳香族ハイドロキシルカルボン酸系の金属化合物のいずれかとする。導電性微粒子2及び有機金属化合物を加熱混合した後、高分子マトリクス1を加えて加熱混合するので、抵抗値が増大した後に室温に復帰する場合に、導電性微粒子2同士の距離に微妙なズレが生じ、通電に影響する電子のやり取りが加熱前と変化することが実に少ない。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、基板上に厚膜素子として製造することができ、低静電容量化が可能であり、高速通信に必要な高周波帯域でも通信品質に影響を与えることなく十分な静電対策が可能な静電気保護素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ZnOを主成分とし、MnまたはCoから成る材料を混合し、Bi・Sb・Si・Ca・Ba・TiまたはAlからなる組成物或いはそれらの化合物を混合し、熱処理してこれらの組成物の合成粉を形成する。その合成粉を粉砕装置によりさらに細かく微粉砕し、その粉末と有機成分からなるビヒクルと混合・混練し、厚膜印刷用ペーストを形成する。厚膜印刷用ペーストを絶縁基板上に印刷して静電気保護用の機能膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】製造工数や製造コストの増加を招くことなく、めっき処理を施す際にめっき伸びが発生するのを防ぐことが可能な電子部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品(積層型チップバリスタ1)は、セラミック素体10と、セラミック素体10の表面における所定の領域に、導電性粉末及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層(第1の金属電極層32)と、導電性ペーストに含まれるガラス粉末に由来するガラス物質からなり、所定の領域外のセラミック素体10の表面上に焼付け電極層の縁から伸びて形成されたガラス層40と、焼付け電極層上に形成されためっき電極層(第2及び第3の金属電極層34,36)と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】温度に対して出力電圧が直線的に変化し得る特性を有するサーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】サーミスタ素子1は、素体3と、素体3の外表面に配置された端子電極5,7とを備えている。素体3は、第1のB定数を有する第1の領域3aと、第1のB定数より大きい第2のB定数を有する第2の領域3bと、を含んでいる。第2の領域3bは、素体3の内部に位置しており、第1の領域3aにより囲まれている。第2の領域3bは、素体3の外表面に露出していない。第1の領域3aは、ペロブスカイト構造を有するCaMnOにおけるMnの一部がTiで置換されてなるCa(MnTi)Oを主成分として含有している。第2の領域3bは、MnとCoとの酸化物(例えば、MnCoO等)を主成分として含有している。 (もっと読む)


【課題】定常時の抵抗値が十分に低く、大きな抵抗変化幅を有し、かつ熱的に安定なPTCサーミスタ材料を提供するものである。
【解決手段】
SiO−PbO−B系ガラスまたはB−ZnO−PbO系ガラスに、溶融によって体積減少する平均粒子径0.5〜500μmのBi金属および/またはその合金の少なくとも一種を10〜90重量%含有するように調整・混合し、その混合粉を加圧・成形し、得られた成形体を400〜450℃で加熱することを特徴とする複合材料の製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】電流−電圧非直線特性、寿命特性およびサージエネルギー耐量に優れると共に、高温下での熱安定性を向上させた、過電圧保護装置の小型化に寄与可能な電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】主成分としてZnOを95mol%以上含んだ焼結体1は、副成分としてBi、Sb、Co、Mn、Niを、それぞれBi、Sb、Co、MnOおよびNiOに換算して、Biを0.3〜1mol%、Sbを0.5〜2.5mol%、Coを0.3〜1.5mol%、MnOを0.2〜2mol%、NiOを0.5〜3mol%含んでいる。また、MnOに対するNiOの含有量の比は2.0〜6.0、MnOに対するSbの含有量の比は1.5〜4.0である。 (もっと読む)


【課題】 避雷器内蔵型電気機器の機器ケース内でのリード線引き回しによる配線自由度に優れた避雷器の提供。
【解決手段】 避雷器内蔵型電気機器の機器ケース内の絶縁油中に浸漬される避雷器20で、非直線抵抗素子である円筒状の酸化亜鉛素子21の両端部に第一導体30と第二導体40を配置し、酸化亜鉛素子21の貫通孔22に非接触で導電軸体60を挿通する。導電軸体60はその片端部で第二導体40に取り付けられ、他端部が絶縁部材50を介在させて第一導体30に絶縁された状態でねじ止め等の方法で取り付けられている。第一導体30と、導電軸体60の第一導体側の端部を電極端子として使用可能にする。 (もっと読む)


【課題】リニア温度幅が広く、かつ消費電流が小さいサーミスタを提供。
【解決手段】絶縁性の基体11と、この基体11の表面に設けられた少なくとも一対の電極12a1,12a2と、この基体11の表面に形成され電極に接続されたサーミスタ膜13とを有し、サーミスタ膜はB定数が1500K以上2200K以下のサーミスタ組成物からなり、サーミスタ膜にはトリミングが施されてトリミング溝14が形成されているものである。従って、リニア温度幅が70℃以上と広く、かつ消費電流が100μAより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを提供することができる。 (もっと読む)


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