ＳＡＷ共振片
【課題】ＳＡＷ共振片を提供する。
【解決手段】圧電基板１２と、前記圧電基板１２上に形成され、電極指２０、２４を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極１６と、前記圧電基板１２上に形成され、前記一対の入出力電極１６を挟んで両側に位置する反射器２６と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子１４及び第２ＳＡＷ素子３０を有するＳＡＷ共振片１０であって前記第２ＳＡＷ素子３０の電極指３６および反射器３５の電極指３７の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子１４のそれより狭くするとともに、各ＳＡＷ素子の入出力電極１６、３１の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されてなる。
【解決手段】圧電基板１２と、前記圧電基板１２上に形成され、電極指２０、２４を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極１６と、前記圧電基板１２上に形成され、前記一対の入出力電極１６を挟んで両側に位置する反射器２６と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子１４及び第２ＳＡＷ素子３０を有するＳＡＷ共振片１０であって前記第２ＳＡＷ素子３０の電極指３６および反射器３５の電極指３７の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子１４のそれより狭くするとともに、各ＳＡＷ素子の入出力電極１６、３１の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されてなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ共振片に関し、特に一枚の圧電基板に複数のＳＡＷ素子を搭載したＳＡＷ共振片の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信環境の過密化や複雑化に伴い、不要波除去を目的とした表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）フィルタにも多機能化や高機能化が求められている。代表例として、マルチバンドＳＡＷフィルタや、ＳＡＷデュープレクサがある。この場合、複数のＳＡＷ素子を用いたＳＡＷデバイスの小型化を図るため、一枚の圧電基板上に複数のＳＡＷ素子を配設することが行われる。特許文献１において圧電基板上にＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異ならせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷフィルタが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一方で、発振を目的としたＳＡＷ共振子等のＳＡＷデバイスについても、その小型化を目的として、近い共振周波数を持った互いに並列に接続されたＳＡＷ素子を一枚の圧電基板上に形成するとともにＳＡＷ素子の入力側もしくは出力側を接続して共通化する場合がある。
【０００４】
しかし、この場合各ＳＡＷ素子は独立した周波数特性を有するのではなく、他のＳＡＷ素子の周波数特性の影響を受ける場合がある。特に、発振を目的としたＳＡＷ共振子の場合、ＳＡＷフィルタとは異なり、わずかなスプリアス応答がその周波数配置によっては異常発振につながる虞がある。
【０００５】
図６にＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図を示す。ＳＡＷ素子２００は図６に示すように、反射器２０６との間で、電極指２０４を互いに交差させた態様の一対の入出力電極２０２により弾性表面波を発生させているが、入出力電極の交差幅を大きくすると、弾性表面波の伝播方向と垂直にエネルギーが分布するモード（横モード）の共振が発生し、この横モードの共振によりスプリアスが発生する。即ち図６に示す構造では入出力電極２０２の電極指２０４の交差幅ａの方向（ｘ方向）に１次の横モードのみならず、２次以上の高次横モードの振動エネルギーが閉じ込められている（図６の波形参照）。ここで、１次の横モードは主応答となるのに対し、２次以上はスプリアスとなる。そして、高次横モードの中で２次の横モードにおける振動エネルギーは、入出力電極２０２で電気的に相殺されるが、３次の横モードによる振動エネルギーは電気的に相殺されることはなく、すなわち、偶数次の横モードは相殺され、奇数次の横モードはスプリアスとして表れる。
【０００６】
よって、一方のＳＡＷ素子の基本波の周波数が、他方のＳＡＷ素子のスプリアスの周波数より若干高い程度の周波数を有する場合は、前記一方のＳＡＷ素子は前記スプリアスの周波数で発振するいわゆる異常発振を起こす虞がある。
【０００７】
そこで本発明は上記問題に着目し、同一基板に配置して互いに接続された複数のＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片において、小型化が可能であるとともにＳＡＷ素子の異常発振を抑制するＳＡＷ共振片を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、電極指を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極と、前記圧電基板上に形成され、前記一対の入出力電極を挟んで両側に位置する反射器と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片であって、前記第２ＳＡＷ素子の前記電極指の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子のそれより狭くするとともに、各ＳＡＷ素子の入出力電極の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されたことを特徴とするＳＡＷ共振片。
【０００９】
上記構成により、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子が、一つの圧電基板上に配置されるとともに、各ＳＡＷ素子が並列の接続され、小型化されたＳＡＷ共振片となる。さらに、第２ＳＡＷ素子の共振周波数は他方の弾性表面波素子の共振周波数よりも高い周波数を有するととともに、前記間隔を適切に設計することにより、第２ＳＡＷ素子の基本波が、第１ＳＡＷ素子のスプリアスの周波数に近づけることを回避し、第２ＳＡＷ素子の異常発振を回避することができる。
【００１０】
［適用例２］前記第１ＳＡＷ素子の基本波の周波数が、前記第２ＳＡＷ素子の高次横モードに起因するスプリアスの周波数より低いことを特徴とする適用例１に記載のＳＡＷ共振片。
これにより、第１ＳＡＷ素子の基本波は、第２ＳＡＷ素子のスプリアスの影響を受けることがなく、安定した周波数特性を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【００１２】
ダミー電極を配置することによって配置位置の振動を抑制することができるが、ダミー電極を配置する領域において、基本波の振動エネルギーの割合より、スプリアスの振動エネルギーの割合のほうが大きい。したがって、ダミー電極を配置することによって基本波よりもスプリアスの方が割合的に多く振動エネルギーを低減させることができるので、異常発振の原因となるスプリアスの発生を抑制することができる。
【００１３】
［適用例４］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
これにより、ＩＤＴ電極が、基本波の振動領域の外部で振動するスプリアスを励振することを防止し、第２ＳＡＷ素子の異常発振を抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子の前記ＩＤＴ電極の前記電極指および前記反射器の電極指は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、前記弾性表面波の伝播方向に対して互いに前記弾性表面波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有することを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【００１５】
これにより、第１ＳＡＷ素子、または第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子は１次を含む奇数次の横モードが相殺され、２次の横モードを基本波として発振することになる。よって４次の横モードから表れるスプリアスは相殺された３次の横モードより高周波に位置するため、前記スプリアスによる第２ＳＡＷ素子の異常発振を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係るＳＡＷ共振片を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１７】
第１実施形態に係るＳＡＷ共振片１０の平面図を図１に示す。
ＳＡＷ共振片１０は水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等で形成された矩形状の圧電基板１２により外形を有し、圧電基板１２上にＡｌ又はＡｌを主成分とした合金の金属膜を蒸着、スパッタ等によりＳＡＷ素子を形成するようにパターニングしたものである。さらにＳＡＷ共振片１０においては入力端子２８、出力端子３２（３３）等がパターニングされている。
【００１８】
第１ＳＡＷ素子１４は、弾性表面波を発生する入出力電極と、弾性表面波を反射する反射器２６とから構成されている。入出力電極は、等間隔に並べられた複数の電極指２０、２４からそれぞれ形成される第１ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１８、第２ＩＤＴ電極２２により構成される。及び弾性表面波を反射する反射器２６は電極指２０、２４と同一の間隔で並べられた電極指２８から構成されている。
【００１９】
第１ＳＡＷ素子１４において、グレーティング型の反射器２６は、互いに対向するように圧電基板１２上の長辺１２ａ方向に並べられて一対で配設されている。そして反射器２６との間に音響的に共振空洞が形成され、この空洞内に弾性表面波の定在波が発生する。この定在波と結合するように櫛型の第１ＩＤＴ電極１８、第２ＩＤＴ電極２２を配置すると第１ＳＡＷ素子１４となる。第１ＩＤＴ電極１８と第２ＩＤＴ電極２２は互いに電極指２０、２２を交差するような態様で、対向して配設されている。ここで、第１ＳＡＷ素子１４の共振周波数をｆ０その波長をλ０、弾性表面波の速度をＶとすると、λ０＝Ｖ／ｆ０となる。このため、反射器２６の電極指２８の間隔はλ０／２、各ＩＤＴ電極の電極指２０、２４の間隔はλ０としている。よって第１ＩＤＴ電極１８から抽出可能な表面弾性波の基本波と、第２ＩＤＴ電極２２から抽出可能な表面弾性波の基本波とは、互いに位相が反転した関係（位相差がπ）を有する。
【００２０】
第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４と同様の構成を有しており、図１においては第１ＳＡＷ素子１４の電極指２０、２４と、第２ＳＡＷ素子３０の電極指３６、３７（反射器３５の電極指）の間隔が同じ大きさに描かれているが、電極指３６、３７の間隔が第１ＳＡＷ素子１４の電極指２０、２４の間隔λ０より狭く設計されており、これは後述の実施形態においても同様である。よって第２ＳＡＷ素子３０の共振周波数ｆ１はｆ０より高くなっている。
【００２１】
そして第１ＳＡＷ素子１４の第１ＩＤＴ電極１８は第２ＳＡＷ素子３０の第１ＩＤＴ電極３２と対向しつつＴ型の接続電極３８を介して互いに接続されている。また第１ＳＡＷ素子１４の第２ＩＤＴ電極２２は接続電極４８を介して出力端子４０に接続され、第２ＳＡＷ素子３０の第２ＩＤＴ電極３４は接続電極５０を介して出力端子４２に接続されている。よって本実施形態においては第１ＳＡＷ素子１４の入出力電極１６と、第２ＳＡＷ素子３０の入出力電極３１とは、第１ＩＤＴ電極１８及び第１ＩＤＴ電極３２を介して互いに接続されている。
【００２２】
接続電極３８は、圧電基板１２の短辺１２ｂ方向で線対称となる位置に配置され、圧電基板１２の短辺方向１２ｂに延びる部分の端部がそれぞれ第１ＩＤＴ電極１８、第１ＩＤＴ電極３２に接続されている。一方圧電基板１２の長辺１２ａ方向に延びる接続電極３８の部分は、前記線対称となる位置に形成され、その端部に入力端子４６が配設されている。
【００２３】
上記構成によるＳＡＷ共振片１０の第１ＳＡＷ素子１４及び第２ＳＡＷ素子３０において、従来技術で説明したように（図６参照）基本波となる１次の横モードのほかに高周波側に奇数次モードに係るスプリアスが発生する。よって第１ＳＡＷ素子１４より高周波側に基本波をもつ第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４のスプリアスと周波数的に重なり得る。そして本実施形態のように第１ＳＡＷ素子１４と第２ＳＡＷ素子３０とが接続された場合は各ＳＡＷ素子は互いに周波数特性に影響を与える関係になるが、第１ＳＡＷ素子１４のスプリアスが、第２ＳＡＷ素子３０の基本波より低周波側であって近接する場合には本来の基本波の周波数のみならず前記スプリアスの周波数で発振を起こすいわゆる異常発振を起こす虞がある。
【００２４】
特に最も振幅の大きいスプリアスである３次の横モードが、第２ＳＡＷ素子３０の基本波より低周波側であって近接する場合は、異常発振を起こす虞が強くなる。ＳＡＷ素子の基本波の波長は入出力電極１６および反射器２６の電極指２０、２４、２８の間隔により決定されるため、この間隔を狭くするほど波長は短くなり共振周波数は高くなる。よって第２ＳＡＷ素子３０の基本波の共振周波数が第１ＳＡＷ素子１４の３次の横モードの周波数より低周波となるように調整すれば、第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４の３次の横モードに起因する異常発振を回避することができる。
【００２５】
なお、第１ＳＡＷ素子１４の基本波の周波数が、第２ＳＡＷ素子３０の高次横モード（３次の横モード）に起因するスプリアスの周波数より低い設計とすることにより、第１ＳＡＷ素子１４の基本波は、第２ＳＡＷ素子３０のスプリアスの影響を受けることがなく、安定した周波数特性を得ることができる。
以下において他の実施形態により異常発振を抑制する構成について述べる。
【００２６】
第２実施形態に係るＳＡＷ共振片７０、７０ａを図２、図３にそれぞれ示す。第２実施形態に係るＳＡＷ共振片７０は第１ＳＡＷ素子７２及び第２ＳＡＷ素子８８において、図２に示すように入出力電極７４にダミー電極が形成されている。即ち第１ＳＡＷ素子７２において第１ＩＤＴ電極７６の第２ＩＤＴ電極８２の電極指８４の端部と対向する位置にダミー電極８０が接続され、第２ＩＤＴ電極８２の第１ＩＤＴ電極７６の電極指７８と対向する位置にダミー電極８６が接続されている。なおダミー電極８０（ダミー電極８６）と電極指８４（電極指７８）との間に隙間８０ａ（隙間８６ａ）が形成されている。
【００２７】
ダミー電極８０（ダミー電極８６）は第１ＩＤＴ電極７６（第２ＩＤＴ電極８２）と接続されるため、その電位は常に第１ＩＤＴ電極７６（第２ＩＤＴ電極８２）と同じである。よってダミー電極８０、８６が配置された位置においては電位の変動は起こらないため、結果的に弾性表面波が発生する領域は、電極指７８、８４が交差した領域８７に制限される。ところで、図６に示すように、入出力電極において１次の横モード、及び３次の横モードの縦方向の電荷分布において３次の横モードの方が１次の横モードより電荷が大きくなる領域が存在する。よってダミー電極８０、８６の長さはこの領域８７の電極指の長手方向の長さに合わせて調整することにより、１次の横モードについて若干削減されるが、３次の横モードはさらに大きく削減することができる。したがって第１ＳＡＷ素子７２の３次の横モードに係るスプリアスにより、第２ＳＡＷ素子８８の異常発振を抑制することができる。
【００２８】
さらに第２実施形態においては、ダミー電極８０ｂ、８６ｂ及び電極指７８ｂ、８４ｂの長さを図３に示すように、電極指７８ｂ、８４ｂの交差幅を弾性表面波の伝播方向に沿って連続的に変化させ、第１ＳＡＷ素子７２ｂ、第２ＳＡＷ素子８８ａの基本波（１次の横モード）の振動領域８７ａの境界に合わせて調整したアポダイズ電極を形成したＳＡＷ共振片７０ａとすることができる。これにより電極指７８ｂ、８４ｂが交差する領域以外の部分は上述同様の理由により電位の変動は起きない。また１次の横モードは第１実施形態の場合においてもＩＤＴ電極全体で振動するのではなく、図３に示すように楕円状の振動領域８７ａで振動することが知られている。よってこの振動領域８７ａより外部において電極指を交差させても１次の横モードの振動エネルギーが大きくなることはなく、また本実施形態のようにアポダイズ電極を形成しても１次の横モードの振動エネルギーの損失が起きることはない。一方、３次の横モードはこの１次の横モードの振動領域８７ａより外側の領域で振動する成分を有するので、アポダイズ電極とすることにより３次の横モードに係るスプリアスの振動エネルギーを低下させ、スプリアスを効果的に削減することができる。
【００２９】
第３実施形態に係るＳＡＷ共振片９０を図４に示す。第３実施形態に係るＳＡＷ共振片９０は第１ＳＡＷ素子９２において（第２ＳＡＷ素子１０８も同様）図６に示すように、入出力電極９４、及び反射器１０４が波型の形状をしていることである（ＷＡＶＥ電極）。より具体的には、第１ＳＡＷ素子９２において、第１ＩＤＴ電極９６の電極指９８、第２ＩＤＴ電極１００の電極指１０２および反射器１０４の電極指１０６は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、弾性表面波の伝播方向に対して互いに弾性表面波の基本波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有している。
【００３０】
第１ＩＤＴ電極９６の電極指９８、及び第２ＩＤＴ電極１００の電極指１０２は、それぞれその一部が折り曲げられ、弾性表面波の伝播方向と直行する方向に分割して配置される直線部９８ａ、９８ｂ、１０２ａ、１０２ｂと、その両者を接続する接続部９８ｃ、１０２ｃからなる。直線部９８ａ（１０２ａ）と直線部９８ｂ（１０２ｂ）とは、弾性表面波の伝播方向に対して、弾性表面波の基本波の半波長分だけ離れた位置に配置されている。接続部９８ｃ、１０２ｃは、その長さができるだけ短いほうが良い。反射器１０４の電極指１０６は同様に、直線部１０６ａ、１０６ｂとその両者を接続する傾斜状の接続部１０６ｃとからなる。
【００３１】
従って電極指９８と電極指１０２との交差幅ａは直線部９８ａと直線部１０２ｂとが対向する部分に係る交差幅ｂ１と直線部９８ｂと直線部１０２ａとが対向する部分に係る交差幅ｂ２との和になる。
【００３２】
上記構成による第１ＳＡＷ素子９２の動作について説明する。例えば入力端子４６を介して第１ＩＤＴ電極９６に交流電圧が印加されると、圧電効果により圧電基板１２上で弾性表面波に変換される。この弾性表面波は各ＩＤＴ電極の電極指９８、１０２の長手方向に対して直交する方向に伝播され、第２ＩＤＴ電極１００まで伝播される。このように生じた弾性表面波は、反射器１０４で振動が外部に漏れずに閉じ込められることになる。そして第２ＩＤＴ電極１００に弾性表面波が入射されると、その弾性表面波の振幅に比例した電圧が電極指１０２に発生し、所定の周波数特性に応じた信号が抽出されて出力端子４０から出力される。なお、第２ＳＡＷ素子１０８についても第１ＳＡＷ素子９２と同様の動作をするので説明を省略する。ここで電極指１０２は直線部１０２ａ、１０２ｂを有し、この両者は弾性表面波の伝播方向に弾性表面波の基本波（１次の横モード）の半波長分だけ離れた位置に配置されている。このため、入出力電極９４では、電極指９８の直線部９８ａと電極指１０２の直線部１０２ａとは、図４に示すように弾性表面波の伝播方向と直交する方向において、同一直線上に位置するようになり、電極指９８と電極指１０２には正負の異なる電圧を有することになる。
【００３３】
したがって、上記の動作の場合に、弾性表面波の伝播方向と垂直にエネルギーが分布する横モードは図５に示すようになると考えられる。図５に第３実施形態を構成するＳＡＷ素子の１次〜４次の横モードの共振モードのイメージ図を示す。この場合、直線部１０２ａと直線部１０２ｂにおいて、弾性表面波の１次及び３次の横モードについては互いに逆位相の関係になるため、その振動エネルギーの正負の成分が互いに相殺され、振動エネルギーは相殺される。そして２次の横モードについては同位相となるため直線部１０２ａと直線部１０２ｂで表れた振動エネルギーが相殺されることはなく、これが主応答となる。
【００３４】
一方、４次の横モードは直線部１０２ａと直線部１０２ｂにおいて表れた振動エネルギーは同位相となるため相殺されることなく、これがスプリアスとなる。よって第３実施形態においては奇数次の横モードについては相殺され、偶数次の横モードについては相殺されないことになる。このような挙動は入力側である第１ＩＤＴ電極９６においても同様に発生する。また第１実施形態に示されるＳＡＷ共振片１０における１次の横モードと３次の横モードとの周波数差よりも、本実施形態における２次の横モードと４次の横モードとの周波数差が大きいため、本実施形態においてはスプリアスを第１実施形態の場合より主応答の周波数から遠ざけることが可能であり、このため第２ＳＡＷ素子１０８が第１ＳＡＷ素子９２が発するスプリアスの影響を回避することができる。
【００３５】
第２実施形態及び第３実施形態において、ダミー電極、アポダイズ電極、ＷＡＶＥ電極を第１ＳＡＷ素子、第２ＳＡＷ素子ともに適用してきたが、少なくとも周波数の低い側の第１ＳＡＷ素子にこれらを適用すればよい。またいずれの実施形態においても入力側を互いに接続しているが、出力側を互いに接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係るＳＡＷ共振片を示す模式図である。
【図２】第２実施形態に係るＳＡＷ共振片（ダミー電極型）を示す模式図である。
【図３】第２実施形態に係るＳＡＷ共振片（アポダイズ電極型）を示す模式図である。
【図４】第３実施形態に係るＳＡＷ共振片を示す模式図である。
【図５】第３実施形態を構成するＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図である。
【図６】従来技術に係るＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０………ＳＡＷ共振片、１２………圧電基板、１４………第１ＳＡＷ素子、１６………入出力電極、１８………第１ＩＤＴ電極、２０………電極指、２２………第２ＩＤＴ電極、２４………電極指、２６………反射器、２８………電極指、３０………第２ＳＡＷ素子、３２………第１ＩＤＴ電極、３４………第２ＩＤＴ電極、３６………電極指、３８………接続電極、４０………出力端子、４２………出力端子、４６………入力端子、４８………接続電極、５０………接続電極、７０………ＳＡＷ共振片、７２………第１ＳＡＷ素子、７４………入出力電極、７６………第１ＩＤＴ電極、７８………電極指、８０………ダミー電極、８２………第２ＩＤＴ電極、８４………電極指、８６………ダミー電極、８７………領域、８８………第２ＳＡＷ素子、９０………ＳＡＷ共振片、９２………第１ＳＡＷ素子、９４………入出力電極、９６………第１ＩＤＴ電極、９８………電極指、１００………第２ＩＤＴ電極、１０２………電極指、１０４………反射器、１０６………電極指、１０８………第２ＳＡＷ素子。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ共振片に関し、特に一枚の圧電基板に複数のＳＡＷ素子を搭載したＳＡＷ共振片の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信環境の過密化や複雑化に伴い、不要波除去を目的とした表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）フィルタにも多機能化や高機能化が求められている。代表例として、マルチバンドＳＡＷフィルタや、ＳＡＷデュープレクサがある。この場合、複数のＳＡＷ素子を用いたＳＡＷデバイスの小型化を図るため、一枚の圧電基板上に複数のＳＡＷ素子を配設することが行われる。特許文献１において圧電基板上にＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異ならせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷフィルタが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一方で、発振を目的としたＳＡＷ共振子等のＳＡＷデバイスについても、その小型化を目的として、近い共振周波数を持った互いに並列に接続されたＳＡＷ素子を一枚の圧電基板上に形成するとともにＳＡＷ素子の入力側もしくは出力側を接続して共通化する場合がある。
【０００４】
しかし、この場合各ＳＡＷ素子は独立した周波数特性を有するのではなく、他のＳＡＷ素子の周波数特性の影響を受ける場合がある。特に、発振を目的としたＳＡＷ共振子の場合、ＳＡＷフィルタとは異なり、わずかなスプリアス応答がその周波数配置によっては異常発振につながる虞がある。
【０００５】
図６にＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図を示す。ＳＡＷ素子２００は図６に示すように、反射器２０６との間で、電極指２０４を互いに交差させた態様の一対の入出力電極２０２により弾性表面波を発生させているが、入出力電極の交差幅を大きくすると、弾性表面波の伝播方向と垂直にエネルギーが分布するモード（横モード）の共振が発生し、この横モードの共振によりスプリアスが発生する。即ち図６に示す構造では入出力電極２０２の電極指２０４の交差幅ａの方向（ｘ方向）に１次の横モードのみならず、２次以上の高次横モードの振動エネルギーが閉じ込められている（図６の波形参照）。ここで、１次の横モードは主応答となるのに対し、２次以上はスプリアスとなる。そして、高次横モードの中で２次の横モードにおける振動エネルギーは、入出力電極２０２で電気的に相殺されるが、３次の横モードによる振動エネルギーは電気的に相殺されることはなく、すなわち、偶数次の横モードは相殺され、奇数次の横モードはスプリアスとして表れる。
【０００６】
よって、一方のＳＡＷ素子の基本波の周波数が、他方のＳＡＷ素子のスプリアスの周波数より若干高い程度の周波数を有する場合は、前記一方のＳＡＷ素子は前記スプリアスの周波数で発振するいわゆる異常発振を起こす虞がある。
【０００７】
そこで本発明は上記問題に着目し、同一基板に配置して互いに接続された複数のＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片において、小型化が可能であるとともにＳＡＷ素子の異常発振を抑制するＳＡＷ共振片を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、電極指を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極と、前記圧電基板上に形成され、前記一対の入出力電極を挟んで両側に位置する反射器と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片であって、前記第２ＳＡＷ素子の前記電極指の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子のそれより狭くするとともに、各ＳＡＷ素子の入出力電極の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されたことを特徴とするＳＡＷ共振片。
【０００９】
上記構成により、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子が、一つの圧電基板上に配置されるとともに、各ＳＡＷ素子が並列の接続され、小型化されたＳＡＷ共振片となる。さらに、第２ＳＡＷ素子の共振周波数は他方の弾性表面波素子の共振周波数よりも高い周波数を有するととともに、前記間隔を適切に設計することにより、第２ＳＡＷ素子の基本波が、第１ＳＡＷ素子のスプリアスの周波数に近づけることを回避し、第２ＳＡＷ素子の異常発振を回避することができる。
【００１０】
［適用例２］前記第１ＳＡＷ素子の基本波の周波数が、前記第２ＳＡＷ素子の高次横モードに起因するスプリアスの周波数より低いことを特徴とする適用例１に記載のＳＡＷ共振片。
これにより、第１ＳＡＷ素子の基本波は、第２ＳＡＷ素子のスプリアスの影響を受けることがなく、安定した周波数特性を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【００１２】
ダミー電極を配置することによって配置位置の振動を抑制することができるが、ダミー電極を配置する領域において、基本波の振動エネルギーの割合より、スプリアスの振動エネルギーの割合のほうが大きい。したがって、ダミー電極を配置することによって基本波よりもスプリアスの方が割合的に多く振動エネルギーを低減させることができるので、異常発振の原因となるスプリアスの発生を抑制することができる。
【００１３】
［適用例４］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
これにより、ＩＤＴ電極が、基本波の振動領域の外部で振動するスプリアスを励振することを防止し、第２ＳＡＷ素子の異常発振を抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子の前記ＩＤＴ電極の前記電極指および前記反射器の電極指は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、前記弾性表面波の伝播方向に対して互いに前記弾性表面波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有することを特徴とする適用例１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【００１５】
これにより、第１ＳＡＷ素子、または第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子は１次を含む奇数次の横モードが相殺され、２次の横モードを基本波として発振することになる。よって４次の横モードから表れるスプリアスは相殺された３次の横モードより高周波に位置するため、前記スプリアスによる第２ＳＡＷ素子の異常発振を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係るＳＡＷ共振片を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１７】
第１実施形態に係るＳＡＷ共振片１０の平面図を図１に示す。
ＳＡＷ共振片１０は水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等で形成された矩形状の圧電基板１２により外形を有し、圧電基板１２上にＡｌ又はＡｌを主成分とした合金の金属膜を蒸着、スパッタ等によりＳＡＷ素子を形成するようにパターニングしたものである。さらにＳＡＷ共振片１０においては入力端子２８、出力端子３２（３３）等がパターニングされている。
【００１８】
第１ＳＡＷ素子１４は、弾性表面波を発生する入出力電極と、弾性表面波を反射する反射器２６とから構成されている。入出力電極は、等間隔に並べられた複数の電極指２０、２４からそれぞれ形成される第１ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１８、第２ＩＤＴ電極２２により構成される。及び弾性表面波を反射する反射器２６は電極指２０、２４と同一の間隔で並べられた電極指２８から構成されている。
【００１９】
第１ＳＡＷ素子１４において、グレーティング型の反射器２６は、互いに対向するように圧電基板１２上の長辺１２ａ方向に並べられて一対で配設されている。そして反射器２６との間に音響的に共振空洞が形成され、この空洞内に弾性表面波の定在波が発生する。この定在波と結合するように櫛型の第１ＩＤＴ電極１８、第２ＩＤＴ電極２２を配置すると第１ＳＡＷ素子１４となる。第１ＩＤＴ電極１８と第２ＩＤＴ電極２２は互いに電極指２０、２２を交差するような態様で、対向して配設されている。ここで、第１ＳＡＷ素子１４の共振周波数をｆ０その波長をλ０、弾性表面波の速度をＶとすると、λ０＝Ｖ／ｆ０となる。このため、反射器２６の電極指２８の間隔はλ０／２、各ＩＤＴ電極の電極指２０、２４の間隔はλ０としている。よって第１ＩＤＴ電極１８から抽出可能な表面弾性波の基本波と、第２ＩＤＴ電極２２から抽出可能な表面弾性波の基本波とは、互いに位相が反転した関係（位相差がπ）を有する。
【００２０】
第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４と同様の構成を有しており、図１においては第１ＳＡＷ素子１４の電極指２０、２４と、第２ＳＡＷ素子３０の電極指３６、３７（反射器３５の電極指）の間隔が同じ大きさに描かれているが、電極指３６、３７の間隔が第１ＳＡＷ素子１４の電極指２０、２４の間隔λ０より狭く設計されており、これは後述の実施形態においても同様である。よって第２ＳＡＷ素子３０の共振周波数ｆ１はｆ０より高くなっている。
【００２１】
そして第１ＳＡＷ素子１４の第１ＩＤＴ電極１８は第２ＳＡＷ素子３０の第１ＩＤＴ電極３２と対向しつつＴ型の接続電極３８を介して互いに接続されている。また第１ＳＡＷ素子１４の第２ＩＤＴ電極２２は接続電極４８を介して出力端子４０に接続され、第２ＳＡＷ素子３０の第２ＩＤＴ電極３４は接続電極５０を介して出力端子４２に接続されている。よって本実施形態においては第１ＳＡＷ素子１４の入出力電極１６と、第２ＳＡＷ素子３０の入出力電極３１とは、第１ＩＤＴ電極１８及び第１ＩＤＴ電極３２を介して互いに接続されている。
【００２２】
接続電極３８は、圧電基板１２の短辺１２ｂ方向で線対称となる位置に配置され、圧電基板１２の短辺方向１２ｂに延びる部分の端部がそれぞれ第１ＩＤＴ電極１８、第１ＩＤＴ電極３２に接続されている。一方圧電基板１２の長辺１２ａ方向に延びる接続電極３８の部分は、前記線対称となる位置に形成され、その端部に入力端子４６が配設されている。
【００２３】
上記構成によるＳＡＷ共振片１０の第１ＳＡＷ素子１４及び第２ＳＡＷ素子３０において、従来技術で説明したように（図６参照）基本波となる１次の横モードのほかに高周波側に奇数次モードに係るスプリアスが発生する。よって第１ＳＡＷ素子１４より高周波側に基本波をもつ第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４のスプリアスと周波数的に重なり得る。そして本実施形態のように第１ＳＡＷ素子１４と第２ＳＡＷ素子３０とが接続された場合は各ＳＡＷ素子は互いに周波数特性に影響を与える関係になるが、第１ＳＡＷ素子１４のスプリアスが、第２ＳＡＷ素子３０の基本波より低周波側であって近接する場合には本来の基本波の周波数のみならず前記スプリアスの周波数で発振を起こすいわゆる異常発振を起こす虞がある。
【００２４】
特に最も振幅の大きいスプリアスである３次の横モードが、第２ＳＡＷ素子３０の基本波より低周波側であって近接する場合は、異常発振を起こす虞が強くなる。ＳＡＷ素子の基本波の波長は入出力電極１６および反射器２６の電極指２０、２４、２８の間隔により決定されるため、この間隔を狭くするほど波長は短くなり共振周波数は高くなる。よって第２ＳＡＷ素子３０の基本波の共振周波数が第１ＳＡＷ素子１４の３次の横モードの周波数より低周波となるように調整すれば、第２ＳＡＷ素子３０は第１ＳＡＷ素子１４の３次の横モードに起因する異常発振を回避することができる。
【００２５】
なお、第１ＳＡＷ素子１４の基本波の周波数が、第２ＳＡＷ素子３０の高次横モード（３次の横モード）に起因するスプリアスの周波数より低い設計とすることにより、第１ＳＡＷ素子１４の基本波は、第２ＳＡＷ素子３０のスプリアスの影響を受けることがなく、安定した周波数特性を得ることができる。
以下において他の実施形態により異常発振を抑制する構成について述べる。
【００２６】
第２実施形態に係るＳＡＷ共振片７０、７０ａを図２、図３にそれぞれ示す。第２実施形態に係るＳＡＷ共振片７０は第１ＳＡＷ素子７２及び第２ＳＡＷ素子８８において、図２に示すように入出力電極７４にダミー電極が形成されている。即ち第１ＳＡＷ素子７２において第１ＩＤＴ電極７６の第２ＩＤＴ電極８２の電極指８４の端部と対向する位置にダミー電極８０が接続され、第２ＩＤＴ電極８２の第１ＩＤＴ電極７６の電極指７８と対向する位置にダミー電極８６が接続されている。なおダミー電極８０（ダミー電極８６）と電極指８４（電極指７８）との間に隙間８０ａ（隙間８６ａ）が形成されている。
【００２７】
ダミー電極８０（ダミー電極８６）は第１ＩＤＴ電極７６（第２ＩＤＴ電極８２）と接続されるため、その電位は常に第１ＩＤＴ電極７６（第２ＩＤＴ電極８２）と同じである。よってダミー電極８０、８６が配置された位置においては電位の変動は起こらないため、結果的に弾性表面波が発生する領域は、電極指７８、８４が交差した領域８７に制限される。ところで、図６に示すように、入出力電極において１次の横モード、及び３次の横モードの縦方向の電荷分布において３次の横モードの方が１次の横モードより電荷が大きくなる領域が存在する。よってダミー電極８０、８６の長さはこの領域８７の電極指の長手方向の長さに合わせて調整することにより、１次の横モードについて若干削減されるが、３次の横モードはさらに大きく削減することができる。したがって第１ＳＡＷ素子７２の３次の横モードに係るスプリアスにより、第２ＳＡＷ素子８８の異常発振を抑制することができる。
【００２８】
さらに第２実施形態においては、ダミー電極８０ｂ、８６ｂ及び電極指７８ｂ、８４ｂの長さを図３に示すように、電極指７８ｂ、８４ｂの交差幅を弾性表面波の伝播方向に沿って連続的に変化させ、第１ＳＡＷ素子７２ｂ、第２ＳＡＷ素子８８ａの基本波（１次の横モード）の振動領域８７ａの境界に合わせて調整したアポダイズ電極を形成したＳＡＷ共振片７０ａとすることができる。これにより電極指７８ｂ、８４ｂが交差する領域以外の部分は上述同様の理由により電位の変動は起きない。また１次の横モードは第１実施形態の場合においてもＩＤＴ電極全体で振動するのではなく、図３に示すように楕円状の振動領域８７ａで振動することが知られている。よってこの振動領域８７ａより外部において電極指を交差させても１次の横モードの振動エネルギーが大きくなることはなく、また本実施形態のようにアポダイズ電極を形成しても１次の横モードの振動エネルギーの損失が起きることはない。一方、３次の横モードはこの１次の横モードの振動領域８７ａより外側の領域で振動する成分を有するので、アポダイズ電極とすることにより３次の横モードに係るスプリアスの振動エネルギーを低下させ、スプリアスを効果的に削減することができる。
【００２９】
第３実施形態に係るＳＡＷ共振片９０を図４に示す。第３実施形態に係るＳＡＷ共振片９０は第１ＳＡＷ素子９２において（第２ＳＡＷ素子１０８も同様）図６に示すように、入出力電極９４、及び反射器１０４が波型の形状をしていることである（ＷＡＶＥ電極）。より具体的には、第１ＳＡＷ素子９２において、第１ＩＤＴ電極９６の電極指９８、第２ＩＤＴ電極１００の電極指１０２および反射器１０４の電極指１０６は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、弾性表面波の伝播方向に対して互いに弾性表面波の基本波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有している。
【００３０】
第１ＩＤＴ電極９６の電極指９８、及び第２ＩＤＴ電極１００の電極指１０２は、それぞれその一部が折り曲げられ、弾性表面波の伝播方向と直行する方向に分割して配置される直線部９８ａ、９８ｂ、１０２ａ、１０２ｂと、その両者を接続する接続部９８ｃ、１０２ｃからなる。直線部９８ａ（１０２ａ）と直線部９８ｂ（１０２ｂ）とは、弾性表面波の伝播方向に対して、弾性表面波の基本波の半波長分だけ離れた位置に配置されている。接続部９８ｃ、１０２ｃは、その長さができるだけ短いほうが良い。反射器１０４の電極指１０６は同様に、直線部１０６ａ、１０６ｂとその両者を接続する傾斜状の接続部１０６ｃとからなる。
【００３１】
従って電極指９８と電極指１０２との交差幅ａは直線部９８ａと直線部１０２ｂとが対向する部分に係る交差幅ｂ１と直線部９８ｂと直線部１０２ａとが対向する部分に係る交差幅ｂ２との和になる。
【００３２】
上記構成による第１ＳＡＷ素子９２の動作について説明する。例えば入力端子４６を介して第１ＩＤＴ電極９６に交流電圧が印加されると、圧電効果により圧電基板１２上で弾性表面波に変換される。この弾性表面波は各ＩＤＴ電極の電極指９８、１０２の長手方向に対して直交する方向に伝播され、第２ＩＤＴ電極１００まで伝播される。このように生じた弾性表面波は、反射器１０４で振動が外部に漏れずに閉じ込められることになる。そして第２ＩＤＴ電極１００に弾性表面波が入射されると、その弾性表面波の振幅に比例した電圧が電極指１０２に発生し、所定の周波数特性に応じた信号が抽出されて出力端子４０から出力される。なお、第２ＳＡＷ素子１０８についても第１ＳＡＷ素子９２と同様の動作をするので説明を省略する。ここで電極指１０２は直線部１０２ａ、１０２ｂを有し、この両者は弾性表面波の伝播方向に弾性表面波の基本波（１次の横モード）の半波長分だけ離れた位置に配置されている。このため、入出力電極９４では、電極指９８の直線部９８ａと電極指１０２の直線部１０２ａとは、図４に示すように弾性表面波の伝播方向と直交する方向において、同一直線上に位置するようになり、電極指９８と電極指１０２には正負の異なる電圧を有することになる。
【００３３】
したがって、上記の動作の場合に、弾性表面波の伝播方向と垂直にエネルギーが分布する横モードは図５に示すようになると考えられる。図５に第３実施形態を構成するＳＡＷ素子の１次〜４次の横モードの共振モードのイメージ図を示す。この場合、直線部１０２ａと直線部１０２ｂにおいて、弾性表面波の１次及び３次の横モードについては互いに逆位相の関係になるため、その振動エネルギーの正負の成分が互いに相殺され、振動エネルギーは相殺される。そして２次の横モードについては同位相となるため直線部１０２ａと直線部１０２ｂで表れた振動エネルギーが相殺されることはなく、これが主応答となる。
【００３４】
一方、４次の横モードは直線部１０２ａと直線部１０２ｂにおいて表れた振動エネルギーは同位相となるため相殺されることなく、これがスプリアスとなる。よって第３実施形態においては奇数次の横モードについては相殺され、偶数次の横モードについては相殺されないことになる。このような挙動は入力側である第１ＩＤＴ電極９６においても同様に発生する。また第１実施形態に示されるＳＡＷ共振片１０における１次の横モードと３次の横モードとの周波数差よりも、本実施形態における２次の横モードと４次の横モードとの周波数差が大きいため、本実施形態においてはスプリアスを第１実施形態の場合より主応答の周波数から遠ざけることが可能であり、このため第２ＳＡＷ素子１０８が第１ＳＡＷ素子９２が発するスプリアスの影響を回避することができる。
【００３５】
第２実施形態及び第３実施形態において、ダミー電極、アポダイズ電極、ＷＡＶＥ電極を第１ＳＡＷ素子、第２ＳＡＷ素子ともに適用してきたが、少なくとも周波数の低い側の第１ＳＡＷ素子にこれらを適用すればよい。またいずれの実施形態においても入力側を互いに接続しているが、出力側を互いに接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係るＳＡＷ共振片を示す模式図である。
【図２】第２実施形態に係るＳＡＷ共振片（ダミー電極型）を示す模式図である。
【図３】第２実施形態に係るＳＡＷ共振片（アポダイズ電極型）を示す模式図である。
【図４】第３実施形態に係るＳＡＷ共振片を示す模式図である。
【図５】第３実施形態を構成するＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図である。
【図６】従来技術に係るＳＡＷ素子の共振モードのイメージ図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０………ＳＡＷ共振片、１２………圧電基板、１４………第１ＳＡＷ素子、１６………入出力電極、１８………第１ＩＤＴ電極、２０………電極指、２２………第２ＩＤＴ電極、２４………電極指、２６………反射器、２８………電極指、３０………第２ＳＡＷ素子、３２………第１ＩＤＴ電極、３４………第２ＩＤＴ電極、３６………電極指、３８………接続電極、４０………出力端子、４２………出力端子、４６………入力端子、４８………接続電極、５０………接続電極、７０………ＳＡＷ共振片、７２………第１ＳＡＷ素子、７４………入出力電極、７６………第１ＩＤＴ電極、７８………電極指、８０………ダミー電極、８２………第２ＩＤＴ電極、８４………電極指、８６………ダミー電極、８７………領域、８８………第２ＳＡＷ素子、９０………ＳＡＷ共振片、９２………第１ＳＡＷ素子、９４………入出力電極、９６………第１ＩＤＴ電極、９８………電極指、１００………第２ＩＤＴ電極、１０２………電極指、１０４………反射器、１０６………電極指、１０８………第２ＳＡＷ素子。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、電極指を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極と、
前記圧電基板上に形成され、前記一対の入出力電極を挟んで両側に位置する反射器と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片であって、
前記第２ＳＡＷ素子の前記電極指の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子のそれより狭くするとともに、
各ＳＡＷ素子の入出力電極の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されたことを特徴とするＳＡＷ共振片。
【請求項２】
前記第１ＳＡＷ素子の基本波の周波数が、前記第２ＳＡＷ素子の高次横モードに起因するスプリアスの周波数より低いことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項３】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項４】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、前記一対のＩＤＴ電極の前記電極指の交差幅を弾性表面波の伝播方向に沿って連続的に変化させたことを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項５】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子の前記ＩＤＴ電極の前記電極指および前記反射器の電極指は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、前記弾性表面波の伝播方向に対して互いに前記弾性表面波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、電極指を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極と、
前記圧電基板上に形成され、前記一対の入出力電極を挟んで両側に位置する反射器と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子及び第２ＳＡＷ素子を有するＳＡＷ共振片であって、
前記第２ＳＡＷ素子の前記電極指の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子のそれより狭くするとともに、
各ＳＡＷ素子の入出力電極の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されたことを特徴とするＳＡＷ共振片。
【請求項２】
前記第１ＳＡＷ素子の基本波の周波数が、前記第２ＳＡＷ素子の高次横モードに起因するスプリアスの周波数より低いことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項３】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、ＩＤＴ電極の電極指の端部に対向する位置にダミー電極を接続したことを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項４】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子のＩＤＴ電極において、前記一対のＩＤＴ電極の前記電極指の交差幅を弾性表面波の伝播方向に沿って連続的に変化させたことを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【請求項５】
前記第１ＳＡＷ素子、または前記第１ＳＡＷ素子及び前記第２ＳＡＷ素子の前記ＩＤＴ電極の前記電極指および前記反射器の電極指は、それぞれその一部が斜めに折り曲げられ、前記弾性表面波の伝播方向に対して互いに前記弾性表面波の半波長分だけ離れた２つの直線部を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷ共振片。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１０３９５１（Ｐ２０１０−１０３９５１Ａ）
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７５９３７（Ｐ２００８−２７５９３７）
【出願日】平成２０年１０月２７日（２００８．１０．２７）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２７日（２００８．１０．２７）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
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