【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスおよびモジュールを提供すること。
【解決手段】多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極１８と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】不要な寄生容量を減少し、圧電基板や支持基板へのダメージが抑制され、かつ、圧電基板材料の選択の自由度が高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、圧電基板２００Ａに所定の幅および所定の深さを有する溝２１０Ａを形成する工程と、溝２１０Ａの開口が支持基板１００と対向するように、圧電基板２００Ａを支持基板１００に貼り合わせる工程と、支持基板１００に貼り合わせられた圧電基板２００Ａの厚みを減じる方向に圧電基板２００Ａを研磨し、溝２１０Ａが形成された部分において支持基板１００を露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに位置するＩＤＴ電極５とを有する。ＩＤＴ電極５は、互いに対向する第１バスバー２１Ａおよび第２バスバー２１Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂ側へ延びる複数の第１電極指２３Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａ側へ延び、複数の第１電極指２３Ａと交差する複数の第２電極指２３Ｂとを有する。互いに隣接する第１電極指２３Ａと第２電極指２３Ｂとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６が満たされる。 （もっと読む）

【課題】共振器に基づくフィルタを提供する。
【解決手段】入力及び負荷アドミタンスＹｉｎ及びＹｏｕｔを有する入力及び出力電子回路、２種類の２個の圧電共振器（ＲＺｓ，ＲＺｓ’；ＲＺｐ，ＲＺｐ’）を備えた格子フィルタで、共振器は特性インピーダンスＺｃを有、第１の共振器は共振周波数Ｆｒ１およびＦｒ１とは異なる反共振周波数Ｆａ１を有し、第２の共振器は、Ｆｒ１とは異なる共振周波数Ｆｒ２と、Ｆｒ２およびＦａ１とは異なる反共振周波数Ｆａ２を有する。入力及び出力インピーダンスは共振器の特性インピーダンスとは一致しないが、アドミタンスＹｉｎの実部Ｒｅ{Ｙｉｎ}の逆数およびアドミタンスＹｏｕｔの実部Ｒｅ{Ｙｏｕｔ}の逆数は共振器の特性インピーダンスＺｃより少なくとも２〜５倍大きくされる。更に、周波数差Ｆａ１−Ｆｒ１およびＦａ２−Ｆｒ２は、差分Ｆｒ１−Ｆｒ２の絶対値より少なくとも２〜３倍大きくされる。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波装置において、スプリアス応答となる高次モードを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電基板２０と、第１の媒質２１と、第２の媒質２２と、ＩＤＴ電極１３とを備えている。第１の媒質２１は、圧電基板２０の上に形成されている。第２の媒質２２は、第１の媒質２１の上に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電基板２０と第１の媒質２１との間の境界に形成されている。第１の媒質２１の音速は、圧電基板２０及び第２の媒質２２の音速よりも低い。第２の媒質２２の厚さは、ＩＤＴ電極１３において生じる弾性境界波の波長をλとしたときに、０．５６λ以上である。 （もっと読む）

【課題】線形性能の高い分波器を提供すること。
【解決手段】受信端子Ｔｒｘとアンテナ端子Ｔａｎｔとの間に接続され、弾性波共振器である１または複数の直列共振器を含む、受信帯域を有する受信用フィルタ１０と、送信端子Ｔｔｘと前記アンテナ端子との間に接続され、弾性波共振器を含む、送信帯域を有する送信用フィルタ２０と、を具備し、前記受信用フィルタの前記１または複数の直列共振器のうち前記アンテナ端子に最も近い直列共振器Ｓ１１の共振周波数は、前記受信帯域の上端周波数より高い分波器。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を抑制すること。
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板１０の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はＸ軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はＸ軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のＺ軸と平行ではない弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】複数のＳＡＷ共振子が直列腕及び並列腕としてラダー型に接続されると共にこれら直列腕のうち中央の直列腕を容量素子として配置したバンドパスフィルタにおいて、通過ロスを小さく保ったまま、当該中央の直列腕によって形成される極を減衰させること。
【解決手段】容量素子８をなすＳＡＷ共振子である直列腕１０によって２つのラダー型フィルタ５０、５０を互いに直列に接続して圧電基板１上に配置すると共に、当該直列腕１０を覆うようにモールド材５１を設けて、この直列腕１０における弾性表面波の発生を抑えて電気機械結合係数を小さくする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、弾性表面波デバイスとして利用したときに弾性表面波に対するノイズを低減する。
【解決手段】圧電基板１１の裏面と支持基板１２とを接合する樹脂製の接着剤組成物からなる接着層１３に、接着剤組成物よりも弾性率の高い物質からなる粒子を含有させている。これにより、この複合基板１０を弾性表面波デバイスとして利用したときに弾性表面波に対するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられるラダー型フィルタにおいて、横モードに起因するスプリアスの抑制と、ラダー型フィルタの小型化を両立することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、ラダー型フィルタ７は、圧電基板８の上に直列腕の弾性波共振器９，１０と並列腕の弾性波共振器１１，１２とを梯子状に設け、弾性波共振器９〜１２はそれぞれ、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指とが交差してなる複数の電極指対を備えた櫛歯電極を有し、並列腕に設けた弾性波共振器１１が有する櫛歯電極１１ａにおいて、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指との電極交差幅Ｄは、櫛歯電極１１ａにより励振される弾性波の波長の２３倍以上とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】入力側ＩＤＴ電極、出力側ＩＤＴ電極及びこれら電極間に介設されたグレーティング型の電極を備えた弾性波フィルタにおいて、波長が基本波の波長の半分である２倍波の出力側ＩＤＴ電極への伝搬を抑えること。
【解決手段】長さ方向における互いの中心線同士の離間距離がλ／４となり、且つ各々の幅寸法の等しい２本のグレーティング電極指１７が隙間領域を介して配置されたダブル電極構造３１を弾性波の伝搬方向に沿って設けると共に、このダブル電極構造３１がλ／２の配列間隔で配置された主反射領域３２と、ダブル電極構造３１が３／４λの配列間隔で配置された補助反射領域３３と、を連続して設ける。 （もっと読む）

【課題】不要波応答を抑圧しつつ、IDT電極の膜厚を厚くする。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に並んで配置される複数の電極指を含むIDT電極3と、複数の電極指間に形成される第１の誘電体膜4と、IDT電極3と第１の誘電体膜4を覆う第２の誘電体膜7と、複数の電極指間であって第１の誘電体膜4上に形成される、第１の誘電体4より高音速の媒質である高音速層5とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１１を有する第１の弾性表面波共振器２０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２を有する第２の弾性表面波共振器３０とを備え、第１の弾性表面波共振器２０および第２の弾性表面波共振器３０は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第１の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数と第２の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数とは異なる構成とした。 （もっと読む）

【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第３の媒質１３と、第２の媒質１２の上に形成されている吸音層と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に形成されているＩＤＴ電極１６とを備えている。第２の媒質１２の波長規格化厚みｈ２／λは０．６０×（ｈ３／λ）^２−１．２４×（ｈ３／λ）＋０．９４よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性波フィルタ装置及びこれを用いたデュプレクサ及び電子機器の帯域高域部分の挿入損失劣化を低減させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ装置１０は、第１の弾性波フィルタ１５と第２の弾性波フィルタ１６とを備え、第１の弾性波フィルタ１５は、第１の縦結合型弾性波フィルタ１５ａと第２の縦結合型弾性波フィルタ１５ｅとを備え、第１の不平衡信号入力部１５ｂ及び第２の不平衡信号入力部１５ｆは入力部１２と電気的に接続され、第１の平衡信号出力部１５ｃ及び第３の平衡信号出力部１５ｇは入出力部１３ａと電気的に接続され、第２の平衡信号出力部１５ｄ及び第４の平衡信号出力部１５ｈは入出力部１３ｂと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 横モードのリップルを抑制して、フィルタ通過帯域内の特性を改善し、フィルタの通過帯域低域側の周波数特性も向上させること。
【解決手段】 圧電体上に配置された第１から第３のくし歯状電極と、弾性波伝搬方向両側に配置された第１、第２の反射器とを有し、
弾性波伝搬方向のくし歯状電極同士が隣り合っている部分において、狭ピッチ電極指部が設けられた、縦結合共振子型の弾性波装置において、
前記狭ピッチ電極指部を有する前記第１から第３のくし歯状電極の大部分は、アポダイズ重み付けされており、狭ピッチ電極指部および狭ピッチ電極指に隣接する電極指部分は正規型のくし歯状電極とされていること。 （もっと読む）

【課題】ストンリー波による応答を抑圧でき、フィルタ特性が良好なラダー型フィルタを提供する。
【解決手段】１５°〜３０°ＹカットＬｉＮｂＯ_３基板からなる圧電基板２上に、ＩＤＴ電極７、ＩＤＴ電極を覆う酸化ケイ素層１０、その上に酸化ケイ素層１０よりも音速の速い誘電体層１１が形成された三媒質構造の弾性境界波共振子を用いて直列腕共振子及び並列腕共振子が構成されており、複数の弾性境界波共振子が、波長がλ１、伝搬角がψ１、デューティが（ｄｕｔｙ１）であり、λ１及びｄｕｔｙ１がψ１＝０°においてストンリー波の応答が極小値となるように構成されている第１の弾性境界波共振子と、波長がλ２、伝搬角がψ２、デューティが（ｄｕｔｙ２）であり、ψ２が１０°以上である第２の弾性境界波共振子とを有し、〔λ１≠λ２かつ０°≦ψ１＜ψ２〕または〔（ｄｕｔｙ１）≠（ｄｕｔｙ２）かつ０°≦ψ１＜ψ２〕であるラダー型フィルタ。 （もっと読む）

【課題】フィルタ部を有する弾性境界波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、弾性境界波フィルタ部１０と、弾性境界波共振子２０とを備えている。弾性境界波フィルタ部１０は、入力端子１１と出力端子１２ａ、１２ｂとを有する。弾性境界波共振子２０は、弾性境界波フィルタ部１０に接続されている。弾性境界波共振子２０において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数と、弾性境界波フィルタ部１０において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数とが等しくされている。 （もっと読む）