【課題】簡易に測定でき、かつ、測定の精度を向上できる。
【解決手段】弾性表面波を伝播する圧電素子基板（１０）と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極（１１−１ａ、１１−１ｂ、１１−２ａ、及び１１−２ｂ）と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域（１２）と、前記検出領域に接触し、液体が浸潤する多孔性基材（１３）と、前記電極が液体と接触することを防ぐ封止構造（１４−１及び１４−２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ９からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子Ｐ１〜Ｐ６を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ５のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ６のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を小さく、電気特性の安定性が高い電子装置およびその製造方法ならびに上記電子装置を含む弾性波装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、誘電体からなる基板１と、基板１の上面に形成された配線部２とを備える。配線部２の下方またはその近傍に位置する基板１に、基板１の下面側から上面の近傍に至る段差部１Ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６又は並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と接続された信号配線１６及び接地配線１８と、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６との間に空洞が形成されるように直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６上に設けられた金属天井２０と、金属天井２０上に設けられた封止部と、を具備し、少なくとも１つの金属天井は、高周波信号を伝送する信号配線１６と接続されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】板波を利用した弾性波装置であって、優れたデバイス特性を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極１２とを備えている。支持体には、空洞部１０ａが設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部１０ａと重なるように設けられている。ＩＤＴ電極１２は、圧電基板の上に空洞部１０ａと重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極１２により板波が励振される。空洞部１０ａの端縁部は、ＩＤＴ電極１２により励振される板波の伝搬方向と平行に延びる直線部を含まない。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ_３基板の上に、ＩＤＴ電極を覆うように厚み０．２５λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されたＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１を覆うように圧電基板１０の上に形成された誘電体層１２とを備えている。ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層１２の厚みは、０．２λ以上である。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波共振器において、横モードに起因するスプリアスを抑制する弾性波共振器の提供。
【解決手段】弾性波共振器８は、圧電基板９と、バスバー１０と、バスバー１０と平行となるように設けられたバスバー１１と、一端がバスバー１０と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１１に向かって延伸した複数の電極指１２と、一端がバスバー１１と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１０に向かって延伸し、複数の電極指１２と交差する複数の電極指１３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス１は、基板２と、基板２上に形成された誘電体膜４と、基板２と誘電体膜４との間に設けられるＩＤＴ電極３ａ、３ｂとを備える。基板２および誘電体膜４の少なくとも一方が圧電体であり、ＩＤＴ電極３ａ、３ｂは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指３ａ−２、３ｂ−２を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するＩＤＴ電極までの間のギャップ部において、誘電体膜４の膜厚が変化している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１１を有する第１の弾性表面波共振器２０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２を有する第２の弾性表面波共振器３０とを備え、第１の弾性表面波共振器２０および第２の弾性表面波共振器３０は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第１の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けと第２の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けとは異なる。 （もっと読む）

【課題】ラダー型弾性波フィルタのＱ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の２倍以上３倍以下の周波数に減衰極を形成する第１並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第１並列共振器より容量の小さい第２並列共振器１９とを備え、前記第２並列共振器１９は互いに音響結合される複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７を有すると共に、前記複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７は直列接続された構成である。 （もっと読む）

【課題】共振周波数よりも低周波数側の周波数側におけるリップルを小さくすることができる、１ポート型弾性波共振子を得る。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３が交叉幅重み付けされており、ＩＤＴ電極３の中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向一端である第１の端部３ａ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域と、中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向他端である第２の端部３ｂ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域とが非対称とされている、一ポート型弾性波共振子１。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波の漏れを改善した弾性表面波共振器の提供。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板の上面に設けられた櫛型電極１０２と、前記櫛型電極１０２を覆う誘電体薄膜とを備えた弾性表面波共振器であって、前記櫛型電極１０２は、バスバー電極領域１０５とダミー電極領域１０６と交差領域１０７とを含む構成であって、前記バスバー電極領域１０５の上部において、前記誘電体薄膜の厚みが前記交差領域上部の前記誘電体薄膜の厚みよりも薄い構成である。この構成で、弾性表面波の横方向の漏れを改善して、特性に優れた弾性表面波共振器を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】効率的に不要応答を抑え、かつ、低損失な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】一対の反射器２と、該一対の反射器の間に配置され、交差部３２１及びダミー部３２２を有する交差電極３２並びにダミー電極を有するすだれ変換子と、を備えた弾性表面波装置１であって、ダミー電極の長さと該ダミー電極が隣り合う前記交差電極のダミー部３２２の長さとが異なっていることを特徴とする弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】スプリアスによるロスの発生を抑制した弾性波フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器の提供。
【解決手段】第１のインターディジタルトランスデューサ電極３１１、３１２、３１３、３１４、３１５および第２のインターディジタルトランスデューサ電極４１１、４１２、４１３、４１４、４１５の少なくとも一方がＳｉＯ2薄膜により覆われた構成であって、第１のインターディジタルトランスデューサ電極と第２のインターディジタルトランスデューサ電極とは接続され、第１の弾性波フィルタ３００を構成する第１の櫛形電極の交差幅Ｌ１は、前記第２の弾性波フィルタ４００を構成する第２の櫛形電極の交差幅Ｌ２より大きい弾性波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なることによる発生する、周波数特性の歪み、スプリアス周波数などの異常発振を抑制することを目的とする。
【解決手段】高周波側のＳＡＷ素子６を第１幅員の第１電極指と、第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、第１電極指と第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、第１電極指と第３電極指とを同相とし、第２電極指と第１電極指および第３電極指とを逆相とし、第１幅員と第３幅員とを同値とし、第１間隙と第２間隙とを同値とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能、または、設計の自由度を向上させることが可能なフィルタおよびアンテナ分波器を提供すること。
【解決手段】インダクタが並列に接続されていない第１の共振子と、該第１の共振子より励起効率を低減させた第２の共振子Ｓ３１と、該第２の共振子と並列に接続されるインダクタＬ３１と、を具備し、前記第２の共振子と前記インダクタとにより、一つの共振点と前記共振点の低域側および高域側にそれぞれ第１の反共振点および第２の反共振点とが形成され、前記第２の共振子の励振効率を前記第１の共振子より低減させることにより、前記第２の共振子の励起効率が前記第１の共振子と同じ場合の第１の反共振点と第２の反共振点との周波数の範囲内で任意に前記第１の反共振点および前記第２の反共振点を設定するフィルタ。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性を改善することができ、かつ高次モードスプリアスを充分に抑圧することが可能とされている、弾性波装置を得る。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体２と、圧電体２上に積層されたＳｉＯ_２層６と、圧電体２とＳｉＯ_２層６との界面に設けられたＩＤＴ電極３とを備え、ＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（φ，θ，ψ）のφ及びθが、それぞれφ＝０°及び８０°≦θ≦１３０でありＳＨ波を主成分とする弾性波を用いる弾性波装置において、ψが、５°≦ψ≦３０°の範囲内にされている弾性波装置１。 （もっと読む）