Ｘ線センサーと、このＸ線センサーを用いたＸ線診断装置
【課題】本発明は、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極１８を有する光電変換膜１２と、電子ビーム２６を光電変換膜１２に照射する電子源１６とを備え、電子源１６は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビーム２６を有するとともに、光電変換膜１２は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、前記電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としている。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極１８を有する光電変換膜１２と、電子ビーム２６を光電変換膜１２に照射する電子源１６とを備え、電子源１６は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビーム２６を有するとともに、光電変換膜１２は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、前記電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、Ｘ線センサーと、このＸ線センサーを用いたＸ線診断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＸ線センサーの構成は、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、この光電変換膜の電子ビーム入射面側に対向して設けられ、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備えたものとなっていた。
【０００３】
前記光電変換膜のＸ線入射面側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極の近傍の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極を介して光電変換膜に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。これによって、光変換膜層の電子源側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【０００４】
これら光変換膜層の正孔に対して、電子源から電子ビームが放射され、光変換膜層を画素ごとに走査していく。このときに、正孔と電子ビームの電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ることができる（例えば下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５８９２２２２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来のＸ線センサーの課題は、１枚のＸ線画像を生成するフレームレートが遅いことであった。
【０００７】
前述したように、従来のＸ線センサーの構成においては、Ｘ線の強度に応じた映像情報を取り出す場合には、電子源は、光変換膜層を画素ごとに走査していき、そのときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ていた。
【０００８】
この場合には、１枚の映像情報を取り出す際には、１枚の映像の画素の数の走査回数が必要となってくるので、その結果、フレームレートが遅くなってしまうのであった。
【０００９】
そこで本発明は、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そしてこの目的を達成するために本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであり、これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができる。
【００１２】
すなわち、光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、この電子入射電極に対して、電子源は、電子ビームを選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となる。
【００１３】
次に、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図
【図２】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図
【図３】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの断面図
【図５】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図６】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの制御ブロック図
【図７】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図８】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図９】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明にかかるＸ線センサー、およびそのＸ線センサーを用いたＸ線診断装置の実施の一形態について、添付図面を交えて説明する。なお添付図面は、理解を容易にするために模式的な図を示している。
【００１６】
まず、この実施の形態にかかるＸ線診断装置の全体構成について、図１および図２を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図である。図１に示すように、Ｘ線診断装置は、Ｘ線源１と、Ｘ線源１から所定の間隔をおいて対向配置されるＸ線センサー２とを備え、Ｘ線源１から放射したＸ線を撮像対象者３に照射し、その撮像対象者３を透過したＸ線をＸ線センサー２に入射させることにより、撮像対象者３の内部の状態を可視化するものである。
【００１８】
具体的には、側面視したときの形状が略半円状のアーム４の一端にＸ線源１が設けられ、アーム４の他端にＸ線センサー２が設けられている。このようにしてＸ線源１とＸ線センサー２が所定の間隔をおいて対向配置されている。したがってアーム４によって、ベッド５に横たわった撮像対象者３を挟んでＸ線源１とＸ線センサー２とを対向配置させることができるので、Ｘ線源１から照射されて撮像対象者３を透過したＸ線を、Ｘ線センサー２で検出することができる。
【００１９】
アーム４は、装置本体６に回動自在に取り付けられている。装置本体６は、アーム４を回動させる駆動装置（図示せず）を内蔵している。このようにすることで、撮像対象者３の内部の状態を様々な角度から可視化することが可能となる。
【００２０】
図２は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図である。
【００２１】
図２に示すように、Ｘ線源１はＸ線制御部７に接続されており、Ｘ線制御部７はコントローラ８に接続されている。コントローラ８は、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御するものである。Ｘ線制御部７は、コントローラ８からの指令信号に従って、Ｘ線源１によるＸ線の照射動作やＸ線の照射量を制御する。
【００２２】
Ｘ線センサー２は画像処理部９に接続されている。画像処理部９は、Ｘ線センサー２から取り出された電気信号（光電変換信号）を検出して画像処理する。画像処理部９により処理された信号はコントローラ８に送信される。コントローラ８は、Ｘ線センサー２が検出したＸ線の光量（強度）に基づく画像、すなわち撮像対象者３の内部の状態を表示する画像をモニタ１０に映し出す。
【００２３】
またＸ線センサー２は、電子源制御部１１にも接続されている。この電子源制御部１１もコントローラ８に接続されている。電子源制御部１１は、コントローラ８からの指令信号に従って、後述する電子源による電子線の照射動作や電子線の照射量を制御する。
【００２４】
装置本体６に内蔵されているアーム４を回動させる駆動装置（図示せず）は移動制御部１３に接続されており、移動制御部１３はコントローラ８に接続されている。移動制御部１３は、コントローラ８からの指令信号に従って、アーム４の回動動作を制御する。
【００２５】
コントローラ８には、さらに入力部１４が接続されている。コントローラ８は、入力部１４から入力された指令に従って、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御する。
【００２６】
続いて、この実施の形態にかかるＸ線センサー２について、図３ないし図６を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の外観を示す斜視図であり、図４は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の断面図であり、図５は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の光電変換膜であるターゲット部１２の断面図であり、図６は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の制御ブロック図である。
【００２７】
以下、Ｘ線センサー２の光電変換膜については、ターゲット部と称して説明を行う。
【００２８】
図３および図４に示すように、Ｘ線センサー２は、平面視したときの形状が矩形状の取り付け基板１５を備える。また図４に示すように、取り付け基板１５の主面上には、同じく矩形状の電子源１６が設けられており、その電子源１６の上部には、ターゲット部１２が配置されている。
【００２９】
図５にターゲット部１２の構成図を示す。ターゲット部１２は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層２０、電子注入阻止層２１、電子入射電極２２とにより構成されている。
【００３０】
ターゲット部１２の光変換膜層２０は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分として構成されている。また、薄膜状電極１８と、ＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１９と、光変換膜層２０との接合により、外部からの正孔注入が阻止され、また、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２１と、光変換膜層２０との接合により、外部からの電子注入が阻止される構造となっている。
【００３１】
Ｘ線透過性基板１７は、図４に示すように、図５の電子注入阻止層２１が電子源１６に向くように、取り付け基板１５に対して対向配置される。これにより、電子源１６は電子注入阻止層２１側の面に向けて電子線を照射することができる。
【００３２】
そして、ターゲット部１２と電子源１６は、Ｘ線の照射エネルギーを光電変換可能とするために、図３に示すように、本体ケース２ａ内に真空密封された状態で構成されている。
【００３３】
次に図６を用いて、Ｘ線センサー２の動作について説明する。
【００３４】
まず、ターゲット部１２の薄膜状電極１８は、１０ｋＶ程度の電源２４に接続される。
【００３５】
また、電子源１６は、１０〜８０Ｖ程度の電源２５に接続されている。
【００３６】
この状態において、ターゲット部１２のＸ線入射面側（図６の上方）よりＸ線２３が入射すると、ターゲット部１２の電子源１６側（図６の下方）の光変換膜層２０には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００３７】
次に、この正孔の２次パターンを電流値として読み取るために、電子源１６の電子ビーム２６からターゲット部１２の下面に設けられた電子入射電極２２に向けて、ラインごとに走査して、電子を放出することになる。
【００３８】
ここで、図６を用いて、電子入射電極２２、および、薄膜状電極１８の構成について説明する。
【００３９】
まず、電子入射電極２２は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置（図６の手前から奥行き方向）に、２２ａ、２２ｂ、２２ｅのように、所定間隔をおいて配置された帯状に設けられている。また、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、１８ａ、１８ｂ、１８ｃのように電子入射電極２２にほぼ直交した、複数の帯状に分割（所定間隔をおいて配置）した構成となっている。
【００４０】
このような構成において、電子源１６の電子ビーム２６は、電子入射電極２２に向けて、ラインごとに走査して、電子を放出していく。
【００４１】
図６においては、まず電子ビーム２６ｅから電子が放出され、この電子は電子入射電極２２ｅに入射し、この電子入射電極２２ｅ上方近傍の膜内に生成された正孔と、電子入射電極２２ｅより入射した電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極１８より読み出している。より具体的には、薄膜状電極１８ａより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ａが直交する画素２７ａの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１８ｂより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ｂが直交する画素２７ｂの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１８ｃより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ｃが直交する画素２７ｃの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となる。
【００４２】
それぞれの薄膜状電極１８ａ、１８ｂ、１８ｃには、電流読み取り部２８が設けられた構成となっており、制御部２９は、電子源１６の複数の電子ビーム２６を電子ビーム２６ａ、電子ビーム２６ｂの順に、走査ラインごとに選択して照射するよう制御するとともに、選択された走査ラインに対応して、薄膜状電極１８に設けた電流読み取り部２８から読み取ることにより、画素の入射Ｘ線の強度を読み取ることが可能となる。
【００４３】
さらに詳細な説明をするために、図７、図８を用いて説明する。
【００４４】
図７、図８にターゲット部１２と電子源１６の断面構造の模式図を示す。
【００４５】
図７は、図６を正面より見た断面構造の模式図であり、図８は、図６を左側面より見た断面構造の模式図である。
【００４６】
図７に示すように、ターゲット部１２は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極１８と、ＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１９、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）で形成され、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層２０と、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２１と、アルミニウムで形成された電子入射電極２２と、より構成されている。
【００４７】
電子入射電極２２は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置（図７の手前から奥行き方向）に、２２ａ、２２ｂ、・・・２２ｆのように所定間隔離した帯状に設けられている。それぞれの電極間隔の長さＡは、ほぼ１００ｕｍ程度である。これら電子入射電極２２に対向した位置に、電子源１６の電子ビーム２６が設けられており、それぞれの電子ビームの間隔は、電子入射電極２２の電極間隔Ａと同様に、ほぼ１００ｕｍ程度となっている。
【００４８】
また、電子源１６と、ターゲット部１２の間隔Ｂは、ほぼ４００ｕｍ程度となっている。
【００４９】
また、図８に示すように、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、１８ａ、１８ｂ、１８ｃのように電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成となっており、この薄膜状電極の間隔Ｃは、ほぼ１００ｕｍ程度である。
【００５０】
なお、薄膜状電極の分割は、イオンドープ法によって、電極分割される。
【００５１】
このような構成において、ターゲット部１２と電子源１６の構成による動作について説明する。
【００５２】
ターゲット部１２のＸ線２３のＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極１８の近傍の光変換膜層２０の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極１８を介して光変換膜層２０に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。
【００５３】
これによって、光変換膜層２０の電子源１６側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００５４】
これら光変換膜層２０の正孔に対して、電子源１６から電子ビームが放射され、光変換膜層２０をラインごとに走査していく。
【００５５】
図７においては、まず、電子入射電極２２ａに対応したラインに対して、電子ビーム２６ａが選択され、電子を電子入射電極２２ａに放射していく。
【００５６】
図８においては、電子ビーム２６ａから放射された電子は、電子入射電極２２ａに拡がり、その電子は光変換膜層２０の下面に形成された正孔の２次パターンと結合し、その上方に位置する薄膜状電極１８ａ〜１８ｆに対して、Ｘ線の強度に応じた電流が流れることになる。この電流を薄膜状電極１８ａ〜１８ｆからそれぞれ取り出すことで、電子入射電極２２ａに対応したラインに対する画素の入射Ｘ線強度を測定することができる。
【００５７】
この走査を電子ビーム２６ａから電子ビーム２６ｆまで繰り返すことで、電子入射電極２２と薄膜状電極１８によりマトリクス状に位置づけられる画素の入射Ｘ線強度を測定することができ、それを１枚の画像とするとＸ線画像となるのである。
【００５８】
このように、ターゲット部１２は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、この電子入射電極２２に対して、電子源１６は、電子ビーム２６を選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となり、次に、ターゲット部１２のＸ線入射面側の薄膜状電極１８は、電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極１８の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極１８が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【００５９】
また、電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、この電子入射電極２２に対するラインに対して、電子ビームを設け、この電子ビームによってラインに生成された正孔に対して電子を放射することができるので、画素ごとに電子ビームを設ける場合と比較して、少ない電子ビーム数で電子源１６を構成できる。
【００６０】
この場合には、電子ビームの数を低減できるので、電子ビームの感度ばらつきも低減できることとなる。
【００６１】
なお、図６から図８に示した電子源１６は、電子ビームを一次配列したライン構成となっているが、図９に示したように、１本の電子入射電極２２に対して、複数の電子ビームを配する構成も可能である。このような構成にすることで、１つの電子ビームの電子放射量を低減することが可能となるので、電子源１６の設計許容度を広げることが可能となる。
【００６２】
また、本実施形態における光変換膜層２０は、感度層により構成されているが、さらには、Ｘ線入射面より順に、緩和層、正孔トラップ層、感度層より構成しても良い。
【００６３】
正孔トラップ層は、Ｘ線や可視光などの照射によって発生した正孔をトラップする層であり、緩和層と正孔トラップ層が設けられているのは、正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生している場合でも、それによる白キズの発生を抑えることができるようにするためである。
【００６４】
なお、光変換膜層２０の電荷増倍機能は、感度層によるものであり、光変換膜層２０の構成要素としては、感度層のみで構成しても良い。
【００６５】
ここで、薄膜状電極１８には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）や酸化スズ、Ｓｉ等半導体基板などが使用される。また、正孔注入阻止層１９には酸化セリウム（ＣｅＯ２）が、緩和層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、正孔トラップ層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）が、感度層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、電子注入阻止層２１には硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)がそれぞれ使用される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができる。
【００６７】
すなわち、光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、この電子入射電極に対して、電子源は、電子ビームを選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となる。
【００６８】
次に、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【００６９】
したがって、Ｘ線センサーやＸ線診断装置への適用が大いに期待されるものである。
【符号の説明】
【００７０】
１ Ｘ線源
２ Ｘ線センサー
３ 撮像対象者
４ アーム
５ ベッド
６ 装置本体
７ Ｘ線制御部
８ コントローラ
９ 画像処理部
１０ モニタ
１１ 電子源制御部
１２ ターゲット部（光電変換膜）
１３ 移動制御部
１４ 入力部
１５ 取り付け基板
１６ 電子源
１７ Ｘ線透過性基板
１８ 薄膜状電極
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｆ 薄膜状電極
１９ 正孔注入阻止層
２０ 光変換膜層
２１ 電子注入阻止層
２２ 電子入射電極
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ 電子入射電極
２３ Ｘ線
２４ 電源
２５ 電源
２６ 電子ビーム
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ 電子ビーム
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ 画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、Ｘ線センサーと、このＸ線センサーを用いたＸ線診断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＸ線センサーの構成は、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、この光電変換膜の電子ビーム入射面側に対向して設けられ、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備えたものとなっていた。
【０００３】
前記光電変換膜のＸ線入射面側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極の近傍の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極を介して光電変換膜に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。これによって、光変換膜層の電子源側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【０００４】
これら光変換膜層の正孔に対して、電子源から電子ビームが放射され、光変換膜層を画素ごとに走査していく。このときに、正孔と電子ビームの電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ることができる（例えば下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５８９２２２２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来のＸ線センサーの課題は、１枚のＸ線画像を生成するフレームレートが遅いことであった。
【０００７】
前述したように、従来のＸ線センサーの構成においては、Ｘ線の強度に応じた映像情報を取り出す場合には、電子源は、光変換膜層を画素ごとに走査していき、そのときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ていた。
【０００８】
この場合には、１枚の映像情報を取り出す際には、１枚の映像の画素の数の走査回数が必要となってくるので、その結果、フレームレートが遅くなってしまうのであった。
【０００９】
そこで本発明は、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そしてこの目的を達成するために本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであり、これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができる。
【００１２】
すなわち、光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、この電子入射電極に対して、電子源は、電子ビームを選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となる。
【００１３】
次に、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図
【図２】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図
【図３】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの断面図
【図５】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図６】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの制御ブロック図
【図７】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図８】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図９】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明にかかるＸ線センサー、およびそのＸ線センサーを用いたＸ線診断装置の実施の一形態について、添付図面を交えて説明する。なお添付図面は、理解を容易にするために模式的な図を示している。
【００１６】
まず、この実施の形態にかかるＸ線診断装置の全体構成について、図１および図２を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図である。図１に示すように、Ｘ線診断装置は、Ｘ線源１と、Ｘ線源１から所定の間隔をおいて対向配置されるＸ線センサー２とを備え、Ｘ線源１から放射したＸ線を撮像対象者３に照射し、その撮像対象者３を透過したＸ線をＸ線センサー２に入射させることにより、撮像対象者３の内部の状態を可視化するものである。
【００１８】
具体的には、側面視したときの形状が略半円状のアーム４の一端にＸ線源１が設けられ、アーム４の他端にＸ線センサー２が設けられている。このようにしてＸ線源１とＸ線センサー２が所定の間隔をおいて対向配置されている。したがってアーム４によって、ベッド５に横たわった撮像対象者３を挟んでＸ線源１とＸ線センサー２とを対向配置させることができるので、Ｘ線源１から照射されて撮像対象者３を透過したＸ線を、Ｘ線センサー２で検出することができる。
【００１９】
アーム４は、装置本体６に回動自在に取り付けられている。装置本体６は、アーム４を回動させる駆動装置（図示せず）を内蔵している。このようにすることで、撮像対象者３の内部の状態を様々な角度から可視化することが可能となる。
【００２０】
図２は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図である。
【００２１】
図２に示すように、Ｘ線源１はＸ線制御部７に接続されており、Ｘ線制御部７はコントローラ８に接続されている。コントローラ８は、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御するものである。Ｘ線制御部７は、コントローラ８からの指令信号に従って、Ｘ線源１によるＸ線の照射動作やＸ線の照射量を制御する。
【００２２】
Ｘ線センサー２は画像処理部９に接続されている。画像処理部９は、Ｘ線センサー２から取り出された電気信号（光電変換信号）を検出して画像処理する。画像処理部９により処理された信号はコントローラ８に送信される。コントローラ８は、Ｘ線センサー２が検出したＸ線の光量（強度）に基づく画像、すなわち撮像対象者３の内部の状態を表示する画像をモニタ１０に映し出す。
【００２３】
またＸ線センサー２は、電子源制御部１１にも接続されている。この電子源制御部１１もコントローラ８に接続されている。電子源制御部１１は、コントローラ８からの指令信号に従って、後述する電子源による電子線の照射動作や電子線の照射量を制御する。
【００２４】
装置本体６に内蔵されているアーム４を回動させる駆動装置（図示せず）は移動制御部１３に接続されており、移動制御部１３はコントローラ８に接続されている。移動制御部１３は、コントローラ８からの指令信号に従って、アーム４の回動動作を制御する。
【００２５】
コントローラ８には、さらに入力部１４が接続されている。コントローラ８は、入力部１４から入力された指令に従って、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御する。
【００２６】
続いて、この実施の形態にかかるＸ線センサー２について、図３ないし図６を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の外観を示す斜視図であり、図４は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の断面図であり、図５は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の光電変換膜であるターゲット部１２の断面図であり、図６は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の制御ブロック図である。
【００２７】
以下、Ｘ線センサー２の光電変換膜については、ターゲット部と称して説明を行う。
【００２８】
図３および図４に示すように、Ｘ線センサー２は、平面視したときの形状が矩形状の取り付け基板１５を備える。また図４に示すように、取り付け基板１５の主面上には、同じく矩形状の電子源１６が設けられており、その電子源１６の上部には、ターゲット部１２が配置されている。
【００２９】
図５にターゲット部１２の構成図を示す。ターゲット部１２は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層２０、電子注入阻止層２１、電子入射電極２２とにより構成されている。
【００３０】
ターゲット部１２の光変換膜層２０は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分として構成されている。また、薄膜状電極１８と、ＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１９と、光変換膜層２０との接合により、外部からの正孔注入が阻止され、また、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２１と、光変換膜層２０との接合により、外部からの電子注入が阻止される構造となっている。
【００３１】
Ｘ線透過性基板１７は、図４に示すように、図５の電子注入阻止層２１が電子源１６に向くように、取り付け基板１５に対して対向配置される。これにより、電子源１６は電子注入阻止層２１側の面に向けて電子線を照射することができる。
【００３２】
そして、ターゲット部１２と電子源１６は、Ｘ線の照射エネルギーを光電変換可能とするために、図３に示すように、本体ケース２ａ内に真空密封された状態で構成されている。
【００３３】
次に図６を用いて、Ｘ線センサー２の動作について説明する。
【００３４】
まず、ターゲット部１２の薄膜状電極１８は、１０ｋＶ程度の電源２４に接続される。
【００３５】
また、電子源１６は、１０〜８０Ｖ程度の電源２５に接続されている。
【００３６】
この状態において、ターゲット部１２のＸ線入射面側（図６の上方）よりＸ線２３が入射すると、ターゲット部１２の電子源１６側（図６の下方）の光変換膜層２０には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００３７】
次に、この正孔の２次パターンを電流値として読み取るために、電子源１６の電子ビーム２６からターゲット部１２の下面に設けられた電子入射電極２２に向けて、ラインごとに走査して、電子を放出することになる。
【００３８】
ここで、図６を用いて、電子入射電極２２、および、薄膜状電極１８の構成について説明する。
【００３９】
まず、電子入射電極２２は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置（図６の手前から奥行き方向）に、２２ａ、２２ｂ、２２ｅのように、所定間隔をおいて配置された帯状に設けられている。また、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、１８ａ、１８ｂ、１８ｃのように電子入射電極２２にほぼ直交した、複数の帯状に分割（所定間隔をおいて配置）した構成となっている。
【００４０】
このような構成において、電子源１６の電子ビーム２６は、電子入射電極２２に向けて、ラインごとに走査して、電子を放出していく。
【００４１】
図６においては、まず電子ビーム２６ｅから電子が放出され、この電子は電子入射電極２２ｅに入射し、この電子入射電極２２ｅ上方近傍の膜内に生成された正孔と、電子入射電極２２ｅより入射した電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極１８より読み出している。より具体的には、薄膜状電極１８ａより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ａが直交する画素２７ａの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１８ｂより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ｂが直交する画素２７ｂの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１８ｃより読み取った電流値は、電子入射電極２２ｅと薄膜状電極１８ｃが直交する画素２７ｃの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となる。
【００４２】
それぞれの薄膜状電極１８ａ、１８ｂ、１８ｃには、電流読み取り部２８が設けられた構成となっており、制御部２９は、電子源１６の複数の電子ビーム２６を電子ビーム２６ａ、電子ビーム２６ｂの順に、走査ラインごとに選択して照射するよう制御するとともに、選択された走査ラインに対応して、薄膜状電極１８に設けた電流読み取り部２８から読み取ることにより、画素の入射Ｘ線の強度を読み取ることが可能となる。
【００４３】
さらに詳細な説明をするために、図７、図８を用いて説明する。
【００４４】
図７、図８にターゲット部１２と電子源１６の断面構造の模式図を示す。
【００４５】
図７は、図６を正面より見た断面構造の模式図であり、図８は、図６を左側面より見た断面構造の模式図である。
【００４６】
図７に示すように、ターゲット部１２は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極１８と、ＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１９、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）で形成され、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層２０と、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２１と、アルミニウムで形成された電子入射電極２２と、より構成されている。
【００４７】
電子入射電極２２は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置（図７の手前から奥行き方向）に、２２ａ、２２ｂ、・・・２２ｆのように所定間隔離した帯状に設けられている。それぞれの電極間隔の長さＡは、ほぼ１００ｕｍ程度である。これら電子入射電極２２に対向した位置に、電子源１６の電子ビーム２６が設けられており、それぞれの電子ビームの間隔は、電子入射電極２２の電極間隔Ａと同様に、ほぼ１００ｕｍ程度となっている。
【００４８】
また、電子源１６と、ターゲット部１２の間隔Ｂは、ほぼ４００ｕｍ程度となっている。
【００４９】
また、図８に示すように、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１８は、１８ａ、１８ｂ、１８ｃのように電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成となっており、この薄膜状電極の間隔Ｃは、ほぼ１００ｕｍ程度である。
【００５０】
なお、薄膜状電極の分割は、イオンドープ法によって、電極分割される。
【００５１】
このような構成において、ターゲット部１２と電子源１６の構成による動作について説明する。
【００５２】
ターゲット部１２のＸ線２３のＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極１８の近傍の光変換膜層２０の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極１８を介して光変換膜層２０に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。
【００５３】
これによって、光変換膜層２０の電子源１６側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００５４】
これら光変換膜層２０の正孔に対して、電子源１６から電子ビームが放射され、光変換膜層２０をラインごとに走査していく。
【００５５】
図７においては、まず、電子入射電極２２ａに対応したラインに対して、電子ビーム２６ａが選択され、電子を電子入射電極２２ａに放射していく。
【００５６】
図８においては、電子ビーム２６ａから放射された電子は、電子入射電極２２ａに拡がり、その電子は光変換膜層２０の下面に形成された正孔の２次パターンと結合し、その上方に位置する薄膜状電極１８ａ〜１８ｆに対して、Ｘ線の強度に応じた電流が流れることになる。この電流を薄膜状電極１８ａ〜１８ｆからそれぞれ取り出すことで、電子入射電極２２ａに対応したラインに対する画素の入射Ｘ線強度を測定することができる。
【００５７】
この走査を電子ビーム２６ａから電子ビーム２６ｆまで繰り返すことで、電子入射電極２２と薄膜状電極１８によりマトリクス状に位置づけられる画素の入射Ｘ線強度を測定することができ、それを１枚の画像とするとＸ線画像となるのである。
【００５８】
このように、ターゲット部１２は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、この電子入射電極２２に対して、電子源１６は、電子ビーム２６を選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となり、次に、ターゲット部１２のＸ線入射面側の薄膜状電極１８は、電子入射電極２２にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極１８の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極１８が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【００５９】
また、電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極２２を設け、この電子入射電極２２に対するラインに対して、電子ビームを設け、この電子ビームによってラインに生成された正孔に対して電子を放射することができるので、画素ごとに電子ビームを設ける場合と比較して、少ない電子ビーム数で電子源１６を構成できる。
【００６０】
この場合には、電子ビームの数を低減できるので、電子ビームの感度ばらつきも低減できることとなる。
【００６１】
なお、図６から図８に示した電子源１６は、電子ビームを一次配列したライン構成となっているが、図９に示したように、１本の電子入射電極２２に対して、複数の電子ビームを配する構成も可能である。このような構成にすることで、１つの電子ビームの電子放射量を低減することが可能となるので、電子源１６の設計許容度を広げることが可能となる。
【００６２】
また、本実施形態における光変換膜層２０は、感度層により構成されているが、さらには、Ｘ線入射面より順に、緩和層、正孔トラップ層、感度層より構成しても良い。
【００６３】
正孔トラップ層は、Ｘ線や可視光などの照射によって発生した正孔をトラップする層であり、緩和層と正孔トラップ層が設けられているのは、正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生している場合でも、それによる白キズの発生を抑えることができるようにするためである。
【００６４】
なお、光変換膜層２０の電荷増倍機能は、感度層によるものであり、光変換膜層２０の構成要素としては、感度層のみで構成しても良い。
【００６５】
ここで、薄膜状電極１８には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）や酸化スズ、Ｓｉ等半導体基板などが使用される。また、正孔注入阻止層１９には酸化セリウム（ＣｅＯ２）が、緩和層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、正孔トラップ層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）が、感度層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、電子注入阻止層２１には硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)がそれぞれ使用される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたものであるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができる。
【００６７】
すなわち、光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、この電子入射電極に対して、電子源は、電子ビームを選択して照射することで、ラインごとの走査を行うことが可能となる。
【００６８】
次に、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割したので、この複数の薄膜状電極の電流値を走査ラインごとに同時に読み取ることで、走査ラインと薄膜状電極が直交した位置に対応した複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることができることとなり、その結果、走査回数、電流値読み取り回数ともに低減できるので、Ｘ線センサーのフレームレートを速くすることができるのである。
【００６９】
したがって、Ｘ線センサーやＸ線診断装置への適用が大いに期待されるものである。
【符号の説明】
【００７０】
１ Ｘ線源
２ Ｘ線センサー
３ 撮像対象者
４ アーム
５ ベッド
６ 装置本体
７ Ｘ線制御部
８ コントローラ
９ 画像処理部
１０ モニタ
１１ 電子源制御部
１２ ターゲット部（光電変換膜）
１３ 移動制御部
１４ 入力部
１５ 取り付け基板
１６ 電子源
１７ Ｘ線透過性基板
１８ 薄膜状電極
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｆ 薄膜状電極
１９ 正孔注入阻止層
２０ 光変換膜層
２１ 電子注入阻止層
２２ 電子入射電極
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ 電子入射電極
２３ Ｘ線
２４ 電源
２５ 電源
２６ 電子ビーム
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ 電子ビーム
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ 画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたＸ線センサー。
【請求項２】
前記光電変換膜の、複数の帯状に分割された、それぞれの薄膜状電極には、電流読み取り部が設けられた構成とした請求項１に記載のＸ線センサー。
【請求項３】
前記光電変換膜は、電子源の複数の電子ビームを、走査ラインごとに選択して照射するよう制御するとともに、選択された走査ラインに対応して、前記薄膜状電極に設けた電流読み取り部から読み取る制御部を設けた請求項２に記載のＸ線センサー。
【請求項４】
前記光電変換膜は、Ｘ線入射面側より、Ｘ線透過性基板と、このＸ線透過性基板のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極、正孔注入阻止層、光変換膜層、電子注入阻止層、電子入射電極、より構成した請求項１から３のいずれか一つに記載のＸ線センサー。
【請求項５】
Ｘ線源と、このＸ線源に所定間隔おいて対向配置したＸ線センサーとを備え、
前記Ｘ線センサーとして、請求項１から４のいずれか一つに記載のＸ線センサーを用いたＸ線診断装置。
【請求項１】
一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源とを備え、前記電子源は、走査ラインごとに選択して照射する複数の電子ビームを有するとともに、前記光電変換膜は、電子ビーム入射面上の電子ビームの走査ラインに対応した位置に導電性の帯状の電子入射電極を設け、Ｘ線入射面側の薄膜状電極は、前記電子入射電極にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成としたＸ線センサー。
【請求項２】
前記光電変換膜の、複数の帯状に分割された、それぞれの薄膜状電極には、電流読み取り部が設けられた構成とした請求項１に記載のＸ線センサー。
【請求項３】
前記光電変換膜は、電子源の複数の電子ビームを、走査ラインごとに選択して照射するよう制御するとともに、選択された走査ラインに対応して、前記薄膜状電極に設けた電流読み取り部から読み取る制御部を設けた請求項２に記載のＸ線センサー。
【請求項４】
前記光電変換膜は、Ｘ線入射面側より、Ｘ線透過性基板と、このＸ線透過性基板のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極、正孔注入阻止層、光変換膜層、電子注入阻止層、電子入射電極、より構成した請求項１から３のいずれか一つに記載のＸ線センサー。
【請求項５】
Ｘ線源と、このＸ線源に所定間隔おいて対向配置したＸ線センサーとを備え、
前記Ｘ線センサーとして、請求項１から４のいずれか一つに記載のＸ線センサーを用いたＸ線診断装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−８８３７３（Ｐ２０１３−８８３７３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３１４００（Ｐ２０１１−２３１４００）
【出願日】平成２３年１０月２１日（２０１１．１０．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２１日（２０１１．１０．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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