【課題】従来、通話録音データと接触履歴情報を関連付けることは可能であったが、キーワードを指定して、接触履歴と関連する内容を検索することはできなかった。
本発明の目的は、キーワード等の検索条件に該当する通話録音内容を容易に検索できるようにすることにより、接触履歴に関連する通話録音内容の検索を効率的に行うことができる証券向け顧客情報管理システムを提供することにある。
【解決手段】本発明の顧客との接触情報である音声データを文字データに変換して管理する顧客情報管理システムは、顧客との接触履歴情報データを入力する接触履歴情報データ入力手段と、文字データを接触履歴情報データと関連付ける文字データ関連付手段と、接触履歴情報データと文字データを表示する表示手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無線通信システムで、親局から複数の子局へ通報（選択呼出）する機能に関し、親局での効果的・高機能な通報（操作や制御処理）を実現する。
【解決手段】本システムでは、親局（１０）の装置（２）は、親局から扱者Ｕの操作等に基づき、番号で示す選択呼出先となる対象の子局へ報知情報を無線送信する選択呼出機能を有し、対象の子局を識別するための第１の識別情報と、日時に応じた対象の子局を識別するための第２の識別情報と、を関係付ける第１テーブル（Ｔ１）情報を登録する手段と、扱者Ｕの操作等に基づき、対象の子局を選択指定する第１の識別情報を入力し、入力された第１の識別情報を、第１テーブル（Ｔ１）情報と、現在日時情報とを参照し、現在日時に応じて関係付けられる第２の識別情報へ自動的に変換し、上記第２の識別情報を用いて選択呼出を実行する手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 酸素含有層を窒素濃度が高い酸窒化層又は窒化層に改質することで、ポリシリコン膜の耐酸化性を向上させる。
【解決手段】 酸素含有層が形成されたポリシリコン膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に設けられ、基板を加熱する加熱部と、処理室内に窒素及び水素を含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、加熱部により基板を所定の温度に加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板に供給させ、酸素含有層を酸窒化層又は窒化層に改質させるように、少なくとも加熱部、ガス供給部及び励起部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】空間を立体的に移動する移動局の移動軌跡についても、モニタ画面から容易に理解できるようにした表示システムを提供すること。
【解決手段】三次元電子地図を用い、基地局にあるモニタ部の地図表示部Ｍに、建造物の画像Ｃや丘陵地の画像Ｈ、傾斜地の画像Ｓなどの地形を表示させ、そこに移動局の図形２０１と移動局の移動軌跡２０３を表示させた上で、更に、水平０度線２０４と垂直０度線２０５、方位表示２０６、基地局図形２１１及びアンテナ方向線２１２を重畳表示させたもの。これにより移動局の現在の空間での位置と基地局の位置、地形図上での移動局の移動軌跡や地形図の方位などがモニタ部の地図表示部Ｍを見ただけで簡単に認識できる。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉１０におけるマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１とに第一加熱源６１と第二加熱源６２と第三加熱源６３と第四加熱源６４とを敷設し、加熱源６１〜６４は温度制御部６０に接続する。温度制御部６０はマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１の定期的交換の頻度を減少でき、ＣＶＤ装置のメンテナンス性能を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。
【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第１の温度に加熱された基板に対して、第１の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第１の温度以上第２の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第２の温度に加熱された基板に対して、第２の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜３０２またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】炉口部近傍に於ける基板温度の面内均一性を図ることで基板の処理枚数を増大させ、基板の処理効率を向上させる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板１３を保持する基板保持具５と、該基板保持具が搬入される処理炉１と、該処理炉に設けられ基板を加熱する加熱部２と、前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給部８，１１と、前記処理炉内を排気する排気部１２と、前記加熱部と前記ガス供給部と前記排気部とを制御する制御部とを具備し、前記基板保持具の下部にはダミー基板１３ｂが保持されると共に、前記基板保持具の下端にボートキャップ６が設けられ、少なくともダミー基板と前記ボートキャップとの間に伝熱板３４が設けられた。 （もっと読む）

【課題】フォーマットの異なる複数の監視映像を表示領域に自在に表示させる技術を提供する。
【解決手段】表示領域５００には、表示領域に合わせたサイズの配置領域６００が配置される。監視映像リスト２００に列挙された監視映像からユーザによって選択された監視映像を配置領域６００の所望の位置にドラッグアンドドロップすることで、配置領域６００に監視映像を配置することができる。配置領域６００に配置された監視映像である配置映像６１は、ユーザの所望の配置位置に移動可能であり、また、ユーザの所望の大きさに拡大、縮小、切り出しができる。配置領域６００には、静止画６２やイラスト６３を付加することができ、配置映像６１の説明や補足に用いることができる。 （もっと読む）