説明

株式会社日立国際電気により出願された特許

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【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】CVD装置の処理炉10におけるマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31とに第一加熱源61と第二加熱源62と第三加熱源63と第四加熱源64とを敷設し、加熱源61〜64は温度制御部60に接続する。温度制御部60はマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31の定期的交換の頻度を減少でき、CVD装置のメンテナンス性能を向上できる。 (もっと読む)


【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。
【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第2の温度に加熱された基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜302またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】無線通信システムで、親局から複数の子局へ通報(選択呼出)する機能に関し、親局での効果的・高機能な通報(操作や制御処理)を実現する。
【解決手段】本システムでは、親局(10)の装置(2)は、親局から扱者Uの操作等に基づき、番号で示す選択呼出先となる対象の子局へ報知情報を無線送信する選択呼出機能を有し、対象の子局を識別するための第1の識別情報と、日時に応じた対象の子局を識別するための第2の識別情報と、を関係付ける第1テーブル(T1)情報を登録する手段と、扱者Uの操作等に基づき、対象の子局を選択指定する第1の識別情報を入力し、入力された第1の識別情報を、第1テーブル(T1)情報と、現在日時情報とを参照し、現在日時に応じて関係付けられる第2の識別情報へ自動的に変換し、上記第2の識別情報を用いて選択呼出を実行する手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】 酸素含有層を窒素濃度が高い酸窒化層又は窒化層に改質することで、ポリシリコン膜の耐酸化性を向上させる。
【解決手段】 酸素含有層が形成されたポリシリコン膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に設けられ、基板を加熱する加熱部と、処理室内に窒素及び水素を含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、加熱部により基板を所定の温度に加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板に供給させ、酸素含有層を酸窒化層又は窒化層に改質させるように、少なくとも加熱部、ガス供給部及び励起部を制御する制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第1のガスを第1の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第2のガスを第2の処理領域内に供給し、第1の処理領域及び第2の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第1のガス及び第2のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】空間を立体的に移動する移動局の移動軌跡についても、モニタ画面から容易に理解できるようにした表示システムを提供すること。
【解決手段】三次元電子地図を用い、基地局にあるモニタ部の地図表示部Mに、建造物の画像Cや丘陵地の画像H、傾斜地の画像Sなどの地形を表示させ、そこに移動局の図形201と移動局の移動軌跡203を表示させた上で、更に、水平0度線204と垂直0度線205、方位表示206、基地局図形211及びアンテナ方向線212を重畳表示させたもの。これにより移動局の現在の空間での位置と基地局の位置、地形図上での移動局の移動軌跡や地形図の方位などがモニタ部の地図表示部Mを見ただけで簡単に認識できる。 (もっと読む)


【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 (もっと読む)


【課題】異なるガスを交互に流して成膜て、スループットが向上できるようにする。
【解決手段】応炉20、真空ポンプ26に接続された排気配管40、成膜に寄与する第1のガスを供給する第1供給配管41、第2のガスを供給する第2供給配管38、第1、第2供給配管の供給及び排気配管40の排気を制御するバルブ22〜25、第1供給配管41に設けられたガス溜り21、制御手段29を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、炉20の排気を止めた状態で第1のガスを炉20に供給することにより、炉20を昇圧状態として基板Wを第1のガスに晒す。ポンプ26で炉20を排気しつつ第2のガスを第2供給配管38を介して炉20に供給することにより、基板を第2のガスに晒す。 (もっと読む)


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