【課題】異なるガスを交互に流して成膜して、スループットが向上できるようにする。
【解決手段】反応炉２０、真空ポンプ２６に接続された排気配管４０、成膜に寄与する第１のガスを供給する第１供給配管４１、第２のガスを供給する第２供給配管３８、第１、第２供給配管の供給及び排気配管４０の排気を制御するバルブ２２〜２５、第１供給配管４１に設けられたガス溜り２１、制御手段２９を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、炉２０の排気を止めた状態で第１のガスを炉２０に供給することにより、炉２０を昇圧状態として基板Ｗを第１のガスに晒す。ポンプ２６で炉２０を排気しつつ第２のガスを第２供給配管３８を介して炉２０に供給することにより、基板を第２のガスに晒す。 （もっと読む）

【課題】炉口部近傍に於ける基板温度の面内均一性を図ることで基板の処理枚数を増大させ、基板の処理効率を向上させる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板１３を保持する基板保持具５と、該基板保持具が搬入される処理炉１と、該処理炉に設けられ基板を加熱する加熱部２と、前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給部８，１１と、前記処理炉内を排気する排気部１２と、前記加熱部と前記ガス供給部と前記排気部とを制御する制御部とを具備し、前記基板保持具の下部にはダミー基板１３ｂが保持されると共に、前記基板保持具の下端にボートキャップ６が設けられ、少なくともダミー基板と前記ボートキャップとの間に伝熱板３４が設けられた。 （もっと読む）

【課題】 金属炭化物系の膜を段差被覆性良く形成する。
【解決手段】 基板に対して、第１金属元素とハロゲン元素とを含む第１原料と第２金属元素と炭素とを含む第２原料とを交互に所定回数供給する工程と、基板に対して、窒化原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定膜厚の第１金属元素を含む金属炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に堆積した薄膜を除去する際、薄膜の除去に要する時間を短縮し、処理室を構成する石英部材が受ける不均一なエッチングダメージを抑制する。
【解決手段】 基板上に薄膜を形成する処理を行った後の処理室内にクリーニングガスを供給して処理室内をクリーニングする方法であって、第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に堆積した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、処理室内の温度を第１の温度よりも高い第２の温度に変更する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に接続される付帯設備を把握し、付帯設備をメンテナンスする作業にかかる負荷を軽減する。
【解決手段】基板処理装置と、前記基板処理装置に関連し、前記基板処理装置と直接又は間接的に接続される付帯設備と、前記付帯設備から収集される前記付帯設備に関する情報を少なくとも格納する記憶装置と、前記記憶装置に格納された情報に基づいて、前記基板処理装置及び前記付帯設備の接続関係を表示する表示装置とを備える。前記付帯設備は、ガスボンベが配置されるシリンダーキャビネット及びガス及び熱を排気する排気装置であり、前記表示装置は、前記基板処理装置及び前記シリンダーキャビネットの接続関係並びに前記基板処理装置及び前記排気装置の接続関係を連結させて表示する。 （もっと読む）

【課題】処理室内において処理空間から非処理空間へのマイクロ波の漏洩を抑制し、非処理空間内の基板搬送口等に設けられるＯリングの焼損やパーティクルの発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１１０を形成し導電性の壁で構成される処理容器１８と、処理室内に設けられ、基板が載置される側の基板載置面と該基板載置面と垂直な側壁とを有する導電性の基板支持台１２と、基板加熱処理時における基板載置面側の空間である処理空間へマイクロ波を供給するマイクロ波供給部２３と、基板加熱処理時における基板載置面と反対側の空間である非処理空間１３０を形成する処理容器の壁に設けられ、基板を処理室内外へ搬送する基板搬送口７１と、基板支持台の側壁又は該側壁に対向する処理容器の内壁に設けられ、処理空間へ供給されたマイクロ波が非処理空間へ通過することを抑制するマイクロ波通過抑制用の溝１７と、を備えるた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ビデオサーバシステム内の情報管理サーバが長時間停止状態となっていても、その間に発生した通知を復旧後に通知できるビデオサーバシステムを提供する。
【解決手段】ビデオサーバシステム内の収録コントローラは、それぞれ、少なくとも、不揮発性メモリで構成されるディスクキューを有し、収録コントローラの本番系の収録コントローラが制御状態の通知を情報管理サーバに送信できなかった場合に、本番系の収録コントローラは収録端末装置から操作された収録操作の情報をディスクキューに保存し、復旧後収録端末装置から操作された収録操作の情報をディスクキューから取り出し、情報管理サーバに送信する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 （もっと読む）