説明

株式会社日立国際電気により出願された特許

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【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 (もっと読む)


【課題】異なるガスを交互に流して成膜て、スループットが向上できるようにする。
【解決手段】応炉20、真空ポンプ26に接続された排気配管40、成膜に寄与する第1のガスを供給する第1供給配管41、第2のガスを供給する第2供給配管38、第1、第2供給配管の供給及び排気配管40の排気を制御するバルブ22〜25、第1供給配管41に設けられたガス溜り21、制御手段29を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、炉20の排気を止めた状態で第1のガスを炉20に供給することにより、炉20を昇圧状態として基板Wを第1のガスに晒す。ポンプ26で炉20を排気しつつ第2のガスを第2供給配管38を介して炉20に供給することにより、基板を第2のガスに晒す。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】 金属炭化物系の膜を段差被覆性良く形成する。
【解決手段】 基板に対して、第1金属元素とハロゲン元素とを含む第1原料と第2金属元素と炭素とを含む第2原料とを交互に所定回数供給する工程と、基板に対して、窒化原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定膜厚の第1金属元素を含む金属炭窒化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 (もっと読む)


【課題】 処理室内に堆積した薄膜を除去する際、薄膜の除去に要する時間を短縮し、処理室を構成する石英部材が受ける不均一なエッチングダメージを抑制する。
【解決手段】 基板上に薄膜を形成する処理を行った後の処理室内にクリーニングガスを供給して処理室内をクリーニングする方法であって、第1の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に堆積した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、処理室内の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に変更する工程と、第2の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】即時処理が必要な制御命令に対して即時性をもって応答することが可能なデータ取り込み装置を提供する。
【解決手段】映像が含まれる信号を取り込む映像信号取り込みボードと、映像取り込みボードにより取り込まれた信号のデータに対して所定の処理を施して配信(出力)する映像データ取り込みアプリケーション2と、を備えた映像信号データ取り込み装置において、更に、取り込みアプリケーション2が動作する機器OSとは別のRTOS51に、前記データ処理アプリケーションから分離された一部の処理を所定時間内で実行するRTOSアプリケーション5を設け、RTOSアプリケーション5が、外部のコントローラから入力された制御命令を解析し、前記一部の処理のみを実行する制御命令である場合には、自アプリケーションで実行してその結果を外部のコントローラへ応答として返す。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置に接続される付帯設備を把握し、付帯設備をメンテナンスする作業にかかる負荷を軽減する。
【解決手段】基板処理装置と、前記基板処理装置に関連し、前記基板処理装置と直接又は間接的に接続される付帯設備と、前記付帯設備から収集される前記付帯設備に関する情報を少なくとも格納する記憶装置と、前記記憶装置に格納された情報に基づいて、前記基板処理装置及び前記付帯設備の接続関係を表示する表示装置とを備える。前記付帯設備は、ガスボンベが配置されるシリンダーキャビネット及びガス及び熱を排気する排気装置であり、前記表示装置は、前記基板処理装置及び前記シリンダーキャビネットの接続関係並びに前記基板処理装置及び前記排気装置の接続関係を連結させて表示する。 (もっと読む)


【課題】処理室内において処理空間から非処理空間へのマイクロ波の漏洩を抑制し、非処理空間内の基板搬送口等に設けられるOリングの焼損やパーティクルの発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室110を形成し導電性の壁で構成される処理容器18と、処理室内に設けられ、基板が載置される側の基板載置面と該基板載置面と垂直な側壁とを有する導電性の基板支持台12と、基板加熱処理時における基板載置面側の空間である処理空間へマイクロ波を供給するマイクロ波供給部23と、基板加熱処理時における基板載置面と反対側の空間である非処理空間130を形成する処理容器の壁に設けられ、基板を処理室内外へ搬送する基板搬送口71と、基板支持台の側壁又は該側壁に対向する処理容器の内壁に設けられ、処理空間へ供給されたマイクロ波が非処理空間へ通過することを抑制するマイクロ波通過抑制用の溝17と、を備えるた基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】ビデオサーバシステム内の情報管理サーバが長時間停止状態となっていても、その間に発生した通知を復旧後に通知できるビデオサーバシステムを提供する。
【解決手段】ビデオサーバシステム内の収録コントローラは、それぞれ、少なくとも、不揮発性メモリで構成されるディスクキューを有し、収録コントローラの本番系の収録コントローラが制御状態の通知を情報管理サーバに送信できなかった場合に、本番系の収録コントローラは収録端末装置から操作された収録操作の情報をディスクキューに保存し、復旧後収録端末装置から操作された収録操作の情報をディスクキューから取り出し、情報管理サーバに送信する。 (もっと読む)


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