説明

株式会社日立国際電気により出願された特許

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【課題】ガスクリーニングの際に供給されるO2に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、SiC成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内22内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート15を反応室22に搬入し、反応室22内を所望の圧力(真空度)、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ42,45、およびバルブ46,49を制御し、クリーニングガス(Cl2、Ar)を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってO2ガスが発生する。この発生したO2ガスが、SiC膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内22内のクリーニングが行われる。 (もっと読む)


【課題】 FDD方式及びTDD方式のいずれの通信方式にも適用することができ、有効データ区間を精度良く反映した遅延調整を実現する歪補償装置を提供する。
【解決手段】 歪補償装置は、歪補償部1が送信信号に歪補償テーブルを用いて歪補償を行い、遅延調整部2が歪補償前の送信信号と歪補償後の送信信号の帰還信号との遅延を調整し、誤差演算部3が遅延調整された送信信号と帰還信号との遅延誤差が小さくなるように歪補償テーブルを更新する。そして、有効データ区間イネーブル生成部5が送信信号に含まれる制御信号を用いて送信信号中に送信データが存在する区間(有効データ区間)を示す信号を生成し、遅延調整部2が上記の遅延調整を有効データ区間で行なう。 (もっと読む)


【課題】制御パラメータの測定値が、その基準値に対して偏差の上限値を超えた場合と偏差の下限値を超えた場合とで、状況に応じたエラー処理を選択できる。
【解決手段】基板を処理する基板処理室と、記憶部と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、記憶部は、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部と、制御パラメータの基準値を記憶する制御パラメータ記憶部と、制御パラメータの基準値に対する上限偏差値と下限偏差値を記憶するアラーム値記憶部とを備え、制御部は、プロセスレシピ記憶部に記憶したプロセスレシピを実行するプロセスレシピ実行部と、制御パラメータの測定値がアラーム値記憶部に記憶された上限偏差値と下限偏差値を超えたか否か判断し、上限偏差値を超えた場合と下限偏差値を超えた場合とで、異なる処理を実施するエラー処理部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 面内均一な基板処理を再現性良く得ることができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、基板支持部の内部に設けられる複数のインピーダンス電極と、インピーダンス電極毎に設けられた基板電位分布調整部と、処理室内を排気する排気部と、少なくともガス供給部、プラズマ生成部及び基板電位分布調整部を制御する制御部と、を備え、制御部は、少なくともガス供給部により供給した処理ガスをプラズマ生成部により励起し、励起した処理ガスを前記基板に供給して処理する際に、基板の処理面の電位分布を基板電位分布調整部によりそれぞれ調整する。 (もっと読む)


【課題】基地局装置101と通信するための周波数で送受信する第1の無線部111と、移動局装置103と通信するための周波数で送受信する第2の無線部112を有する中継局装置102で、一斉通信の後追い通信を行う。
【解決手段】中継局装置102は、第2の無線部112により移動局装置103に対して一斉通信信号(図1では、TCH(音声データ))を送信している間に、第1の無線部111に設けられた送信部(TX)によって移動局装置103が一斉通信用のチャネルに切り替えるための切り替え信号(図1では、UI信号(直接通信無線チャネル指定、直接通信単信呼設定))を定期的に送信する。 (もっと読む)


【課題】再現性良く良好な膜質を得ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、加熱部を備えた基板載置部と、前記基板載置部を支持し、前記基板載置部と共に回転可能な回転軸部と、前記加熱部に電力を供給する供給線と、前記供給線の一端に接続され、充電器を内蔵する温度制御部と、前記温度制御部に電力を供給する電力供給部とを有し、前記加熱部を所望の温度まで上昇させる際には、前記温度制御部と前記電力供給部を接続し、前記温度制御部を経由して前記電力供給部から前記加熱部へ電力を供給し、前記所望の温度に到達した後、前記温度制御部と前記電力供給部を切り離し、前記充電器から前記加熱部へ電力を供給するよう制御する制御部を有する。 (もっと読む)


【課題】 PA増幅部の非線形歪を小さくし、且つ、電力効率の高いET電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 ET電力増幅装置は、増幅対象の入力信号を電源電圧によって増幅するPA増幅部201と、入力信号の振幅を検出し、振幅−電源電圧特性に基づいた制御信号を出力する電源制御部202と、制御信号に応じた電源電圧をPA増幅部に供給するPA電源部203と、を備え、振幅−電源電圧特性は、振幅に対して電源電圧を線形とし且つ当該電源電圧に下限を設定した振幅−電源電圧特性である。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン(HMDS)含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 (もっと読む)


【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】光を用いて基板を処理する基板処理装置において、処理基板の大型化に対応することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を載置した状態で水平回転する基板載置部と、基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ処理室内へ光を照射する発光部と、処理室と発光部の間に設けられ処理室と発光部を隔てる仕切り部と、処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部とを備えた基板処理装置において、仕切り部は、発光部から処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、該透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、複数の透過窓のうち少なくとも1つの透過窓の面積は、基板の面積よりも小さくなるよう構成する。 (もっと読む)


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