【目的】 この発明は、エラー発生図面を自動展開し、エラー発生個所を明示することにより、エラー修正時の作業手順を簡素化し、エラーの修正漏れを防止し、プログラム開発効率を高めることにある。
【構成】 コントローラプログラムの動作を図形表現化した図面を作成し、この図面からオブジェクトプログラムを作成する装置において、この図面を格納する図面ファイル２と、エラー情報を格納するエラー情報ファイル３と、図面コンパイル時にエラーが発生したとき、図面ファイルの該当図面からエラー情報を読み出してエラー情報ファイルに格納する図形式仕様書コンパイル装置１５と、エラーの発生時に起動し、図面ファイルからエラー発生図面を読み出して表示し、エラー情報ファイルからエラー情報を読み出してエラー発生個所を識別可能に表示する図形式仕様書作成装置１４とを設けたプログラム作成装置である。 （もっと読む）

【構成】 入力情報を蓄積しつつ、入力情報がＡＴＭセルのペイロード部に格納する格納予定情報量以上になると随時出力する蓄積手段と、この手段から格納予定情報が出力されたならば、格納予定情報からＡＴＭセルを生成して外部に出力し、ＡＴＭセルが生成されなければ、他のＡＴＭセルを外部に出力するＡＴＭセル化手段とで構成される。
【効果】 蓄積手段の蓄積情報量がＡＴＭセルのペイロードの格納予定情報量以上かどうかによって、有効セルかその他のセルをＡＴＭセルとして送出するので、ＡＴＭセル化装置の下流にＡＴＭ側インターフェースとの速度を揃えるための速度整合用のバッファを用意する必要がない。 （もっと読む）

【目的】 測定者による測定値のバラツキをなくし、高精度で容易に能率良く測定すること。
【構成】 回転電機の整流子片３間の位置を検出すると共に、電機子巻線２に接続された２個の整流子片３間に電流を通電し、その間の電圧降下を検出する第１手段６，10，11と、整流子片間の位置を検出する度に前記電流と電圧降下を記録する第２手段７，８，12〜17を設けたもの。 （もっと読む）

【目的】 発電電動機を系統に並入する場合に、同期速度レベルに達するまでの起動時間を最短にするとともに、同期速度レベルに達した後の加速度一定制御においても、ＧＤ² 等による時間遅れを生じることがなく系統への並入に要する時間を最短にする。
【構成】 検出回転数２５が同期処理検出値３１よりも小さいか否かにより、変化率選択回路１０１は起動時であるか同期時であるかを判断し、起動時変化率３２又は同期時変化率３８を選択する。トルク／電流特性出力回路１０２は、選択された変化率と検出回転数２５とを入力し、電流目標値３５を出力する。電流調整回路１０３は、この目標値３５と検出電流２３との比較に基いて電流減信号又は電流増信号を出力し、電流調整制御を行う。 （もっと読む）

【目的】 パ―ティクルとともに金属不純物を半導体ウエハ表面から充分に除去することが可能な半導体ウエハ処理液を提供する。
【構成】 水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも１種を添加成分として含有する。
【化１】


（式中、Ｒ₁ ，Ｒ₂ はアシル基またはｏ位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか１種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、Ｒ₃ は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。）
【効果】 半導体ウエハ表面を極めて清浄な状態にすることができる。 （もっと読む）

【目的】 比較的簡略な構成を採りながら、ＴＣＰなど能動素子の動作に伴う発熱を効率よく放熱することが可能で、所要の高機能を呈する実装回路装置（モジュール）の提供を目的とする。
【構成】 プリント配線板４と、前記プリント配線板４の一主面に実装、配置された少なくとも１個のテープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）５ないしベアーチップを含む複数の能動素子と、前記プリント配線板４の他主面側に離隔・配置されたヒートシンク６と、前記ヒートシンク６およびプリント配線板４間に配置され両者を離隔・保持して一体化するスペーサ７と、前記ＴＣＰ５を含む各能動素子が実装・配置されたそれぞれの領域でプリント配線板４を遊嵌的に貫通し各別に能動素子５下面およびてヒートシンク６面を熱的に接続する伝熱体８とを具備して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 メタライズ層の形成にあたって、接合強度の低下や外観不良の発生等を再現性よく抑制することを可能にした窒化アルミニウム基板とその製造方法を提供する。
【構成】 窒化アルミニウムの結晶粒１１ａ間に、主に焼結助剤成分からなる粒界相１２を有する焼結体１１からなる窒化アルミニウム基板であって、その表面には結晶粒１１ａの周辺部に、粒界相の脱落部に相当する凹部１４が設けられている。このような窒化アルミニウム基板１５は、窒化アルミニウム焼結体１１に表面加工を施し、表面にしみ出した粒界相成分１３を除去して後、超音波等を併用した、窒化アルミニウム自体には影響を及さないエッチング処理を施すことによって得られる。 （もっと読む）

【目的】 トリミング箇所を増やしたり、トリミングステップを細かくしても、ピン数をほとんど増やすことなくチップ封止後のトリミングを可能にした。
【構成】 ツェナーザップダイオード１１〜１３を、スイッチング用トランジスタＱ14〜Ｑ16により選択的にザッピングする。スイッチングトランジスタＱ14〜Ｑ16は、デコーダ回路Ｂ11のデータに基づいてオンオフ状態を制御する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子計算機本体と無停電電源装置との間に相互に情報を送受するインターフェイスを備えて、電子計算機本体が無停電電源装置を監視できるようにしたことを特徴とする。
【構成】電子計算機本体１と無停電電源装置２との間を双方向のデータ転送ライン３１によりインターフェイス接続し、電子計算機本体１には、上記データ転送ライン３１を介して上記無停電電源装置２にコマンドを発送する手段と、上記無停電電源装置２より受けた電源状態情報の内容を解読し処理する手段とを有し、上記無停電電源装置２には、電源状態を監視し停電発生を検知する手段と、停電発生検知情報及び上記コマンドに従うレスポンスを上記データ転送ラインを介して上記電子計算機本体１に送付する手段とを有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 ＩＧＢＴの最大電流遮断能力は大きなままで、十分に低いオン抵抗を持つ絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。
【構成】 ｐ⁺ 型エミッタ層１１，ｎ^- 型高抵抗ベース層１２，ｐ型ベース層１３，ｎ⁺ 型ソース層１４，ゲート電極１７及び主電極１８，１９等からなる縦型のＩＧＢＴのカソード側オンチャネル１５とオンチャネル１５′の間に、カソード電極１８には接していないｎ⁺ 型エミッタ層２２，このｎ⁺ 型エミッタ層２２を覆うｐ型ベース２１を有するサイリスタ構造を設けた絶縁ゲート型半導体装置において、このサイリスタ構造とＩＧＢＴ部分の面積比を最適な範囲に設定するべく、各層の厚み方向と直交する横方向の単位セルサイズを１２０μｍ以下としたことを特徴とする。 （もっと読む）