【課題】固形分率が高い正極用ペーストを用いて正極合材層の密着性が高く且つ品質が向上した正極板を提供すること。
【解決手段】正極板１は、正極芯材１０の表面に正極活物質と炭素系導電材とを含む正極合材層２０が形成されているものである。正極合材層２０は、炭素系導電材を分散させる分散剤として高分子ポリマー型分散剤と顔料誘導体型分散剤とを含む正極用ペーストが、正極芯材１０の表面に塗布されて乾燥したものである。この正極板１によれば、分散剤として高分子ポリマー型分散剤を用いているため、正極合材層２０と正極芯材１０との密着性が向上する。また、分散剤として顔料誘導体型分散剤を用いているため、正極用ペーストの粘度を大きく下げることができる。言い換えると、溶媒の量を増やして正極用ペーストの粘度を低下させる必要がなく、正極用ペーストの固形分率を上げることができる。この結果、正極板１の品質が向上する。 （もっと読む）

【課題】 焼成の際のジルコニア系電解質とセリア系電解質との固溶を抑制することができる、電解質膜の製造方法および当該電解質膜を備える燃料電池を提供する。
【解決手段】 電解質膜（３０）の製造方法は、セリア系電解質グリーン層（３２）とジルコニア系電解質グリーン層（３１）とを積層する積層工程と、前記セリア系電解質グリーン層および前記ジルコニア系電解質グリーン層を焼成する焼成工程と、を含み、前記焼成工程の際に、前記セリア系電解質グリーン層の温度を、前記セリア系電解質グリーン層と前記ジルコニア系電解質グリーン層との界面の温度よりも高くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニア系電解質とセリア系電解質との固溶が抑制された電解質膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電解質膜（３０）の製造方法は、セリア系電解質グリーン層（３２）とジルコニア系電解質グリーン層（３１）とが積層された積層体を準備する準備工程と、前記セリア系電解質グリーン層および前記ジルコニア系電解質グリーン層を焼成する焼成工程と、を含み、前記積層体は、前記セリア系電解質グリーン層と前記ジルコニア系電解質グリーン層との界面において、難焼結性を有する難焼結性層を備え、前記界面以外のいずれかの箇所において、易焼結性を有する易焼結性層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】照明の瞬灯を抑制した照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置１００は、電源端子１に接続される電力供給ライン３Ａ、３Ｂ、３Ｃと、前記電力供給ラインに挿入される発光ダイオード４Ａ、４Ｂと、前記発光ダイオードの下流側で電力供給ラインに接続され、前記発光ダイオードのオン／オフを切り替えるスイッチ７Ａ、７Ｂと、前記スイッチに並列に接続されるキャパシタ８Ａ、８Ｂと、前記電源端子と前記スイッチとの間で、前記発光ダイオードをバイパスするバイパスライン１０３Ａ、１０３Ｂと、前記電源端子に入力される電力の供給先を前記電力供給ライン又は前記バイパスラインに選択的に切り替える切り替え部１０２とを含み、前記切り替え部は、前記発光ダイオードの消灯時に前記電源端子と前記バイパスラインを接続する。 （もっと読む）

【課題】負極活物質に磁場を印加した効果を十分に発揮して出力性能に優れる二次電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって提供される二次電池において、正極合材層の多孔度Ａ１と負極合材層の多孔度Ａ２との比である多孔度比（Ａ１／Ａ２）は０．７４以上である。負極活物質のアスペクト比は２以上であり、上記負極合材層の合材密度は、１．５ｇ／ｃｍ^３未満であり、上記負極合材層中の上記負極活物質の垂直度は１．１以上である。ここで、上記垂直度は、上記負極合材層の単位面積当たりの上記負極活物質の数のうち、上記負極集電体の表面に対する傾きθｎが６０°≦θｎ≦９０°である該負極活物質の数をｍ１とし、上記負極集電体の表面に対する傾きθｎが０°≦θｎ≦３０°である該負極活物質の数をｍ２としたときのｍ１／ｍ２である。 （もっと読む）

【課題】正極合材層形成用ペーストにおける導電剤の分散性を向上することで、電池性能を向上したリチウム二次電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】リチウム二次電池を製造する方法であって、導電性炭素微粒子からなる導電剤ペーストと上記正極活物質とバインダとを混合して正極合材層形成用ペーストを調製することを包含し、上記導電剤ペースト中の上記導電剤として、粒度分布測定（動的光散乱法）に基づく累積１０％粒径（Ｄ_１０）が０．１μｍ以上であり、且つ累積９０％粒径（Ｄ_９０）が２μｍ以下のものを用いることを特徴とする。上記粒度範囲を満たす場合、正極合材層中に導電剤が均一に分散し、該合材層中の導電パスが良好となる。このため、かかる正極合材層を備えたリチウム二次電池では、電池性能（例えば、サイクル特性）を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】トレンチ型の電極を用いた半導体装置においてブレークダウンが発生した場合に、ゲート絶縁膜のダメージを抑制する。
【解決手段】半導体基板１０２の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域１１２に達したトレンチ１１３に隣接してソース電極１３３に電気的に接続した第２導電型のソース領域を形成する。半導体基板の裏面にドレイン電極１１１を形成する。トレンチの底部に、ドリフト領域との接合部に空乏層を形成する特性を有する特定層１８１を配置し、特定層の上面およびトレンチの側壁は絶縁層で被覆し、絶縁層で被覆されたトレンチ内部にゲート電極１２２を形成し、トレンチ側壁の一部に、トレンチ側壁に沿って半導体基板の深さ方向に伸びる導電部１８２を形成し、導電部の第１の端部を特定層に接合し、導電部の第２の端部を半導体基板の表面に到達させるとともに、ソース電極に接続する。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路を構成する直列接続された素子を備えた半導体装置において、その直列接続の高電位配線の影響による耐圧低下が生じるのを防止する半導体装置の提供。
【解決手段】第１および第２の素子は、各々、電流のスイッチングを行うトランジスタと、還流を行うダイオードとを含み、かつ、トランジスタの第１主電極とダイオードの第１主電極が電気的に接続され、トランジスタの第２主電極とダイオードの第２主電極が電気的に接続され、第１の素子および第２の素子は、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極が電気的に接続され、かつ、半導体基板を平面視したときに、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域とが対向するように、配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】永久磁石の保磁力安定性を評価するための、結晶粒単位で低保磁力部位の有無を検出できる永久磁石の検査方法を提供する。
【解決手段】磁気力顕微鏡により同一視野について同時にＡＦＭ像で結晶粒界をＭＦＭ像で磁区とを観察し、磁区を遮断する粒界の長さＡと、遮断しない長さＢとから測定した、粒界が磁区を遮断する割合である、磁区遮断率＝〔Ａ／（Ａ＋Ｂ）〕×１００（％）に基づき、結晶粒単位で低保磁力部位の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成の半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１０は、第１構造体１０Ｕａと第２構造体１０Ｕｂを備えている。第１構造体１０Ｕａと第２構造体１０Ｕｂが共通形態である。第１構造体１０Ｕａの第１出力バスバーＵout１と第２構造体１０Ｕｂの高圧側バスバー１０Ｐが共通形態であり、第１構造体１０Ｕａの低圧側バスバー１０Ｎと第２構造体１０Ｕｂの第２出力バスバーＵout２が共通形態である。 （もっと読む）