説明

株式会社豊田中央研究所により出願された特許

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【課題】ナノ構造を有し、球状の硬磁性体を高密度で備えており、高い記録密度を有する磁気記録材料を提供する。
【解決手段】絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に、平均粒子径が2.5nm〜25nmである球状の硬磁性体が三次元的且つ周期的に分散配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造磁気記録材料。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、熱電特性に優れた熱電材料を提供すること。
【解決手段】金属系熱電材料、半金属系熱電材料および金属酸化物系熱電材料からなる群から選択される無機成分からなるマトリックス中に、金属系熱電材料、半金属系熱電材料および金属酸化物系熱電材料からなる群から選択され且つ前記マトリックスを構成する無機成分と異なる無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体からなることを特徴とするナノヘテロ構造熱電材料。 (もっと読む)


【課題】長期間に亘って安定的に蓄熱でき、かつ高温が要求される加熱対象の加熱が可能となる車両用化学蓄熱システムを得る。
【解決手段】車両用化学蓄熱システム10は、エンジン12の排気熱を蓄熱すると共に水和により放熱する化学蓄熱材が内蔵された反応器40と、反応器40から放出された水蒸気の吸着及び脱着が可能な吸着材が内蔵された吸着器54と、エンジン12の冷却水を保温状態で貯留可能な顕熱蓄熱装置82と、該顕熱蓄熱装置82に貯留した冷却水を吸着器52に導く冷却水移送手段90〜94と、反応器40内が放熱した熱を触媒コンバータ18に伝える加熱エアライン50と、自動車11の停止時に冷却水が顕熱蓄熱器82に貯留されるように該顕熱蓄熱装置82を制御すると共に、自動車11の始動時に、顕熱蓄熱器82に貯留されている冷却水が吸着器54に導かれるように冷却水移送手段90〜94を制御する蓄熱ECU100と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ナノ粒子が規則的に配置しているi層を備えるp−i−n構造を有し、光電変換効率に優れた量子ドット太陽電池を提供すること。
【解決手段】平均粒子径が2〜50nmおよび粒子径の分散度が1.2以下であり、光照射により電荷を生成する粒子状無機成分が、真性半導体材料からなるマトリックス無機成分中に、平均粒子間距離が2〜50nmおよび粒子間距離の分散度が1.2以下の状態で、三次元的且つ周期的に配置しているナノヘテロ構造体からなるi層と、p型半導体層と、n型半導体層とを備えるp−i−n構造を有していることを特徴とする量子ドット太陽電池。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたpn接合素子を提供すること。
【解決手段】p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、p型半導体層と、n型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記p型半導体材料と前記n型半導体材料とによって形成されているpn接合面の端部が前記p型半導体層および前記n型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記p型半導体層と前記n型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造pn接合素子。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 (もっと読む)


【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープRIE法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 DSPを備えるデジタル制御回路を用いた電源装置において、急激な負荷変動に対しても適切に応答することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書が開示する電源装置は、ヒステリシスコンパレータを備えるアナログ制御回路と、デジタル信号処理装置(DSP)を備えるデジタル制御回路と、アナログ制御回路またはデジタル制御回路からの指令信号に従い動作するスイッチング電源回路を備えている。その電源装置は、スイッチング電源回路の出力電圧が急変する場合は、アナログ制御回路によってスイッチング電源回路をヒステリシス制御する。その電源装置は、スイッチング電源回路の出力電圧が急変しない場合は、デジタル制御回路によってスイッチング電源回路をPWM制御する。 (もっと読む)


【課題】現状を超えて成膜基板を高速に回転しても、原料ガスの流れに乱流が発生することを抑制することが可能な回転式成膜装置を提供する。
【解決手段】回転式成膜装置1は、上面20Tに、成膜基板Wが載置される基板載置部21Wを含む、成膜基板Wよりも径の大きいサセプタ21を有する回転体20を備えた反応容器10と、回転体20に回転動力を供給する回転動力供給機構23と、
サセプタ21の上方からサセプタ21に載置された成膜基板Wに対して原料ガスGを供給する原料ガス供給機構とを備えている。サセプタ21において基板載置部21Wの外部領域の少なくとも一部はカバー部材30で覆われている。 (もっと読む)


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