説明

古河電気工業株式会社により出願された特許

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【課題】コイル巻加工時に電線皮膜の一部を能動的に破壊させることによって、下層皮膜を保護することのできる絶縁電線を提供する。
【解決手段】導体および該導体に被覆された多層絶縁皮膜を有する絶縁電線5であって、該多層絶縁皮膜の導体に接する最下層皮膜と導体との密着力が、該多層絶縁皮膜内の各層皮膜間の密着力より高く、該多層絶縁皮膜が、皮膜厚比率が最下層:上層=40:60〜80:20の2層構成、または、中間層の皮膜が全層の皮膜に対して、6〜25%の厚さを持つ3層構成である絶縁電線5。 (もっと読む)


【課題】
プラグコネクタのハウジングに、ハウジングの径拡大方向に突出する向きのラッチ爪を持つラッチアームを有し、ソケットコネクタのハウジングに、前記ラッチ爪を係止させる係合部を有し、かかる両コネクタが互いに嵌合した状態で前記ラッチ爪が係合部で係止されて両コネクタが嵌合状態を維持し、また前記ラッチ爪と係合部との係止を解除する操作を行うことにより、両コネクタの嵌合を解除できるコネクタ組立体はプラグコネクタ側でしかコネクタ相互の嵌合を解除することが出来なかった。
【解決手段】
嵌合状態におけるコネクタの嵌合を解除できる操作部がソケットコネクタ側にも備えていることを特徴とする。これにより、いずれの側からも両コネクタの嵌合を解除させることができる効果を有する。
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【課題】薄い受熱プレートを使用しても小さな熱抵抗で半導体素子と熱的に接続することができ、ヒートシンクの薄型化が可能な受熱部材取り付け構造体を提供する。
【解決手段】受熱部材取り付け構造体1は基板2および基板2に搭載された基板5と、基板5の上に搭載され、基板5から突出した半導体素子6と、半導体素子6の突出面に熱的に一方の面が接続され、他方の面がヒートパイプ10に熱的に接続され、前記突出面の周辺部に補強構造部4を備えた受熱プレート3と、基板2と受熱プレート3とを、前記突出面と受熱プレート3が弾性力で熱的に接続された状態で固定する固定部材7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】厚さが極めて薄く、コンパクトで放熱効率に優れ、傾斜した状態で使用する場合においても所謂ドライアウトが生じることがなく、ヒートパイプの外周面を直接冷却することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】略水平に配置された複数のヒートパイプが略並列に配列されたヒ−トパイプ部と、前記ヒートパイプ部の両端部にそれぞれ取り付けられた放熱フィン部と、前記ヒートパイプ部の中央部に取り付けられた複数の吸熱部材とを備え、複数の前記ヒートパイプのうち少なくとも1本は、前記ヒートパイプ部が傾斜して一方の放熱フィン部が前記吸熱部材より下方に位置した状態にあっても、下方に位置した当該放熱フィン部に最も近接する前記吸熱部材まで浸す量の作動液を有しているヒートシンク。 (もっと読む)


【課題】本発明はワイヤーハーネスの回線数が増加しても容易に対応でき、作業性の向上、防水性、防塵性、遮音性の向上を図ることができ、汎用性の高いワイヤハーネス接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤハーネス接続構造体は、自動車等の車両の室内に配索された室内側ワイヤハーネスW1の端部に設けられた第1のコネクタ1と、車両のエンジンルームに配索されたエンジンルーム側ワイヤハーネスW2の端部に設けられた第2のコネクタ2とを有し、第1のコネクタ1及び第2のコネクタ2がダッシュパネルPの貫通孔3を介して接続され、第1のコネクタ1内を通る回転レバー4が第2のコネクタ2に螺着され、回転レバー4を回転させることにより、第1のコネクタ1と第2のコネクタ2とを引き寄せて接続するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】連続焼鈍によって時効処理を行うことができる、線材の製造方法、線材の製造装置および配線用電線導体等に用いられる銅合金線を提供する。
【解決手段】線材繰り出し装置と、線材巻き取り装置と、線材繰り出し装置および線材巻き取り装置の間に設けられて、通過経路に沿って折り返して時効析出型銅合金線材が通過する走間焼鈍装置とを備えた線材の製造装置。走間焼鈍装置の上流側にタンデムに時効析出型銅合金線材を昇温する通電加熱焼鈍装置をさらに備えていてもよい。走間焼鈍装置の上流側に時効析出型銅合金線材を溶体化処理する別の通電加熱装置をさらにタンデムに備えていてもよい。また、走間焼鈍装置のかわりに通電加熱装置をタンデムに接続して時効処理のための走間加熱装置を構成してもよい。また、これらの装置を用いることにより、直径が0.03mm以上3mm以下の範囲において時効析出型銅合金線を得る。 (もっと読む)


【課題】第1の光素子から出射した光を集光レンズで集光し、第2の光素子の光導波路に容易に且つ正確に位置合わせ出来る光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光モジュールの製造方法は、集光レンズを第1の光素子から出射した光の光軸方向に移動させて、第1の光素子から出射し集光レンズを通過した光を第2の光素子6の入射側端面に位置合せする第1ステップと、集光レンズを光軸と直交する面内に移動させて、集光レンズを通過した光の出射方向側から観察したときに集光レンズを通過した光の焦点のスポットが、第2の光素子6の頂面上に第2の光素子6の光導波路と整列して形成された突起部35aと、光軸に直交し且つ基台の主面に平行な方向で整列するように位置合わせする第2ステップと、集光レンズを基台の主面に垂直な方向に移動させて、集光レンズを通過した光が第2の光素子6の光導波路に光結合するように集光レンズを位置合わせする第3ステップと、集光レンズの位置を固定する第4ステップと、を順次に有する。 (もっと読む)


【課題】高さが高くかつリード角の大きい内面フィンを有する内面溝付管を、より生産性よく製造することができる製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】素管に対して一定方向へ引抜き力を連続的に付与し、縮経ダイスと前記素管内に挿入されたフローティングプラグとにより前記素管を縮経する縮経工程と、前記フローティングプラグへ回転自在に連結され外周面に螺旋状の平行な多数の溝.を有する溝付プラグと、当該溝付プラグ側へ押圧された状態で前記素管の外周を遊転しつつ遊星回転する複数のボール又はロールからなる転造工具とにより、前記素管内へ前記溝付プラグの溝に沿った多数のフィンを転写する転造工程とを含み、前記引抜き力を検出しながら、その検出値に基づいて前記素管に対する引抜き力を目標範囲内に収まるように制御することを最も主用な特徴としている。 (もっと読む)


【課題】
従来の保護チューブは円筒状に形成されており、接続現場で保護チューブ20を光コネクタに直接取り付けることを考えた場合、光コネクタに取付ける際の寸法や形状が合わず、取り付けが困難であり、接着剤や、かしめ等の方法を用いなければならず、作業性や効率が悪化することや、作業時間を多く要するなどの課題があった。
【解決手段】
ドロップ光ケーブルやインドア光ケーブルと同等の長辺と短辺との断面矩形状の外形形状を有し、内部に挿通される光ファイバ心線の外形寸法よりも大きな内径寸法を持つ挿通孔が長手方向に沿って形成されている。このため、これらの光ケーブルに取り付け可能な光コネクタに光ファイバ心線を直接取り付けることが可能であり、光コネクタの後部に保護チューブを挿し込む等の簡単な作業で確実に光コネクタ端から光ファイバ心線を保護することができる (もっと読む)


【課題】III−V族窒化物半導体をチャネル領域とする半導体トランジスタの電流コラプス現象の低減を図ることができ半導体トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1の上にIII−V族窒化物半導体層3,4を形成し、III−V族窒化物半導体層3,4の上に保護膜5を形成し、保護膜5及びIII−V族窒化物半導体層3,4を900℃以上の温度でアニールを施し、保護膜5のうちIII−V族窒化物半導体層3,4の少なくともソース領域とドレイン領域に第1、第2の開口7s、7dを形成し、III−V族窒化物半導体層3,4にオーミック接触するソース電極9sを第1の開口7s内に形成し、III−V族窒化物半導体層3,4にオーミック接触するドレイン電極9dを第2の開口7d内に形成し、ソース電極9sとドレイン電極9dの間の領域でIII−V族窒化物半導体層3,4にショットキー接触するゲート電極11を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


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