【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の硬質基板を損傷させることなく所定の厚みに研削することができる硬質基板の研削方法を提供する。
【解決手段】環状のフレーム３に装着され紫外線を照射することによって硬化する粘着層３２を有する粘着テープ３０の粘着層に硬質基板２の被研削面と反対面を貼着する工程と、硬質基板より大きい押圧面を有する第１の押圧部材４１と第２の押圧部材４２とによって粘着テープと硬質基板とを挟んで所定の温度で加熱しつつ所定の圧力で所定時間押圧することにより、硬質基板の外周から粘着層を盛り上がらせて硬質基板の外周部を囲繞する環状の保持土手３２２を形成する工程と、保持土手形成工程が実施された粘着テープに紫外線を照射し、粘着テープの粘着層における少なくとも保持土手を含む内側の領域を硬化せしめる工程と、粘着層硬化工程が実施された粘着テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、硬質基板の被研削面を研削する。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワークを支持する環状フレームの位置決めを行う位置決め機構において、環状フレームと位置決め機構との間の摩擦の影響を低減し、正確な位置決めを可能とする。
【解決手段】粘着テープＴを介してワークＷを支持する環状フレームＦの位置決めを行う位置決めユニットにおいて、環状フレームＦの外周は、４つの位置決め基準面Ｆ２〜Ｆ５を備え、位置決めユニットは、２個の回転可能な位置決めピン８０２、８０５を備える固定ブロック８００ａ、８０１ａと、これらと対向し１個以上の回転可能な位置決めピン８０８、８１１を備え固定ブロックに対して接近及び離反する方向に進退可能な可動ブロック８００ｂ、８０１ｂとから構成され、可動ブロックと固定ブロックに近づく方向に移動させることで環状フレームＦの位置決め基準面Ｆ２〜Ｆ５が回転可能な位置決めピンに当接し、環状フレームＦが位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】切削加工により生じるウェーハの切削屑によるチャックテーブルの外周部の汚れを低減し、ウェーハの輪郭の誤認識を防止できる切削装置を提供する。
【解決手段】切削装置１はチャックテーブル１０とウェーハＷの面取り部８を除去する切削手段とウェーハＷの表面Ｗａ，Ｗｃに光を照射して撮像する撮像手段３０を備える。チャックテーブル１０はウェーハＷの裏面Ｗｂ全面を吸引保持する保持部１２と保持部１２の外周を囲繞する外周リング部１３を有している。外周リング部１３の内径はウェーハＷの外径よりも小さく外径はウェーハＷの外径よりも大きい。外周リング部１３は撮像手段３０から照射された光が正反射する光正反射層１６と光正反射層１６上に積層され撮像手段３０から照射された光が透過する石英ガラス層１７とからなる。石英ガラス層１７の表面１７ａと保持部１２の表面１２ａは同一面である。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラットドレスにおける作業の簡素化、生産性の向上を図る切削装置を提供すること。
【解決手段】チャックテーブル１０と、スピンドル２２ａに装着された切削ブレード２１ａを有する切削手段２０ａ，２０ｂと、スピンドル２２ａをＹ軸方向に移動させるＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂと、スピンドル２２ａをＺ軸方向に移動させるＺ軸移動手段４０ａ，４０ｂとを備える切削装置１であって、チャックテーブル１０に隣接し、かつＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂによる切削ブレード２１ａの移動経路上に配設されたドレス手段５０ａ，５０ｂをさらに備え、ドレス手段５０ａ，５０ｂは、研磨面がＺ軸方向のうち離間方向に向かって配設されるドレッサーボードと、ドレッサーボードを保持し、中心軸線を中心に回転可能な保持手段とを有し、保持手段により保持されているドレッサーボードの研磨面の高さＨ１は、チャックテーブル１０の表面の高さＨ２と同一または低い。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）