【課題】導電性と耐熱性のバランスがとれた半導体装置用リードフレームの素材として好適であり、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、４００℃にて１時間加熱後のビッカース硬さが１００以上とする。
【解決手段】Ｆｅ；０．０５〜０．１５重量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５０重量％およびＺｎ；０．０１〜０．２０重量％を各々含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる組成を有し、ＥＢＳＤ法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が２．５〜５．０°であり、ＥＢＳＤ法にて測定したＢｒａｓｓ方位密度が１１．０〜１４．５％であり、Ｃｏｐｐｅｒ方位密度が１３．０〜２５．５％であり、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、４００℃にて１時間加熱した後のビッカース硬さが１００以上である。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返しても、集電層がフィルム基材及び活物質層と剥離、脱落せずに良好なリサイクル特性を有し、更に、集電効率、電気絶縁性に優れたリチウムイオン電池用集電体を提供する。
【解決手段】樹脂組成物からなるフィルム基材と、前記フィルム基材の片面或いは両面に銅或いはアルミニウムの蒸着により形成された薄膜からなる集電層とを有するリチウムイオン電池用集電体において、リチウムイオン電池形成時に電極引出し側となる部分が他の薄膜部分よりも厚く膜形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い放電容量を有しながら、充放電を繰り返しても、集電層が基材及び活物質層と剥離、脱落しない、サイクル特性に優れたリチウムイオン電池用集電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱収縮性樹脂組成物からなり表面に粗面部が形成されたフィルム基材と、フィルム基材の粗面部上に形成されたアルミニウムの蒸着薄膜からなる集電層とを有するリチウムイオン電池用集電体において、熱収縮性樹脂組成物がガラス転移温度より２０〜５０℃高い温度で加熱処理された熱収縮性樹脂組成物であり、アルミニウムの蒸着薄膜の厚みが１．５〜３．０μｍであり、表面から厚み０．５μｍ以内の範囲のＲａが０．０２〜０．１μｍで、Ｒｚが０．２〜０．５μｍで、Ｒｑ／Ｒｚが１．３以下であり、フィルム基材と接する面から厚み０．５μｍ以内の範囲のＲａが０．００５〜０．０１、Ｒｚが０．０５〜０．１、Ｒｑ／Ｒｚが１．３以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系基材の表面に下地Ｎｉめっき層を有する最表面にＳｎめっきが施された、高温での暴露時に優れた接触抵抗性を有する導電性部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層３を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層はさらに、Ｎｉ系下地層の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層及びＣｕ_６Ｓｎ_５層を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層のＳｎ系表面層と接する面に凹凸を有しており、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の凹部に対する凸部の厚さの比率が１．２〜５であり、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した大傾角粒界比率が８０％以上であり、Ｎｉ系下地層中に０．１〜２．０重量％のＺｎを含有する。 （もっと読む）

【課題】車載用の駆動回路やモータ装置内部の回路基板等に使用されるプロジェクション溶接特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜４．０重量％、Ｓｉ：０．１〜１．０重量％、Ｚｎ：０．３〜０．７重量％、Ｓｎ：０．４〜０．８重量％を含有し、残りがＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有し、結晶組織内のＥＢＳＤ法にて測定したＧＯＳの全結晶粒における平均値が３．０°〜５．０°であり、ＥＢＳＤ法にて測定した結晶粒界の全粒界長さＬに対する特殊粒界の全特殊粒界長さＬσの比率（Ｌσ／Ｌ）が１５〜３０％である。 （もっと読む）

【課題】通常の表面処理剤或いは黒化処理にて、容易に均質に粗化されて、樹脂密着性に優れた電子機器用のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金条材を提供する。
【解決手段】Ｆｅ；１．５〜２．４質量％、Ｐ；０．００８〜０．０８質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有し、表面より１０μｍまでの深さの範囲の結晶組織内のＥＢＳＤ法にて測定したＣｕｂｅ方位の方位密度が１０％〜２０％であり、ＥＢＳＤ法にて測定した平均結晶粒径が１０μｍ〜２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】銀めっきが全面的或いは部分的に施された銅又は銅合金屑から安全に効率良く銀を剥離し、銀を回収し、銀めっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用するリサイクル方法を提供する。
【解決手段】電解槽２中に濾布から構成される一つ或いは複数個の隔壁３を設け、表面に全面的或いは部分的に銀めっきが施された銅又は銅合金屑Ｃを含有するドラム籠２５が浸漬される電解剥離槽４と、カソード部６が浸漬される一つ或いは複数個の剥離回収槽５とに区分けし、剥離回収槽５中の剥離された銀を含む電解剥離液を分離装置１１に導入し、銀粉Ｓと再生電解剥離液Ｒとに分離し、銀粉Ｓを回収し、再生電解剥離液Ｒを電解剥離槽４に戻すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部除細動器の各種電気機器用に使用される絶縁破壊による自己回復時の衝撃音が非常に小さいフィルムコンデンサの製造に使用される金属蒸着フィルム、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体フィルム基体上に形成された金属アルミニウム蒸着膜とその表面に形成された酸化アルミニウム膜とからなり、前記金属アルミニウム蒸着膜の膜厚が２．１０〜２．６９ｎｍであり、表面抵抗値が２００〜１０００Ω／□であり、前記酸化アルミニウムの膜厚が２〜４ｎｍであることを特徴とするフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム。 （もっと読む）

【課題】引張強さとばね限界値と高温での長時間使用時の応力緩和率とが高レベルでバランスの取れたＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金条材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｍｇ：０.３〜２％、Ｐ：０.００１〜０.１％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有する銅合金条材であり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて、前記銅合金条材の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値が３．８〜４．２°であり、引張強さが６４１〜７０８Ｎ／ｍｍ^２であり、ばね限界値が４７２〜５０３Ｎ／ｍｍ^２であり、２００℃で１０００時間の熱処理後の応力緩和率が１２〜１９％である。 （もっと読む）

【課題】少量の高価な銀を使用して、２４０〜３００℃の温度にてリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法の提供を提供する。
【解決手段】リードフレーム８は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材１１の上にニッケルめっき層１２、銅錫合金層１３、錫めっき層１４、Ａｇ_３Ｓｎ合金層１６を順に形成したものであり、最表面がＡｇ_３Ｓｎ合金層１６とされている。このリードフレーム８とＬＥＤチップ１との接合部は、ＬＥＤチップ１の最表面層を形成していた金層９が、リードフレーム７の最表面のＡｇ_３Ｓｎ合金層１６の一部と錫めっき層１４の一部と合金化反応して、金銀錫合金層１５を形成しており、この金銀錫合金層１５によってＬＥＤチップ１とリードフレーム７とが接合されている。 （もっと読む）