【課題】優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性基（ｉ）として、アルコール性水酸基、カルボキシル基、およびフェノール性水酸基から選択されるいずれか一つの置換基が、下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１は炭素数２０以下の脂肪族環式基であり、ｎは０または１〜５の整数を表す。）で示される酸解離性溶解抑止基（ii）で保護されていることを特徴とする高分子化合物を用い、本発明のフォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を構成する。 （もっと読む）

【目的】 転写フィルム等のロール製品を確実に固定できるコンテナを提供する。
【構成】 規制部材２０は押え部材９にロール製品Ｒの軸方向と平行となるガイドロッド２１，２１を挿通し、これらガイドロッド２１，２１の内側端に当て板２２を取り付け、この当て板２２の内側面に衝撃を吸収する弾性シート２３を貼着している。またガイドロッド２１，２１の中間位置となる押え部材９にはネジ部材２４を螺進可能に取り付けている。このネジ部材２４を廻すことでネジ部材２４が前進し、ネジ部材２４の先端が当て板２２に当たり、更にネジ部材２４を前進せしめると当て板２２が弾性シート２３を介してロール製品Ｒの端面に当接し、ロール製品Ｒの軸方向の動きを規制する。 （もっと読む）

【課題】分散性、塗膜性及び長期保存安定性の優れた絶縁パターン形成用感光性ペースト組成物及びそれを用いた絶縁パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）アルカリ可溶性高分子バインダー、（ｂ）光重合性モノマー、（ｃ）光重合開始剤、（ｄ）無機化合物粒子、（ｅ）有機チタン化合物及び/又は有機ケイ素化合物及び（ｆ）有機溶媒を含有する絶縁パターン形成用感光性ペースト組成物であって、前記（ｅ）成分が特定の有機チタン化合物及び/又は有機ケイ素化合物からなり、分散性、塗膜性及び長期保存安定性に優れた絶縁パターン形成用感光性ペースト組成物、及び前記絶縁パターン形成用感光性ペースト組成物を回路等を形成した基板に塗布し、露光する絶縁パターンを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】 カラーフィルターやブラックマトリックスパターンを形成するための顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄用として特に優れた洗浄除去用溶剤を提供する。
【解決手段】 洗浄除去溶剤として、ハンセン（Ｈａｎｓｅｎ）溶解パラメータにおける水素結合力パラメータ（δ_Ｈ）が５〜１０の溶剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンと反射防止膜とのエッチングレートの差を大きくできる反射防止膜形成用材料を提供する。
【解決手段】 （Ａ）光吸収化合物基を含有するシロキサンポリマーを含むことを特徴とする反射防止膜形成用組成物。 （もっと読む）

【目的】 基板の裏面側を通る気流中にミスト状の塗布液が殆んど含まれず、基板裏面に塗布液が付着することがない塗布装置を提供する。
【構成】 基板Ｗが回転し且つ空間Ｓ内が減圧状態になると、純粋なエアのみは、基板Ｗの外周縁からパンチングプレート８を透過してミストガード１０と水平部７との隙間を通り、呼吸用の開口９から水平部７の上面と基板Ｗの下面との間の隙間を径方向外側に向かって流れ、一方、基板Ｗの外周縁から飛び出す糸状の余剰塗布液はパンチングプレート８を通過する際にトラップされパンチングプレートに捕捉され、ミストについてはパンチングプレート８は通過するがミストガード１０において捕捉され、結局、呼吸用の開口９から水平部７の上面と基板Ｗの下面との間の隙間に向かう気流中には塗布液及びミストは含まれず塗布液が基板Ｗの下面に付着することがない。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を初めとした金属配線への腐食およびＣｕ／ｌｏｗ−ｋ基板における低誘電体膜への損傷を発生せず、かつ、アッシング後の残渣膜の剥離性に優れた特性を有するホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】本発明のホトレジスト用剥離液を、（ａ）フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、および（ｂ）水溶性有機溶媒を含有してなり、前記（ａ）成分の含有率が０．００１〜０．１質量％であるのホトレジスト用剥離液とする。前記（ａ）成分の含有率は０．００１〜０．０６質量％であることが好ましく、前記水溶性有機溶媒がγ−ブチロラクトンおよび／またはプロピレングリコールであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 １つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成されるシステムＬＣＤの製造用として要求される耐熱性、解像性、リニアリティ、およびＤＯＦ特性を満足するとともに、良好な感度を有するホトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 １つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成された基板製造用の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、全フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で保護されたノボラック樹脂（Ａ−１）、全フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で保護されたポリヒドロキシスチレン樹脂（Ａ−２）、及び放射線照射により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）を有機溶剤に溶解してなることを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 脱ガスが少なく、ＥＵＶによるリソグラフィー用として好適なＥＵＶ用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される多価フェノール化合物（ａ）におけるフェノール性水酸基の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護されている保護体（Ａ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物。
【化１】
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【課題】 ＥＵＶまたは電子線を用いたリソグラフィプロセス用のレジスト組成物及びレジストパターン形成方法において、良好な感度が得られる技術を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、
前記（Ｂ）成分が、下記一般式（ｂ−０−１）、（ｂ−０−２）
【化１】


［式中、Ｘは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ、Ｚは、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す］で表されるアニオンを有するオニウム塩を少なくとも１種以上含有することを特徴とする電子線またはＥＵＶ（極端紫外光）用レジスト組成物。 （もっと読む）