【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルキルトリアルコキシシランおよびトリアルコキシシランからなるシラン化合物を加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルキルトリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 最近の微細化、多層化した半導体、液晶表示素子の形成に用いるホトリソグラフィー技術において、Ａｌ系金属（Ａｌ、Ａｌ合金）、Ｍｏ、さらにはその他の金属に対しても腐食を発生せず、かつ、ホトレジスト膜の剥離性に優れたホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】 （ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを０．５〜５０質量％、（ｂ）アルカノールアミン（例えば、モノイソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミンなど）を２〜３０質量％、および（ｃ）水溶性有機溶媒（上記（ａ）成分以外。例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジメチルスルホキシドなど））を４０〜９５質量％含有するホトレジスト用剥離液。 （もっと読む）

【課題】 磁性体粉末が均一に分散した磁性体分散塗布液の提供。
【解決手段】（Ａ）磁性体粉末、（Ｂ）アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸塩およびレシチンからなる群から選択される少なくとも１種の分散剤、（Ｃ）シロキサンポリマー、および（Ｄ）溶剤を含むことを特徴とする磁性体分散塗布液。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ１）アルキルトリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、（Ａ２）トリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターン形状が良好で、微細なレジストパターンを形成できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含む液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、樹脂成分（Ａ）が、水素原子を有するアルカリ可溶性基（ｉ）を有し、かつ該アルカリ可溶性基（ｉ）の一部において、その水素原子が下記一般式（Ｉ）［上記式中、Ｚは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１〜３の整数を表し；Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。］で表される酸解離性溶解抑制基（Ｉ）で置換されている樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
【化１】
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良好な解像性能が得られるとともに、現像欠陥を低減させることができるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。このポジ型レジスト組成物は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物において、樹脂成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される第１の構成単位（ａ１）、およびアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される第２の構成単位（ａ２）を含む共重合体であって、前記構成単位（ａ１）の水酸基と前記構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下が前記酸解離性溶解抑制基により保護されており、前記酸解離性溶解抑制基で保護される前の共重合体の質量平均分子量が２０００以上８５００以下である。 （もっと読む）

【課題】 屈折率、特に３００ｎｍ以下の波長の光源に対する屈折率が高く、かつ解像性にも優れたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物用として好適な高分子化合物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 一般式（ａ０−１）［Ｒは水素原子または低級アルキル基、Ｒ^１〜Ｒ^７はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基、Ｚは２価の環式基、Ｘはカルボニル基、ｓ，ｔ，ｕ，はそれぞれ独立して０または１〜３の整数、ｖは０または１、ｗは０または１〜３の整数。］で表される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を有する（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有することを特徴とする高分子化合物。
【化１】
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【課題】 解像性を向上させることができるレジスト組成物に関わる技術を提供する。
【解決手段】
酸解離性溶解抑制基を有する（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、下記一般式（Ａ０）
【化１】


［式中、Ｒは水素原子又は低級アルキル基を示し、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立して水素原子又は低級アルキル基を示し（但し、Ｒ^１〜Ｒ^２が同時にアルキル基となる場合は除く）、Ｒ^５は低級アルキル基、又はハロゲン化低級アルキル基を示し、ｓ，ｔはそれぞれ独立して０又は１〜３の整数を示し、ｕは１〜３の整数を示し、Ｘは環式基を示す。］
で示される構成単位（ａ０）とを含む高分子化合物を用いてレジスト組成物とし、レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの経時安定性に優れ、かつ現像欠陥低減を達成可能なレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、（Ｂ）オキシムスルホネート系酸発生剤、（Ｄ）炭素数５〜１２のアルキル基を少なくとも１以上有するアミン化合物、及び（Ｅ）有機酸をメチル−ｎ−アミルケトンを含有する有機溶剤（Ｃ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、前記（Ｅ）成分が２塩基酸であることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）