【課題】 スペース的に有利で、連続してガラス基板に塗布液を塗布することができる塗布装置を提供する。
【解決手段】 基台１に一対の平行なレール２，２が設けられ、これら一対の平行なレール２，２間の中央に基板載置ステージ３が配置され、平面視において前記レールと直交する基板載置ステージの幅方向中心線Ｌを基準として、左右対象に第１及び第２の門型移動機構４，５が前記レール間に独立して走行可能に架け渡され、これら第１及び第２の門型移動機構４，５にスリットノズル６，７が昇降可能に保持されている。 （もっと読む）

【課題】 高解像性であって、パターン倒れが抑制され、かつ形状が良好なレジストパターンを形成できる高分子化合物およびポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ａ１−０１）で表される構成単位および下記一般式（ａ１−０２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも２種の構成単位（ａ１）を有する高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物。
【化１】


［上記式中、Ｙは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１〜３の整数を表し；ｍは０または１を表し；Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子または炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基を表し；Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 形状の良好なレジストパターンを形成できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分（Ａ）を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 ディフェクトを抑制でき、かつ感度、解像性等のリソグラフィー特性にも優れた電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１１）を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）と、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）および／または特定の鎖状の酸解離性溶解抑制基（ＩＩＩ）を含む酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（ａ２）とを有する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、フェノール性水酸基を有しかつ酸解離性溶解抑制基を有さない質量平均分子量が２５０〜１０００のフェノール化合物（Ｃ）とを含む電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 次の（i）〜（ii）の工程；（i）基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第１のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程；（ii）該第１のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 スペース的に有利で、１本のスリットノズルで連続してガラス基板に塗布液を塗布することができる塗布装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板Ｗの表面への塗布液の塗布が終了したならば、門型移動機構４をそのまま他方の待機部１０の洗浄部１２まで移動させ、洗浄部１２においてスリットノズル６を洗浄し、次の塗布に備える。この間にシリンジポンプ４４には次に塗布する１回分の塗布液を供給し、また基板載置ステージ３上からは塗布後のガラス基板Ｗを払い出し新たなガラス基板Ｗをセットする。新たなガラス基板Ｗがセットされたならば、門型移動機構４を他方の待機部１０のプリディスペンス部１１まで移動させ、プリディスペンス部１１においてスリットノズル６の予備塗布を行った後、門型移動機構４を左方向に移動し、新たなガラス基板Ｗの表面に塗布液を供給する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＬマージンおよび寸法忠実性（マスクリニアリティ）を向上させる。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記（Ｂ）成分が、下記一般式（ｂ−１）で表されるカチオン部を有するオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）、および下記一般式（ｂ−２）で表される構造を有するオキシムスルホネート系酸発生剤（Ｂ２）を含有するポジ型レジスト組成物。
【化１】


［式中、Ｒ^１”はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または水酸基を表し、Ｒ^２”、Ｒ^３”はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基を表し、ｎは０または１〜３の整数を表す。
【化２】


［式中、Ｒ^２１’は有機基を表し、Ｒ^２２’は１価の有機基、またはシアノ基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 寸法制御性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１１）を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）と、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）および／または特定の鎖状の酸解離性溶解抑制基（ＩＩＩ）を含む酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（ａ２）とを有する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、芳香族アミンとを含むポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【課題】 スピンコート法により塗布・成膜されるシリカ系被膜の表面のストライエーション発生が防止できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】 シロキサンポリマーと溶剤とを含むシリカ系被膜形成用塗布液において、上記溶剤は、沸点が１００〜１７０℃のものを５５％以上含むことを特徴とする。該シロキサンポリマーは、下記一般式で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物であること、質量平均分子量が１０００〜３０００であること、加水分解率が５０〜２００％であること、が好ましい。
Ｒ_４−ｎＳｉ（ＯＲ’）_ｎ
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ’はアルキル基またはフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 次の（i）〜（ii）の工程；（i）基板上に第１のネガ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程；（ii）該第１のレジスト層の上に第２のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記第１のレジスト層の未露光部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記第２のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したものを用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）