【目的】 基板に温度ムラに起因するピン跡を残さない支持ピンを提供する。
【構成】 基板支持ピン２０は本体部２１に対し先端部２２が交換可能に装着され、先端部２２の上面は球面状とされている。また、先端部２２はプラスチック焼結多孔質体からなり、その気孔率は２０％〜６０％とされている。その結果、ピン先端部に熱がこもらず、基板との接触部に温度差が生じない。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの膨潤を抑制できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分および（Ｃ）架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を主鎖に有する構成単位（ａ１）と、水酸基含有鎖状または環状アルキル基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む共重合体（Ａ１）であることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

ボトル経時安定性が良好な化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。ノボラック樹脂またはヒドロキシスチレン系樹脂に架橋剤を反応させて酸の存在下でアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する性質を有するアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂として、これを（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物とともに有機溶剤に溶解して、酸成分の含有量が１０ｐｐｍ以下の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物とする。 （もっと読む）

【課題】 ｉ線仕様、ＫｒＦ仕様、ＡｒＦ仕様の各種レジスト、ケイ素含有レジスト、化学増幅型ポジ型レジストなど多種多様の組成のレジストに対して一様に良好な洗浄性を示し、処理後の乾燥性が良く、洗浄によりレジストの特性がそこなわれることのないリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酢酸又はプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれた少なくとも１種と（Ｂ）炭素数５〜７の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれた少なくとも１種とを（Ａ）／（Ｂ）の質量比４／６ないし７／３の範囲で含有したリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

高感度、高耐熱性及び高解像性（高コントラスト）であって、波うち現象を抑制できる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法を提供するために、（Ａ）ヒドロキシスチレン系構成単位（ａ１）と、スチレン系構成単位（ａ２）とを含むアルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）架橋剤、（Ｃ）酸発生剤、および有機溶剤、を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物とし、これを用いてレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、またレジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、しかも保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 一般式
【化１】


（式中のＲ¹は酸素原子で中断されていてもよい炭素数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基、Ｒ²及びＲ³は炭素数１〜５のアルキル基又はヒドロキシアルキル基である）
で表わされるアミンオキシド化合物を含む水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、前記（Ａ）成分が、（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、（ａ２）下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位、および（ａ３）下記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ１）、又は（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、および（ａ２’）下記一般式（ＩＩ’）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ２）を含有してなるポジ型レジスト組成物。下記一般式において、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^３は酸解離性溶解抑制基を表し、Ｒ^６は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^７は炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^８は炭素数５〜１５の脂環式炭化水素基を表す。

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【課題】 低誘電率な層間絶縁膜を得ることができるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】 シロキサンポリマー、塩基性化合物および有機溶剤を含むことを特徴とし、該塩基性化合物が有機アンモニウム塩およびシラザンから選択される少なくとも１種であり、該塩基性化合物はシロキサンポリマーに対して０．２〜１０質量％であり、該シロキサンポリマーは、式 Ｒ_４−ｎＳｉ（ＯＲ’）_ｎ（式中、Ｒは水素原子、アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒのうち少なくとも１つはアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ’はアルキル基またはフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。）で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜のブリッジなどに代表される変質および液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、さらにはレジスト膜の引き置き耐性を向上させることができ、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】レジスト保護膜形成用材料として、レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有し、前記ポリマー成分と水との接触角が９０°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料を用いる。このようなポリマーとしては、（メタ）アクリル酸構成単位と特定のアクリル酸エステル構成単位を少なくとも含むアクリル系ポリマーが好ましい。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体自体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数を増加させることなく、レジスト膜の引き置き耐性を向上させることができるレジスト保護膜形成用材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ₁は炭素数１〜５の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基であり、Ｒ₂は、炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基または脂環構造を有する炭化水素基である。）で表される構成単位を少なくとも有するアクリル系ポリマーと、溶剤と、を少なくとも含有してレジスト保護膜形成用材料を構成する。 （もっと読む）