【課題】 加工される炭素材料自体から、粉塵が出にくいようにした炭素材料及びその加工方法を提供する。
【解決手段】 加工される炭素材料の組織内部に、パラフィン、ワックス、油脂のような防塵剤を含浸させる。この防塵剤を含浸した炭素材料を工作機械で加工する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池に用いた際の動作電圧や容量の低下を従来より減少させる、正極活物質およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リチウムと遷移金属との複合酸化物を含む正極活物質であって、前記複合酸化物は、ＴＬＣの減少化率が２０〜６０％であることを特徴とする。また、前記複合酸化物は、粒子径が０．５〜１００μｍであり、フッ素化されていることが好ましい。また、この正極活物質の製造方法は正極活物質をフッ素化させる工程を含むものであって、前記複合酸化物は、粒子径が０．５〜１００μｍのものであり、前記フッ素化の工程は、前記複合酸化物を反応容器内でフッ素化させるものであり、フッ素ガス分圧が１〜２００ｋＰａ、反応時間が１０分〜１０日、反応温度が−１０〜２００℃の条件下で行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さい取り付け圧力でも、発熱体と放熱体との間に挟んだときにおける密着性を高くすることができ、再利用可能である伝熱シートとその使用方法、およびかかる伝熱シートを備えた放熱構造体を提供する。
【解決手段】発熱体Ｈと放熱体との間に配設される、膨張黒鉛によって形成された部材であって、かさ密度が、1.0Ｍｇ／ｍ^３より小さい。かさ密度が低いので、発熱体Ｈと放熱体との間に挟んで加圧すれば、加圧力が小さくても容易に圧縮され、両者との密着性が高くなる。よって、発熱体から放熱体までの熱抵抗が小さくなるから、発熱体を冷却する効果を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物イオンを含有する電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成する際に使用する陽極として長期間安定に操業できる炭素陽極が存在しなかった。
【解決手段】 少なくともその表面が導電性炭素質材料から成る導電性基体、および該基体の少なくとも一部に被覆されたダイヤモンド構造を有する導電性炭素質皮膜を含んで成ることを特徴とする電解用陽極。該電解用陽極を用いると、陽極効果、及び電極消耗が抑制され、高電流密度で長期間安定的にフッ素化合物を高効率で合成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】黒鉛等のように赤外線の吸収量が大きい素材や、基材の素材と赤外線の吸収量に対して同じような性質を有する素材によって形成された膜の厚さであっても測定することができる膜厚測定装置および膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】被測定対象Ａの加熱面ＨＳにおける温度の時間変動特性と、温度測定手段によって測定された被測定対象Ａの加熱面ＨＳの温度とに基づいて、被測定対象Ａの膜厚Ｄを算出する演算手段５とを備えており、温度測定手段がガルバノミラー走査型の赤外線サーモグラフィ２であり、演算手段５は加熱手段１０による加熱によって被測定対象Ａの加熱面ＨＳの温度上昇が開始したタイミングを算出する加熱タイミング検出部６と、加熱タイミング検出部６によって検出された被測定対象Ａの加熱面ＨＳの温度上昇開始タイミングＴ０と、被測定対象Ａの加熱面ＨＳの温度に基づいて、被測定対象Ａの膜厚Ｄを算出する膜厚算出部７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の表面粗さを適正化することにより、サセプタ上の堆積膜の成長速度を減少させ、気相エッチング回数を低減させ得る窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウムインジウム、窒化アルミニウムのエピタキシャル成長用のサセプタを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのザグリを有するＣＶＤ−ＳｉＣ被覆黒鉛基材からなり、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウムインジウム、窒化アルミニウムの内から選ばれる少なくとも１種以上のエピタキシャル成長に使用されるサセプタであって、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さＲａが０．１〜１μｍのものである。 （もっと読む）

【課題】グロー放電質量分析法による窒素濃度が５０ｐｐｍ以下であり、大気と遮断した状態で保管された低窒素濃度炭素系材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シートを提供する。
【解決手段】ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理した炭素系材料を、窒素ガスにさらされていない雰囲気下において、圧力１００Ｐａ以下、１８００℃以上で熱処理し、炭素系材料中の窒素原子を放出させた後、圧力１００Ｐａ以下で所定温度まで冷却し、その後、希ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う。そして、大気と遮断した状態で保管する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の表面粗さを適正化することにより、サセプタ上の堆積膜の成長速度を減少させ、気相エッチング回数を低減させ得るＳｉのエピタキシャル成長用のサセプタを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのザグリを有するＣＶＤ−ＳｉＣ被覆黒鉛基材からなるＳｉのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さＲａが０．１〜１μｍのものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣとの熱膨張係数差によって生じるクラックや割れを防止でき、しかも急激な昇温にも耐える耐熱性に優れたシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】２９３〜６７３Ｋの熱膨張係数が３．０〜４．０×１０^−６／Ｋ、２９３Ｋでの熱伝導率が１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、耐熱衝撃係数が８０ｋＷ／ｍ以上、熱膨張係数の異方比が１．１以下であるシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボである。 （もっと読む）

【課題】高い硬度と優れた耐摩耗性に加え、優れた耐ハロゲン腐食性を発揮する複合層被覆部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合層被覆部材１０は、金属製基材１１と、この金属製基材１１の表面に形成されたＡｌ層１２と、このＡｌ層１２の表面に形成されたＡｌＮ層１３とを備えてなる。Ａｌ層１２は、溶融めっき法やＰＶＤ法等の蒸着により形成され、ＡｌＮ層１３は、Ａｌ層１２を窒化処理することにより形成される。 （もっと読む）