【課題】セラミックスに比べ軽量で、かつ耐酸化性、耐発塵性、熱伝導性、電気伝導性、強度、緻密性等の少なくともいずれかの特性に優れたセラミックス炭素複合材及びセラミックス被覆セラミックス炭素複合材を得る。
【解決手段】黒鉛もしくは黒鉛を含む炭素粒子同士間にセラミックスの界面層が形成されたことを特徴とするセラミックス炭素複合材であり、このセラミックス炭素複合材は、黒鉛もしくは黒鉛を含む炭素粒子の表面に、セラミックス層を被覆したセラミックス被覆粉末を成形し、この成形体を焼結することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 実際に膨張黒鉛シートを使用する場合であっても、膨張黒鉛シートに不純物が含まれるのを抑制することにより、製品の品質の低下や歩留りの低下を抑えることができる使用段階における膨張黒鉛シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 膨張黒鉛シートを梱包材で梱包した後、当該梱包材から取り出した状態の使用段階における膨張黒鉛シートであって、ＩＣＰ発光法により測定されるＡｌ、Ｂ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎの量、原子吸光法により測定されるＫ、Ｎａの量、及び、吸光光度法により測定されるＳｉの量が、全て検出限界未満の水準となっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属粒子が酸化するのを抑制すると共に、金属粒子を十分に分散させることにより、金属粒子の添加効果を長期間に亘って維持することができる多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】炭素前駆体としてのポリアミック酸樹脂ワニス１と、鋳型粒子としての酸化マグネシウム２と、金属塩としての塩化白金酸６とを混合するステップと、この混合物を窒素雰囲気中１０００℃で１時間熱処理を行って、塩化白金酸を白金に還元し、且つ、ポリアミック酸樹脂を熱分解させることにより、白金粒子７を含む炭素３を作製するステップと、得られた炭素３を１ｍｏｌ／ｌの割合で添加された硫酸溶液で洗浄して、ＭｇＯを完全に溶出させるステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】浸炭処理による変形が小さく、平面部の平坦度が良好で、かつ均一に浸炭処理することができるタンタル部材の浸炭処理方法を提供する。
【解決手段】平面部１ａを有するタンタルまたはタンタル合金からなるタンタル部材１に、該部材１の表面から内部に向って炭素を浸透させる浸炭処理を施すための方法であって、先端部６ａがテーパー状に形成された複数の支持棒６によって平面部１ａを支持することにより、タンタル部材１を、炭素源が存在するチャンバー３内に配置する工程と、チャンバー３内を減圧し加熱することにより、炭素源からの炭素をタンタル部材１の表面から浸透させて浸炭処理を施す工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】開口部を有するタンタル容器を浸炭処理する際、浸炭処理によって開口部が拡大するのを抑制する。
【解決手段】底面部１ａと、底面部１ａから略垂直方向に延びる側壁部１ｂとを有し、側壁部１ｂの端部１ｃによって開口部１ｄが形成されているタンタルまたはタンタル合金からなるタンタル容器１に、該容器１の表面から内部に向って炭素を浸透させる浸炭処理を施すための方法であって、炭素源が存在するチャンバー３内に、タンタル容器１の開口部１ｄが下方になるように、タンタル容器１を配置する工程と、チャンバー３内を減圧し加熱することにより、炭素源からの炭素をタンタル容器１の表面から浸透させて浸炭処理を施す工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いる場合に、ＳｉＣへの窒素の侵入を抑制する。
【解決手段】低窒素濃度黒鉛材料は、グロー放電質量分析法による窒素濃度が９８ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）であり、大気と遮断した状態で保管されたものである。当該黒鉛材料は、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水素ラジカルによってエッチングの影響を受けにくい状態でダイヤモンド粒を炭素質基材上に添着させることで、基材エッチング速度を抑制し密着性に優れたダイヤモンド薄膜を備えた炭素材料及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】ダイヤモンド合成条件下において重量減少が見られる炭素質基材の表面にダイヤモンド粒が配置され、更に、このダイヤモンド粒を核とするダイヤモンド層が形成された炭素材料であって、上記ダイヤモンド粒の単位面積当たりの重量が、１．０×１０^−４ｇ／ｃｍ^２以上３．０×１０^−３ｇ／ｃｍ^２未満に規制されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で電解槽内の電解浴の液面を安定して一定の範囲内に制御することが可能な気体発生装置を提供する。
【解決手段】圧力計２５，２６により陰極室３内の圧力および陽極室４内の圧力の両方が大気圧以上であるかまたは少なくとも一方が大気圧よりも低いかが検出される。第１の液面検知装置５０Ａにより陰極室３内の液面がＨレベルおよびＬレベルのいずれにあるかが検出され、第２の液面検知装置５０Ｂにより陽極室４内の液面がＨレベルにあるかＬレベルにあるかが検出される。圧力計２５，２６の検出結果および第１の液面検知装置５０Ａおよび第２の液面検知装置５０Ｂの検出結果に基づいて水素ガス排出管７の自動弁１１、フッ素ガス排出管８の自動弁１５およびＨＦ供給管２０の自動弁２１の開閉が制御される。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの消費を抑制しつつ安定に電気分解を行うことが可能な気体発生装置を提供する。
【解決手段】停止モードでは、制御バルブＶ１〜Ｖ８が閉じられるとともに、電圧印加装置５１、バキュームジェネレータ３１およびポンプＰ１が停止される。この場合、電解槽１０内での電気分解が完全に停止する。スタンバイモードでは、制御バルブＶ１〜Ｖ３，Ｖ８が開かれ、制御バルブＶ４〜Ｖ６が閉じられる。また、ポンプＰ１が停止され、バキュームジェネレータ３１が駆動される。その状態で、電圧印加装置５１により陽極１３および陰極１４間に第２の電圧が印加される。それにより、陽極室１０ａ内で僅かにフッ素ガスが発生するとともに、陰極室１０ｂ内で僅かに水素ガスが発生する。 （もっと読む）

【課題】表層のＳｉＣとの熱膨張差によって生じる割れやクラックを防止でき、しかも急速な昇温にも耐えることができるよう熱的特性が改良されたシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ８は、下記条件を満たす黒鉛材料からなる。（イ）２９３〜６７３Ｋでの熱膨張係数が３．０〜４．０×１０^−６／Ｋ（ロ）２９３Ｋでの熱伝導率が１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上（ハ）耐熱衝撃係数＝（引っ張り強度×熱伝導率）／（熱膨張係数×弾性係数）が８０ｋＷ／ｍ以上（ニ）かさ密度が１．７０Ｍｇ／ｃｍ^３以上（ホ）熱膨張係数の異方比が１．１以下であり、また、前記シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ８は、２分割または３分割ルツボであることが好ましい。 （もっと読む）