【課題】基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることができるようにし、基板搬送時のトレイからの基板のずれ、破損、脱落の発生を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、第一のトレイ106に基板102が搭載された際に与圧機構が基板102に圧力を与えて第一のトレイ106が基板102を保持した状態とし、この第一のトレイ106を第二のトレイ107に装着し、第二のトレイ107を斜めの姿勢にして搬送機構がプロセスチャンバー109に搬送する。プロセスチャンバー109では、減圧下でガスが導入され、基板102上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】カソード等の重量物を搭載した蓋であってもシール部材に偏荷重をかけることがなく、真空装置の開閉部の気密を確実に保つことができる蓋開閉装置及びこの蓋開閉装置を備える真空装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１の開口部１ｃに取付けられた蓋を開閉する蓋開閉装置は、開口部１ｃから蓋２を離間させる方向に直線運動させる蓋昇降装置と、開口部１ｃを開閉するように蓋２を回転させる蓋回転装置とを備えており、蓋昇降装置により蓋２を開口部から離間させた後に、蓋回転装置により蓋２を側方に回転させることができる。 （もっと読む）

【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子１００は、面内磁化膜の磁化自由層１０３と、面内磁化膜の磁化固定層１０５と、磁化自由層１０３と磁化固定層１０５の間に設けられたトンネルバリア層１０４とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から３°以上３０°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構３０２と、磁化固定層１０５の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層１０３の膜面直方向の反磁界の比が０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送により発生するパーティクルが基板へ付着するのを広範囲にわたり低減させ、メンテナンス時、低減させたパーティクルの処理を容易にできる基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理基板をトレイに搭載した状態で、排気可能な処理室の間を、トレイごと搬送しながら処理基板に処理室内で所定の処理を施す基板処理装置であって、トレイの搬送路の下方に、該トレイの搬送路の方向に沿って同じ磁極で向き合う磁性体を配置し、かつ、その上を非磁性材料からなる部材で覆われているパーティクル吸着体が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を単一のシリコン基板上に製造することが可能で、これにより製品の小型化と大量生産による製造コストの低減が可能となる。
【解決手段】複合型圧力計の製造方法は、静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を含む複合型圧力計の製造方法であって、エッチングにより、シリコン基板の第一面側に第一溝部と第二溝部を形成する溝形成工程と、シリコン基板の第一面側で第一溝部と第二溝部を覆うように、シリコン基板にガラス基板を接合する接合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】それぞれのクライオポンプ/トラップの消費電力を把握、及び、表示することを可能としたクライオポンプ/トラップシステム、また、そのシステムを搭載する真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】コンプレッサから各クライオポンプに供給されるヘリウムガスの流量として、膨張空間容積と、膨張空間の絶対温度の逆数と、冷凍サイクルの実行速度との積を算出し、積の値の合計値を求め、合計値に対する各クライオポンプについての割合を算出して、コンプレッサの消費電力を前記排気システムの消費電力と等価とみなして、その割合から各クライオポンプについて消費電力を算出して表示することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】給電端子がそれぞれの接続端子への接触と離間を繰り返したとしても、給電端子と接続端子の接触面に発生した異物を挟んでしまうことを低減させることができ、その結果、接触抵抗の増加による温度上昇を回避することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置を制御するＰＬＣシステムは、プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域Ｐ３と、次レイヤー領域Ｐ３に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域Ｐ２と、レイヤー領域Ｐ２に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域Ｐ１とを有して構成されており、ステップ実行領域Ｐ１に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】金属膜を埋め込む工程を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のマグネットが多角形格子の格子点の位置にかつ隣接するマグネットが異極性となるように配置された磁石ユニットによりターゲット表面に磁場を形成させながら、ＰＣＭスパッタリング法により、凹部が形成された被処理体に窒化チタンを含むバリア層を成膜する第１の工程と、前記バリア層上に直接低融点金属層を、前記低融点金属層が流動可能な温度条件下で充填する第２の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板を支持して搬送される基板支持機構を備える真空処理装置において、異常を有する基板支持機構を検出することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】直列に連結された真空処理室内で連続的に基板６３を搬送する基板搬送機構は、基板６３を保持した状態で移送される基板支持機構５０を撮影するＣＣＤカメラ１０３を有しており、ＣＣＤカメラ１０３によって撮影された映像から基板支持機構５０が基板６３を支持する位置を測定し、基板支持位置が異常な基板支持機構５０を検出する。 （もっと読む）