説明

キヤノンアネルバ株式会社により出願された特許

51 - 60 / 564


【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置100は、処理チャンバ20と、基板を搬送する基板搬送手段2と、平板状のターゲット3を設置するためのターゲットホルダー4と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット5と、ターゲットホルダー4に電力を供給するための電力供給手段24と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段25と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段10と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】 容易に構成情報を設定する。
【解決手段】 本発明は、搬送チャンバに識別情報を容易に設定可能な識別情報設定装置、および識別情報設定方法を提供する。本発明の一実施形態では、記憶装置504は、搬送ロボットを有する搬送チャンバを配置可能な各位置に対し予め設定したフィールド識別情報を格納する。実際に搬送チャンバを配置させる位置及び当該搬送チャンバの情報を指定情報として、受け付ける。実際に配置させる搬送チャンバと識別情報との対応を格納する。
(もっと読む)


【課題】2つのトンネルバリア層を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜について、MR比を向上させた二重トンネル磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1磁化固定層をアモルファス構造となるように成膜を行い、その上に第1トンネルバリア層、磁化自由層、第2トンネルバリア層を結晶粒を含んだ多結晶構造を有した状態で成膜を行う。さらにその上に第2磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。 (もっと読む)


【課題】 基板ホルダー周りに被エッチング膜の付着することによるエッチングレートの低下を防止する。
【解決手段】 基板ホルダーに搭載された基板に対し各処理を行って磁気記録媒体を製造する装置において、基板を搭載しない状態の前記基板ホルダーに第1の膜を成膜するホルダー成膜室と、前記第1の膜が成膜された前記基板ホルダーに基板を搭載する基板搭載室と、磁性膜層を含む多層膜上に所定パターンのレジスト層が形成された基板に対し、ドライエッチング処理を行い、前記磁性膜層を前記所定パターンに基づく形状に加工する加工室と、を有し、前記第1の膜は、前記ドライエッチング処理により除去される前記多層膜中の膜よりもエッチングされにくい膜であり、前記加工室、ホルダー成膜室及び基板搭載室は、大気より減圧条件下で基板ホルダーを搬送可能に接続されている。 (もっと読む)


【課題】弁体が非接触であり、排気能力が高く、応答速度も速いという長所を維持しつつ、気密性を向上させて、高圧力下における高速処理に対応しうる流路開閉装置を提供する。
【解決手段】流体を流すための流路21を有するボディ20と、流路21内でこの流路21に対して垂直な回転軸を中心として回転可能な弁体23と、を備えたバタフライバルブであって、弁体23の縁部に沿って、弁体23の全閉時に形成されるボディ20と弁体23との隙間aにおける流路方向のシール長Lを拡張するシール長拡張壁66を突設している。 (もっと読む)


【課題】 基板搬送用ロボットのフィンガーの変形を精度よく検出する。
【解決手段】 基板を保持可能なフィンガーを有した基板搬送用のロボット、及び、前記ロボットにより基板を搬出入させるための基板搬送口を備えた搬送チャンバと、前記基板搬送口に着脱可能に接続され、前記搬送チャンバ内部に連通する開口を有し、外部に対して密閉された内部空間を形成する筐体、及び、前記内部空間に挿入される前記フィンガーの変形を検出するための変位センサを備えたセンシングポートと、前記搬送チャンバに設けられる排気口を介して、前記搬送チャンバ及び前記筐体内部を排気する排気手段と、前記排気手段により前記搬送チャンバ及び筐体内部を減圧させた状態で、前記筐体の内部空間に挿入されたフィンガーの形状の前記変位センサによる検出結果を取得する制御手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体の製造に、より生産効率の高い埋め込み層の形成方法を適用すること。
【解決手段】基板上に設けられた記録磁性層の有する凹凸パターンに対して、高周波スパッタリング法により埋め込み層を成膜する際に、引き込み電界によりプラズマ中の正イオンを基板に引き込みながら、引き込み電界を形成しない時と比較した成膜速度比が90%以下となる条件で埋め込み層を成膜する。 (もっと読む)


【課題】長時間に亘りプラズマの放電条件を安定させ、成膜処理の高い再現性を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理材11の表面に被膜を成膜するプラズマCVD装置であって、ホルダー12に保持された陰極としての被処理材11の周囲に配置された金属シート20からなる陽極を備え、金属シート20が予め巻き取られたローラー21と、ローラー21から展開された金属シート20を巻き取るローラー22を有している。 (もっと読む)


【課題】装置サイズの小型化を図りつつ、効率的に冷却可能なロータリージョイントを提供する。
【解決手段】
本発明ロータリージョイント200は、挿通孔を有し、かつ外部から流体を導入するための導入口215を有する筐体204と、回転軸に対して筐体と相対回転可能とされるべく、筐体の挿通孔に挿通された軸体ユニット201と、軸体ユニット内に回転軸方向に沿って形成され、導入口と連通させるための第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の途中に設けられ、該流体の流量を切り替えるための切替部材208とを備える。切替部材は、第1穴209と、第1穴の径より小さく、第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の径より小さい第2穴210と有する。切替部材により、第一軸体ユニット導入路を流れる流体の流量及び第二軸体ユニット導入路を流れる流体の流量を変更可能である。 (もっと読む)


【課題】防着板の再生作業に伴う寸法変化及び変形に左右されにくい成膜装置及び該成膜装置のキャリブレーション方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ内101で対向するステージ103上の被処理基板Wとターゲット106との間のスパッタリング空間108を囲繞する防着板104を備え、少なくとも1種類の反応性ガスと成膜材料とを反応させて被処理基板上に成膜を行う成膜装置において、圧力検知手段により測定されたスパッタリング空間の圧力値に基づいて、スパッタリング空間内に導入されるガス流量と、真空チャンバの内壁と防着板との間の空間に導入されるガス流量との流量比を制御する。 (もっと読む)


51 - 60 / 564