【課題】本発明は，別途のプラズマ着火手段を設けることなく、プラズマ着火が可能であり、高周波アンテナとプラズマが容量結合することを抑制し，かつ誘電体壁が導電性のエッチング生成物に覆われた場合に生じる放電空間へのＲＦ電力の伝達効率の悪化を抑えるための防着シールドを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生室の誘電体壁内側に２重以上の防着シールドを配置し，この防着シールドは、真空容器の誘電体壁のすぐ真空側に設けられ，誘電体壁を覆うように形成された誘電体製の防着シールドと前記防着シールドの内側に設けられる，遮蔽電極として作用し，かつエッチング生成物の形成膜のつながりをきることでＲＦ電力伝達の低下を防ぐためのスリット状の形状を持つ金属性の防着シールドとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。これにより、堆積される膜の組成をコントロールすることが可能となる。また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 （もっと読む）

【課題】ラック・アンド・ピニオンの技術を用いた縦型搬送によるインライン型の真空処理装置であって、ピニオンギヤとラックギヤが同期ずれにより、トレイに振動や衝撃を与えることなく搬送を可能にする搬送機構、及び、それを備えた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】複数のピニオンギヤのうち、少なくとも２つが回転してラックギヤに順次噛合することにより、該ラックギヤを現工程の処理室内に配置されるピニオンギヤから、次工程の処理室内に配置されるピニオンギヤへと受け渡して、トレイを搬送するラック・アンド・ピニオン機構、及び、それを備えた真空処理装置であって、前記ピニオンギヤをそれぞれ独立に上下移動させる上下駆動部を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラック・アンド・ピニオンの技術を用いた縦型搬送によるインライン型の真空処理装置であって、ピニオンギヤとラックギヤが同期ずれにより、トレイに振動や衝撃を与えることなく搬送を可能にする搬送機構、及び、それを備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のピニオンギヤのうち、少なくとも２つが回転してラックギヤに順次噛合することにより、該ラックギヤを現工程の処理室内に配置されるピニオンギヤから、次工程の処理室内に配置されるピニオンギヤへと受け渡して、トレイを搬送するラック・アンド・ピニオン機構、及び、それを備えた真空処理装置であって、各処理室を仕切るゲートバルブを挟んだ２つのピニオンギヤを同時に上下移動させる上下駆動部を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング空間の圧力を均一に保持可能な反応性スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置は、チャンバーに設けられた基板ホルダー７と、ターゲット４を保持するためのターゲットホルダー６と、ターゲットホルダーと基板ホルダーとの間でスパッタリング空間を形成するるとともに、前記チャンバー内壁へのスパッタ粒子の付着を防止するための防着板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、２３と、スパッタリング空間に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入配管１６１と、スパッタリング空間の外側に不活性ガスを導入する不活性ガス導入口３５と、を備え、スパッタリングの際に、ターゲットホルダーに取り付けられたターゲットからのスパッタ粒子が、反応性ガス導入配管の導入口に付着するのを防止する遮蔽部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、Ｔ／Ｍ距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を真空中で処理するための真空容器において、軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にすることができる真空容器、及び、そのような真空容器を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする板材と、一組の板材が形成する閉空間の内面に当接されて閉空間に配置される補強板と、一組の板材の結合部を結合する締結部材と、を備えることを特徴とする真空容器であり、それを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）