【課題】研磨特性に優れた半導体ウエハ研磨用組成物と研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】シリカ粒子の長径／短径比が１．５乃至１５の非球状の異形粒子群となっているコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物である。また、これを用いた半導体ウエハの研磨加工方法である。この研磨用組成物は、真球状のコロイダルシリカを用いた場合に比べ研磨速度が格段に高く、かつスクラッチを発生することはなく良好な鏡面研磨が達成できる。また、アルカリ金属の含有量が少ないことから、研磨後の砥粒残り等の半導体ウエハへの弊害を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】医農薬や生理活性物質の中間体あるいは最終生成物として有用な有機ホウ素化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】アリル化合物類を、触媒の存在下にジボロン化合物とカップリング反応に付することを特徴とする、光学活性アリルホウ素化合物、又はラセミ若しくは光学活性ボリルシクロプロパンの一方又は混合物の製造方法である。触媒として銅（Ｉ）錯体を用いることが好ましい。銅（Ｉ）錯体の対イオンはアルコキシドであるか、又はヒドリドであることが好ましい。銅（Ｉ）錯体がホスフィン配位子を有することも好ましい。ホスフィン配位子は不斉ホスフィン配位子であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 残留有機炭素含有量が極めて少ないリン酸クロム水溶液及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のリン酸クロム水溶液は、リン酸クロムが組成式Ｃｒ（Ｈ_3-3/nＰＯ₄）_n（式中、ｎは２≦ｎ≦３の数を示す）で表され、全有機炭素がクロムに対して３．５重量％以下であることを特徴とする。シュウ酸の含有量が０．５重量％以下であることが好ましい。このリン酸クロム水溶液は、クロム酸水溶液にリン酸を混合し、次いで一価アルコール及び二価アルコールから選ばれる少なくとも一種の有機還元剤を添加することで好ましく製造される。 （もっと読む）

【目的】表面に金属膜、酸化物膜、窒化物膜等が形成された半導体ウエハの平面及びエッジ部分を効果的にかつ安定に研磨加工を行なう研磨用組成物を提供する。
【構成】粉砕媒体を用いた湿式粉砕によって得られた、下記（A）〜（C）の特性を有するヒュームドシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該ヒュームドシリカを含むシリカ粒子の濃度が水分散液全体に対して０．５〜５０重量％である半導体ウエハ研磨用組成物。
（A）ＢＥＴ法により測定した比表面積が５０〜２００ｍ^２／ｇであり、
（B）レーザー光散乱法による平均粒子径が１０〜５０ｎｍであって、
（C）ＴＥＭ観察による粒子の長径Ａと短径Ｂとの比Ａ／Ｂの平均値が１．２〜２．０
の範囲にあるヒュームドシリカ。 （もっと読む）

【課題】粘性が低く反応基質の拡散や対流を阻害せず、反応基質との反応性が極めて低く、かつ水分含量が極めて低く種々の有機合成反応溶剤として利用できるホスホニウム塩イオン液体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）：


[式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は炭素数１〜６の直鎖アルキル基、分岐アルキル基、脂環状アルキル基、または−（ＣＨ_２）_ｎＯ−Ｒ_５で表されるアルコキシアルキル基(ｎは１〜６の整数、Ｒ_５はメチル基またはエチル基を示す。)等を示し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４のうち少なくとも１つはアルコキシアルキル基である。また、Ｘはアニオンである。]で表される４級ホスホニウム塩からなるイオン液体、及びこれよりなる反応溶媒。 （もっと読む）

【課題】触媒的不斉合成反応の不斉触媒として用いた場合に、高い選択性や触媒活性を示す配位子を提供する。
【解決手段】下式の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化し、アルキニルリチウムを作用させ、更に脱プロトン化及び酸化的カップリングを行い得られる。脱ボラン化により脱保護することで、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。
（もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用等に有用な高純度炭酸ストロンチウムを工業的に有利な方法で製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことを特徴とする炭酸ストロンチウムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 残留有機炭素含有量が極めて少ないリン酸クロム水溶液及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のリン酸クロム水溶液は、リン酸クロムが組成式Ｃｒ（Ｈ_3-3/nＰＯ₄）_n（式中、ｎは２≦ｎ≦３の数を示す）で表され、全有機炭素がクロムに対して３．５重量％以下であることを特徴とする。シュウ酸の含有量が０．５重量％以下であることが好ましい。このリン酸クロム水溶液は、クロム酸水溶液にリン酸を混合し、次いで一価アルコール及び二価アルコールから選ばれる少なくとも一種の有機還元剤を添加することで好ましく製造される。 （もっと読む）

【課題】高い光学収率で且つ工業的に有利な方法で光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルアルキルホスフィンボラン等のホスフィンボラン化合物、触媒量の光学活性アミン及び溶媒の存在下、有機リチウム化合物を添加する第一工程、第一工程終了後に、モノハロゲン化ホスフィンを加えるか、又はジハロゲン化ホスフィンを加えた後にグリニアル試薬を加える第二工程、及び第二工程で得られた生成物にテトラヒドロフラン−ボラン錯体等を加える第三工程を有することを特徴とする光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体の製造方法。モノハロゲン化ホスフィン又はジハロゲン化ホスフィンを加える前に、テトラヒドロフラン等の配位性溶媒を加えることが好ましい。光学活性アミンはスパルテインであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い光学収率で且つ工業的に有利な方法で光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルアルキルホスフィンボラン等のホスフィンボラン化合物と光学活性アミンと有機リチウム化合物とを、溶媒の存在下に反応させる第一工程、第一工程の反応生成物に配位性溶媒を加える第二工程、第二工程終了後にモノハロゲン化ホスフィンを加えるか、又はジハロゲン化ホスフィンを加えた後にグリニアル試薬を加える第三工程、及び第三工程で得られた生成物にテトラヒドロフラン−ボラン錯体等を加える第四工程を有することを特徴とする光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体の製造方法。配位性溶媒はテトラヒドロフランであることが好ましい。 （もっと読む）