説明

日本化学工業株式会社により出願された特許

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【課題】 本発明は、特に希土類付活弗化ヨウ化バリウム系揮尽性蛍光体の原料として好適な実質的にリンを含まないヨウ化バリウム含水塩粉末およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は一般式;BaI2・nH2O(式中、nは1〜2)で表わされるヨウ化バリウム含水塩であって、リン含有量が10ppm以下であることを特徴とするヨウ化バリウム含水塩粉末である。また、本発明のヨウ化バリウム含水塩の製造方法はバリウム化合物、ヨウ素及び還元剤を水溶媒中で接触させることを特徴とする。
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本発明の樹脂用帯電防止剤は、下記一般式(1)


(式中、R、RおよびRは炭素原子数3〜8の直鎖状または分岐状のアルキル基、Rは炭素原子10〜22の直鎖状または分岐状のアルキル基を示し、アルキル基はヒドロキシ基またはアルコキシ基で置換されていてもよい。また、R、RおよびRはそれぞれが同一の基であっても異なる基であってもよい。また、Xは、4フッ化ホウ素イオンもしくは6フッ化リンイオンである。)
で表されるホスホニウム塩を含有する。
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【解決課題】Cu、Mn、Ni、Fe、Zn、Cr等の金属性不純物がコロイダルシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を低コストで得ること、及び金属性不純物のきわめて少ない研磨用組成物を用いてシリコンウエハの研磨を行う方法を提供すること。
【解決手段】コロイダルシリカ粒子表面及び分散媒中に存在する金属性不純物として、Cuが10ppb以下、Niが20ppb以下、Znが20ppb以下である研磨用組成物。この研磨用組成物は、活性珪酸水溶液またはコロイダルシリカに窒素原子又は燐原子を有するキレート化剤を接触させ、その後該活性珪酸水溶液またはコロイダルシリカを陰イオン交換体に接触させる工程を有する方法によって製造される。 (もっと読む)


【課題】 リチウム二次電池の正極活物質として有用なリチウムマンガン系複合酸化物粉末を提供する。
【解決手段】 リチウム化合物と、マンガン化合物と、Fe、Ni及びCoから選ばれる金属元素を含む1種又は2種以上の遷移金属化合物とを水溶媒中で加圧下に反応させて生成したリチウムマンガン系複合酸化物を、300〜700℃で加熱処理して得られた下記一般式(1)で表されるリチウムマンガン系複合酸化物粉末。
【化1】


(式中、MeはFe、Ni及びCoから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素であり、xは0.2≦x≦0.6、yは0.4≦y≦0.6、zは0.4≦z≦0.6、aは1.9≦a≦2.3を示す。) (もっと読む)


【課題】 平均粒子径が100nm以下のアパタイト粒子を含有する、分散安定性に優れたアパタイトゾルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒子径が100nm以下のアパタイト粒子を含有し、かつ重合リン酸塩とアルミン酸塩を含有するアパタイトゾル。アパタイトの粒子の平均粒子径が100nm以下で、最大粒子径が300nm以下で、かつ全体の80%以上の粒子の粒子径が20〜100nmの範囲にある。リン酸ナトリウムと可溶性カルシウム塩を反応させてアパタイトゾルを製造する方法において、リン酸ナトリウムと可溶性カルシウム塩を反応させて濃度が1質量%以下のアパタイトスラリーを得る工程、アパタイトスラリーを濃縮する工程、アパタイトスラリーに重合リン酸塩とアルミン酸塩を添加する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】鏡面研磨工程における半導体ウェーハの重金属汚染を効果的に防止することができるようにした半導体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 回転可能に設けられた定盤を有する研磨装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給装置を介して供給されるキレート剤含有研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であって、上記研磨スラリー供給装置に該研磨スラリー中の重金属キレート陰イオンを除去する装置を設け、該除去装置より後にキレート剤供給装置を設けた。 (もっと読む)


【課題】粒子の肥大化を防いで目標とする粒径の球状の粒子を効率よく得る。
【解決手段】筒状部材1の端部で環状に形成されて環状の燃焼ガスを噴射する環状バーナ10、30と、環状バーナの内周に配置されて、筒状部材1の端部1A近傍で開口する筒状の原料供給管2は、環状バーナ10、30の内周で同軸的に配置された円筒状の部材で形成され、原料供給管2が開口する端部2Aには、内部を通過する無機質粉体原料の上流から下流に向けて流路断面積を徐々に縮小する円錐状のコーン4が配置される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、下記一般式(1)で表わされる新規な化合物の4−アルキル−5−ホルミルチアゾール環状アセタール誘導体を出発原料として用いて、高純度で、且つ高収率で下記一般式(4)で表わされる4−アルキル−5−ホルミルチアゾールを製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は下記一般式(1)で表わされる4−アルキル−5−ホルミルチアゾール環状アセタール誘導体を酸触媒の存在下に水と反応させることを特徴とする下記一般式(4)で表わされる4−アルキル−5−ホルミルチアゾールの製造方法である。
【化1】


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【解決課題】 コロイダルシリカの原料となる珪酸アルカリ水溶液に含まれるCu、Mn、Ni、Fe、Zn、Cr等の金属性不純物の除去効率が高く、且つ低コストの高純度コロイダルシリカの製造方法を提供すること。
【解決手段】 コロイダルシリカ水溶液に、窒素原子又は燐原子を有するキレート化剤を混合し、キレート化剤を含有するコロイダルシリカ水溶液を得るキレート化剤混合工程、及び該キレート化剤を含有するコロイダルシリカ水溶液を、陰イオン交換体に接触させる陰イオン交換体接触工程を有することを特徴とする高純度コロイダルシリカの製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】 コロイダルシリカの原料となる珪酸アルカリ水溶液に含まれるCu、Mn、Ni、Fe、Zn、Cr等の金属性不純物の除去効率が高く、且つ低コストの高純度のコロイダルシリカの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 窒素原子又は燐原子を有するキレート化剤を含有する活性珪酸水溶液を、陰イオン交換体に接触させ、高純度活性珪酸水溶液を得る高純度活性珪酸水溶液製造工程を有することを特徴とする高純度コロイダルシリカの製造方法。及び、更に、キレート化剤を含有するコロイダルシリカ水溶液を、陰イオン交換体に接触させるコロイダルシリカ水溶液精製工程を有することを特徴とする高純度コロイダルシリカの製造方法。 (もっと読む)


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