【課題】 電圧依存性位相変調特性の補正、及び電圧非依存性歪みの補正を高い精度で行うことが可能な位相変調装置を提供する。
【解決手段】 ＬＣｏＳ型位相変調装置１は、駆動電圧の印加に応じて入力光に対し位相変調を行なう。ＬＵＴマップ１５は、各画素を、その位相変調特性に基づいて、複数のグループの内の１つと関連付ける。ＬＵＴ１１は、複数のグループに対して１対１に対応して設けられる。画素位置検出装置３７は、ＬＵＴマップ１５を用いて、各画素に対して、当該画素が関連付けられたグループに対応したＬＵＴ１１を特定する。ＬＵＴ処理装置３６は、各画素に対して入力された制御入力値Ａを、特定されたＬＵＴ１１を参照して、ＤＡ入力値Ｂに変換する。 （もっと読む）

【課題】希土類元素が添加された窒化物半導体における４ｆ内殻電子のエネルギー遷移による発光効率を高めることが可能な窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１は、基板１３と、バッファ層１５と、Ｓｉが添加された窒化物半導体層１６（クラッド層）と、不純物としてＥｕ及びＭｇが添加された窒化物半導体層１７（発光層）と、Ｍｇが添加された窒化物半導体層１９（クラッド層）と、を備えている。窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。窒化物半導体層１７におけるＭｇの濃度は、たとえば３×１０^１８ｃｍ^−３である。窒化物半導体層１７におけるＥｕの濃度は、たとえば２×１０^２０ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】固体の被測定物に関する光学定数を精度良く計測することができる全反射分光計測方法を提供する。
【解決手段】全反射分光計測装置１を用いた全反射分光計測方法は、プリズム３１の全反射面３１ｃの上に被測定物３４を配置し、内部全反射プリズム３１を通って全反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波に基づいて、被測定物３４に関する光学定数を計測する全反射分光計測方法であって、少なくとも全反射面３１ｃと被測定物３４との間に、被測定物３４が不溶性を示す液体５０を介在させる。この液体５０と被測定物３４との間に働く接着力等の力により、被測定物３４を全反射面３１ｃに近接させることが可能となり、エバネッセント成分と被測定物３４との相互作用を安定して生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。半導体基板１Ａには、入射光に応じて電荷が発生する光感応領域が表面１ＦＴ側に設けられている。半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハを容易に切断できる切断方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ２ａの内部に集光点を合わせて、集光点のピークパワー密度が１×１０⁸（Ｗ／ｃｍ²）以上の条件でパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光を切断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより、切断予定ラインに沿ってシリコンウェハ２ａの内部に溶融処理領域２１１ａを形成すると共に、シリコンウェハ２ａの内部であって溶融処理領域２１１ａを挟んでパルスレーザ光の入射側とは反対側に、切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞２１１ｂを形成する。このとき、パルスレーザ光のパルスピッチは２．００μｍ〜７．００μｍである。そして、溶融処理領域２１１ａと微小空洞２１１ｂとからなる改質領域２１１を起点として割れを発生させ、切断予定ラインに沿ってシリコンウェハ２ａを切断する。 （もっと読む）

【課題】安定で均一な空間横モード動作をさせることのできる端面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 この端面発光型半導体レーザ素子は、半導体層内に形成された２次元フォトニック結晶４を備えており、電極８の接触領域の一方向を長さ方向（Ｘ軸）とし、この長さ方向及び基板の厚み方向の双方に垂直な方向を幅方向（Ｙ軸）とした場合、２次元フォトニック結晶４は、基板に垂直な方向（Ｚ軸）から見た場合、電極の接触領域を含み接触領域よりも幅方向に広い領域内に位置し、且つ、一方向（Ｘ軸）に沿った間隔毎に屈折率が、ブラッグの回折条件を満たしつつ、周期的に変化する屈折率周期構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】電荷発生領域から電荷収集領域に転送される電荷の移動速度が高速になる距離センサ及び距離画像センサを提供する。
【解決手段】画像距離センサは、二次元状に配置された複数のユニット（画素Ｐ）からなる撮像領域を半導体基板上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る距離画像センサにおいて、１つのユニットは、入射光に応じて電荷が発生する電荷発生領域（転送電極５の外側の領域）と、空間的に離間して配置され、電荷発生領域からの電荷を収集する半導体領域と、半導体領域の周囲に設けられ、電荷転送信号が与えられ、半導体領域を囲む転送電極５と、電荷発生領域から半導体領域へ向かうポテンシャル勾配を急にするポテンシャル調整部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スケールに対する被検出光の照射位置が基準からずれた場合でも、絶対角度を精度良く検出することができるエンコーダ、及びこのようなエンコーダに用いるエンコーダ用受光装置を提供する。
【解決手段】エンコーダ１では、一直線状の光透過部１７に被検出光を透過させることにより、スケール板１１において、配列ラインＬ１，Ｌ２の互いに離間した一部を含む領域に被検出光が照射される明部１９が形成され、他の領域に被検出光が照射されない暗部２０が形成される。したがって、光強度ピークＰ１，Ｐ２間の相対角度（基準相対角度）は、光透過部１７の形状から一義的に算出できる。そこで、エンコーダ１では、角度検出時の相対角度と基準相対角度とのずれ量を補正量α°として算出することにより、スケール板１１に対する被検出光の照射位置が基準からずれた場合でも、絶対角度を精度良く検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 光軸方向の構造を含む操作構造を用い、試料の観測を好適に行うことが可能な試料観測装置及び観測方法を提供する。
【解決手段】 第１基板１２及び第２基板１４を積層して構成され、第１基板１２に設けられた凹状構造部によって基板１２、１４の間に操作構造１５が形成された試料操作素子１０と、ステージ５０及び試料保持治具５４、５６によって構成されて操作素子１０を保持する素子保持部と、対物レンズ５８とによって試料観測装置１Ａを構成する。素子保持部は、操作構造１５の観測構造部２０に対し、基板１２、１４の積層方向に直交する軸を観測光軸Ａｘとして操作素子１０を保持する。また、対物レンズ５８は、操作素子１０の側面１１に対面するように光軸Ａｘ上に配置され、側面１１を介して観測構造部２０の内部にある試料の観測を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保持部に対する試料容器の取付けを確実に行うようにした試料ホルダを提供する。
【解決手段】試料ホルダ６は、試料容器（光学セル）９内の試料によって発生する被測定光を観測する積分球に対して着脱自在に取り付けられる。この試料ホルダ６は、試料容器９を挟持する弾性部材１４，１７を有する保持部１０と、保持部１０に嵌め込まれることで保持部１０を加圧する固定部材１１と、を備える。そして、固定部材１１による加圧により、弾性部材１４，１７が試料容器９を押さえつけて保持部１０が試料容器９を挟持する。このような構成によって、保持部１０に対して試料容器９を確実に取り付けることができる。 （もっと読む）