説明

日新イオン機器株式会社により出願された特許

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【課題】 直線運動を処理室内に導入しなくても、ホルダをイオンビームの走査方向と交差する方向に往復直線駆動することができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、アーム52、64を伸縮させてホルダ10を往復直線駆動する伸縮駆動機構124aと、当該機構124aを旋回中心軸86を中心にして往復旋回させる旋回駆動機構126とを備えている。更に、旋回角度θ、基準伸縮長さL、伸縮長さLA に関して、LA cosθ=Lなる関係を満たすように伸縮駆動機構124aおよび旋回駆動機構126を制御する制御装置を備えている。 (もっと読む)


【課題】 低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置は、イオン源20から引き出され質量分離電磁石32を通したイオンビーム30を、X方向において二方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをX方向に走査する機能を有するビーム走査器82と、それから導出されたイオンビームを曲げ戻して平行ビーム化するビーム平行化器86、88と、ビーム平行化器86から導出されたイオンビーム30が導入され被照射物2にイオンビームを照射して処理を行う処理室90と、被照射物2をY方向に機械的に駆動する駆動機構94と、ビーム平行化器88から導出されたイオンビーム30が導入されビーム計測器96を用いてビーム計測のみを行う計測室92とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 シリコンウェーハ表面に酸化膜が形成されていない状態でのイオン注入を可能とするイオン注入装置およびイオン注入方法を実現する。
【解決手段】 第1および第2のイオン源11・12で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ10に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ10に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ18内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ10に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 (もっと読む)


【課題】 被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源20から引き出され質量分離器32を通したイオンビーム30を、X方向において二つの偏向方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをX方向に走査する機能を有するビーム走査器82と、それから導出されたイオンビームをそれぞれ曲げ戻して平行ビーム化する二つのビーム平行化器86、88と、ビーム平行化器86から導出されたイオンビーム30が導入され、被照射物2にイオンビームを照射してイオン注入等の処理を行う処理室90と、被照射物2をY方向に機械的に駆動する駆動機構94と、ビーム平行化器88から導出されたイオンビーム30が導入され、ビーム計測器96を用いてイオンビームの計測のみを行う計測室92とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置を構成する絶縁膜の比誘電率を低下させることができる方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置を構成する絶縁膜2に不活性ガス、窒素および水素の内の少なくとも一種のイオン6を注入して絶縁膜2中に多数の空隙8を形成し、絶縁膜2の比誘電率をイオン注入前よりも低下させ、これによって低誘電率絶縁膜10を得る。 (もっと読む)


【課題】 パーティクルを発生させることなく、簡単な構造で短時間に、かつ注入状態においても、ホルダとイオンビームとの間の角度を高精度で計測することができる装置を提供する。
【解決手段】 この角度計測装置50は、イオンビーム2が残留ガスと衝突することによって生成され発光するビームプラズマ(図はイオンビーム2で代表)をカメラ21、22でビーム進行方向Zの2箇所で計測することによってイオンビーム2の角度を計測し、かつホルダ6に線状光源26を設けておいてその光をカメラ23で計測することによってホルダ6の角度を計測し、それによってイオンビーム2とホルダ6との間の角度を計測するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】 低エネルギーのイオンビームでも、多量にかつ平行性良く取り出すことができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置は、複数のイオン引出しスリットを有するイオン源20と、それから引き出されたイオンビーム30を曲げて質量分離を行う質量分離電磁石32とを備えている。質量分離電磁石32は、平面形状が湾曲しているビーム偏向領域40を有していて、当該領域40における磁束密度Bは、入口部42からのビーム進行方向への角度が大きくなるに従って大きくなり、かつ湾曲の外側方向へ行くに従って小さくなるように設定されており、それによって質量分離電磁石32は、ビーム偏向領域40の入口部42に複数箇所から互いに平行に入射したイオンビーム30を、出口部44において集束させ、かつ互いに平行な状態で出射させるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】引出し電極系の高電位電極に高電圧を供給する系統の絶縁劣化を抑えると共に、高電位電極への配線の作業性の悪さを解消する。
【解決手段】このイオン源装置は、イオン源チャンバー2を貫通し内部に支持棒用穴52を有する接地電位の電極系支持軸50と、その支持棒用穴52を支持軸50との間に空間をあけて貫通しそのイオン源チャンバー外側の端部付近に高電圧が印加される高電位支持棒54と、電極系支持軸50のイオン源チャンバー外側の端部付近内に設けられた絶縁体56と、高電位支持棒54のイオン源チャンバー内側の端部に結合されていて高電位電極12を支持かつ導通させる第1支持体40と、電極系支持軸50のイオン源チャンバー内側の端部に結合されていて接地電極14を支持かつ導通させるものであって、高電位電極12および第1支持体40との間が空間絶縁されている第2支持体46とを備える。 (もっと読む)


【課題】 イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、真空容器10と、その中に設けられていて基板6にそれよりも幅の広いイオンビーム4を照射するイオン源2と、真空容器10内で基板6を往復駆動する基板駆動機構30と、中心軸14aがイオン源2から基板寄りに離れた所にありかつ基板表面に実質的に平行である回転軸14と、真空容器10内に設けられていてイオン源2を回転軸14から支持するアーム12と、真空容器10外に設けられていて回転軸14を往復回転させるモータとを備えている。 (もっと読む)


【課題】陰極に加熱電流を流して該陰極から熱電子を放出させつつアーク放電を発生させ、該アーク放電のもとで目的とするイオンを得るためのプラズマを生成させる該アーク放電用陰極であって、従来のこの種のアーク放電用陰極と比べると長期にわたり安定して求めるイオンを提供するプラズマを発生させることができるアーク放電用陰極を提供する。さらにこれを採用したイオン源を提供する。
【解決手段】中心導体部1と、これに外嵌された筒形導体部2と、これら両者の先端部を接続する接続導体部3とを含み、中心導体部1と筒形導体部2とで加熱電流が逆方向に流されるアーク放電用陰極10、及びかかる陰極10を採用したイオン源A。 (もっと読む)


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