【課題】高温でもクランプ力の低下が少なく、クランプ力の再生も容易で、フィラメントの保持や位置調整の作業性が良いフィラメント保持構造を提供する。
【解決手段】フィラメント保持構造は、溝を挟んで板厚方向に二つに分かれている部分の両方の相対応する位置に、フィラメント５０を通すフィラメント穴９６、支点部材１１０を通す支点部材穴９８を有しているフィラメント導体９０と、それの溝内に位置している部分１０２に、フィラメントを通すフィラメント穴、支点部材を通す支点部材穴を有しているフィラメントクランパー１００と、上記穴に通された支点部材と、ボルト１１２及びナット１１４とを備える。フィラメント導体９０及びフィラメントクランパーのフィラメント穴にフィラメントを通し、ボルト及びナットでフィラメントクランパーを締め付けて、フィラメントにせん断方向に力を加えてフィラメント導体９０に保持する。 （もっと読む）

【課題】 組立てが容易であり、カソードの加熱効率を高めることができ、振動が加わってもカソードの少なくとも下方への位置ずれや脱落を防止することができ、かつねじ加工を使わずに済み、構造が簡単なカソード保持構造を提供する。
【解決手段】 このカソード保持構造は、熱電子を放出させるための前部２２、その背後の後部２４およびその側壁の周囲に形成された溝２６を有しているカソード２０と、筒状のものであってその先端部付近内にカソード２０の後部２４が通る貫通穴３４を有する棚部３２を備えているカソードホルダー３０と、平面形状がＣ形、断面形状が円形をしているロックワイヤ４０とを備えていて、カソード２０の後部２４を貫通穴３４に挿通し、溝２６にロックワイヤ４０を嵌めて、ロックワイヤ４０でカソード２０をカソードホルダー３０の棚部３２に係止している。 （もっと読む）

【課題】 基板の大型化に対応することができ、かつ重量増大を軽減し、ビームライン長増大およびビーム電流密度低下を防止することができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオン源２ａ、２ｂ、分析電磁石６ａ、６ｂおよび基板駆動装置１４を備えている。イオン源２ａは、Ｙ方向の寸法が長いリボン状のイオンビーム４ａを発生させる。イオン源２ｂは、Ｙ方向の寸法が長くかつイオンビーム４ａとはＹ方向の中心位置が異なるリボン状のイオンビーム４ｂを発生させる。分析電磁石６ａは、イオンビーム４ａをその主面に交差する方向に曲げて運動量分析を行って通過させる。分析電磁石６ｂは、イオンビーム４ｂをその主面に交差する方向に、かつ分析電磁石６ａとは逆方向に曲げて運動量分析を行って通過させる。基板駆動装置１４は、基板１０を、分析電磁石６ａ、６ｂを通過した両イオンビーム４ａ、４ｂの主面と交差する方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、基板が大型化しても低コストでマルチドメイン配向を形成して、液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された配向膜の配向処理を行なう装置であって、粒子線を照射する粒子源と、前記粒子源が前記粒子線を間欠的に照射するように、前記粒子源を制御する粒子源制御部と、前記基板を移動させる駆動機構と、を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板を分割処理しても基板内の所要の処理領域の処理に悪影響が及ぶのを防止することができ、それによってビーム幅よりも幅の大きい基板の処理を可能にする。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向の両端部がｐ行（ｐは１≦ｐ≦（ｍ−２）の整数）のセル２０を挟む二つの行形成分割帯２２にそれぞれ位置するビーム幅のイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域３０を形成するビーム照射工程を複数回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０の位置を変えてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、複数のビーム照射領域３０を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。 （もっと読む）

【課題】組み立ての際、及び運転時におけるフィラメント１０１及びカソード１０２のギャップの調節を容易にすることである。
【解決手段】フィラメント１０１によってカソード１０２を加熱し、当該カソード１０２から熱電子を放出して、原料ガスをプラズマ化することによりイオンを発生するイオン源１００であって、前記カソード１０２が固定されるイオン源本体２と、前記フィラメント１０１を保持するとともに、前記イオン源本体２に設けられるフィラメント保持体３と、前記フィラメント保持体３及び前記イオン源本体２の間に介在して設けられ、前記カソード１０２及び前記フィラメント１０１の距離を組み立て後に調節可能にする調節する調節機構４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源１０ｂは、Ｙ方向の寸法がＸ方向の寸法よりも大きいリボン状のイオンビーム２を発生させる。このイオン源１０ｂは、Ｙ方向に伸びたイオン引出し口１４を有するプラズマ生成容器１２と、プラズマ生成容器１２内のＸ方向の一方側にＹ方向に沿って複数段に配置された複数の陰極２０と、プラズマ生成容器１２内のＸ方向の他方側に陰極２０に対向させて配置された反射電極３２と、プラズマ生成容器１２内に、しかも複数の陰極２０を含む領域に、Ｘ方向に沿う磁界５０を発生させる電磁石４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向と現実の進行方向との間の偏差角度に起因する配向ずれ角度を解消する。
【解決手段】 この配向処理装置は、偏差角度測定装置２４と、基板回転装置３８と、制御装置３０とを備えている。偏差角度測定装置２４は、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４と現実の進行方向１６との差である偏差角度αを測定する。基板回転装置３８は、配向膜付基板２を、その表面に立てた垂線に沿う軸３６を中心にして回転させる。制御装置３０は、偏差角度測定装置２４で測定した偏差角度αを用いて、偏差角度αを配向膜付基板２の表面に投影した角度である配向ずれ角度βを求め、かつ基板回転装置３８を制御して、配向ずれ角度βを小さくする方向に配向ずれ角度βに相当する角度だけ配向膜付基板２を回転させる機能を有している。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を要することなく、電子放出特性が良好でありかつ長寿命の電界放出型電子源を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。この炭素イオン４０のエネルギー（単位はｋｅＶ）を一方の軸、注入量（単位は×１０¹⁷ｉｏｎｓ／ｃｍ² ）を他方の軸とする直交座標上の点Ｐ₁ 〜Ｐ₆ の座標を（エネルギー，注入量）でそれぞれ表すと、Ｐ₁ （５，０．８）、Ｐ₂ （５，１．５）、Ｐ₃ （１０，２．５）、Ｐ₄ （１５，３．０）、Ｐ₅ （１５，２．０）およびＰ₆ （１０，１．６）の６点間を直線で結んで囲まれる範囲内にある条件で炭素イオン４０を注入する。 （もっと読む）

【課題】 イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。かつ、プラズマ電極１２と各引出し電極片３０との間の電位差Ｖ_d を各引出し電極片３０ごとに独立して制御することができる引出し電源４２と、イオンビーム８のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するビームモニタ５６と、ビームモニタ５６からの測定データに基づいて引出し電源４２を制御して、上記電位差Ｖ_d をそれぞれ制御することによって、ビームモニタ５６で測定するビーム電流密度分布を均一に近づける制御を行う制御装置６０とを備えている。 （もっと読む）