【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームＩＢの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームＩＢを挟んでｘ方向に対向配置され、互いの間でイオンビームＩＢを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材６とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材６の少なくとも一方を、ｙ方向には隙間なく、かつ、ｘ方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板６１からなるものとしたうえで、可動遮蔽板６１の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材６との間に微小開口Ｐを形成し、微小開口Ｐを通過したイオンビームＩＢについての強度分布測定結果から、イオンビームＩＢのエミッタンスを算出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられたユニポテンシャルレンズ４０と、その第２電極４２、第３電極４３に直流電圧Ｖ₁ 、Ｖ₂ を印加する直流電源６０とを備えている。そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 （もっと読む）

【課題】配向処理装置全体を小型化し、さらには、基板を含む平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面における短辺幅を小さくすることによって、基板が荷電粒子ビーム中を通過するのに必要な距離を小さくし、配向処理にかかる時間を短縮できるようにすること所期課題とする。
【解決手段】射出時における荷電粒子ビームＢＭの進行方向が、前記基板３に対して垂直となるように前記荷電粒子源１を設置するとともに、前記荷電粒子源１と基板との間に一様な磁場Ｂ又は電場Ｅを形成して前記荷電粒子ビームＢＭを偏向させ、前記基板３に所定の角度θで入射させる荷電粒子ビーム偏向部２を設けた。 （もっと読む）

【課題】 イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定する。
【解決手段】 上孔３３を有する上板３２および下孔３５を有する下板３４を備えていて少なくとも下孔３５がスリット状をしている治具３０と、治具３０の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器６０とを用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板３４を軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向５１を測定する。 （もっと読む）

【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極に印加する電圧について、イオンビームの偏差角度および発散角度の両方を小さくするのに適した電圧を、短時間でかつ容易に決定することができる方法を提供する。
【解決手段】 第１〜第３電極１１〜１３に印加する電圧をＶ₁ 〜Ｖ₃ 、Ｖ₁ −Ｖ₂ を差電圧Ｖ₁₂、Ｖ₂ −Ｖ₃ を差電圧Ｖ₂₃とすると、電圧Ｖ₁ を所要の電圧に設定する。差電圧Ｖ₁₂を変化させて、イオン源２から引き出されるイオンビーム２０のビーム電流を測定して、そのピーク値およびその時の差電圧Ｖ₁₂を求める動作を、差電圧Ｖ₂₃を所定の範囲内で所定の電圧刻みで変えて行う。上記ピーク値の比較を行って、ピーク値が最大となる時の差電圧Ｖ₁₂を求めてそれをＶ_12P とする。０＜Ｖ₁₂≦Ｖ_12P を満たす範囲内で、電圧Ｖ₁ は変えずに、電圧Ｖ₂ と電圧Ｖ₃ の組み合わせを変化させて、イオンビーム２０の偏差角度を測定する。そして、偏差角度が最小となる電圧Ｖ₂ と電圧Ｖ₃ の組み合わせを決定する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度分布の制御が容易であり、しかもプラズマ生成容器内に発生させる磁界によってイオンビームの軌道が曲げられるのを防止することができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源１０は、Ｙ方向に長いリボン状イオンビーム２をＺ方向に引き出すものであり、プラズマ生成容器１２と、プラズマ生成容器１２のＺ方向端付近に設けられていてＹ方向に伸びたイオン引出し口２６を有するプラズマ電極２４と、プラズマ生成容器１２内へ電子を放出してプラズマ２２を生成するためのものであってＹ方向に沿って複数段に配置された複数の陰極４０と、プラズマ生成容器１２内に、しかも複数の陰極４０を含む領域に、Ｚ方向に沿う磁界５６を発生させる磁気コイル５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】残留ＤＣ電圧が低く、画像の焼き付きが生じにくい液晶配向膜を提供する。
【解決手段】残留ＤＣ電圧が低い液晶表示素子を得るために、少なくとも炭素元素及び水素原子を含有し非水性気相成膜法により形成された液晶配向膜について、ＣＨ結合の赤外吸収スペクトルのピーク強度（２９３０ｃｍ^−１）と＝ＣＨ結合の赤外吸収スペクトルのピーク強度（７００ｃｍ^−１）とを測定し、これらのピーク強度比ＣＨ結合／＝ＣＨ結合が０．５以下である液晶配向膜を選出するようにした。 （もっと読む）

【課題】スキャン端付近での基板の加減速時間を主体とするロス時間の累積を抑制してスループットを向上させる。
【解決手段】このイオン注入方法は、イオンビーム４のビーム電流、基板２へのドーズ量を用いて、当該ドーズ量を実現するための基板２のスキャン速度を算出するステップと、スキャン速度が許容スキャン速度範囲内にあるか否かを判断して、当該範囲内にあればそのときのスキャン回数、スキャン速度をそれぞれ実用スキャン回数、実用スキャン速度とし、当該範囲の上限よりも大きい場合は処理を中断し、当該範囲の下限よりも小さい場合はスキャン回数を１増加させて修正後のスキャン回数を算出し、修正後のスキャン回数等を用いて修正後のスキャン速度を算出し、修正後のスキャン速度が許容スキャン速度範囲内に入るまでスキャン速度判断および修正スキャン速度算出を繰り返すステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】 基板のスキャン回数が奇数になることを防止して、スキャン回数が奇数になる場合のロス時間を無くし、スループットを向上させる。
【解決手段】 イオンビーム４のビーム電流、基板２へのドーズ量および基準スキャン速度を用いて、当該ドーズ量を実現するための基板２のスキャン回数を小数点以下を切り捨てた整数値で算出し、そのスキャン回数が２以上か否かを判断して、２よりも小さい場合は処理を中断し、２以上の場合は当該スキャン回数が偶数か奇数かを判断して、偶数の場合は当該スキャン回数をそのまま実用スキャン回数とし、奇数の場合はそれよりも１小さい偶数のスキャン回数を求めてそれを実用スキャン回数とし、上記実用スキャン回数、ビーム電流およびドーズ量を用いて基板２の実用スキャン速度を算出し、これらに従って基板２にイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】真空側の内側空間を短時間かつ確実に外側空間と同等の真空度にすることができ、絶縁性の低下とそれによる不測の放電を防止できるようにする。
【解決手段】真空隔壁３に貫通して取り付けられる外筒体１１と、外筒体１１内に延伸して配置される信号伝送端子１５と、外筒体１１内に埋設されて信号伝送端子１５を外筒体１１から電気的に絶縁して保持するとともに外筒体１１を通じた気体流通を阻害する電気絶縁体１４と、を具備してなり、外筒体１１の真空側開口端部が相手方コネクタ２の嵌合筒体２１と嵌合することにより当該相手方コネクタ２と接続されて高電圧電気信号を伝送する真空用電気コネクタ１において、前記外筒体１１における真空側部位であって嵌合筒体２１との嵌合領域を避けた部位に、当該外筒体１１を貫通して外筒体１１の内側空間Ｓ１１と外側空間Ｓ１２とを連通する貫通孔１３を設けた。 （もっと読む）