イオンビーム測定方法および配向処理方法
【課題】 イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定する。
【解決手段】 上孔３３を有する上板３２および下孔３５を有する下板３４を備えていて少なくとも下孔３５がスリット状をしている治具３０と、治具３０の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器６０とを用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板３４を軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向５１を測定する。
【解決手段】 上孔３３を有する上板３２および下孔３５を有する下板３４を備えていて少なくとも下孔３５がスリット状をしている治具３０と、治具３０の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器６０とを用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板３４を軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向５１を測定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられるイオンビーム測定方法、および当該配向処理を施す配向処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の配向処理装置の一例を図１に示す。この配向処理装置は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を配向膜付基板２の表面に斜方から照射して配向膜付基板２に（より具体的にはその表面に形成された配向膜に。以下同様）配向処理を施すものである。
【０００３】
図中に記入しているように、直交３軸をｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とすると、この例では、配向膜付基板２は、その表面がｘｙ平面に実質的に平行になるように配置されている。１８は、配向膜付基板２の表面に立てた垂線であり、ｚ軸に実質的に平行である。配向膜付基板２は、この例では、矢印Ｄで示すように、ｘ軸に実質的に平行に搬送されて、配向膜付基板２の全面にイオンビーム１２が照射される。
【０００４】
イオン源１０は、この例では、ｘ軸に沿う方向よりもｙ軸に沿う方向が長くて、ｘ軸に沿う方向の寸法よりもｙ軸に沿う方向の寸法が大きい、いわゆるリボン状のイオンビーム１２を引き出すものであるが、それに限られるものではない。
【０００５】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２は、配向膜付基板２の表面に斜方から照射される。このときの照射角度をθ（０°＜θ＜９０°）とする。
【０００６】
イオンビーム１２による配向膜付基板２の配向処理方向は、イオンビーム１２の進行方向を配向膜付基板２の表面に投影（換言すれば射影。以下同様）した方向となることが従来から知られている。従って、配向膜付基板２に対する所望の配向処理方向２０を実現するために、従来は、イオンビーム１２の進行方向を配向膜付基板２の表面に投影した方向を、所望の配向処理方向２０に合わせていた。具体的には、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａを、所望の配向処理方向２０に合わせていた。
【０００７】
なお、以下においては、所望の配向処理方向２０は、配向膜付基板２の所定の辺（例えば長辺）２ｂに実質的に平行な方向であり、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａは、ｘ軸に実質的に平行な方向である場合を例に説明するが、これに限られるものではない。
【０００８】
イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４は、イオン源１０の引出し面（換言すれば引出し電極系の面）１１に垂直な方向であるが、イオンビーム１２の実際の（換言すれば現実の。以下同様）進行方向１６は、設計上の進行方向１４から角度α（以下これを偏差角度と呼ぶ）だけずれている場合がある。その原因は、例えば、イオン源１０の引出し電極系を構成する複数枚の電極のイオン引出し孔の相互の位置ずれ等による。この位置ずれには、組立時の位置ずれの他に、電極の熱膨張による位置ずれもある。
【０００９】
上記のように二つの進行方向１４、１６が互いにずれると、イオンビーム１２の実際の進行方向１６を配向膜付基板２の表面に投影した方向１６ａも、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａから角度β（以下これを投影ずれ角度と呼ぶ）だけずれてしまうので、所望の配向処理方向２０を実現することができなくなる。
【００１０】
ところで、例えば特許文献１には、イオンビームの一部を通過させる開口を有する遮蔽板と、当該遮蔽板の開口を通過したイオンビームのビーム電流を検出する検出器と、当該検出器を遮蔽板の開口の下流部を横切って移動させる検出器駆動装置とを用いてイオンビームの空間分布を測定し、その測定結果に基づいてイオンビームの実際の進行方向を算出し、更に上記偏差角度αに相当する偏差角度を算出する技術が記載されている。
【００１１】
従ってこのような技術を用いて、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６や、上記偏差角度αを算出することは一応可能である。
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２７８７５５号公報（段落００１９、００２０、００７２−００７４、図１１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
配向膜付基板２の配向処理においては、イオンビーム１２の実際の進行方向１６よりもむしろ、それを配向膜付基板２の表面に投影した方向１６ａが重要である。前述したようにこの投影した方向１６ａによって配向処理方向が決まるからである。
【００１４】
しかし、上記特許文献１には、上記投影した方向１６ａを測定する技術は記載されていない。
【００１５】
特許文献１に記載された技術を用いて、イオンビーム１２の実際の進行方向１６を測定した結果から、更に進んで、上記投影した方向１６ａを算出することは、種々の計算を用いれば可能かもしれない。
【００１６】
しかし、特許文献１に記載の技術では、イオンビームの実際の進行方向を算出するまでに既にかなり複雑な算出工程が必要である。即ち、少なくとも（ａ）検出器と遮蔽板間の寸法、（ｂ）検出器がｘ軸上で移動するとして、当該検出器で検出したイオンビームのガウス分布がピークとなる位置の検出器の中心位置をｘ座標で表したもの、および（ｃ）遮蔽板の開口の中心に検出器の中心が位置するときのｘ座標を用いて演算を行って、イオンビームの実際の進行方向を算出する必要があるので、かなり複雑な算出工程が必要である。
【００１７】
仮に、上述したイオンビームの実際の進行方向算出の後の工程で、更に、実際の進行方向を基板表面に投影した方向を算出するとすれば、更に算出工程が必要になり、算出工程が更に複雑になる。
【００１８】
そこでこの発明は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定することができる測定方法を提供することを一つの目的としている。
【００１９】
また、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、簡単な方法で配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる配向処理方法を提供することを他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明に係るイオンビーム測定方法の一つは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の下孔の長さ方向を測定することを特徴としている。
【００２１】
この発明に係るイオンビーム測定方法の他のものは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の上孔の長さ方向を測定することを特徴としている。
【００２２】
治具としては、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具を用いても良い。
【００２３】
治具を構成する上板および下板を一体で回転させても良い。
【００２４】
治具およびビーム電流測定器としては、イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いても良い。
【００２５】
治具およびビーム電流測定器としては、直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いても良い。
【００２６】
この発明に係る配向処理方法の一つは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴としている。
【００２７】
この発明に係る配向処理方法においても、治具やビーム電流測定器としては、上記ビーム電流測定方法について述べたのと同様の治具やビーム電流測定器を用いても良い。
【発明の効果】
【００２８】
請求項１に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の下孔の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００２９】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を測定することができるので、配向膜付基板の配向処理を正確に行うことに供することが可能になる。請求項２〜７に記載の発明の場合も同様である。
【００３０】
請求項２、４に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの、上記上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの上記線の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３１】
請求項３に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の上孔の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの上孔の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３２】
請求項５に記載の発明によれば、治具を構成する上板および下板を一体で回転させるので、治具の回転やそのための構成が簡単になる、という更なる効果を奏する。
【００３３】
請求項６に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの、遮蔽突起の中心とビーム電流測定器の中心とを結ぶ線の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの上記線の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３４】
請求項７に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の溝の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの溝の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３５】
請求項８、９、１３に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。従って、治具の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具に所定の位置関係で配向膜付基板を載せることによって、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる。
【００３６】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具の上記方向を保った状態で配向膜付基板を載せるので、治具の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【００３７】
請求項１０、１１に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の少なくとも上板の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。従って、治具の少なくとも上板の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具に所定の位置関係で配向膜付基板を載せることによって、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる。
【００３８】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具の上記方向を保った状態で配向膜付基板を載せるので、治具の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【００３９】
請求項１２に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの治具の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。その他の作用効果は、請求項８について上述したのと同様である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
（１）イオンビーム測定方法について
図２は、この発明に係るイオンビーム測定方法の一実施形態を示す概略斜視図である。以下においては、図１に示した構成と同一または相当する部分には同一符号を付して、重複説明を省略する。
【００４１】
このイオンビーム測定方法は、例えば図１を参照して上述したような、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を配向膜付基板２の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す配向処理装置に用いられるものである。
【００４２】
なお、図２以降においては、配向膜付基板２、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４、それを配向膜付基板２表面に投影した方向１４ａ、イオンビーム１２の実際の進行方向１６、それを配向膜付基板２表面に投影した方向１６ａ、所望の配向処理方向２０等を図示していない場合もあるが、その場合は図１を参照するものとする。
【００４３】
このイオンビーム測定方法は、治具３０、ビーム電流測定器６０等を用いる。
【００４４】
治具３０は、この実施形態では、図３も参照して、互いに上下に配置されている２枚の板であって、上孔３３を有する上板３２と、下孔３５を有する下板３４とを備えている。上孔３３は円形をしており、下孔３５は下板３４の辺（例えば長辺）３４ｂに実質的に平行なスリット状（換言すれば細長い長方形状。以下同様）をしている。但し上孔３３は、円形以外、例えば四角形等でも良い。
【００４５】
なお、図３では、ｘ軸との関係で治具３０の回転角度を例示する必要がないので、ｘ、ｙ、ｚの座標軸は図示していない。図６〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１８においても同様である。
【００４６】
治具３０は、この例では、その表面が上記配向膜付基板２の表面と実質的に平行になるように配置されている。後述する他の治具３０も同様である。より具体的にはこの例では、治具３０を構成する上板３２および下板３４の表面は、配向膜付基板２の表面と実質的に平行に、換言すればｘｙ平面と実質的に平行に配置されている。図６〜図８に示す治具３０も同様である。
【００４７】
治具３０は、それを構成する上板３２および下板３４の少なくとも一方を、即ち一方または両方を、下に示す（ａ）〜（ｆ）の態様に応じて、当該治具３０の表面に実質的に直交する軸３８を中心にして、矢印Ｆで示すように、可逆転式の回転装置４０によって回転させることができる。軸３８はｚ軸に実質的に平行であるということもできる。軸３８は、この例では、上孔３３の中心および下孔３５の中心を通っている。図６、図８に示す治具３０の場合も同様である。
【００４８】
ビーム電流測定器６０は、治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するものである。より具体的には、ビーム電流測定器６０は、回転させられる板の孔３３または３５が後述するように所定の向きにあるときに、両孔３３、３５を通過したイオンビーム１２が入射する位置に設けられている。ビーム電流測定器６０は、例えば、ファラデーカップである。
【００４９】
治具３０を構成する上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０の回転の態様は次のとおりである。回転させる場合は、上記軸３８を中心にして上記回転装置４０によって回転させる。
【００５０】
（ａ）上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０を一体で回転させる。この場合は上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０を結合部材（図示省略。以下同様）で互いに結合しておけば良い。ビーム電流測定器６０は、治具３０と一体で回転させるので、次の（ｂ）の場合に比べれば小さなもので済む。図４、図５、図１２は、この（ａ）の態様を採用したときの例である。
【００５１】
（ｂ）上板３２および下板３４を一体で回転させ、ビーム電流測定器６０は固定しておく。この場合は、上板３２および下板３４を結合部材で互いに結合しておけば良い。ビーム電流測定器６０は固定部材（図示省略。以下同様）で固定部に固定しておく。このビーム電流測定器６０は、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていてもイオンビーム１２を受けることができる程度に大きくしておけば良い。
【００５２】
（ｃ）上板３２を固定しておき、下板３４をビーム電流測定器６０と一体にして回転させる。この場合は、上板３２は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０は下板３４に結合しておく。
【００５３】
（ｄ）上板３２およびビーム電流測定器６０を固定しておき、下板３４を回転させる。この場合は、上板３２およびビーム電流測定器６０は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０をある程度大きくしておくことは上記（ｂ）の場合と同様である。
【００５４】
（ｅ）下板３４およびビーム電流測定器６０を固定しておき、上板３２を回転させる。この場合は、下板３４およびビーム電流測定器６０は固定部材で固定部に固定しておく。上記回転装置４０によって上板３２を回転させるためには、例えば、下板３４に回転装置４０の回転軸が通る貫通穴を設けておいても良いし、それができない場合は、下板３４を避けて回転装置４０の回転軸と上板３２とを結合する結合部材を用いる等しても良い。いずれにしても、公知の手段で実現することができる。ビーム電流測定器６０をある程度大きくしておくことは上記（ｂ）の場合と同様である。
【００５５】
（ｆ）下板３４を固定しておき、上板３２をビーム電流測定器６０と一体にして回転させる。これらを回転装置４０によって回転させる方法の例は、上記（ｅ）に示したとおりである。この場合は、下板３４は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０は上板３２に結合しておく。
【００５６】
上記（ａ）〜（ｄ）の態様は、少なくとも下板３４を回転させるという範疇に属する。上記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）の態様は、少なくとも上板３２を回転させるという範疇に属する。
【００５７】
まず、少なくとも下板３４を回転させる場合のイオンビーム測定方法の実施形態を説明する。
【００５８】
測定に際しては、例えば図２に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０等を、治具３０の上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも下板３４を、上記（ａ）〜（ｄ）に示した態様のいずれかで回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の下孔３５の長さ方向５１を測定する。長さ方向５１は、換言すれば、下孔３５の長軸方向、あるいは下孔３５の長辺に実質的に平行な方向である。
【００５９】
例えば、図４に示す例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４と一致している場合は、治具３０のｘ軸からの回転角度γが実質的に０度の状態で、イオンビーム１２の実際の進行方向１６をｘｙ平面に（即ち治具３０の表面や配向膜付基板２の表面に）投影した方向１６ａが、下孔３５の長さ方向５１と一致するので、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過して、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。下孔３５の長さ方向５１が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は減少する。
【００６０】
なお、図４および図５は平面図であり、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４とそれを投影した方向１４ａとは重なって見えるので、投影した方向１４ａを括弧書きで示している。実際の進行方向１６とそれを投影した方向１６ａとについても同様である。図９においても同様である。
【００６１】
一方、例えば図５に示す例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていても、治具３０を回転させて、イオンビーム１２の上記投影した方向１６ａが下孔３５の長さ方向５１と一致した状態になると、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過するので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。下孔３５の長さ方向５１が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定する上記電流は減少する。ビーム電流が最大になるときの治具３０のｘ軸からの回転角度γは、この実施形態では、前述した投影ずれ角度βと実質的に等しくなる。
【００６２】
このように、このイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の下孔３５の長さ方向５１は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔３５の長さ方向５１を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００６３】
なお、下孔３５の長さ方向５１と治具３０回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、下孔３５の長さ方向５１のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、下孔３５の長さ方向５１は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。治具３０の回転角度γは、例えば、回転装置４０に設けている回転角度検出器（例えばエンコーダ）で簡単に測定することができる。後述する他の例においても同様である。
【００６４】
しかも、このイオンビーム測定方法によれば、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向を実際に測定することができるので、配向膜付基板２の配向処理を正確に行うことに供することが可能になる。後述する他の例の治具３０やビーム電流測定器６０を用いる場合も同様である。
【００６５】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３を小さくし、かつ下板３４の下孔３５の幅を小さくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最大点を検出しやすくなる。同様のことは、図６〜図８に示す例の治具３０においても言える。
【００６６】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３は、図６に示す例のように、下板３４の下孔３５と同様にスリット状をしていても良い。より具体的には、この例では、上孔３３は上板３２の辺（例えば長辺）３２ｂに実質的に平行なスリット状をしている。但し、両孔３３、３５の幅や長さは、この例では上下で互いに実質的に同じにしているが、必ずしもそのようにしなくても良い。
【００６７】
この例の場合も、図３の例の場合と同様の作用によって、少なくとも下板３４を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔３５の長さ方向５１を測定することができる。またこの例の場合は、図３の例に比べて、両孔３３、３５を通過してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量を多くして、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流を大きくすることができる。
【００６８】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３および下板３４の下孔３５の両者を、スリット状以外の形状にしても良い。例えば図７に示す例のように円形の孔にしても良い。四角形等の孔でも良い。両孔３３、３５の形状や寸法は、この例では上下で互いに実質的に同じにしているが、必ずしもそのようにしなくても良い。但しこの例の場合は、同一面（この例ではｘｙ平面。以下同様）に投影したときの両孔３３、３５の位置は互いにずらしておく。かつ、下板３４の回転中心となる軸３８は、少なくとも下孔３５からずらしておく。もっとも軸３８は、この例では、後述する線５２上にある。
【００６９】
この例の場合も、図３の例の場合と同様の作用によって、少なくとも下板３４を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるようにすることができる。同一面に投影したときの上孔３３の中心と下孔３５の中心とを結ぶ線５２を考えると、この線５２が図３の例の長さ方向５１に相当している。従ってこの例では、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの線５２の方向を測定する。
【００７０】
上記線５２の方向は、図３の例の場合と同様の作用によって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記線５２の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００７１】
なお、治具３０の線５２と治具３０の回転角度γ（図４、図５参照）との間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、線５２のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、治具３０の線５２は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００７２】
次に、少なくとも上板３２を回転させる場合のイオンビーム測定方法の実施形態を、上述した少なくとも下板３４を回転させる場合との相違点を主体に説明する。
【００７３】
この場合に用いる治具３０の一例を図８に示す。この治具３０においては、上板３２の上孔３３は、図６において説明したのと同様のスリット状をしている。下板３４の下孔３５は、この例では円形をしているが、それ以外の四角形等の形状でも良い。図６等において説明したのと同様のスリット状にしても良い。
【００７４】
測定に際しては、図２に示した例の場合と同様に、治具３０およびビーム電流測定器６０等を、治具３０の上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、上記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）に示した態様のいずれかで回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の上孔３３の長さ方向５０を測定する。長さ方向５０は、換言すれば、上孔３３の長軸方向、あるいは上孔３３の長辺に実質的に平行な方向である。
【００７５】
図９は、上記（ｅ）に示した態様で、上板３２だけを回転させた場合の例である。この例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていても、上板３２を回転させて、イオンビーム１２の上記投影した方向１６ａが上孔３３の長さ方向５０と一致した状態になると、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過するので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。上孔３３の長さ方向５０が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定する上記電流は減少する。ビーム電流が最大になるときの上板３２のｘ軸からの回転角度γは、この実施形態では、前述した投影ずれ角度βと実質的に等しくなる。
【００７６】
上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０の回転の態様は、上記（ａ）、（ｂ）または（ｆ）に示す態様でも良い。
【００７７】
このイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の上孔３３の長さ方向５０は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上孔３３の長さ方向５０を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００７８】
なお、上孔３３の長さ方向５０と治具３０回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、上孔３３の長さ方向５０のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、上孔３３の長さ方向５０は、前述したように、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。治具３０の回転角度γは、例えば、回転装置４０に設けている回転角度検出器（例えばエンコーダ）で簡単に測定することができる。
【００７９】
少なくとも上板３２を回転させる場合も、上板３２の上孔３３を、あるいは当該上孔３３および下板３４の下孔３５の両者を、スリット状以外の形状にしても良い。例えば図７に示した例のように、上孔３３および下孔３５を円形の孔にしても良い。四角形等の孔でも良い。この場合は、同一面（この例ではｘｙ平面。以下同様）に投影したときの両孔３３、３５の位置は互いにずらしておく。かつ、上板３２の回転中心となる軸３８は、少なくとも上孔３３からずらしておく。軸３８は、この例では、前述した線５２（即ち、同一面に投影したときの上孔３３の中心と下孔３５の中心とを結ぶ線５２）上にある。
【００８０】
この例の場合も、少なくとも下板３４を回転させるときの図７の例の場合と同様の作用によって、少なくとも上板３２を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるようにすることができる。このときの線５２の方向を測定する。
【００８１】
上記線５２の方向は、少なくとも下板３４を回転させるときの図７の例の場合と同様の作用によって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記線５２の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００８２】
治具３０の線５２と治具３０の回転角度γとの関係は前述したとおりである。
【００８３】
図３、図６〜図８に示したような上孔３３を上板３２の面内に一次元または二次元で複数個設け、かつそれに対応するように、図３、図６〜図８に示したような下孔３５を下板３４の面内に一次元または二次元で複数個設けても良い。ビーム電流測定器６０も、孔３３、３５の組に対応させて複数個設ける。このようにすれば、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、治具３０の面内ひいては配向膜付基板２の面内の一次元または二次元の複数箇所において測定することができる。
【００８４】
次に、治具３０およびビーム電流測定器６０の更に他の例を、図３に示した治具３０およびビーム電流測定器６０との相違点を主体に説明する。
【００８５】
図１０に示す例の治具３０は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を遮って陰４４を作る遮蔽突起４２を端部に有している。この治具３０の表面の向き、治具３０を回転させる軸３８、回転装置４０等は、図３の例で説明したものと同様である。もっとも軸３８は、この例では、後述する線５４上にある。より具体的には、この例では、ビーム電流測定器６０の中心を通っている。
【００８６】
ビーム電流測定器６０は、治具３０に対して、治具３０が所定の回転角度にあるときに陰４４に入る箇所に取り付けられている。
【００８７】
測定に際しては、図１０に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０を、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が遮蔽突起４２に当たって上記陰４４を作る場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの、遮蔽突起４２の中心とビーム電流測定器６０の中心とを結ぶ線５４の方向を測定する。
【００８８】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａが上記線５４と一致していると、ビーム電流測定器６０は最も多く陰４４内に位置して当該ビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が最小となるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は最小となる。線５４が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が増えて当該ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は増大する。
【００８９】
従って、図１０に示す治具３０およびビーム電流測定器６０を用いたイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの上記線５４の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの上記線５４の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００９０】
なお、治具３０の線５４と治具３０の回転角度γ（図４、図５参照）との間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、線５４のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、治具３０の線５４は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００９１】
また、上記遮蔽突起４２の幅（イオンビーム１２の進行方向に交差する方向の寸法）を小さくすると共に、ビーム電流測定器６０の寸法を遮蔽突起４２の幅とほぼ等しくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流の変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最小点を検出しやすくなる。
【００９２】
図１１に示す例の治具３０は、直線状に伸びた溝４６を表面に有している。この治具３０の表面の向き、治具３０を回転させる軸３８、回転装置４０等は、図３の例で説明したものと同様である。もっとも軸３８は、この例では、溝４６の幅方向の中心を通っている。
【００９３】
ビーム電流測定器６０は、治具３０の溝４６内に位置するように設けられている。
【００９４】
測定に際しては、図１１に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０を、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が溝４６の空間部を通してビーム電流測定器６０に入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記溝４６の長さ方向５６を測定する。
【００９５】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａが溝４６の長さ方向５６と一致していると、イオンビーム１２は溝４６の側壁部４８で遮られる量が最も少なくなってビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が最大となるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は最大となる。溝４６の長さ方向５６が投影方向１６ａからずれると、イオンビーム１２は溝４６の側壁部４８で遮られてビーム電流測定器６０に入射しにくくなるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は減少する。
【００９６】
従って、図１１に示す治具３０およびビーム電流測定器６０を用いたイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記溝４６の長さ方向５６は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの溝４６の長さ方向５６を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００９７】
なお、溝４６の長さ方向５６と治具３０の回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、溝４６の長さ方向５６のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、溝４６の長さ方向５６は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００９８】
また、上記溝４６の幅（イオンビーム１２の進行方向に交差する方向の寸法）を小さくすると共に、ビーム電流測定器６０の寸法を溝４６の幅とほぼ等しくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流の変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最大点を検出しやすくなる。溝４６をより深くすることも、上記尖鋭度をより大きくすることにつながる。
【００９９】
（２）配向処理方法について
次に、配向膜付基板２の表面にイオンビーム１２を照射して配向処理を施す配向処理方法の例を説明する。これには、大別すると、次の二つの配向処理方法がある。
【０１００】
（Ａ）上記治具３０とは別の、配向膜付基板２を保持する基板ホルダを用いて、当該基板ホルダに配向膜付基板２を載せて配向処理を施す配向処理方法。
【０１０１】
（Ｂ）上記治具３０に配向膜付基板２を載せて配向処理を施す配向処理方法。
【０１０２】
上記（Ａ）の配向処理方法を簡単に説明すると、この場合は、上記各実施形態のイオンビーム測定方法で測定した、治具３０の下孔３５の長さ方向（図２〜図６参照）、線５２の方向（図７参照）、線５４の方向（図１０参照）および溝４６の長さ方向５６（図１１参照）をそれぞれ表す情報、具体的には治具３０の回転角度γを表す情報に基づいて、基板ホルダを搬送および回転させる機能を有するホルダ駆動装置（図示省略）を制御して、基板ホルダを回転させて基板ホルダの方向を治具３０の方向と所定の関係になるように定める。典型的には、基板ホルダの方向を、治具３０の方向と実質的に同一方向に定める。
【０１０３】
これによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、基板ホルダ上の配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１０４】
但し、上記（Ａ）の配向処理方法では、治具３０とは別に、基板ホルダおよびホルダ駆動装置が必要になると共に、上記回転角度γを測定する手段および当該回転角度γを表す情報を記憶する手段等が必要になる。この観点からは、以下に述べるように、上記（Ｂ）の配向処理方法の方が有利である。
【０１０５】
次に、上記（Ｂ）の配向処理方法に属する配向処理方法の実施形態の幾つかを詳述する。
【０１０６】
配向処理方法の第１の実施形態では、図２〜図６を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、その上板３２および下板３４を一体で、当該治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１０７】
この配向処理方法のより具体例を図１２を参照して説明する。この例は前述した図５に対応している。即ち、治具３０が図５の状態で、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるので、そのときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して配向処理を施す。この配向処理の際には、必要に応じて、図１の所でも説明したように、配向膜付基板２を、より具体的には治具３０および配向膜付基板２を、矢印Ｄで示す方向（またはその逆の矢印Ｄ′方向）に搬送しながらイオンビーム１２を照射しても良い。
【０１０８】
この配向処理方法の場合は、治具３０の上記決定した方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、前述したイオンビーム測定方法と違って、治具３０の方向が、例えば上記回転角度γが、具体的に何度であるかを測定する必要はない。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１０９】
上記治具３０に配向膜付基板２を載せる動作は、真空中（例えばイオンビーム１２の上記測定や配向膜付基板２に配向処理を行う真空容器内）で行っても良いし、大気中で行っても良い。その際に、必要に応じて、治具３０を、治具搬送装置（図示省略）によって、例えば図１２中に矢印Ｄ、Ｄ′で示すように搬送して、上記測定や配向処理を行う場所と、治具３０に配向膜付基板２を載せる場所との間で搬送しても良い。例えば、治具３０を回転させずに上記ｘ軸に実質的に平行なガイド６４に沿って治具３０を搬送すると、治具３０の上記決定した方向を保った状態で治具３０を容易に搬送することができる。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１１０】
治具３０に配向膜付基板２を載せる動作は、真空中で行う場合は、ロボット等の機械装置によって行えば良い。大気中で行う場合は、人によって行っても良いし、ロボット等の機械装置によって行っても良い。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１１１】
上記治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる態様の例を説明する。
【０１１２】
治具３０の方向と、上記長さ方向５０、５１、線５２の方向、線５４の方向または長さ方向５６とは、所定の（即ち予め定まった一定の。以下同様）関係にある。また、治具３０の方向は、例えば、治具３０の所定の辺（例えば辺３０ｂ）の方向で表すことができる。一方、配向膜付基板２と、それに対する所望の配向処理方向２０とも、所定の関係にある。例えば、配向膜付基板２の所定の辺（例えば辺２ｂ）と配向処理方向２０とは実質的に平行な関係にある。従って、例えば、治具３０の上記決定した方向を保った状態で、治具３０に配向膜付基板２を、両辺３０ｂ、２ｂが互いに実質的に平行になるように載せれば良い。
【０１１３】
要は、治具３０の上記長さ方向５０、５１、線５２の方向、線５４の方向または長さ方向５６と、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０とが実質的に平行になる位置関係で、治具３０上に配向膜付基板２を載せれば良い。
【０１１４】
治具３０上に配向膜付基板２を上記位置関係で載せるより具体的な方法の例を幾つか説明する。
【０１１５】
図１３に示す例のように、治具３０の表面に位置決め用のマーク６６を設けておいて、それに配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）を合わせても良い。このマーク６６の代わりに、またはそれと共に、配向膜付基板２の他方の辺（例えば辺２ｂ）の位置決め用のマークを設けておいてそれに合わせても良い。
【０１１６】
図１４に示す例のように、治具３０の一つの辺（例えば辺３０ａ）と、配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とを合わせても良い。
【０１１７】
図１５の示す例のように、治具３０の他の一辺（例えば辺３０ｂ）と配向膜付基板２の他の一辺（例えば辺２ｂ）とを合わせても良い。
【０１１８】
図１６に示す例のように、治具３０の隣り合う２辺（例えば辺３０ａおよび３０ｂ）と、配向膜付基板２の隣り合う２辺（例えば辺２ａおよび２ｂ）とを合わせても良い。
【０１１９】
但し、治具３０の平面形状は、上記各例の四角形に限定されるものではなく、図１７、図１８に示す例のような円形や、それ以外の形状でも良い。
【０１２０】
その場合、図１７に示す例のように、治具３０の表面に位置決め用のマーク６６を設けておいて、それに配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）を合わせても良い。このマーク６６の代わりに、またはそれと共に、配向膜付基板２の他の一辺（例えば辺２ｂ）の位置決め用のマークを設けておいてそれに合わせても良い。
【０１２１】
図１８に示す例のように、治具３０に位置決め用の切欠き６８を設けておいて、その一つの辺６８ａと配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とが実質的に直角に交わるように、配向膜付基板２を治具３０上に載せても良い。上記辺６８ａと、配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とが実質的に平行になるように配向膜付基板２を載せても良い。
【０１２２】
その他、図１２〜図１８に示した方法から類推される方法で、治具３０上に配向膜付基板２を載せても良い。また、配向膜付基板２が落ちない程度であれば、配向膜付基板２が治具３０からはみ出しても構わない。
【０１２３】
以上のことは、後述する他の実施形態についても適用することができる。
【０１２４】
この実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１２５】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。例えば、前述した回転装置４０に回転角度検出器を設けておく必要はなく、従ってそれによる角度検出誤差の問題は生じない。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１２６】
次に、配向処理方法の他の実施形態を、上記第１の実施形態との相違点を主体に説明する。
【０１２７】
配向処理方法の第２の実施形態では、図７を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、その上板３２および下板３４を一体で、当該治具３０の表面に実質的に直交しておりかつ下孔３５からずれた位置の上記軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１２８】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１２９】
配向処理方法の第３の実施形態では、図１０を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が遮蔽突起４２に当たって上記陰４４を作る場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に、治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３０】
この場合、遮蔽突起４２は治具３０の端部に設けているので、遮蔽突起４２を避けて配向膜付基板２を載せれば良く、従って遮蔽突起４２が障害にならずに治具３０上に配向膜付基板２を載せることができる。遮蔽突起４２を、治具３０上での配向膜付基板２の位置決めに利用しても良い。
【０１３１】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１３２】
配向処理方法の第４の実施形態では、図１１を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が上記溝４６の空間部を通してビーム電流測定器６０に入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に、治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３３】
この場合、溝４６は治具３０の表面以下に形成されていて、溝４６以外の部分で配向膜付基板２を支持することができるので、溝４６が障害にならずに治具３０上に配向膜付基板２を載せることができる。
【０１３４】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１３５】
この第２〜第４の実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大（第３の実施形態の場合は最小）となるときの治具３０の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１３６】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。例えば、前述した回転装置４０に回転角度検出器を設けておく必要はなく、従ってそれによる角度検出誤差の問題は生じない。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１３７】
配向処理方法の第５の実施形態では、図８を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、当該治具３０の表面に実質的に直交する軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３８】
この場合、治具３０の下板３４は、上板３２と一体で回転させても良いし、回転させなくても（即ち固定でも）良い。図９は、前述したように、下板３４を回転させない場合の例を示す。
【０１３９】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１４０】
配向処理方法の第６の実施形態では、図７を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、当該治具３０の表面に実質的に直交しておりかつ上孔３３からずれた位置の軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１４１】
この場合も、治具３０の下板３４は、上板３２と一体で回転させても良いし、回転させなくても（即ち固定でも）良い。
【０１４２】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１４３】
この第６、第７の実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の少なくとも上板３２の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１４４】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１４５】
もっとも、上記第１〜第６の配向処理方法の実施形態と違って、上記治具３０の回転角度γを前述したような角度測定手段によって測定しかつその情報を記憶手段に記憶しておいて、治具３０を上記測定場所と基板載置場所との間で搬送したり、治具３０上に配向膜付基板２を載せる際は、治具３０を回転させてその回転角度γを一旦０度に戻しておき、その後、配向膜付基板２にイオンビーム１２を照射して配向処理を施す前に、治具３０を回転させて上記回転角度γに設定するようにしても良い。そのようにすると、治具３０の搬送や治具３０上に配向膜付基板２を載せる動作を回転角度γが０度の状態で行うことができるので、その動作を行うことが容易になる。
【０１４６】
また、例えば図１９に示す例のように、イオン源１０を、そのｙ軸に沿う方向の中心部７５を通り、かつイオンビーム１２の設計上の進行方向１４と実際の進行方向１６（図１参照）とを含む平面に垂直な軸７６を中心にして矢印Ｈで示すように可逆式に回転させる投影方向調整用回転機構７８を設けておいても良い。
【０１４７】
この投影方向調整用回転機構７８を用いてイオン源１０を矢印Ｈで示すように回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを変化させることが可能である。この場合は、上記回転装置４０を設ける必要はなく、治具３０は固定しておいて、上記治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２のビーム電流が最大となるように、投影方向調整用回転機構７８を用いてイオン源１０を上記のように回転させれば良い。
【０１４８】
更に、図１９に示す例のように、イオン源１０をｙ軸に実質的に平行な軸７２を中心にして矢印Ｇで示すように可逆式に回転させて、イオンビーム１２の上記照射角度θ（図１参照）を調整する照射角度調整用回転機構７４を設けておいても良い。
【０１４９】
また、上記照射角度調整用回転機構７４を用いて次のような調整を行っても良い。即ち、上記のようにしてイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを測定したり、その投影方向１６ａを所望の配向処理方向２０に合わせた後に、更に、照射角度調整用回転機構７４を用いてイオン源１０を矢印Ｇで示すように回転させて、上記治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２のビーム電流が最大となるように調整しても良い。これによって、ｘｚ平面内でのイオンビーム１２の実際の進行方向を調整して、イオンビーム１２のｘｚ平面内での進行方向のずれ、即ち上記照射角度θの設定角度からのずれを修正することができるので、配向膜付基板２に対してより所望の配向処理を実現することが可能になる。
【０１５０】
この場合、治具３０の上孔３３および下孔３５を、図７を参照して説明した例のように、比較的小さな円形や四角形等にしておくと、イオンビーム１２のｘｙ平面内でのずれの検出精度およびｘｚ平面内でのずれの検出精度の両方を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】配向処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【図２】この発明に係るイオンビーム測定方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図３】図２中の治具を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図４】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の一例を示す概略平面図である。
【図５】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の他の例を示す概略平面図である。
【図６】治具の他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図７】治具の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｃ−Ｃに沿う断面図である。
【図８】治具の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｉ−Ｉに沿う断面図である。
【図９】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１０】治具およびビーム電流測定器の他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図１１】治具およびビーム電流測定器の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図１２】この発明に係る配向処理方法の実施形態を説明するための概略平面図である。
【図１３】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の一例を示す概略平面図である。
【図１４】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の他の例を示す概略平面図である。
【図１５】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１６】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１７】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１８】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１９】イオン源を回転させる場合の例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【０１５２】
２ 配向膜付基板
１０ イオン源
１２ イオンビーム
１４ 設計上の進行方向
１４ａ 設計上の進行方向を基板表面に投影した方向
１６ 実際の進行方向
１６ａ 実際の進行方向を基板表面に投影した方向
２０ 所望の配向処理方向
３０ 治具
３２ 上板
３３ 上孔
３４ 下板
３５ 下孔
３８ 軸
４０ 回転装置
４２ 遮蔽突起
４６ 溝
６０ ビーム電流測定器
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられるイオンビーム測定方法、および当該配向処理を施す配向処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の配向処理装置の一例を図１に示す。この配向処理装置は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を配向膜付基板２の表面に斜方から照射して配向膜付基板２に（より具体的にはその表面に形成された配向膜に。以下同様）配向処理を施すものである。
【０００３】
図中に記入しているように、直交３軸をｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とすると、この例では、配向膜付基板２は、その表面がｘｙ平面に実質的に平行になるように配置されている。１８は、配向膜付基板２の表面に立てた垂線であり、ｚ軸に実質的に平行である。配向膜付基板２は、この例では、矢印Ｄで示すように、ｘ軸に実質的に平行に搬送されて、配向膜付基板２の全面にイオンビーム１２が照射される。
【０００４】
イオン源１０は、この例では、ｘ軸に沿う方向よりもｙ軸に沿う方向が長くて、ｘ軸に沿う方向の寸法よりもｙ軸に沿う方向の寸法が大きい、いわゆるリボン状のイオンビーム１２を引き出すものであるが、それに限られるものではない。
【０００５】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２は、配向膜付基板２の表面に斜方から照射される。このときの照射角度をθ（０°＜θ＜９０°）とする。
【０００６】
イオンビーム１２による配向膜付基板２の配向処理方向は、イオンビーム１２の進行方向を配向膜付基板２の表面に投影（換言すれば射影。以下同様）した方向となることが従来から知られている。従って、配向膜付基板２に対する所望の配向処理方向２０を実現するために、従来は、イオンビーム１２の進行方向を配向膜付基板２の表面に投影した方向を、所望の配向処理方向２０に合わせていた。具体的には、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａを、所望の配向処理方向２０に合わせていた。
【０００７】
なお、以下においては、所望の配向処理方向２０は、配向膜付基板２の所定の辺（例えば長辺）２ｂに実質的に平行な方向であり、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａは、ｘ軸に実質的に平行な方向である場合を例に説明するが、これに限られるものではない。
【０００８】
イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４は、イオン源１０の引出し面（換言すれば引出し電極系の面）１１に垂直な方向であるが、イオンビーム１２の実際の（換言すれば現実の。以下同様）進行方向１６は、設計上の進行方向１４から角度α（以下これを偏差角度と呼ぶ）だけずれている場合がある。その原因は、例えば、イオン源１０の引出し電極系を構成する複数枚の電極のイオン引出し孔の相互の位置ずれ等による。この位置ずれには、組立時の位置ずれの他に、電極の熱膨張による位置ずれもある。
【０００９】
上記のように二つの進行方向１４、１６が互いにずれると、イオンビーム１２の実際の進行方向１６を配向膜付基板２の表面に投影した方向１６ａも、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向１４ａから角度β（以下これを投影ずれ角度と呼ぶ）だけずれてしまうので、所望の配向処理方向２０を実現することができなくなる。
【００１０】
ところで、例えば特許文献１には、イオンビームの一部を通過させる開口を有する遮蔽板と、当該遮蔽板の開口を通過したイオンビームのビーム電流を検出する検出器と、当該検出器を遮蔽板の開口の下流部を横切って移動させる検出器駆動装置とを用いてイオンビームの空間分布を測定し、その測定結果に基づいてイオンビームの実際の進行方向を算出し、更に上記偏差角度αに相当する偏差角度を算出する技術が記載されている。
【００１１】
従ってこのような技術を用いて、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６や、上記偏差角度αを算出することは一応可能である。
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２７８７５５号公報（段落００１９、００２０、００７２−００７４、図１１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
配向膜付基板２の配向処理においては、イオンビーム１２の実際の進行方向１６よりもむしろ、それを配向膜付基板２の表面に投影した方向１６ａが重要である。前述したようにこの投影した方向１６ａによって配向処理方向が決まるからである。
【００１４】
しかし、上記特許文献１には、上記投影した方向１６ａを測定する技術は記載されていない。
【００１５】
特許文献１に記載された技術を用いて、イオンビーム１２の実際の進行方向１６を測定した結果から、更に進んで、上記投影した方向１６ａを算出することは、種々の計算を用いれば可能かもしれない。
【００１６】
しかし、特許文献１に記載の技術では、イオンビームの実際の進行方向を算出するまでに既にかなり複雑な算出工程が必要である。即ち、少なくとも（ａ）検出器と遮蔽板間の寸法、（ｂ）検出器がｘ軸上で移動するとして、当該検出器で検出したイオンビームのガウス分布がピークとなる位置の検出器の中心位置をｘ座標で表したもの、および（ｃ）遮蔽板の開口の中心に検出器の中心が位置するときのｘ座標を用いて演算を行って、イオンビームの実際の進行方向を算出する必要があるので、かなり複雑な算出工程が必要である。
【００１７】
仮に、上述したイオンビームの実際の進行方向算出の後の工程で、更に、実際の進行方向を基板表面に投影した方向を算出するとすれば、更に算出工程が必要になり、算出工程が更に複雑になる。
【００１８】
そこでこの発明は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定することができる測定方法を提供することを一つの目的としている。
【００１９】
また、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、簡単な方法で配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる配向処理方法を提供することを他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明に係るイオンビーム測定方法の一つは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の下孔の長さ方向を測定することを特徴としている。
【００２１】
この発明に係るイオンビーム測定方法の他のものは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の上孔の長さ方向を測定することを特徴としている。
【００２２】
治具としては、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具を用いても良い。
【００２３】
治具を構成する上板および下板を一体で回転させても良い。
【００２４】
治具およびビーム電流測定器としては、イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いても良い。
【００２５】
治具およびビーム電流測定器としては、直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いても良い。
【００２６】
この発明に係る配向処理方法の一つは、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴としている。
【００２７】
この発明に係る配向処理方法においても、治具やビーム電流測定器としては、上記ビーム電流測定方法について述べたのと同様の治具やビーム電流測定器を用いても良い。
【発明の効果】
【００２８】
請求項１に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の下孔の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００２９】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を測定することができるので、配向膜付基板の配向処理を正確に行うことに供することが可能になる。請求項２〜７に記載の発明の場合も同様である。
【００３０】
請求項２、４に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの、上記上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの上記線の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３１】
請求項３に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の上孔の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの上孔の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３２】
請求項５に記載の発明によれば、治具を構成する上板および下板を一体で回転させるので、治具の回転やそのための構成が簡単になる、という更なる効果を奏する。
【００３３】
請求項６に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの、遮蔽突起の中心とビーム電流測定器の中心とを結ぶ線の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの上記線の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３４】
請求項７に記載の発明によれば、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の溝の長さ方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、この発明では、治具を回転させてビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの溝の長さ方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００３５】
請求項８、９、１３に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。従って、治具の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具に所定の位置関係で配向膜付基板を載せることによって、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる。
【００３６】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具の上記方向を保った状態で配向膜付基板を載せるので、治具の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【００３７】
請求項１０、１１に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの治具の少なくとも上板の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。従って、治具の少なくとも上板の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具に所定の位置関係で配向膜付基板を載せることによって、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、配向膜付基板の所望の配向処理方向に合わせて配向処理を施すことができる。
【００３８】
しかも、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向を、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具の上記方向を保った状態で配向膜付基板を載せるので、治具の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【００３９】
請求項１２に記載の発明によれば、ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの治具の方向は、イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と所定の関係にある。その他の作用効果は、請求項８について上述したのと同様である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
（１）イオンビーム測定方法について
図２は、この発明に係るイオンビーム測定方法の一実施形態を示す概略斜視図である。以下においては、図１に示した構成と同一または相当する部分には同一符号を付して、重複説明を省略する。
【００４１】
このイオンビーム測定方法は、例えば図１を参照して上述したような、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を配向膜付基板２の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す配向処理装置に用いられるものである。
【００４２】
なお、図２以降においては、配向膜付基板２、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４、それを配向膜付基板２表面に投影した方向１４ａ、イオンビーム１２の実際の進行方向１６、それを配向膜付基板２表面に投影した方向１６ａ、所望の配向処理方向２０等を図示していない場合もあるが、その場合は図１を参照するものとする。
【００４３】
このイオンビーム測定方法は、治具３０、ビーム電流測定器６０等を用いる。
【００４４】
治具３０は、この実施形態では、図３も参照して、互いに上下に配置されている２枚の板であって、上孔３３を有する上板３２と、下孔３５を有する下板３４とを備えている。上孔３３は円形をしており、下孔３５は下板３４の辺（例えば長辺）３４ｂに実質的に平行なスリット状（換言すれば細長い長方形状。以下同様）をしている。但し上孔３３は、円形以外、例えば四角形等でも良い。
【００４５】
なお、図３では、ｘ軸との関係で治具３０の回転角度を例示する必要がないので、ｘ、ｙ、ｚの座標軸は図示していない。図６〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１８においても同様である。
【００４６】
治具３０は、この例では、その表面が上記配向膜付基板２の表面と実質的に平行になるように配置されている。後述する他の治具３０も同様である。より具体的にはこの例では、治具３０を構成する上板３２および下板３４の表面は、配向膜付基板２の表面と実質的に平行に、換言すればｘｙ平面と実質的に平行に配置されている。図６〜図８に示す治具３０も同様である。
【００４７】
治具３０は、それを構成する上板３２および下板３４の少なくとも一方を、即ち一方または両方を、下に示す（ａ）〜（ｆ）の態様に応じて、当該治具３０の表面に実質的に直交する軸３８を中心にして、矢印Ｆで示すように、可逆転式の回転装置４０によって回転させることができる。軸３８はｚ軸に実質的に平行であるということもできる。軸３８は、この例では、上孔３３の中心および下孔３５の中心を通っている。図６、図８に示す治具３０の場合も同様である。
【００４８】
ビーム電流測定器６０は、治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するものである。より具体的には、ビーム電流測定器６０は、回転させられる板の孔３３または３５が後述するように所定の向きにあるときに、両孔３３、３５を通過したイオンビーム１２が入射する位置に設けられている。ビーム電流測定器６０は、例えば、ファラデーカップである。
【００４９】
治具３０を構成する上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０の回転の態様は次のとおりである。回転させる場合は、上記軸３８を中心にして上記回転装置４０によって回転させる。
【００５０】
（ａ）上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０を一体で回転させる。この場合は上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０を結合部材（図示省略。以下同様）で互いに結合しておけば良い。ビーム電流測定器６０は、治具３０と一体で回転させるので、次の（ｂ）の場合に比べれば小さなもので済む。図４、図５、図１２は、この（ａ）の態様を採用したときの例である。
【００５１】
（ｂ）上板３２および下板３４を一体で回転させ、ビーム電流測定器６０は固定しておく。この場合は、上板３２および下板３４を結合部材で互いに結合しておけば良い。ビーム電流測定器６０は固定部材（図示省略。以下同様）で固定部に固定しておく。このビーム電流測定器６０は、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていてもイオンビーム１２を受けることができる程度に大きくしておけば良い。
【００５２】
（ｃ）上板３２を固定しておき、下板３４をビーム電流測定器６０と一体にして回転させる。この場合は、上板３２は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０は下板３４に結合しておく。
【００５３】
（ｄ）上板３２およびビーム電流測定器６０を固定しておき、下板３４を回転させる。この場合は、上板３２およびビーム電流測定器６０は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０をある程度大きくしておくことは上記（ｂ）の場合と同様である。
【００５４】
（ｅ）下板３４およびビーム電流測定器６０を固定しておき、上板３２を回転させる。この場合は、下板３４およびビーム電流測定器６０は固定部材で固定部に固定しておく。上記回転装置４０によって上板３２を回転させるためには、例えば、下板３４に回転装置４０の回転軸が通る貫通穴を設けておいても良いし、それができない場合は、下板３４を避けて回転装置４０の回転軸と上板３２とを結合する結合部材を用いる等しても良い。いずれにしても、公知の手段で実現することができる。ビーム電流測定器６０をある程度大きくしておくことは上記（ｂ）の場合と同様である。
【００５５】
（ｆ）下板３４を固定しておき、上板３２をビーム電流測定器６０と一体にして回転させる。これらを回転装置４０によって回転させる方法の例は、上記（ｅ）に示したとおりである。この場合は、下板３４は固定部材で固定部に固定しておく。ビーム電流測定器６０は上板３２に結合しておく。
【００５６】
上記（ａ）〜（ｄ）の態様は、少なくとも下板３４を回転させるという範疇に属する。上記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）の態様は、少なくとも上板３２を回転させるという範疇に属する。
【００５７】
まず、少なくとも下板３４を回転させる場合のイオンビーム測定方法の実施形態を説明する。
【００５８】
測定に際しては、例えば図２に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０等を、治具３０の上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも下板３４を、上記（ａ）〜（ｄ）に示した態様のいずれかで回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の下孔３５の長さ方向５１を測定する。長さ方向５１は、換言すれば、下孔３５の長軸方向、あるいは下孔３５の長辺に実質的に平行な方向である。
【００５９】
例えば、図４に示す例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４と一致している場合は、治具３０のｘ軸からの回転角度γが実質的に０度の状態で、イオンビーム１２の実際の進行方向１６をｘｙ平面に（即ち治具３０の表面や配向膜付基板２の表面に）投影した方向１６ａが、下孔３５の長さ方向５１と一致するので、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過して、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。下孔３５の長さ方向５１が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は減少する。
【００６０】
なお、図４および図５は平面図であり、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４とそれを投影した方向１４ａとは重なって見えるので、投影した方向１４ａを括弧書きで示している。実際の進行方向１６とそれを投影した方向１６ａとについても同様である。図９においても同様である。
【００６１】
一方、例えば図５に示す例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていても、治具３０を回転させて、イオンビーム１２の上記投影した方向１６ａが下孔３５の長さ方向５１と一致した状態になると、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過するので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。下孔３５の長さ方向５１が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定する上記電流は減少する。ビーム電流が最大になるときの治具３０のｘ軸からの回転角度γは、この実施形態では、前述した投影ずれ角度βと実質的に等しくなる。
【００６２】
このように、このイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の下孔３５の長さ方向５１は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔３５の長さ方向５１を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００６３】
なお、下孔３５の長さ方向５１と治具３０回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、下孔３５の長さ方向５１のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、下孔３５の長さ方向５１は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。治具３０の回転角度γは、例えば、回転装置４０に設けている回転角度検出器（例えばエンコーダ）で簡単に測定することができる。後述する他の例においても同様である。
【００６４】
しかも、このイオンビーム測定方法によれば、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向を実際に測定することができるので、配向膜付基板２の配向処理を正確に行うことに供することが可能になる。後述する他の例の治具３０やビーム電流測定器６０を用いる場合も同様である。
【００６５】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３を小さくし、かつ下板３４の下孔３５の幅を小さくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最大点を検出しやすくなる。同様のことは、図６〜図８に示す例の治具３０においても言える。
【００６６】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３は、図６に示す例のように、下板３４の下孔３５と同様にスリット状をしていても良い。より具体的には、この例では、上孔３３は上板３２の辺（例えば長辺）３２ｂに実質的に平行なスリット状をしている。但し、両孔３３、３５の幅や長さは、この例では上下で互いに実質的に同じにしているが、必ずしもそのようにしなくても良い。
【００６７】
この例の場合も、図３の例の場合と同様の作用によって、少なくとも下板３４を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔３５の長さ方向５１を測定することができる。またこの例の場合は、図３の例に比べて、両孔３３、３５を通過してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量を多くして、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流を大きくすることができる。
【００６８】
治具３０を構成する上板３２の上孔３３および下板３４の下孔３５の両者を、スリット状以外の形状にしても良い。例えば図７に示す例のように円形の孔にしても良い。四角形等の孔でも良い。両孔３３、３５の形状や寸法は、この例では上下で互いに実質的に同じにしているが、必ずしもそのようにしなくても良い。但しこの例の場合は、同一面（この例ではｘｙ平面。以下同様）に投影したときの両孔３３、３５の位置は互いにずらしておく。かつ、下板３４の回転中心となる軸３８は、少なくとも下孔３５からずらしておく。もっとも軸３８は、この例では、後述する線５２上にある。
【００６９】
この例の場合も、図３の例の場合と同様の作用によって、少なくとも下板３４を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるようにすることができる。同一面に投影したときの上孔３３の中心と下孔３５の中心とを結ぶ線５２を考えると、この線５２が図３の例の長さ方向５１に相当している。従ってこの例では、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの線５２の方向を測定する。
【００７０】
上記線５２の方向は、図３の例の場合と同様の作用によって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記線５２の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００７１】
なお、治具３０の線５２と治具３０の回転角度γ（図４、図５参照）との間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、線５２のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、治具３０の線５２は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００７２】
次に、少なくとも上板３２を回転させる場合のイオンビーム測定方法の実施形態を、上述した少なくとも下板３４を回転させる場合との相違点を主体に説明する。
【００７３】
この場合に用いる治具３０の一例を図８に示す。この治具３０においては、上板３２の上孔３３は、図６において説明したのと同様のスリット状をしている。下板３４の下孔３５は、この例では円形をしているが、それ以外の四角形等の形状でも良い。図６等において説明したのと同様のスリット状にしても良い。
【００７４】
測定に際しては、図２に示した例の場合と同様に、治具３０およびビーム電流測定器６０等を、治具３０の上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、上記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）に示した態様のいずれかで回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の上孔３３の長さ方向５０を測定する。長さ方向５０は、換言すれば、上孔３３の長軸方向、あるいは上孔３３の長辺に実質的に平行な方向である。
【００７５】
図９は、上記（ｅ）に示した態様で、上板３２だけを回転させた場合の例である。この例のように、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の実際の進行方向１６が設計上の進行方向１４からずれていても、上板３２を回転させて、イオンビーム１２の上記投影した方向１６ａが上孔３３の長さ方向５０と一致した状態になると、両孔３３、３５をイオンビーム１２が最も多く通過するので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となる。上孔３３の長さ方向５０が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０で測定する上記電流は減少する。ビーム電流が最大になるときの上板３２のｘ軸からの回転角度γは、この実施形態では、前述した投影ずれ角度βと実質的に等しくなる。
【００７６】
上板３２、下板３４およびビーム電流測定器６０の回転の態様は、上記（ａ）、（ｂ）または（ｆ）に示す態様でも良い。
【００７７】
このイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の上孔３３の長さ方向５０は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上孔３３の長さ方向５０を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００７８】
なお、上孔３３の長さ方向５０と治具３０回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、上孔３３の長さ方向５０のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、上孔３３の長さ方向５０は、前述したように、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。治具３０の回転角度γは、例えば、回転装置４０に設けている回転角度検出器（例えばエンコーダ）で簡単に測定することができる。
【００７９】
少なくとも上板３２を回転させる場合も、上板３２の上孔３３を、あるいは当該上孔３３および下板３４の下孔３５の両者を、スリット状以外の形状にしても良い。例えば図７に示した例のように、上孔３３および下孔３５を円形の孔にしても良い。四角形等の孔でも良い。この場合は、同一面（この例ではｘｙ平面。以下同様）に投影したときの両孔３３、３５の位置は互いにずらしておく。かつ、上板３２の回転中心となる軸３８は、少なくとも上孔３３からずらしておく。軸３８は、この例では、前述した線５２（即ち、同一面に投影したときの上孔３３の中心と下孔３５の中心とを結ぶ線５２）上にある。
【００８０】
この例の場合も、少なくとも下板３４を回転させるときの図７の例の場合と同様の作用によって、少なくとも上板３２を上記軸３８を中心に回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるようにすることができる。このときの線５２の方向を測定する。
【００８１】
上記線５２の方向は、少なくとも下板３４を回転させるときの図７の例の場合と同様の作用によって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向１６ａを、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記線５２の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００８２】
治具３０の線５２と治具３０の回転角度γとの関係は前述したとおりである。
【００８３】
図３、図６〜図８に示したような上孔３３を上板３２の面内に一次元または二次元で複数個設け、かつそれに対応するように、図３、図６〜図８に示したような下孔３５を下板３４の面内に一次元または二次元で複数個設けても良い。ビーム電流測定器６０も、孔３３、３５の組に対応させて複数個設ける。このようにすれば、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、治具３０の面内ひいては配向膜付基板２の面内の一次元または二次元の複数箇所において測定することができる。
【００８４】
次に、治具３０およびビーム電流測定器６０の更に他の例を、図３に示した治具３０およびビーム電流測定器６０との相違点を主体に説明する。
【００８５】
図１０に示す例の治具３０は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を遮って陰４４を作る遮蔽突起４２を端部に有している。この治具３０の表面の向き、治具３０を回転させる軸３８、回転装置４０等は、図３の例で説明したものと同様である。もっとも軸３８は、この例では、後述する線５４上にある。より具体的には、この例では、ビーム電流測定器６０の中心を通っている。
【００８６】
ビーム電流測定器６０は、治具３０に対して、治具３０が所定の回転角度にあるときに陰４４に入る箇所に取り付けられている。
【００８７】
測定に際しては、図１０に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０を、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が遮蔽突起４２に当たって上記陰４４を作る場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの、遮蔽突起４２の中心とビーム電流測定器６０の中心とを結ぶ線５４の方向を測定する。
【００８８】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａが上記線５４と一致していると、ビーム電流測定器６０は最も多く陰４４内に位置して当該ビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が最小となるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は最小となる。線５４が投影方向１６ａからずれると、ビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が増えて当該ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は増大する。
【００８９】
従って、図１０に示す治具３０およびビーム電流測定器６０を用いたイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの上記線５４の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの上記線５４の方向を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００９０】
なお、治具３０の線５４と治具３０の回転角度γ（図４、図５参照）との間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、線５４のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、治具３０の線５４は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００９１】
また、上記遮蔽突起４２の幅（イオンビーム１２の進行方向に交差する方向の寸法）を小さくすると共に、ビーム電流測定器６０の寸法を遮蔽突起４２の幅とほぼ等しくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流の変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最小点を検出しやすくなる。
【００９２】
図１１に示す例の治具３０は、直線状に伸びた溝４６を表面に有している。この治具３０の表面の向き、治具３０を回転させる軸３８、回転装置４０等は、図３の例で説明したものと同様である。もっとも軸３８は、この例では、溝４６の幅方向の中心を通っている。
【００９３】
ビーム電流測定器６０は、治具３０の溝４６内に位置するように設けられている。
【００９４】
測定に際しては、図１１に示す例のように、治具３０およびビーム電流測定器６０を、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が溝４６の空間部を通してビーム電流測定器６０に入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記溝４６の長さ方向５６を測定する。
【００９５】
イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａが溝４６の長さ方向５６と一致していると、イオンビーム１２は溝４６の側壁部４８で遮られる量が最も少なくなってビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２の量が最大となるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は最大となる。溝４６の長さ方向５６が投影方向１６ａからずれると、イオンビーム１２は溝４６の側壁部４８で遮られてビーム電流測定器６０に入射しにくくなるので、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は減少する。
【００９６】
従って、図１１に示す治具３０およびビーム電流測定器６０を用いたイオンビーム測定方法によれば、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの上記溝４６の長さ方向５６は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと実質的に等しい方向となる。この投影した方向を、このイオンビーム測定方法では、治具３０を回転させてビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの溝４６の長さ方向５６を測定することで測定することができるので、複雑な算出工程を用いずに簡単に測定することができる。
【００９７】
なお、溝４６の長さ方向５６と治具３０の回転角度γとの間には一定の関係があり、この関係は予め分かっているので（例えばこの例の場合は、溝４６の長さ方向５６のｘ軸からの角度は回転角度γに等しい）、溝４６の長さ方向５６は、具体的には治具３０の回転角度γで簡単に測定することができる。
【００９８】
また、上記溝４６の幅（イオンビーム１２の進行方向に交差する方向の寸法）を小さくすると共に、ビーム電流測定器６０の寸法を溝４６の幅とほぼ等しくすると、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流は全体的に小さくなるけれども、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流の変化の尖鋭度はより大きくなるので、尖鋭度の観点から言えば、ビーム電流の最大点を検出しやすくなる。溝４６をより深くすることも、上記尖鋭度をより大きくすることにつながる。
【００９９】
（２）配向処理方法について
次に、配向膜付基板２の表面にイオンビーム１２を照射して配向処理を施す配向処理方法の例を説明する。これには、大別すると、次の二つの配向処理方法がある。
【０１００】
（Ａ）上記治具３０とは別の、配向膜付基板２を保持する基板ホルダを用いて、当該基板ホルダに配向膜付基板２を載せて配向処理を施す配向処理方法。
【０１０１】
（Ｂ）上記治具３０に配向膜付基板２を載せて配向処理を施す配向処理方法。
【０１０２】
上記（Ａ）の配向処理方法を簡単に説明すると、この場合は、上記各実施形態のイオンビーム測定方法で測定した、治具３０の下孔３５の長さ方向（図２〜図６参照）、線５２の方向（図７参照）、線５４の方向（図１０参照）および溝４６の長さ方向５６（図１１参照）をそれぞれ表す情報、具体的には治具３０の回転角度γを表す情報に基づいて、基板ホルダを搬送および回転させる機能を有するホルダ駆動装置（図示省略）を制御して、基板ホルダを回転させて基板ホルダの方向を治具３０の方向と所定の関係になるように定める。典型的には、基板ホルダの方向を、治具３０の方向と実質的に同一方向に定める。
【０１０３】
これによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、基板ホルダ上の配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１０４】
但し、上記（Ａ）の配向処理方法では、治具３０とは別に、基板ホルダおよびホルダ駆動装置が必要になると共に、上記回転角度γを測定する手段および当該回転角度γを表す情報を記憶する手段等が必要になる。この観点からは、以下に述べるように、上記（Ｂ）の配向処理方法の方が有利である。
【０１０５】
次に、上記（Ｂ）の配向処理方法に属する配向処理方法の実施形態の幾つかを詳述する。
【０１０６】
配向処理方法の第１の実施形態では、図２〜図６を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、その上板３２および下板３４を一体で、当該治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１０７】
この配向処理方法のより具体例を図１２を参照して説明する。この例は前述した図５に対応している。即ち、治具３０が図５の状態で、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるので、そのときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して配向処理を施す。この配向処理の際には、必要に応じて、図１の所でも説明したように、配向膜付基板２を、より具体的には治具３０および配向膜付基板２を、矢印Ｄで示す方向（またはその逆の矢印Ｄ′方向）に搬送しながらイオンビーム１２を照射しても良い。
【０１０８】
この配向処理方法の場合は、治具３０の上記決定した方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、前述したイオンビーム測定方法と違って、治具３０の方向が、例えば上記回転角度γが、具体的に何度であるかを測定する必要はない。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１０９】
上記治具３０に配向膜付基板２を載せる動作は、真空中（例えばイオンビーム１２の上記測定や配向膜付基板２に配向処理を行う真空容器内）で行っても良いし、大気中で行っても良い。その際に、必要に応じて、治具３０を、治具搬送装置（図示省略）によって、例えば図１２中に矢印Ｄ、Ｄ′で示すように搬送して、上記測定や配向処理を行う場所と、治具３０に配向膜付基板２を載せる場所との間で搬送しても良い。例えば、治具３０を回転させずに上記ｘ軸に実質的に平行なガイド６４に沿って治具３０を搬送すると、治具３０の上記決定した方向を保った状態で治具３０を容易に搬送することができる。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１１０】
治具３０に配向膜付基板２を載せる動作は、真空中で行う場合は、ロボット等の機械装置によって行えば良い。大気中で行う場合は、人によって行っても良いし、ロボット等の機械装置によって行っても良い。後述する他の実施形態においても同様である。
【０１１１】
上記治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる態様の例を説明する。
【０１１２】
治具３０の方向と、上記長さ方向５０、５１、線５２の方向、線５４の方向または長さ方向５６とは、所定の（即ち予め定まった一定の。以下同様）関係にある。また、治具３０の方向は、例えば、治具３０の所定の辺（例えば辺３０ｂ）の方向で表すことができる。一方、配向膜付基板２と、それに対する所望の配向処理方向２０とも、所定の関係にある。例えば、配向膜付基板２の所定の辺（例えば辺２ｂ）と配向処理方向２０とは実質的に平行な関係にある。従って、例えば、治具３０の上記決定した方向を保った状態で、治具３０に配向膜付基板２を、両辺３０ｂ、２ｂが互いに実質的に平行になるように載せれば良い。
【０１１３】
要は、治具３０の上記長さ方向５０、５１、線５２の方向、線５４の方向または長さ方向５６と、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０とが実質的に平行になる位置関係で、治具３０上に配向膜付基板２を載せれば良い。
【０１１４】
治具３０上に配向膜付基板２を上記位置関係で載せるより具体的な方法の例を幾つか説明する。
【０１１５】
図１３に示す例のように、治具３０の表面に位置決め用のマーク６６を設けておいて、それに配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）を合わせても良い。このマーク６６の代わりに、またはそれと共に、配向膜付基板２の他方の辺（例えば辺２ｂ）の位置決め用のマークを設けておいてそれに合わせても良い。
【０１１６】
図１４に示す例のように、治具３０の一つの辺（例えば辺３０ａ）と、配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とを合わせても良い。
【０１１７】
図１５の示す例のように、治具３０の他の一辺（例えば辺３０ｂ）と配向膜付基板２の他の一辺（例えば辺２ｂ）とを合わせても良い。
【０１１８】
図１６に示す例のように、治具３０の隣り合う２辺（例えば辺３０ａおよび３０ｂ）と、配向膜付基板２の隣り合う２辺（例えば辺２ａおよび２ｂ）とを合わせても良い。
【０１１９】
但し、治具３０の平面形状は、上記各例の四角形に限定されるものではなく、図１７、図１８に示す例のような円形や、それ以外の形状でも良い。
【０１２０】
その場合、図１７に示す例のように、治具３０の表面に位置決め用のマーク６６を設けておいて、それに配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）を合わせても良い。このマーク６６の代わりに、またはそれと共に、配向膜付基板２の他の一辺（例えば辺２ｂ）の位置決め用のマークを設けておいてそれに合わせても良い。
【０１２１】
図１８に示す例のように、治具３０に位置決め用の切欠き６８を設けておいて、その一つの辺６８ａと配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とが実質的に直角に交わるように、配向膜付基板２を治具３０上に載せても良い。上記辺６８ａと、配向膜付基板２の一つの辺（例えば辺２ａ）とが実質的に平行になるように配向膜付基板２を載せても良い。
【０１２２】
その他、図１２〜図１８に示した方法から類推される方法で、治具３０上に配向膜付基板２を載せても良い。また、配向膜付基板２が落ちない程度であれば、配向膜付基板２が治具３０からはみ出しても構わない。
【０１２３】
以上のことは、後述する他の実施形態についても適用することができる。
【０１２４】
この実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１２５】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。例えば、前述した回転装置４０に回転角度検出器を設けておく必要はなく、従ってそれによる角度検出誤差の問題は生じない。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１２６】
次に、配向処理方法の他の実施形態を、上記第１の実施形態との相違点を主体に説明する。
【０１２７】
配向処理方法の第２の実施形態では、図７を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、その上板３２および下板３４を一体で、当該治具３０の表面に実質的に直交しておりかつ下孔３５からずれた位置の上記軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１２８】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１２９】
配向処理方法の第３の実施形態では、図１０を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が遮蔽突起４２に当たって上記陰４４を作る場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に、治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最小となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３０】
この場合、遮蔽突起４２は治具３０の端部に設けているので、遮蔽突起４２を避けて配向膜付基板２を載せれば良く、従って遮蔽突起４２が障害にならずに治具３０上に配向膜付基板２を載せることができる。遮蔽突起４２を、治具３０上での配向膜付基板２の位置決めに利用しても良い。
【０１３１】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１３２】
配向処理方法の第４の実施形態では、図１１を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が上記溝４６の空間部を通してビーム電流測定器６０に入射する場所に位置させた状態で、治具３０を、ビーム電流測定器６０と共に、治具３０の表面に実質的に直交する上記軸３８を中心に回転させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３３】
この場合、溝４６は治具３０の表面以下に形成されていて、溝４６以外の部分で配向膜付基板２を支持することができるので、溝４６が障害にならずに治具３０上に配向膜付基板２を載せることができる。
【０１３４】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１３５】
この第２〜第４の実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大（第３の実施形態の場合は最小）となるときの治具３０の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１３６】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。例えば、前述した回転装置４０に回転角度検出器を設けておく必要はなく、従ってそれによる角度検出誤差の問題は生じない。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１３７】
配向処理方法の第５の実施形態では、図８を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、当該治具３０の表面に実質的に直交する軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１３８】
この場合、治具３０の下板３４は、上板３２と一体で回転させても良いし、回転させなくても（即ち固定でも）良い。図９は、前述したように、下板３４を回転させない場合の例を示す。
【０１３９】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１４０】
配向処理方法の第６の実施形態では、図７を参照して説明した治具３０およびビーム電流測定器６０を用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、治具３０の上孔３３に上記イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、治具３０の少なくとも上板３２を、当該治具３０の表面に実質的に直交しておりかつ上孔３３からずれた位置の軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向を決定し、当該決定した方向を保った状態で、治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せ、かつ当該配向膜付基板２にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を照射して当該配向膜付基板２に配向処理を施す。
【０１４１】
この場合も、治具３０の下板３４は、上板３２と一体で回転させても良いし、回転させなくても（即ち固定でも）良い。
【０１４２】
治具３０の表面に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せる方法の詳細例は前述したとおりである。
【０１４３】
この第６、第７の実施形態の配向処理方法によれば、前述したように、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの治具３０の少なくとも上板３２の方向は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａと所定の関係にある。従って、治具３０の少なくとも上板３２の上記方向を決定してその方向を保った状態で、当該治具３０に所定の位置関係で配向膜付基板２を載せることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、配向膜付基板２の所望の配向処理方向２０に合わせて配向処理を施すことができる。
【０１４４】
しかも、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを、複雑な算出工程を用いて測定する必要がないので、処理が簡単である。また、治具３０の上記方向を保った状態で配向膜付基板２を載せるので、治具３０の上記方向が具体的に何度であるかを測定する必要はなく、従ってそのような角度を測定する角度測定手段が不要となると共に、角度測定誤差の影響を排除することができる。治具３０の角度情報を記憶する手段も不要である。更に、治具３０が測定手段と基板保持手段とを兼ねているので、配向膜付基板２を保持する基板ホルダ等を別途設ける必要がなく、従って構成を簡素化することができる。
【０１４５】
もっとも、上記第１〜第６の配向処理方法の実施形態と違って、上記治具３０の回転角度γを前述したような角度測定手段によって測定しかつその情報を記憶手段に記憶しておいて、治具３０を上記測定場所と基板載置場所との間で搬送したり、治具３０上に配向膜付基板２を載せる際は、治具３０を回転させてその回転角度γを一旦０度に戻しておき、その後、配向膜付基板２にイオンビーム１２を照射して配向処理を施す前に、治具３０を回転させて上記回転角度γに設定するようにしても良い。そのようにすると、治具３０の搬送や治具３０上に配向膜付基板２を載せる動作を回転角度γが０度の状態で行うことができるので、その動作を行うことが容易になる。
【０１４６】
また、例えば図１９に示す例のように、イオン源１０を、そのｙ軸に沿う方向の中心部７５を通り、かつイオンビーム１２の設計上の進行方向１４と実際の進行方向１６（図１参照）とを含む平面に垂直な軸７６を中心にして矢印Ｈで示すように可逆式に回転させる投影方向調整用回転機構７８を設けておいても良い。
【０１４７】
この投影方向調整用回転機構７８を用いてイオン源１０を矢印Ｈで示すように回転させることによって、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを変化させることが可能である。この場合は、上記回転装置４０を設ける必要はなく、治具３０は固定しておいて、上記治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２のビーム電流が最大となるように、投影方向調整用回転機構７８を用いてイオン源１０を上記のように回転させれば良い。
【０１４８】
更に、図１９に示す例のように、イオン源１０をｙ軸に実質的に平行な軸７２を中心にして矢印Ｇで示すように可逆式に回転させて、イオンビーム１２の上記照射角度θ（図１参照）を調整する照射角度調整用回転機構７４を設けておいても良い。
【０１４９】
また、上記照射角度調整用回転機構７４を用いて次のような調整を行っても良い。即ち、上記のようにしてイオンビーム１２の実際の進行方向１６を基板表面に投影した方向１６ａを測定したり、その投影方向１６ａを所望の配向処理方向２０に合わせた後に、更に、照射角度調整用回転機構７４を用いてイオン源１０を矢印Ｇで示すように回転させて、上記治具３０の上孔３３および下孔３５の両方を通過してビーム電流測定器６０に入射するイオンビーム１２のビーム電流が最大となるように調整しても良い。これによって、ｘｚ平面内でのイオンビーム１２の実際の進行方向を調整して、イオンビーム１２のｘｚ平面内での進行方向のずれ、即ち上記照射角度θの設定角度からのずれを修正することができるので、配向膜付基板２に対してより所望の配向処理を実現することが可能になる。
【０１５０】
この場合、治具３０の上孔３３および下孔３５を、図７を参照して説明した例のように、比較的小さな円形や四角形等にしておくと、イオンビーム１２のｘｙ平面内でのずれの検出精度およびｘｚ平面内でのずれの検出精度の両方を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】配向処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【図２】この発明に係るイオンビーム測定方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図３】図２中の治具を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図４】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の一例を示す概略平面図である。
【図５】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の他の例を示す概略平面図である。
【図６】治具の他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図７】治具の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｃ−Ｃに沿う断面図である。
【図８】治具の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は線Ｉ−Ｉに沿う断面図である。
【図９】イオンビームの引出し方向と治具の方向との関係の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１０】治具およびビーム電流測定器の他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図１１】治具およびビーム電流測定器の更に他の例を示す概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図１２】この発明に係る配向処理方法の実施形態を説明するための概略平面図である。
【図１３】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の一例を示す概略平面図である。
【図１４】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の他の例を示す概略平面図である。
【図１５】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１６】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１７】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１８】治具に配向膜付基板を所定の位置関係で載せる方法の更に他の例を示す概略平面図である。
【図１９】イオン源を回転させる場合の例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【０１５２】
２ 配向膜付基板
１０ イオン源
１２ イオンビーム
１４ 設計上の進行方向
１４ａ 設計上の進行方向を基板表面に投影した方向
１６ 実際の進行方向
１６ａ 実際の進行方向を基板表面に投影した方向
２０ 所望の配向処理方向
３０ 治具
３２ 上板
３３ 上孔
３４ 下板
３５ 下孔
３８ 軸
４０ 回転装置
４２ 遮蔽突起
４６ 溝
６０ ビーム電流測定器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の下孔の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項２】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記下孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の、同一面に投影したときの上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項３】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の上孔の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項４】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記上孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の、同一面に投影したときの上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項５】
前記治具を構成する上板および下板を一体で回転させる請求項１ないし４のいずれかに記載のイオンビーム測定方法。
【請求項６】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記遮蔽突起に当たって前記陰を作る場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの、前記遮蔽突起の中心と前記ビーム電流測定器の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項７】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記溝の空間部を通して前記ビーム電流測定器に入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記溝の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項８】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項９】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記下孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１０】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の少なくとも上板の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１１】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記上孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の少なくとも上板の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１２】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を端部に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記遮蔽突起に当たって前記陰を作る場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１３】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記溝の空間部を通して前記ビーム電流測定器に入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の下孔の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項２】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも下板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記下孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の、同一面に投影したときの上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項３】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の上孔の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項４】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記上孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の、同一面に投影したときの上孔の中心と下孔の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項５】
前記治具を構成する上板および下板を一体で回転させる請求項１ないし４のいずれかに記載のイオンビーム測定方法。
【請求項６】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記遮蔽突起に当たって前記陰を作る場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの、前記遮蔽突起の中心と前記ビーム電流測定器の中心とを結ぶ線の方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項７】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す配向処理装置に用いられる測定方法であって、
直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記溝の空間部を通して前記ビーム電流測定器に入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記溝の長さ方向を測定することを特徴とするイオンビーム測定方法。
【請求項８】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも下孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項９】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、その上板および下板を一体で、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記下孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１０】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、少なくとも上孔がスリット状をしている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交する軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の少なくとも上板の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１１】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
互いに上下に配置されているものであって上孔を有する上板および下孔を有する下板を備えていて、同一面に投影したときの上孔と下孔の位置が互いにずれている治具と、当該治具の上孔および下孔の両方を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具および前記ビーム電流測定器を、前記治具の上孔に前記イオン源から引き出されたイオンビームが入射する場所に位置させた状態で、前記治具の少なくとも上板を、当該治具の表面に実質的に直交しておりかつ前記上孔からずれた位置の軸を中心に回転させて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを前記治具の上孔および下孔の両方を通過させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の少なくとも上板の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１２】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを遮って陰を作る遮蔽突起を端部に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具に対して、当該治具が所定の回転角度にあるときに前記陰に入る箇所に取り付けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記遮蔽突起に当たって前記陰を作る場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最小となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【請求項１３】
イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に斜方から照射して当該配向膜付基板に配向処理を施す処理方法であって、
直線状に伸びた溝を表面に有している治具であってその表面に実質的に直交する軸を中心に回転可能な治具と、当該治具の溝内に位置するように設けられていて、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器とを用いて、
前記治具およびビーム電流測定器を、前記イオン源から引き出されたイオンビームが前記溝の空間部を通して前記ビーム電流測定器に入射する場所に位置させた状態で、前記治具を、前記ビーム電流測定器と共に前記軸を中心に回転させて、前記ビーム電流測定器で測定するビーム電流が最大となるときの前記治具の方向を決定し、
当該決定した方向を保った状態で、前記治具の表面に所定の位置関係で配向膜付基板を載せ、
かつ当該配向膜付基板に前記イオン源から引き出されたイオンビームを照射して当該配向膜付基板に配向処理を施すことを特徴とする配向処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−２３００５６（Ｐ２００９−２３００５６Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７８４００（Ｐ２００８−７８４００）
【出願日】平成２０年３月２５日（２００８．３．２５）
【出願人】（３０２０５４８６６）日新イオン機器株式会社 (161)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２５日（２００８．３．２５）
【出願人】（３０２０５４８６６）日新イオン機器株式会社 (161)
【Ｆターム（参考）】
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