【課題】表面の平面度に優れ、熱膨張が小さく、かつ高い比剛性を有する構造体を提供する。
【解決手段】（Ａ）炭素繊維強化プラスチック部材２１、および前記（Ａ）炭素繊維強化プラスチック部材に接合された（Ｂ）セラミックス部材３１を含み、前記（Ａ）炭素繊維強化プラスチック部材２１と前記（Ｂ）セラミックス部材３１を接合する為に、前記（Ａ）炭素繊維強化プラスチック部材の未硬化状態の接着力を使用する事を特徴とする構造体。 （もっと読む）

【課題】従来よりも砥粒径を小さくするとともに、その砥粒間隔を砥粒径に応じて所定の範囲に制御することによって、高いパッド研削力とパッド平坦性を同時に満たし、さらに、砥粒脱落も抑制されたドレッサーを提供する。
【解決手段】金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、前記金属製支持材の砥粒が固着される面の表面形状は凸状を成し、前記表面の端部と中心部の高さの差が３μｍ以上４０μｍ以下であり、かつ、前記砥粒の粒径をｄ、隣り会う砥粒同士の中心間距離をＬとした場合、少なくとも一組の隣り会う砥粒同士における前記Ｌは、ｄ≦Ｌ＜２ｄであることを特徴とする研磨布用ドレッサー。前記砥粒の粒径ｄは、好ましくは３μｍ≦ｄ＜１００μｍである。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの表面性状、ループの直線性、ループ高さの安定性、ワイヤの接合形状の安定化に優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる面心立方晶の金属を主成分とする表皮層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、前記表皮層の表面における長手方向の結晶方位のうち<100>の占める割合が50%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リーン雰囲気でも高い三元触媒活性を示し、加速や減速等によって排ガス成分が大きく変化した場合でも効率よく浄化できる排ガス浄化用触媒担体及びその製造方法、排ガス浄化用触媒、並びに排ガス浄化用ハニカム触媒構造体を提供することである。
【解決手段】アルカリ土類金属Ｍと、Ｆｅ若しくはＣｏ、又はＦｅとＣｏの両方とを含有する酸化物であり、前記酸化物の結晶相が２種類以上の相を含む排ガス浄化用触媒担体、前記排ガス浄化触媒担体に触媒を担持してなる排ガス浄化触媒、前記排ガス浄化触媒をハニカム内壁に被覆してなる排ガス浄化用ハニカム触媒構造体である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボール接合部の形状、サイズの安定化、ループ形状の安定性などに優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装などの半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる金属を主成分とする表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の金属が面心立方晶であって、前記表皮層の表面の結晶面における長手方向の結晶方位<hkl>のうち、<111>と<100>の占める割合が、ともに50%未満であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】従来の基本性能に加えて、接合性をより向上することができる銅を主体とするボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】半導体装置用ボンディングワイヤは、銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの耐酸化性金属からなる外層とを有するであって、０．２％耐力が０．０７ｍＮ／μｍ^２以上０．１４ｍＮ／μｍ^２以下、最大耐力が０．２０ｍＮ／μｍ^２以上０．２８ｍＮ／μｍ^２以下、及び、単位断面積当たりの伸び値がε１以上ε２以下であり、前記ε１及び前記ε２は、ワイヤの線径をＲとすると、ε１＝（−０．００１×Ｒ＋０．０５５）、ε２＝（−０．００１×Ｒ＋０．０６８）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】０．１μｍ以上のＳｉＯ粉体を、高純度で効率よく製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】減圧下において、ａ）ＳｉＯ気体を発生させる工程、およびｂ）該ＳｉＯ気体をＳｉＯ粉体として析出させる工程を含むＳｉＯ粉体の製造方法であって、前記ｂ）工程は、ＳｉＯ気体を複数の流路を介してＳｉＯ粉体を析出させる析出部へ輸送し、当該析出部で前記流路を合流してＳｉＯ気体同士を衝突させつつ固化させる工程であり、かつ前記析出部におけるＳｉＯ気体の過飽和度は１０以上であることを特徴とする方法によりＳｉＯ粉体を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐酸化性、耐食性、保存安定性、濡れ性（はんだ付け性）の良好な金属めっきのはんだボール、電子部品及び回路基板を提供する。
【解決手段】無電解めっき法、または電気めっき法により、酸化し難いNiめっき、NiBめっき、NiPめっき、NiBPめっき、Coめっき、CoBめっき、CoPめっき、又はCoBPめっきをはんだボール表面に行い、はんだボール表面の金属の出ている部分を覆い、錆が発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】リーニング不良等を生じさせないボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】半導体実装用ボンディングワイヤであって、破断伸びが7〜20%であり、伸び1%における応力が引張り強さの90%以上100%以下の範囲内であることを特徴とするボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】マザーボード基板等との接続に使用されるハンダ合金であり、モバイル機器等で要求される高い耐落下衝撃特性を有する、250℃未満の溶融温度を有するハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材を提供する。
【解決手段】ホウ素を質量で0.1ppm以上200ppm以下含有し、残部が実質的にSnを40質量%以上含有する合金で、その溶融温度が250℃未満であるハンダ合金である。 （もっと読む）