【課題】シールドトンネルの分岐合流工事に際して、切削性と強度を両立させることができ、コストを低く抑えることのできるシールドトンネル構築用セグメントを提供する。
【解決手段】セグメント成型用型枠のコンクリートまたはモルタル充填空間内に、シールド掘削機が容易に掘削できるセグメント補強材を配置し、コンクリートまたはモルタルを充填し固化させたシールドトンネル構築用セグメント１であって、セグメント補強材は、カーボン繊維、ガラス繊維、アラミド繊維、またはビニロンのうちのいずれかを樹脂に含浸して格子状のシートに成形したセグメント格子状補強材２であり、このセグメント格子状補強材２を複数枚合わせてシールドトンネル構築用セグメント１の一側面形状とほぼ同一の形状に成形し、成形したセグメント格子状補強材２の束をセグメント成型用型枠内に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性及びとフレキシビリティ（柔軟性）を具えると共に、ＴＦＴ等の電子デバイスを構成する膜の剥離及びクラックの発生を防止することができる電子デバイス基板用絶縁被覆金属箔及びその製造方法を提案する。
【解決手段】電子デバイス基板用絶縁被覆金属箔には、表面粗さＲａが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である金属箔と、有機基で修飾された無機ポリマーからなり、前記金属箔の表面を被覆する絶縁膜と、が設けられている。また、有機基で修飾された無機ポリマーの絶縁膜では、Ｓｉに結合している有機基がメチル基又はフェニル基の一方又は両方であり、ヤング率が１０²ＭＰａ以上１０⁴ＭＰａ以下である。また、有機基で修飾された無機ポリマー膜の絶縁膜の厚さが０．８μｍ以上４０μｍ以下である。前記金属箔が、ステンレス箔であり、光沢度Ｇｓ（４５°）が３００以上５００未満で、表面粗さＲａが１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】各種の低熱膨張セラミックス材料であっても広く適用可能であり、また、低熱膨張セラミックスの誘電体部表面に形成した内部電極を長期間安定させることができ、更に、誘電体部にもダメージを与え難い構造とすることで静電チャックとしての性能を長期間安定させることを可能ならしめる低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】低熱膨張セラミックス基体と、前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、が設けられている。前記電極の構造は、周期律表ＩＶａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Ｖａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表ＶＩａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第１の層と、周期律表ＩＶａ、Ｖａ又はＶＩａ属元素からなる第２の層と、の積層構造で
ある。 （もっと読む）

【課題】金属箔基板の撓みを抑制しながら所望の特性の素子を形成することができる画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔基板１０には、平面形状が長方形の基部１１、及びこの基部１１から突出する６個の凸部１２が設けられている。６個の凸部１２のうちの２個は短辺に１個ずつ設けられている。残りの４個は長辺に２個ずつ設けられている。固定基板２０は、平面形状が長方形の基部２１に６個の凹部２２が形成されて構成されている。６個の凹部２２のうちの２個は短辺に１個ずつ設けられている。残りの４個は長辺に２個ずつ設けられている。つまり、６個の凹部２２は６個の凸部１２と整合する位置に設けられている。そして、金属箔基板１０を固定基板２０上に、各凸部１２を各凹部２２に嵌合させながら固定する。その後、金属箔基板１０上に素子４２及び４３を形成し、凸部１２を切断することにより、金属箔基板１０を固定基板２０から分離する。 （もっと読む）

【課題】微細粒子を用いて高熱伝導化させ、微細粒子の影響によって樹脂が硬化阻害を起こすことを防止することができるアルミナ粒子の提供。
【解決手段】平均粒径5μｍ以上の大径アルミナ粒子の表面に平均粒径4μｍ以下の微細アルミナ粒子が付着していることを特徴とする。アルミナは１４００−１６００℃で焼結するが、粒径が小さいほど焼結開始温度が低く、粒径が大きいと焼結開始温度が高く、焼結開始温度差を利用することで、大径粒子同士は焼結せずに、微細粒子を大径粒子表面に焼結させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料費が安価で、ボール接合形状、ワイヤ接合性等に優れ、ループ形成性も良好であり、量産性にも優れた半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも１種を総計で10〜700質量ppm、酸素を6〜30質量ppmの範囲で含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料費が安価で、ボール接合形状、ワイヤ接合性等に優れ、ループ形成性も良好であり、量産性にも優れた半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも1種を総計で10〜700質量ppmの含有濃度で含有し、ワイヤ表面にMg及びPの総計濃度が前記含有濃度の10倍以上である濃化層を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バンプ形成工程における歩留を向上させ、導電性ボールを確実に吸着配列して所定の位置に転写し、高い生産性でバンプを形成することができるようにする。
【解決手段】 ボール収容容器１４内の導電性ボール７を吸引して配列した後、その導電性ボール７を搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板の、前記導電性ボール７を吸着する側の裏面に凹部９と凸部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】大面積の吸着エリアの全域にわたって吸着に要する時間を短縮するとともに、大面積ウエハに対して安定して一括で大量の微細導電性ボールを無駄なく配置する。
【解決手段】容器９内の微細導電性ボール７をボール配列板５に吸引配列した後、微細導電性ボール７を搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載する。ボール吸着時に発生する吸引ガスの乱流を整流するための整流板１１と、必要に応じてボール飛散防止用の遮蔽板１２を、ボール配列板５とボール収容容器９との間に設け、大面積の搭載エリアであっても確実にボール吸引配列を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、実用に耐えうる十分な接合強度を有し、接合の信頼性が高く、低熱膨張かつ剛性及び比剛性の高い低熱膨張セラミックス接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】室温における熱膨張係数の絶対値が０．６×１０^−６／Ｋ以下、弾性率が１００ＧＰａ以上、比剛性が４０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上のコーディエライト結晶質焼結体からなる複数の部材の接合面同士を接触させ、熱処理により接合一体化した接合体およびその製造方法である。焼結体は当該焼結体の構成元素（Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ）中におけるＳｉの割合が酸化物（ＭｇＯ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２）換算で５１．５〜７０．０質量％となる条件でＳｉを含有する。焼結体中の余剰ＳｉＯ_２が加熱時に液相を形成して物質移動を活性化し、これにより接合部の材料が実質的に母材と同じになり、熱膨張係数差に起因する残留応力を解消して、極めて高い接合強度の接合体が得られる。 （もっと読む）