【課題】画像のモーションベクトル及び境界強度を取得する方法およびシステムの提供。
【解決手段】画像のモーションベクトルおよび境界強度を取得する方法であって、デコードするブロックおよびマクロブロック／副マクロブロックのタイプに従ってモーションベクトル予測方向情報およびモーションベクトル演算方法情報を決定しS202、モーションベクトル演算方法情報に従って、モーションベクトル予測方向情報を使用してブロックのモーションベクトルを演算するのに必要な関連情報を取得しS204、そして取得した関連情報を使用してブロックのモーションベクトルを演算し、そしてブロックおよび周囲ブロックのモーションベクトルを使用してブロックの境界強度を演算するS206。 （もっと読む）

【課題】シンセサイザの起こり得る温度ドリフトを、連続運転間に補正する制御回路を提供する。
【解決手段】出力信号及び第１の参照信号の間の関係を示す第１の制御信号を生成し及び第１の制御信号に依存する出力信号を生成するために動作可能であり、且つ、第１の制御信号に応じて、出力信号及び第１の参照信号に間の第１の所望の関係を維持しやすいように構成される第１の制御手段と、第１の制御信号と第２の参照信号との間の第２の所望の関係を維持しやすいように、第２の制御信号を経て第１の制御信号に応じて、第１の制御手段の動作に影響を与えるように構成される第２の制御手段と、を有する制御回路。 （もっと読む）

【課題】スキャンテスト用の外部端子の数をなるべく少なくしながら、スキャンテストの設定を容易に行なうことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第１の端子を介して第１の正電源電圧を、第２の端子を介して基準電圧を、第３の端子を介してグランド電圧を受け取るアナログ回路と、第４の端子を介して受け取る第２の正電源電圧により動作し、通常動作とスキャンテスト動作とを選択的に実行し、前記スキャンテスト動作に関連する所定のスキャンテスト関連信号に応じて前記スキャンテスト動作を実行するロジック回路と、前記スキャンテスト動作時に前記第１の端子及び前記第２の端子の少なくとも一方を介して前記所定のスキャンテスト関連信号の少なくとも１つを前記ロジック回路へ供給する第１の信号経路とを含む。 （もっと読む）

【課題】画像上で重なった移動物体同士を分割して認識する。
【解決手段】複数の時系列画像と背景画像とが格納される画像記憶部と、時間を遡って画像処理を行う画像処理部とを備えている。該画像処理部は、（Ｓ２）該複数の時系列画像のうち時刻ｔの画像について、該背景画像と比較して移動物体を認識し、認識された該移動物体に識別符号を付与し、（Ｓ３）時刻ｔの画像に含まれる各移動物体の動きベクトルを求め、（Ｓ４）（ｔ−１）の画像に含まれる移動物体上の領域が識別符号Ｘを持っていると仮定して、該領域に対応した該時刻ｔでの画像上の領域を動きベクトルに基づき推定し、両領域の相関度を求め、複数の識別符号Ｘの各々について求めた相関度の大小関係に基づいて、該領域に付与すべき識別符号を決定することにより時刻（ｔ−１）の画像に含まれている非分離移動物体を分割する。 （もっと読む）

電気ステッピングモータは、磁気的なロータ及びロータを回転させるための少なくとも２つの電磁的な駆動コイルを備える。電気ステッピングモータの例えばストール状態のような作動状態を検出する方法は、少なくとも１つの電磁的な駆動コイルにおける接続ピン（Ｐ，Ｍ）の１つを駆動コイルの非作動状態中に高インピーダンス抵抗（Ｒ１，Ｒ２）を介して所定の電圧源に接続するステップと、非作動状態中の駆動コイルに誘導された電圧を検出して、検出された電圧をデジタル信号に変換するステップと、デジタル信号をデジタル処理で解析し、デジタル信号の正及び負の成分を含む信号波形の評価によって、ロータの作動状態を導出するステップと、を備える。
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【課題】品質の均一性が保たれ、信頼性が向上する。
【解決手段】複数個の半導体素子１１０が搭載された被処理基板を、成形金型１５０のキャビティ１５３に配置して、キャビティ１５３内に、第１のゲート１４０から第１の樹脂１３１ａを注入すると共に、キャビティ１５３を挟み第１のゲート１４０に対向して配置された第２のゲート２４０から第２の樹脂２３１ａを注入して、キャビティ１５３の中央部において両樹脂を衝突させた後、当該樹脂をキャビティ１５３の周縁部に流動させて、半導体素子１１０が封止される。 （もっと読む）

【課題】解析対象セルの消費電力を短時間で計算すること。解析対象セルの消費電力を精度よく算出すること。
【解決手段】リファレンスピンの複数の動作率のそれぞれについて消費電力を定義したライブラリを生成する。そのライブラリに基づいてリファレンスピンの平均動作率での消費電力を求める。リファレンスピンの平均動作率での消費電力がライブラリに記述されていない場合には、補間処理によって平均動作率での消費電力を求める。その平均動作率での消費電力、およびトリガピンの動作率や動作周波数などの動作条件に基づいて、解析対象セルの消費電力を求める。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１上にＳＴＩ構造を有する素子分離領域を形成する工程と、前記シリコン基板２１の第１の素子領域２１Ａに、前記シリコン基板の第１の領域２１Ａおよび第２の素子領域２１Ｂの素子分離絶縁膜２１ＩＢが開口した第１のレジストパターンＲ２１Ｂで覆った状態で第１の不純物元素を第１のイオン注入により導入し、前記シリコン基板２１の第２の素子領域２１Ｂに、前記シリコン基板の第２の領域２１Ｂおよび第１の素子領域２１Ａの素子分離絶縁膜２１ＩＡが開口した第２のレジストパターンＲ２１Ａで覆った状態で第２の不純物元素を第２のイオン注入により導入し、第１のウェルおよび第２のウェルを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が一定値以下に低下した場合であっても、昇圧能力が低下せず、安定した昇圧効率を維持することができるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＶＩＮが一定値以下に低下すると、クロックＣＬＫ１がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４４は、ノードｎ１１を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２１がＯＮになることを防ぐ。クロックＣＬＫ２がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４５は、ノードｎ１２を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２２がＯＮになることを防ぐ。クロックＣＬＫ３がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４６は、ノードｎ１３を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２３がＯＮになることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）