【課題】シングルスロープ型のランプ波形を有する信号を使用するＡＤＣ回路を有するイメージセンサにおいて、高解像度を維持して変換速度を向上させる。
【解決手段】ピクセルアレイ11と、各コラムごとに設けられた複数のコラム信号線23と、コラム信号線に出力されたアナログ検出信号を増幅するコラムアンプ25と、コラムアンプの出力するアナログ検出信号をそれぞれデジタル信号に変換するコラムＡＤＣ部と、を備えるイメージセンサであって、各コラムＡＤＣは、入力保持機能を有する複数のＡＤＣ回路30A,30Bを備え、複数のＡＤＣ回路は、１個のコラムアンプの出力するアナログ検出信号を時分割でラッチしてデジタル信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】異物や欠陥等を高いスループットで確実に撮像し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】スクライブライン領域に形成された検査用特徴物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ１と、検査用特徴物の座標値を第２の装置により取得するステップＳ２と、第１の装置により取得された検査用特徴物の座標値と第２の装置により取得された検査用特徴物の座標値との差に基づいて補正値を求めるステップＳ３と、デバイス領域の欠陥又は異物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ５と、第１の装置により取得されたデバイス領域の欠陥又は異物の座標値を補正値により補正し、補正値により補正された座標値に基づいてデバイス領域内の欠陥又は異物を第２の装置により撮像するステップＳ６，Ｓ７とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、暗号化方式で規定された各動作モードに対応できる小型の暗号化・復号化回路を提供することにある。
【解決手段】
本発明における暗号化・復号化回路は、DES方式における暗号化および復号化の4つ動作モード全てに対応するために、入力データを入れ替えて、各動作モードの規定に応じた処理ユニットに入力させる小型のスワップ回路を有する。さらに、この暗号化・復号化回路は、1連の暗号化・復号化において、2回目以降の暗号化・復号化処理のために用いられるIVデータを更新するために、IV更新ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】物理アドレス情報を読み取ることが困難な場合でも、データを再生すること。
【解決手段】復調部１でディスク５から物理アドレス情報Ｄａｔａ−ＩＤを読み取ることが困難である場合に、訂正部２で所定数のセクタに対して外側パリティデータを用いてＰＯ訂正処理を行い、ＰＯ訂正処理の成功によってＥＣＣブロックの境界を判別する。さらに、そのＥＣＣブロックに対して訂正処理を行い、物理アドレス情報Ｄａｔａ−ＩＤを取得する。ＰＯ訂正処理が成功しない場合には、ＰＯ訂正処理対象のセクタ群を変更して、ＰＯ訂正処理を行う。また、物理アドレス情報Ｄａｔａ−ＩＤを含むフレームに対してのみＰＩ訂正処理を行い、ＰＩ訂正処理の成功によって物理アドレス情報Ｄａｔａ−ＩＤを取得する。取得した物理アドレス情報Ｄａｔａ−ＩＤに基づいて、ディスク５に記録されているデータを再生する。 （もっと読む）

【課題】フィルタ回路で、製造ばらつきに対応して容易に特性周波数のずれを補正すること。
【解決手段】フィルタ回路１０はｇｍ値が制御可能なセルと、少なくとも２つのコンデンサを含むフィルタ部１１を有し、２つのコンデンサの容量差を検出し、その容量差に応じて生成した制御電圧ＶＣをフィルタ部１１のｇｍセルに供給し、ｇｍセルのコンダクタンス値とコンデンサの容量値との比をそれぞれ等しくする。 （もっと読む）

【課題】解析対象セルの消費電力を短時間で計算すること。解析対象セルの消費電力を精度よく算出すること。
【解決手段】リファレンスピンの複数の動作率のそれぞれについて消費電力を定義したライブラリを生成する。そのライブラリに基づいてリファレンスピンの平均動作率での消費電力を求める。リファレンスピンの平均動作率での消費電力がライブラリに記述されていない場合には、補間処理によって平均動作率での消費電力を求める。その平均動作率での消費電力、およびトリガピンの動作率や動作周波数などの動作条件に基づいて、解析対象セルの消費電力を求める。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１上にＳＴＩ構造を有する素子分離領域を形成する工程と、前記シリコン基板２１の第１の素子領域２１Ａに、前記シリコン基板の第１の領域２１Ａおよび第２の素子領域２１Ｂの素子分離絶縁膜２１ＩＢが開口した第１のレジストパターンＲ２１Ｂで覆った状態で第１の不純物元素を第１のイオン注入により導入し、前記シリコン基板２１の第２の素子領域２１Ｂに、前記シリコン基板の第２の領域２１Ｂおよび第１の素子領域２１Ａの素子分離絶縁膜２１ＩＡが開口した第２のレジストパターンＲ２１Ａで覆った状態で第２の不純物元素を第２のイオン注入により導入し、第１のウェルおよび第２のウェルを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が一定値以下に低下した場合であっても、昇圧能力が低下せず、安定した昇圧効率を維持することができるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＶＩＮが一定値以下に低下すると、クロックＣＬＫ１がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４４は、ノードｎ１１を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２１がＯＮになることを防ぐ。クロックＣＬＫ２がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４５は、ノードｎ１２を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２２がＯＮになることを防ぐ。クロックＣＬＫ３がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４６は、ノードｎ１３を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２３がＯＮになることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】外部機器との距離の変化に応じて駆動電力が変化した場合でも信号を正常に無線送信する。
【解決手段】通信装置１は、外部のリーダ／ライタからアンテナ２０を通じて電力の供給を受けて駆動する。強度検出部１１は、アンテナ２０を通じて受信された受信波の強度を検出する。送信信号生成部１２は、リーダ／ライタに送信する送信データと基準パルスとを重畳した送信信号パルスを生成する。変調部１３は、送信信号生成部１２から出力された送信信号パルスに応じて負荷変調を行う。これにより、送信データに応じた無線信号がリーダ／ライタに送信される。パルス制御部１４は、送信信号パルスに現れる基準パルスのデューティ比を、受信波の強度が弱いほどＨレベルの期間を短くするように変化させて、負荷変調後の変調信号波形の形状を制御する。 （もっと読む）